CN102236265A - 光刻设备和制造物品的方法 - Google Patents

光刻设备和制造物品的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102236265A
CN102236265A CN2011101035907A CN201110103590A CN102236265A CN 102236265 A CN102236265 A CN 102236265A CN 2011101035907 A CN2011101035907 A CN 2011101035907A CN 201110103590 A CN201110103590 A CN 201110103590A CN 102236265 A CN102236265 A CN 102236265A
Authority
CN
China
Prior art keywords
shadow shield
substrate
arc
zone
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101035907A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102236265B (zh
Inventor
森坚一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN102236265A publication Critical patent/CN102236265A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102236265B publication Critical patent/CN102236265B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

本发明涉及光刻设备和制造物品的方法，该光刻设备包括：遮光板，该遮光板在其边缘上包括与圆形边界线重叠的弧形，该圆形边界线限定要将该图案转印到其上的区域，并且，该圆形边界线位于基板的外周的内侧，所述遮光板阻挡光以防止该光入射到位于圆形边界线的外侧的外周区域上；第一驱动单元，围绕与照射系统的光学轴平行的轴旋转所述遮光板；以及第二驱动单元，在垂直于光学轴的平面内线性驱动所述遮光板。

Description

光刻设备和制造物品的方法
技术领域
本发明涉及光刻设备和制造物品的方法。
背景技术
近年来，通过采用倒装片(flip-chip)实现来安装半导体器件变得愈发普遍。制造通过使用倒装片实现而被安装的半导体器件的工艺包括在器件上形成焊料球的工艺。作为形成焊料球的一种方法，镀敷(plating)是可用的。为了通过镀敷来形成焊料球，必须使在晶片(有时也称作基板)上形成的导电膜与镀敷装置的电极互相接触以将它们互相电连接。为了满足这个要求，日本专利公开No.2-51254提出了将导电膜上形成的抗蚀剂膜的要与电极接触的部分剥离的方法。如果使用的抗蚀剂是负性抗蚀剂，只需要在曝光期间防止晶片周边部分上的光。为了这样做，美国专利No.6680774提出一种在晶片上定位遮光板的方法。
并且，日本专利特开No.2005-286062公开了一种压印(imprint)设备，该压印设备用紫外线照射与模具接触的晶片上的抗蚀剂，以将模具的图案转印到抗蚀剂上。为了限定与晶片周边部分中的每个击射(shot)区域对应的照射区域，日本专利特开No.2005-286062中公开的压印设备包括驱动单元，该驱动单元在x和y方向上驱动具有分别与第一到第四象限中晶片的轮廓对应的弧形的四个遮光板。
然而，在美国专利No.6680774中描述的在晶片上布置遮光板的方法在遮光板被装载/卸载时产生粉尘，因此污垢可能附着到晶片上，导致半导体器件的缺陷。并且，日本专利特开No.2005-286062中描述的四个遮光板在紧挨在晶片上方的位置被驱动时产生粉尘，并且需要用于在x和y方向上驱动遮光板的总共八个驱动单元。
发明内容
本发明提供一种光刻设备，该光刻设备以简单结构阻挡光以防止该光入射到基板上的外周区域上，而不允许污垢附着到基板上。
本发明在其第一方面提供了一种光刻设备，该光刻设备通过照射系统经由原版以光照射涂覆在基板上的感光材料，以将该原版的图案转印到基板上的击射区域上，该设备包括：遮光板，该遮光板在其边缘上包括与圆形边界线重叠的弧形，该圆形边界线限定基板上的要将该图案转印到其上的区域，并且，该圆形边界线位于基板的外周的内侧并且距该基板的外周预定距离，该遮光板阻挡光以防止该光入射到基板上的位于圆形边界线的外侧的外周区域上；第一驱动单元，围绕与照射系统的光学轴平行的轴旋转该遮光板；以及第二驱动单元，在垂直于照射系统的光学轴的平面内线性驱动该遮光板。
本发明在其第二方面提供了一种光刻设备，该光刻设备通过照射系统经由原版以光照射涂覆在基板上的感光材料，以将该原版的图案转印到基板上的击射区域上，该设备包括：遮光板，该遮光板在其边缘上包括与圆形边界线重叠的多边形的边，该圆形边界线限定基板上的要将该图案转印到其上的区域，并且，该圆形边界线位于基板的外周的内侧并且距该基板的外周预定距离，该遮光板阻挡光以防止该光入射到基板上的位于该圆形边界线的外侧的外周区域上；第一驱动单元，围绕与照射系统的光学轴平行的轴旋转该遮光板；以及第二驱动单元，在垂直于照射系统的光学轴的平面内线性驱动该遮光板。
从参照附图对示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的曝光设备的视图；
图2A和2B是用于说明基板上的转印区域的视图；
图3A到3D是用于说明根据第一实施例的遮光板的视图；
图4是用于说明根据第一实施例的曝光方法的流程图；
图5A和5B是用于说明改变遮光宽度的方法的视图；
图6是用于说明根据第二实施例的遮光板的视图；
图7是用于示出第一实施例的另一个例子的视图；
图8是用于说明根据第三实施例的遮光板的视图；以及
图9是用于说明第三实施例的优势的视图；
具体实施方式
[第一实施例]
图1示出了根据第一实施例的光刻设备，该光刻设备通过照射系统经由原版以光照射涂覆在基板上的感光材料，以将该原版的图案转印到基板上的击射区域上。在第一实施例中，通过投射光学系统将原版的图案投射和转印到击射区域的曝光设备上被用作光刻设备。尽管图1图示了其中使用超高压汞灯作为光源1的例子，但准分子激光器可以被使用。椭圆反射镜被典型地用作会聚反射镜2。除了椭圆反射镜，还可以使用被优化以提高聚光点处的聚光度的分段反射镜。快门3经受打开/关闭时间调整，以调整涂覆有感光材料(感光剂)(后面将描述)的基板(晶片)13上的曝光量。在曝光设备中，相干因子(σ值)必须被改变为根据要被转印的图案而优化投射光学系统的成像性能。该σ值是[(照明光学系统的NA)/(投射光学系统的NA)]，并且能够通过改变确定照明光学系统的NA(数值孔径)的复眼透镜5上的光束直径而被改变。变倍中继光学系统4具有变焦机构，并且能够改变复眼透镜5上的光束直径。柱面透镜阵列可以被使用来替代复眼透镜5。该复眼透镜5在其入射表面上分割光束的波前，以在其出射表面上形成二次光源。会聚光学系统6在要被照明的表面上叠加已经通过复眼透镜5经受波前分割的光束。这使得能够在要被照明的表面上获得均匀的照度分布。遮蔽叶片7位于会聚光学系统6的要被照明的表面上。遮蔽叶片7是具有可变孔径的光阑，并且确定该曝光设备通过分步重复法重复地将图案转印到其上的一个击射区域的形状(击射形状)。也就是说，遮蔽叶片7形成第二遮光板，它阻挡光以防止其入射到位于限定击射区域的外边缘的直线状边的外侧的区域上。中继光学系统8把形成在遮蔽叶片7的位置处的照度分布投射到遮光板9上。中继光学系统10把形成在遮光板9的位置处的照度分布投射到原版(母版)11上。上面所述的从光源1到中继光学系统10的部件构成照射系统，该照射系统经由原版(母版)11以光照射涂覆在基板(晶片)13上的感光材料(感光剂)。
当曝光设备通过分步重复法重复地曝光晶片13时，遮光板9能够根据晶片13上的曝光位置而改变曝光设备将图案转印到其上的区域的形状。遮光板9在其边缘上包括与圆形边界线重叠的弧形，该圆形边界线限定基板上的转印区域，并且位于基板的外周的内侧并且距基板的外周预定距离，该遮光板9阻挡光以防止其入射到基板上的位于圆形边界线外侧的外周区域上。由于圆形可由多边形进行近似，包括与圆形边界线重叠的多边形的边的遮光板可被用作包括所述与圆形边界线重叠的弧形的遮光板。为了定位方面的方便，第一实施例呈现了这样一种布置，在该布置中，使用中继光学系统8，使遮蔽叶片7和遮光板9位于照射系统内的不同的光学共轭位置处。然而，当没有定位方面的问题时，遮蔽叶片7可以被定位为与遮光板9相邻，如图7中所示。在将遮蔽叶片7定位为与遮光板9相邻时，如果它们不落入实际上相同的位置内，则希望把遮光板9定位在与晶片13光学共轭的位置处并且把遮蔽叶片7定位在散焦位置处。并且，如果散焦量落在容限之外，则遮蔽叶片7阻挡光以防止其入射到位于直线状边的外侧的区域上，该直线状边限定与第一方向平行的击射区域的外边缘。阻挡光的遮光部分被设置在使用Cr图案的母版(原版)11上，以防止光入射到位于直线状边的外侧的区域上，该直线状边限定与垂直于第一方向的第二方向平行的击射区域的外边缘。此外，可以根据母版11上的Cr图案确定击射区域的形状，并且，遮蔽叶片7可以使用大于击射区域的形状的区域阻挡光，以便防止伴随母版11上的Cr缺陷的转印。在照射系统内定位遮蔽叶片7和遮光板9的次序是任意的，因此其中的任意一个可以在光源1侧。
中继光学系统10把形成在遮光板9的位置处的照度分布投射到母版11上。要被转印的电路图案被绘制在母版(有时也被称作掩模)11上。投射光学系统12将绘制在母版11上的图案投射并成像在涂覆有感光膜(有时也被称作抗蚀剂)的晶片(有时也被称作基板)13上。控制器(计算机)14控制曝光设备以将晶片13曝光。
下面将更详细地描述遮光板9。图2A是用于说明当从图2A中的进入纸面的方向观看晶片13时的晶片13上的转印区域的视图。虽然由硅制成的晶片被典型地用作晶片13，但是，由玻璃、蓝宝石或者化合物制成的晶片也经常被使用。根据投射光学系统12的成像区域，确定曝光设备可通过一次转印操作而将图案转印到其上的区域，并且，该区域通常小于晶片13的尺寸。因此，被称为分步重复方案并且在逐步移动晶片13的同时重复转印的方法被用于这种情况。在图2A中用斜线指示的区域表示通过一次转印操作将图案转印到其上的击射区域。通过在使晶片13移位的同时将图案重复地转印到这种击射区域上，由“C”指示的相同图案可被重复地转印作为整体。如关于背景技术已描述的，在晶片13上存在其中抗蚀剂必须被剥离的区域，以便在镀敷工艺中使该区域与电极接触。这个区域是图2A中的晶片13的周边部分中的宽度为d的外周区域。如果涂覆在晶片13上的抗蚀剂是负性抗蚀剂，则在曝光期间，该外周区域必须被遮光。也就是说，对于图2A中由附图标记131表示的转印区域，图案必须被转印在如图2B中所示的曝光范围内。
图3B示出了根据第一实施例的用于允许如上所述的转印区域的曝光的遮光板9。图3B是示出了当从图1中的纸面上的横向方向观看时的遮光板9的视图。在图3B中由附图标记A指示的由虚线包围的区域代表遮光板9上的击射区域的形状，并且，遮光板9为它遮光从而形成这个形状。遮光板9在其边缘上包括至少一个弧形。希望该弧形的半径等于通过投射光学系统12向晶片13上投射时从晶片13的半径减去外周区域的遮光宽度d所获得的值。尽管希望使用弧形，但是如果多边形可用作晶片13的周边上的遮光区域的形状，则也可以使用直线。驱动单元96是围绕与照射系统的光学轴平行的轴旋转遮光板9的第一驱动单元。驱动单元95是在与照射系统的光学轴垂直的平面内在径向上线性驱动遮光板9的第二驱动单元。在图3B中所示的例子中，通过在驱动单元96上安装驱动单元95，在把光学轴定义为中心时，能够在径向和旋转方向两者上驱动遮光板9。注意，只要在将光学轴定义为中心时遮光板9能够在径向和旋转方向两者上被驱动，也可以采用另一个实施例。
当图案要被转印到其上的击射区域与外周区域接触时，控制器(计算机)14控制驱动单元96(第一驱动单元)和驱动单元95(第二驱动单元)，使得遮光板9被定位在这样的位置处，即在该位置处，遮光板9覆盖与该击射区域接触的外周区域。例如，为了如图3A中所示那样照射晶片13上的右上区域，遮光板9被定位为覆盖区域A，如图3B中所示。这样，遮光板9在虚线所指示的位置处部分遮挡(eclipse)图3A中所示的击射区域，从而使得能够在晶片13的周边部分中产生不曝光区域。为了如图3C中所示那样照射晶片13上的左下区域，遮光板9被定位为覆盖区域A，如图3D中所示。这样，遮光板9在虚线所指示的位置处部分遮挡图3C中所示的击射区域，从而使得能够在晶片13的周边部分中产生不曝光区域。
下面将参照图4中所示的流程图描述根据第一实施例的曝光方法。在步骤1001中，周边遮光宽度和诸如σ值、击射形状和击射布局之类的曝光条件被输入到控制曝光设备的计算机14。在步骤1002中，计算机14基于输入的σ信息将变倍中继光学系统4驱动到预定位置，并且基于所输入的重复转印区域信息来驱动遮蔽叶片7。曝光设备的其它组成元件(未示出)也基于曝光条件被驱动以呈现特定状态。在步骤1003中，要被曝光的晶片13被装载。在步骤1004中，计算机14基于输入的周边遮光宽度和下一个曝光击射在晶片13上的位置，确定遮光板9要被驱动到的位置。在步骤1005中，计算机14驱动保持晶片13的台，以将下一曝光击射移动到投射光学系统12的转印区域，并且将遮光板9驱动到预定位置。在步骤1006中，计算机14控制快门3的驱动以用预定的曝光量照射晶片13。这样，母版11的图案被缩小或者放大并且被转印到晶片13上的感光剂上。在步骤1007中，计算机14确定是否晶片13上的所有击射区域都已经被重复地曝光。如果还留有要曝光的击射区域，则处理返回到步骤1004，在该步骤中启动下一击射的曝光。如果所有击射区域都已经被曝光，则晶片13的曝光处理结束，并且在步骤1008中，晶片13被卸载。在步骤1009中，计算机14确定是否所有的晶片13都已经被曝光了。如果还留有要被曝光的晶片13，则启动下一个晶片13的曝光处理。如果所有的晶片13都已经被曝光，则曝光处理结束。
能够通过合适地设置输入来改变晶片13的周边的遮光宽度。例如，当设置如图5A中所示那样的具有以遮光宽度d优化的弧形的遮光板9，而输入如图5B中所示那样的不同宽度D时，能够使用其弧形以几乎圆形的形状阻挡光。尽管已经参照图5描述了其中遮光宽度极端变化的例子，但是当晶片13具有300mm的直径时，在实际中遮光宽度仅在1mm到5mm的范围内变化。因此，只要使用对于3mm的遮光宽度优化的弧形形状，就能够以充分接近圆形的形状阻挡光。
[第二实施例]
下面将参照图6描述第二实施例。根据第二实施例的遮光板9包括两个弧形：第一弧形和第二弧形，所述第一弧形和第二弧形位于遮光板9的边缘上的相反位置处并且在从遮光板9的内侧到其外侧的方向上凹陷地弯曲，如图6中所示。这样，驱动单元96只需要以最大180°旋转遮光板9。在第一实施例中，由于只使用一个弧形为晶片13上的外周区域遮光，因此驱动单元96需要360°的旋转范围。然而，在第二实施例中，由于两个弧形参与到光阻挡中，因此，例如通过使用不同弧形作为对晶片13上的第一和第四象限中的外周区域遮光的弧形和对晶片13上的第二和第三象限中的外周区域遮光的弧形，驱动单元96的旋转范围能够被缩窄到180°。这使得能够缩短直到光阻挡状态被设置的驱动时间，并且减少包括驱动单元95和驱动单元96的驱动装置的成本。因为预期两个弧形之间的距离和它们的形状由于加工误差而改变，所以期望对每个弧形设置驱动中的偏移。并且，尽管在第二实施例中采用两个弧形，但是三个或者更多个弧形可以被采用。可以使用第一弧形对第一和第二象限中的外周区域遮光并且可以使用第二弧形对第三和第四象限中的外周区域遮光，并且，在360°内为每个弧形分配的范围取决于设计自由度的程度。可以假设驱动单元96移动180°或者更多来设置设计方面的旋转范围。
[第三实施例]
下面将参照图8描述第三实施例。根据第三实施例的遮光板9具有开口并且包括第一弧形和第二弧形，所述第一弧形和第二弧形位于开口的边缘上的相反位置处，并且，所述第一弧形和第二弧形在从开口的内侧到其外侧的方向上凸起地弯曲，如图8中所示。在第二实施例中，由于两个弧形被形成在一个遮光板9的前后部分中，因此当击射区域的一端被遮光并且其另一端接着被遮光时，遮光板9需要穿越曝光区域。然而，在第三实施例中，由于两个弧形是通过开口而相对的，因此遮光板9不需要穿越曝光区域。该区别的细节将通过采用一个情况作例子来说明，在该情况中，例如，晶片13从击射区域C1到击射区域C32被依次曝光，如图9中所示。第二象限中的外周区域必须在击射区域C2中被遮光，并且，第一象限中的外周区域必须在击射区域C3中被遮光。因此，在第二实施例中，为了在曝光击射区域C2之后曝光击射区域C3，遮光板9需要穿越曝光区域，并且在穿越期间曝光不能被执行，这样减少了每单位时间处理的晶片数量。然而，在第三实施例中，不引起这样的问题，所以晶片13上的外周区域能够被遮光而不减少每单位时间处理的晶片数量。并且，在击射区域C5的曝光之后曝光击射区域C10之前，用于光阻挡的弧形必须从一个弧形被切换到另一个弧形。在第二实施例中，必须停止曝光以更换弧形。然而，在第三实施例中，用于更换弧形的驱动可在曝光击射区域C6到C9的同时被执行，所以晶片13上的外周区域能够被遮光而不减少每单位时间处理的晶片数量。因为预期两个弧形之间的距离和它们的形状由于加工误差而改变，所以期望对每个弧形设置驱动中的偏移。
在第一到第三实施例中，通过投射光学系统将原版的图案投射和转印到基板上的击射区域上的曝光设备被用作光刻设备。然而，执行压印处理的压印设备可被用作光刻设备，所述压印处理将原版(模具)压在感光材料上，并且经由原版通过照射系统以光照射感光材料，从而固化感光材料。
[制造物品的方法]
制造作为物品的器件(例如，半导体集成电路器件或者液晶显示器件)的方法包括使用上面提到的光刻设备将图案转印(形成)到基板(晶片、玻璃板或膜状基版)上的步骤。该制造方法还可包括蚀刻图案被转印到其上的基板的步骤。注意，当要制造诸如图案化介质(记录介质)或者光学元件之类的其它物品时，制造方法可包括代替蚀刻的加工图案被转印到其上的基板的其它处理。尽管上面已经描述了第一到第三实施例，但是本发明不局限于这些实施例，并且可做出各种变型和改变而不脱离本发明的范围。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被给予最宽的解释，以便包含所有这样的变型以及等同的结构和功能。

Claims (12)

1.一种光刻设备，该光刻设备通过照射系统经由原版以光照射涂覆在基板上的感光材料，以将该原版的图案转印到基板上的击射区域上，该设备包括：
遮光板，该遮光板在其边缘上包括与圆形边界线重叠的弧形，该圆形边界线限定基板上的要将该图案转印到其上的区域，并且，该圆形边界线位于基板的外周的内侧并且距该基板的外周预定距离，所述遮光板阻挡光以防止该光入射到基板上的位于圆形边界线的外侧的外周区域上；
第一驱动单元，围绕与照射系统的光学轴平行的轴旋转所述遮光板；以及
第二驱动单元，在垂直于照射系统的光学轴的平面内线性驱动所述遮光板。
2.根据权利要求1的设备，还包含控制器，该控制器控制所述第一驱动单元和所述第二驱动单元，使得当图案要被转印到其上的击射区域与外周区域接触时，所述遮光板被定位在这样的位置处，即在该位置处，所述遮光板覆盖与该击射区域接触的外周区域。
3.根据权利要求1的设备，其中，所述弧形包括第一弧形和第二弧形，所述第一弧形和第二弧形位于所述遮光板的边缘上的相反位置处，并且，所述第一弧形和第二弧形在从所述遮光板的内侧到其外侧的方向上凹陷地弯曲。
4.根据权利要求1的设备，其中
所述遮光板包括开口，以及
所述弧形包括第一弧形和第二弧形，所述第一弧形和第二弧形位于该开口的边缘上的相反位置处，并且，所述第一弧形和第二弧形在从该开口的内侧到其外侧的方向上凸起地弯曲。
5.根据权利要求1的设备，其中，所述遮光板位于照射系统内的与基板共轭的位置处。
6.根据权利要求5的设备，还包括
第二遮光板，该第二遮光板阻挡光以防止该光入射到位于直线状边的外侧的区域上，该直线状边限定击射区域的外边缘，
其中，所述第二遮光板位于照射系统内的与基板共轭并且不同于所述遮光板所位于的位置的位置。
7.根据权利要求5的设备，还包括
第二遮光板，该第二遮光板阻挡光以防止该光入射到位于直线状边的外侧的区域上，该直线状边限定击射区域的外边缘，
其中，所述第二遮光板位于与所述遮光板相邻的位置。
8.根据权利要求5的设备，还包括
第二遮光板，该第二遮光板阻挡光以防止该光入射到位于直线状边的外侧的区域上，该直线状边限定击射区域的与第一方向平行的外边缘，
其中，所述第二遮光板位于与所述遮光板相邻的位置，以及
所述原版包括遮光部分，该遮光部分阻挡光以防止该光入射到位于直线状边的外侧的区域上，该直线状边限定击射区域的与垂直于第一方向的第二方向平行的外边缘。
9.根据权利要求1的设备，其中，所述光刻设备包括曝光设备，该曝光设备通过投射光学系统将原版的图案投射和转印到击射区域上。
10.根据权利要求1的设备，其中，所述光刻设备包括执行压印处理的压印设备，该压印处理将模具的图案压在感光材料上，并且经由所述模具通过照射系统以光照射所述感光材料，从而固化所述感光材料。
11.一种光刻设备，该光刻设备通过照射系统经由原版以光照射涂覆在基板上的感光材料，以将该原版的图案转印到基板上的击射区域上，该设备包括：
遮光板，该遮光板在其边缘上包括与圆形边界线重叠的多边形的边，该圆形边界线限定基板上的要将该图案转印到其上的区域，并且，该圆形边界线位于基板的外周的内侧并且距该基板的外周预定距离，该遮光板阻挡光以防止该光入射到基板上的位于该圆形边界线的外侧的外周区域上；
第一驱动单元，围绕与照射系统的光学轴平行的轴旋转所述遮光板；以及
第二驱动单元，在垂直于照射系统的光学轴的平面内线性驱动所述遮光板。
12.一种制造物品的方法，该方法包括：
使用权利要求1到11中的任一项中定义的光刻设备，在基板上形成图案；以及
在所述形成中对在其上形成图案的基板进行加工。
CN201110103590.7A 2010-04-28 2011-04-25 光刻设备和制造物品的方法 Active CN102236265B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010104232A JP5127875B2 (ja) 2010-04-28 2010-04-28 リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP2010-104232 2010-04-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102236265A true CN102236265A (zh) 2011-11-09
CN102236265B CN102236265B (zh) 2014-01-29

Family

ID=44858017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110103590.7A Active CN102236265B (zh) 2010-04-28 2011-04-25 光刻设备和制造物品的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8760627B2 (zh)
JP (1) JP5127875B2 (zh)
KR (1) KR101359080B1 (zh)
CN (1) CN102236265B (zh)
TW (1) TWI442188B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103293873A (zh) * 2012-02-28 2013-09-11 佳能株式会社 曝光装置和使用曝光装置的器件制造方法
CN109073982A (zh) * 2016-02-16 2018-12-21 库力&索法利特克有限公司 用于防止基体的周边曝光的光刻设备及方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5836652B2 (ja) 2011-06-10 2015-12-24 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP5789135B2 (ja) * 2011-06-17 2015-10-07 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
JP5868094B2 (ja) * 2011-09-26 2016-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP6012200B2 (ja) * 2012-02-28 2016-10-25 キヤノン株式会社 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法
WO2014016163A1 (en) * 2012-07-23 2014-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6200135B2 (ja) * 2012-07-24 2017-09-20 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および、物品製造方法
DE102012218074A1 (de) * 2012-10-04 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung
US20150277239A1 (en) * 2012-10-05 2015-10-01 Rudolph Technologies, Inc. Multiple-Blade Device for Substrate Edge Protection during Photolithography
JP6288985B2 (ja) 2013-08-13 2018-03-07 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP6177409B2 (ja) * 2016-10-19 2017-08-09 キヤノン株式会社 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法
JP6936672B2 (ja) * 2017-09-19 2021-09-22 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP7145620B2 (ja) * 2018-02-27 2022-10-03 株式会社オーク製作所 投影露光装置
JP7162430B2 (ja) * 2018-02-27 2022-10-28 株式会社オーク製作所 投影露光装置
KR102439935B1 (ko) * 2018-02-27 2022-09-02 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 투영 노광 장치
JP7179420B2 (ja) 2019-01-29 2022-11-29 株式会社オーク製作所 投影露光装置及び投影露光装置に使用する遮光板
JP7446069B2 (ja) * 2019-09-03 2024-03-08 キヤノン株式会社 露光装置及び物品の製造方法
JP7446799B2 (ja) * 2019-12-05 2024-03-11 キヤノン株式会社 インプリント方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030017401A1 (en) * 2001-07-19 2003-01-23 Niko Corporation Stencil reticles for use in charged-particle-beam microlithography, and pattern-determination methods for such reticles
CN1508631A (zh) * 2002-12-19 2004-06-30 Asml 器件制造方法和所制出的器件以及计算机程序和光刻装置
JP2005045160A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光方法
EP1582923A2 (en) * 2004-03-29 2005-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Processing apparatus
CN101178547A (zh) * 2006-11-07 2008-05-14 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3056206B1 (ja) * 1999-03-18 2000-06-26 広島日本電気株式会社 ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法
US6680774B1 (en) * 2001-10-09 2004-01-20 Ultratech Stepper, Inc. Method and apparatus for mechanically masking a workpiece
JP2003158067A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および露光装置
JP4458329B2 (ja) 2003-12-26 2010-04-28 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006040915A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、及びその製造装置、並びに電気光学装置の製造方法
US7936447B2 (en) * 2006-05-08 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4838698B2 (ja) 2006-12-19 2011-12-14 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
US7777863B2 (en) * 2007-05-30 2010-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with mask to prevent exposure of peripheral exposure region of substrate
JP2009239018A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Orc Mfg Co Ltd 投影露光装置
NL2003962A (en) * 2008-12-24 2010-06-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5789135B2 (ja) * 2011-06-17 2015-10-07 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
JP5868094B2 (ja) * 2011-09-26 2016-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030017401A1 (en) * 2001-07-19 2003-01-23 Niko Corporation Stencil reticles for use in charged-particle-beam microlithography, and pattern-determination methods for such reticles
CN1508631A (zh) * 2002-12-19 2004-06-30 Asml 器件制造方法和所制出的器件以及计算机程序和光刻装置
JP2005045160A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光方法
EP1582923A2 (en) * 2004-03-29 2005-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Processing apparatus
CN101178547A (zh) * 2006-11-07 2008-05-14 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103293873A (zh) * 2012-02-28 2013-09-11 佳能株式会社 曝光装置和使用曝光装置的器件制造方法
US9134619B2 (en) 2012-02-28 2015-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using same
CN105182698A (zh) * 2012-02-28 2015-12-23 佳能株式会社 曝光装置和使用曝光装置的器件制造方法
US9568836B2 (en) 2012-02-28 2017-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using same
CN109073982A (zh) * 2016-02-16 2018-12-21 库力&索法利特克有限公司 用于防止基体的周边曝光的光刻设备及方法
CN109073982B (zh) * 2016-02-16 2020-11-10 库力&索法利特克有限公司 用于防止基体的周边曝光的光刻设备及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5127875B2 (ja) 2013-01-23
US20110267595A1 (en) 2011-11-03
TW201200970A (en) 2012-01-01
CN102236265B (zh) 2014-01-29
JP2011233781A (ja) 2011-11-17
KR20110120220A (ko) 2011-11-03
TWI442188B (zh) 2014-06-21
US8760627B2 (en) 2014-06-24
KR101359080B1 (ko) 2014-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102236265B (zh) 光刻设备和制造物品的方法
JP3943280B2 (ja) リソグラフィック投影装置
KR101060323B1 (ko) 네가티브 포토레지스트를 이용하여 기판을 통과하는미세구조의 마스터링을 위한 시스템과 그 방법 및 상기방법으로 제조한 미세구조 마스터
JP3259657B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP5390691B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP2004063988A (ja) 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
KR20020022117A (ko) 노광장치 및 노광방법
WO2003065427A1 (fr) Dispositif et procede d'exposition
KR101486632B1 (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TW200839460A (en) Exposure apparatus and semiconductor device fabrication method
US7397537B2 (en) Exposure apparatus and exposure method
JP2008270568A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP3599648B2 (ja) 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法
JP2001244183A (ja) 投影露光装置
JP2005191495A (ja) 照明光学系、露光装置、デバイスの製造方法
US6453000B1 (en) Exposure method, exposure device and semiconductor device manufacturing method
US9529270B2 (en) Lithography apparatus, and method of manufacturing article
JPH06260383A (ja) 露光方法
JP2007005459A (ja) 露光装置及びその調整方法
JPH0936026A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP3376043B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2006019510A (ja) 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US20070072128A1 (en) Method of manufacturing an integrated circuit to obtain uniform exposure in a photolithographic process
TWI813630B (zh) 投影曝光裝置
JP2002100560A (ja) 縮小投影露光装置及び露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant