JP3599648B2 - 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents
照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3599648B2 JP3599648B2 JP2000235626A JP2000235626A JP3599648B2 JP 3599648 B2 JP3599648 B2 JP 3599648B2 JP 2000235626 A JP2000235626 A JP 2000235626A JP 2000235626 A JP2000235626 A JP 2000235626A JP 3599648 B2 JP3599648 B2 JP 3599648B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical integrator
- optical
- light
- integrator
- lighting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/22—Telecentric objectives or lens systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0927—Systems for changing the beam intensity distribution, e.g. Gaussian to top-hat
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0933—Systems for active beam shaping by rapid movement of an element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
- G02B27/095—Refractive optical elements
- G02B27/0955—Lenses
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、照明装置、投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法に関し、特に、半導体素子等のデバイスの製造の際のリソグラフィ工程に用いられる投影露光装置に好適に用いられる照明装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近の超LSI等の高集積化を図った半導体素子の製造用の投影露光装置には回路パターンの焼き付けの際に照度分布の均一性とともに、ウエハ(基板)上に入射する光束のテレセントリック性の高いものが要求されている。
【0003】
一般に半導体素子は複数回のリソグラフィ工程を経て製造される。従って、ウエハに入射する光束のテレセントリック性が崩れてくると、前回のリソグラフィ工程によって段差が生じたウエハの表面に、今回の工程で別の回路パターンを重ね合わせて露光する際に像ズレが生じ、結果として高精度の半導体素子が得られないという問題があるためである。ウエハに入射する光束のテレセントリック性が崩れる原因としては、たとえば、
i)投影系の製造時誤差による幾何光学的ずれに起因するもの
ii)投影系の光学素子の誘電体多層膜の透過率の不均一性による光量重心のずれに起因するもの
iii)照明系の製造時誤差、照明系の開口数と投影系の開口数の比で表される値 σ(シグマ)を変更する際や、照明方法(通常照明か斜入射照明か)を変更する際の可動部の移動誤差による幾何光学的ずれに起因するもの
iv)照明系の光学素子の誘電体多層膜の透過率の不均一性による光量重心のずれに起因するもの
等がある。もちろんこれらが単独でおこるのみならず、これらのいくつかが同時に発生する場合もある。
【0004】
この被照明面上でのテレセントリック性の崩れを補正するために、例えば特開平09−026554号公報に開示された投影露光装置では、照明系の光路内に振幅分割オプティカルインテグレータであるハエの目レンズを2つ直列に配置し、前段のハエの目レンズの出射光で後段のハエの目レンズの光入射面をケーラー照明し、後段のハエの目レンズを前群と後群の2群構成として、後群を前群に対して光軸と垂直な平面内に平行移動させることで後段のハエの目レンズからの出射光束の方向を変化させることにより投影系の像面上での光束のテレセントリック性を調整している。
【0005】
またこの公報の従来例として示された技術においては、ハエの目レンズ以降の光学系の一部を光軸と垂直な方向または光軸方向に移動させることにより投影系の像面でのテレセントリック性を調整している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記公報に開示された調整方法では、後段のハエの目レンズの後群のシフトによって後段のハエの目レンズからの出射光束の進行方向が変化するが、その際、後段のハエの目レンズによって被照明面をケーラー照明する形態であるため、照明光による照明領域が横ずれすることになる。そのためテレセントリック性の調整を可能にするためには、必要な照明領域よりも大きな範囲を照明光で照明する必要があり、照明光の利用効率の低下を招いていた。それは、結果として、スループットの低下へつながることになる。
【0007】
また上記公報の従来例に示された技術においても同様に、半導体素子製造用の装置としては、必要な被照射領域よりも大きな範囲を照明光で照明しなければならないという問題がある。
【0008】
そこで、本発明は、照明光の利用効率を低下させることなく、像面上のテレセントリック性を調整することが出来る照明装置を提供することを課題としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための第1の発明は、内面反射型の第1オプティカルインテグレータと、
光源からの光を前記第1オプティカルインテグレータの光入射部に集光する第1の集光系と、
振幅分割型の第2オプティカルインテグレータと、
前記第2オプティカルインテグレータからの複数の光束を被照明面上に互いに重ねる第2の集光系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの光出射部を前記振幅分割型オプティカルインテグレータ上に結像する結像系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの前記光出射部を、前記第2の集光系の光軸と交差する方向に動かすことにより、前記第2のオプティカルインテグレータと前記結像系に対して変位させる駆動手段とを備えることを特徴とする照明装置である。
第2の発明は、第1の発明において、前記駆動手段は、前記光出射部を光軸に対して直交する方向に移動させることを特徴とする照明装置である。
第3の発明は、第2の発明において、前記駆動手段は、前記第1のオプティカルインテグレータに入射する光の損失がない範囲で前記第1のオプティカルインテグレータを前記直交する方向に移動させることを特徴とする照明装置である。
第4の発明は、第1の発明において、前記第1の集光系の少なくとも一部の光学素子を前記第1のオプティカルインテグレータの移動に連動して光軸に対して直交する方向に移動させることを特徴とする照明装置である。
第5の発明は、第1の発明において、前記駆動手段は、前記第1のオプティカルインテグレータを前記光軸と直交する軸のまわりに回転させることを特徴とする照明装置である。
第6の発明は、第1の発明において、互いに異なる条件で被照明面を照明する複数の照明モードを有し、照明モード毎の前記第1のオプティカルインテグレータの駆動量を記憶する記憶手段を有し、前記照明モードの変更に際して前記記憶手段に記憶された情報に基づいて前記第1のオプティカルインテグレータを駆動することを特徴とする照明装置である。
第7の発明は、第1の発明において、の前記第1のオプティカルインテグレータからの光が入射する透明な平行平板を有し、前記平行平板の光軸に対する傾きを変えることによって前記第2のオプティカルインテグレータの光入射面上の光強度分布を変化させることを特徴とする照明装置である。
第8の発明は、内面反射型の第1オプティカルインテグレータと、
光源からの光を前記第1オプティカルインテグレータの光入射部に集光する第1の集光系と、
振幅分割型の第2オプティカルインテグレータと、
前記第2オプティカルインテグレータからの複数の光束を被照明面上に互いに重ねる第2の集光系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの光出射部を前記振幅分割型オプティカルインテグレータ上に結像する結像系とを備え、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの前記光出射部は、前記第2の集光系の光軸と交差する方向に、前記第2のオプティカルインテグレータと前記結像系に対して変位していることを特徴とする照明装置である。
第9の発明は、パターンが形成されたレチクルを照明する第1乃至8のいずれか一つの発明の照明装置と、前記パターンをウエハに投影する投影光学系とを有することを特徴とする投影露光装置である。
第10の発明は、第9の発明において、前記照明装置のテレセントリック性を検出する検出手段を更に備え、
該検出手段の検出結果に基づいて前記第1のオプティカルインテグレータを駆動することを特徴とする投影露光装置である。
第11の発明は、ウエハにフォトレジストを塗布する工程と、
第9又は10の発明の投影露光装置を使用して前記ウエハをレチクル上のパターンで露光転写する工程と、
前記パターンが露光されたウエハを現像する工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施形態1の照明装置をレチクルを照明するための照明系として用いた投影露光装置の要部概略図である。同図の装置はLSIやVLSI等の半導体チップやCCD、磁気センサ、液晶素子等のデバイスを製造するステップ&リピート型、またはステップ&スキャン型投影露光装置の場合を示している。
【0011】
図1において、1はArFエキシマレーザやKrFエキシマレーザ等のレーザ光源である。2は光源1からのコヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化し、基板(ウエハ)13上で干渉縞によるスペックルが生じないようにするためのインコヒーレント化光学系(干渉性低減手段)、3はインコヒーレント化光学系2からの光束を所望のビーム形状に整形するための光束整形光学系、4は射出角度保存用の光学素子であり、それに入射する光束の変位にかかわらず、射出角度を一定とする光学作用を有している。
【0012】
5は集光光学系であり、光学素子4からの光束を集光してオプティカルパイプ(光束混合手段)6の光入射面6aに導光している。パイプ6は、正三角形、正方形、正六角形の断面を持つ柱状であり、入射光をその側面で多数回反射させることで、集光光学系5からの光束を混合しつつ、多数の虚光源を作りだすことでその光出射面6bに均一な照度分布を形成している。このパイプ6を内面反射型のオプティカルインテグレータとも言う。
【0013】
7は駆動手段であり、光束混合手段6を光軸と直交する方向に移動させることで、光出射面6bでの光束の光強度分布を同直交方向に変位させる。これによって結像系8を介してに、多光束発生手段9の光入射面9a上での光強度分布の重心位置が変位することにより、基板13上での光束の(軸上結像光束の)テレセントリック性が調整される。
【0014】
8はズーム光学系(結像光学系)であり、パイプ6からの光束を多光束発生手段9の光入射面9aに種々の倍率で投影できる。このパイプ6の光出射面6bと多光束発生手段9の光入射面9aとは略共役な関係となっている。
【0015】
多光束発生手段9は多数の素子レンズからなるハエの目レンズであり、その光出射面9bに複数の2次光源像より成る有効光源を形成している。20はその有効光源の大きさや形状を決める開口絞りである。この開口絞り20の開口の大きさ(σ値)や開口の形状を変更することで、先に述べた照明モードの変更を行っている。
【0016】
10はコンデンサーレンズ等を含む照射手段であり、多光束発生手段9の各素子レンズからの光束をマスク(レチクル)11上で重畳することによりマスク11を均一にケーラー照明している。多光束発生手段9を波面分割型オプティカルインテグレータとも言う。
【0017】
12は投影光学系であり、光出射側がテレセントリックな系より成りレチクル11面上のパターンをウエハ(基板)13面上に縮小投影している。14は検出器であり、入射光束の光量分布の重心を検出することによって基板13面上に入射する光束のテレセントリック性を検出している。
【0018】
出射角度保存用の光学素子4は、例えば図8(A)に示すようにアパーチャ(絞り)21とレンズ系22からなる。そして入射光束が例えば光束27A(光束中心27a)から光束28A(光束中心28a)と光軸と直交する方向に微小変動して入射したとしても、この光学素子4より出射される光束の出射角度29aが一定となる。
【0019】
また出射角度保存用の光学素子4は、図8(B)に示すように、複数の微小レンズ23より成るハエの目レンズで構成しても良く、この場合は光束の出射角度29bはハエの目レンズ23の形状により決定される。この場合も入射光束が微小変動して光束27B(光束中心27b)又は、光束28B(光束中心28b)の状態で入射したとしても、素子4から出射される光束の出射角度29bが一定となる。
【0020】
図2は、本発明の第1の実施形態でのテレセントリック性を調整する際の動作の説明図である。
【0021】
図2(A)は基準状態であり、オプティカルパイプ6、ズーム光学系8、ハエの目レンズ9の中心位置が全て光軸上に配置されている。
【0022】
その際のハエの目レンズ9の光入射面9aでの光強度分布を9aAとして示す。光強度分布9aAは、光軸に対し対称な照度分布となっている。
【0023】
図2(B)はテレセントリック性の調整動作を行った場合であり、オプティカルパイプ6が図中矢印の方向へ基準状態から移動している。このようにオプティカルパイプ6を移動させた結果ハエの目レンズ9の光入射面9aでの光強度分布は9aBで示す様になり、結果として、ハエの目レンズ9の光出射面9bに形成される有効光源の重心位置が変わるので、基板13上でのテレセントリック性を調整することができる。このような調整は投影露光装置自身の製造時や出荷時、又投影露光装置を稼動している際の照明モードの変更時や光学部品の経時変化が生じた場合等、テレセントリック性が変化したと思われる際に随時行われるものである。
【0024】
図3には、オプティカルパイプ6の光入射面6aの部分の拡大図を示す。
【0025】
オプティカルパイプ6の初期位置(中心が光軸に一致する位置)を6_0とし、テレセントリック性の調整のために駆動した位置の例を6_1、6_2とすると、集光光学系5により集光されてオプティカルパイプ6の光入射面6aを目指す光束は、オプティカルパイプ6が最大量変位してもオプティカルパイプ6に入射せずに洩れ出す光がないような光入射面6 a 内の範囲のみを照射するよう構成している。従ってテレセントリック性の調整のためオプティカルパイプ6を移動させたとしても照度の低下は生じない。
【0026】
上記のテレセントリック性の調整は、検出器14の結果を駆動手段7にフィードバックして自動的に所望の良好な状態となるように行ってもよいし、検出器の結果により作業者が調整作業として行ってもよい。
【0027】
又、あらかじめ照明モード毎に最適とされた調整位置を図示しない記憶手段に記憶しておき、照明モードの切り替え時に記憶された位置情報に基づいてオプティカルパイプ6の駆動を行ってもよい。
【0028】
また、予め期間を定めておき、その期間が経過した後で、かつ装置の基板への露光を妨げないときに、上記の照明モード毎に最適な調整位置を求めて記憶する作業を行ってもよい。
【0029】
次に本発明の実施形態2について説明する。
【0030】
図4は、図3と同様に、オプティカルパイプ6の光入射面6a付近の拡大図であり、実施形態2の実施形態1との差異はこの図で示される範囲内のみで、他の要部の構成及び機能は同一であるので説明を省く。図4中、41は光学素子4の駆動手段であり、51は集光光学系5の駆動手段である。
【0031】
内面反射型のオプティカルインテグレータであるオプティカルパイプ6の性質として出射端での照度分布の均一化度合はオプティカルパイプ内での反射回数に略比例する。オプティカルパイプに入射する光束の発散角又は収束角を一定とするならば、光入射面(すなわちオプティカルパイプの径)が小さい(細い)ほど反射回数は多くなり、またオプティカルパイプの全長(光軸方向)が長いほど反射回数は多くなる。
【0032】
しかし装置の寸法や得られる硝材の長さ、透過率の低下等からオプティカルパイプの全長を際限なく伸ばすことは不可能であり、実現可能な長さを定めた後は径を小さくすることで反射回数を多くする様に努める。従ってともすればこの径は小さくなりがちである。
【0033】
実施形態1ではオプティカルパイプ6の移動の際の光の損失をなくすために、オプティカルパイプ6の光入射面6aよりも小さい範囲に入射光を集光させたが、オプティカルパイプの光入射面が小さい場合、それよりもさらに小さい範囲に光を集中させるため、光入射面での光強度が高くなって硝材を劣化させて透過率を落とす懸念がある。
【0034】
そこで、本実施形態では上の懸念に対し、光学素子4及び集光光学系5をもオプティカルパイプ6の移動と連動して移動させることで、オプティカルパイプ6の光入射面6aに可能なかぎり広く入射光を照射することで光入射面での光強度を低下させ、硝材の劣化を防ぐようにしている。
【0035】
尚、図4では光学素子4、集光光学系5、オプティカルパイプ7は各々個別に駆動手段を持っているが、一体に連結してまとめて駆動してもよい。
【0036】
次に本発明の実施形態3について説明する。
【0037】
図5は、本実施形態の投影露光装置の要部概略図であり実施形態1との差異は、オプティカルパイプ(光束混合手段)60が駆動手段71により光入射面60a付近を回転中心として微小角度回転可能なことである。この構成によりオプティカルパイプ60の光出射面60bは、光軸と垂直な平面内において移動したこととほぼ同じように光軸直交方向へ変位することになり、実施形態1で既に述べた様にハエの目レンズの光入射面9a上での光強度分布が光軸直交方向へ移動することにより、基板13上でのテレセントリック性が調整される。
【0038】
一般にオプティカルパイプは光出射部での照度分布の均一化を高めるために、その径に比べて長さが極端に長くなっている。そのためテレセントリック性の調整に必要なオプティカルパイプの回転量は微小であるので、回転させてもオプティカルパイプの前後での光束の発散角又は収束角の変化は微小であり、この回転による光学諸性能の変化は無視することが出来る。
【0039】
本実施形態においてはオプティカルパイプ60の光入射面60aが光軸に対してほとんど移動しないため、光入射面60aへの集光光学系5からの光束の集光度を下げることができ、オプティカルパイプ60の劣化を防ぐことができる。
【0040】
次に本発明の実施形態4について説明する。
【0041】
図6は本実施形態4の投影露光装置の要部概略図であり、実施形態1との差異は、オプティカルパイプ6とズーム光学系8の間に第2の調整手段72があることである。
【0042】
図7は第2の調整手段付近の拡大図である。第2調整手段72は例えば透明な平行平板からなり、駆動手段73により照明系の光軸に対し傾けられる様に構成されている。
【0043】
図7(A)は基準状態であり、オプティカルパイプ(光束混合手段)6、ズーム光学系(結像系)8、ハエの目レンズ(多光束発生手段)9の光中心が全て光軸に一致する一直線上に配置されており、また第2調整手段72の光入射面72a及び光出射面72bは光軸と垂直に成っている。
【0044】
この場合のハエの目レンズ9の光入射面9aでの光強度分布9aA6は、光軸に対し対称な照度分布となっている。
【0045】
これに対し図7(B)はオプティカルパイプ6の位置は基準状態のまま第2調整手段のみを駆動した場合を示す。第2調整手段72によりオプティカルパイプ6からの光束は光軸と垂直な平面内で水平移動し、それがズーム光学系8を経てハエの目レンズ9の光入射面9a上に結像する。その結果、ハエの目レンズ9の光入射面9aでの光強度分布9aB6は、光強度分布9aA6を光軸に垂直な方向に移動した分布となり、基板13上でのテレセントリック性を調整することができる。
【0046】
このテレセントリック性を調整する手段を2つ用いる系では、例えばオプティカルパイプ6が大きく且つ重く照明モード毎の駆動に不適な場合などでも、オプティカルパイプ6の移動によるテレセントリック性の調整は全照明モードのバランスを取る位置とし、残った照明モード毎の微調整を第2調整手段72で行う等して、照明モード毎のテレセン調整を行うことができる。
【0047】
また、例えばオプティカルパイプ6によるテレセントリック性の調整は工場製造時にのみ行い、以後のテレセントリック性の自動調整は第2の調整手段で行うことにすれば、オプティカルパイプ6の駆動手段7を省略することができる。
【0048】
また、第2の調整手段72はオプティカルパイプの径とさほど違わない径とすることが出来るので、駆動手段等を簡易に設計することができる。
【0049】
さらに、オプティカルパイプ6の移動はテレセントリック性に対する敏感度が高いが、第2の調整手段72を本実施形態のように平行平板の傾きを変化させることで実現した場合は比較的敏感度を低くすることができる。
【0050】
図6ではオプティカルパイプ6を光軸と垂直平面内で水平移動させる場合を示しているが、実施形態3の様にその光入射部にある光軸と直交する軸の周りでオプティカルパイプを回転させる構成でも構わない。
【0051】
上記の第2調整手段72によるテレセントリック性の調整は、検出器14の結果により自動的に所望の良好な状態となるように行ってもよいし、検出器14の結果により作業者が調整作業として行ってもよい。
【0052】
又、あらかじめ照明モード毎に最適とされた調整位置を記憶しておき、照明モードの切り替え時に記憶された位置情報に基づいてオプティカルパイプ6や第2調整手段72の駆動を行ってもよい。
【0053】
また、予め期間を定めておき、その期間が経過した後で、かつ装置の基板への露光を妨げないときに、上記の照明モード毎に最適な調整位置を求めて記憶する作業を行ってもよい。
【0054】
次に、上記説明した種々の露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【0055】
図9は、半導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやCCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ステップ1(回路設計)では、半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)では、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は、前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0056】
図10は、図9のステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着等によって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光材を塗布する。ステップ16(露光)では、上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部部を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハに多重に回路パターンが形成される。
【0057】
本実施形態の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高精度の半導体デバイスを製造することができる。
【0058】
【発明の効果】
以上説明した各実施形態によれば、被照明面へ至る照明光の効率を低下させることなく、基板上へのテレセントリック性のずれを適切に調整することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1の投影露光装置の要部概略図である。
【図2】本発明の実施形態1でのテレセントリック性の調整の動作の説明図である。
【図3】本発明の実施形態1でのオプティカルパイプの光入射面6a付近の拡大図である。
【図4】本発明の実施形態2でのオプティカルパイプの光入射面6a付近の拡大図である。
【図5】本発明の実施形態3の投影露光装置の要部概略図である。
【図6】本発明の実施形態4の投影露光装置の要部概略図である。
【図7】本発明の実施形態4での第2調整手段の動作の説明図である。
【図8】出射角度保存用光学素子4の説明図である。
【図9】半導体デバイス製造のフローチャートである。
【図10】図9のウエハプロセスのフローチャートである。
【符号の説明】
1 レーザ
2 干渉性低減手段
3 ビーム整形手段
4 光束振動抑制手段
5 集光光学系
6 光束混合手段
7 テレセン調整手段
8 結像系(ズーム)
9 多光束発生手段
10 照射手段
11 被照射面(レチクル)
13 投影光学系
12 基板(ウエハ)
13 検出器
Claims (11)
- 内面反射型の第1オプティカルインテグレータと、
光源からの光を前記第1オプティカルインテグレータの光入射部に集光する第1の集光系と、
振幅分割型の第2オプティカルインテグレータと、
前記第2オプティカルインテグレータからの複数の光束を被照明面上に互いに重ねる第2の集光系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの光出射部を前記振幅分割型オプティカルインテグレータ上に結像する結像系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの前記光出射部を、前記第2の集光系の光軸と交差する方向に動かすことにより、前記第2のオプティカルインテグレータと前記結像系に対して変位させる駆動手段とを備えることを特徴とする照明装置。 - 前記駆動手段は、前記光出射部を光軸に対して直交する方向に移動させることを特徴とする請求項1記載の照明装置。
- 前記駆動手段は、前記第1のオプティカルインテグレータに入射する光の損失がない範囲で前記第1のオプティカルインテグレータを前記直交する方向に移動させることを特徴とする請求項2記載の照明装置。
- 前記第1の集光系の少なくとも一部の光学素子を前記第1のオプティカルインテグレータの移動に連動して光軸に対して直交する方向に移動させることを特徴とする請求項1記載の照明装置。
- 前記駆動手段は、前記第1のオプティカルインテグレータを前記光軸と直交する軸のまわりに回転させることを特徴とする請求項1記載の照明装置。
- 互いに異なる条件で被照明面を照明する複数の照明モードを有し、照明モード毎の前記第1のオプティカルインテグレータの駆動量を記憶する記憶手段を有し、前記照明モードの変更に際して前記記憶手段に記憶された情報に基づいて前記第1のオプティカルインテグレータを駆動することを特徴とする請求項1記載の照明装置。
- 前記第1のオプティカルインテグレータからの光が入射する透明な平行平板を有し、前記平行平板の光軸に対する傾きを変えることによって前記第2のオプティカルインテグレータの光入射面上の光強度分布を変化させることを特徴とする請求項1記載の照明装置。
- 内面反射型の第1オプティカルインテグレータと、
光源からの光を前記第1オプティカルインテグレータの光入射部に集光する第1の集光系と、
振幅分割型の第2オプティカルインテグレータと、
前記第2オプティカルインテグレータからの複数の光束を被照明面上に互いに重ねる第2の集光系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの光出射部を前記振幅分割型オプティカルインテグレータ上に結像する結像系とを備え、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの前記光出射部は、前記第2の集光系の光軸と交差する方向に、前記第2のオプティカルインテグレータと前記結像系に対して変位していることを特徴とする照明装置。 - パターンが形成されたレチクルを照明する請求項1乃至8のいずれか一つに記載された照明装置と、前記パターンをウエハに投影する投影光学系とを有することを特徴とする投影露光装置。
- 前記照明装置のテレセントリック性を検出する検出手段を更に備え、
該検出手段の検出結果に基づいて前記第1のオプティカルインテグレータを駆動することを特徴とする請求項9記載の投影露光装置。 - ウエハにフォトレジストを塗布する工程と、
請求項9又は10記載の投影露光装置を使用して前記ウエハをレチクル上のパターンで露光転写する工程と、
前記パターンが露光されたウエハを現像する工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000235626A JP3599648B2 (ja) | 2000-08-03 | 2000-08-03 | 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
US09/920,076 US6614597B2 (en) | 2000-08-03 | 2001-08-01 | Illumination apparatus and projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000235626A JP3599648B2 (ja) | 2000-08-03 | 2000-08-03 | 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002050564A JP2002050564A (ja) | 2002-02-15 |
JP3599648B2 true JP3599648B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=18727811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000235626A Expired - Fee Related JP3599648B2 (ja) | 2000-08-03 | 2000-08-03 | 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6614597B2 (ja) |
JP (1) | JP3599648B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7283223B2 (en) * | 2002-08-21 | 2007-10-16 | Honeywell International Inc. | Cytometer having telecentric optics |
JP3826047B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2006-09-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法 |
JP4324957B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2004118153A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | 投写型表示装置 |
JP4391136B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2009-12-24 | 株式会社目白ゲノッセン | 露光用照明装置 |
JP4366163B2 (ja) | 2003-09-25 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 照明装置及び露光装置 |
JP2007522491A (ja) * | 2003-12-29 | 2007-08-09 | スペシャライト インコーポレイテッド | 光学及び画像投射システムにおけるスキュー光線の最小化のための方法及び装置 |
JP4865270B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2012-02-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法 |
JP6494259B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2019-04-03 | キヤノン株式会社 | 照明光学装置、およびデバイス製造方法 |
IL240872A (en) * | 2015-08-27 | 2016-11-30 | Elbit Systems Land & C4I Ltd | A method and system for discovering object authenticity |
DE102017209440A1 (de) * | 2017-06-02 | 2018-12-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie |
JP7446096B2 (ja) | 2019-12-04 | 2024-03-08 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、および物品製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5719704A (en) * | 1991-09-11 | 1998-02-17 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6078380A (en) * | 1991-10-08 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure |
JP2946950B2 (ja) * | 1992-06-25 | 1999-09-13 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた露光装置 |
JP3743576B2 (ja) | 1995-07-11 | 2006-02-08 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、及びそれを用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法 |
US5739899A (en) | 1995-05-19 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus correcting tilt of telecentricity |
JP3005203B2 (ja) | 1997-03-24 | 2000-01-31 | キヤノン株式会社 | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3262039B2 (ja) | 1997-07-18 | 2002-03-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP4238390B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
JP3817365B2 (ja) * | 1998-04-30 | 2006-09-06 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
-
2000
- 2000-08-03 JP JP2000235626A patent/JP3599648B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-01 US US09/920,076 patent/US6614597B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002050564A (ja) | 2002-02-15 |
US6614597B2 (en) | 2003-09-02 |
US20020067550A1 (en) | 2002-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3259657B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
US6934009B2 (en) | Illumination apparatus, illumination-controlling method, exposure apparatus, device fabricating method | |
JP3232473B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JPH10135123A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
JP3817365B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
KR100485314B1 (ko) | 투영노광장치와 이것을 사용한 디바이스제조방법 | |
JP3576685B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP3599629B2 (ja) | 照明光学系及び前記照明光学系を用いた露光装置 | |
JP3599648B2 (ja) | 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法 | |
KR100609109B1 (ko) | 디바이스 제조방법, 상기 방법에 사용되는 마스크 세트,프로그램가능한 패터닝 디바이스를 제어하는 데이터 세트,마스크 패턴을 생성하는 방법 및 컴퓨터 프로그램 | |
JPH088168A (ja) | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
JP4474121B2 (ja) | 露光装置 | |
US6738129B2 (en) | Illumination apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method using the same | |
JP4366163B2 (ja) | 照明装置及び露光装置 | |
JPH0737774A (ja) | 走査型露光装置 | |
JP2004055856A (ja) | 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4545854B2 (ja) | 投影露光装置 | |
JP3008744B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP3571935B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP4235410B2 (ja) | 露光方法 | |
JP3376043B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
JPH0729816A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP3571945B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
JPH1092729A (ja) | 照明装置及びそれを用いた走査型投影露光装置 | |
JP3223646B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040914 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070924 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110924 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110924 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120924 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120924 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |