JP4838698B2 - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4838698B2 JP4838698B2 JP2006341108A JP2006341108A JP4838698B2 JP 4838698 B2 JP4838698 B2 JP 4838698B2 JP 2006341108 A JP2006341108 A JP 2006341108A JP 2006341108 A JP2006341108 A JP 2006341108A JP 4838698 B2 JP4838698 B2 JP 4838698B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding plate
- light shielding
- exposure
- substrate
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
前記照明光学系中に配され、前記原版上の被照明領域を走査方向において規定する、第1の遮光板および第2の遮光板と、
固定部と、モータと、該モータにより駆動される被駆動部材と、一方が一軸回りにのみ回動可能な回転支点を介して前記固定部に連結され他方が第1ヒンジを介して前記被駆動部材に連結され、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板のうち少なくとも一方を保持する第1の保持部材と、一方が第2のヒンジを介して前記固定部に連結され他方が第3のヒンジを介して前記被駆動部材に連結された前記第1の保持部材と平行に動く第2の保持部材とを有し、前記被駆動部材の駆動にともなう前記第1ヒンジ、前記第2のヒンジ及び前記第3のヒンジの変形により前記第1の保持部材を前記回転支点を支点として回転させることによって、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板の少なくとも一方を回動させるリンク機構と、を備えることを特徴とする。
第1の遮光板および第2の遮光板は、前記照明光学系中に配され、前記レチクル上の被照明領域を走査方向において規定する。第1の保持部材は、一方が一軸回りにのみ回動可能な回転支点を介して前記固定部に連結され他方が第1ヒンジを介して前記被駆動部材に連結され、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板のうち少なくとも一方を保持する。また、リンク機構は一方が第2のヒンジを介して前記固定部に連結され他方が第3のヒンジを介して前記被駆動部材に連結された前記第1の保持部材と平行に動く第2の保持部材とを有している。そして、リンク機構は、前記被駆動部材の駆動にともなう前記第1ヒンジ、前記第2のヒンジ及び前記第3のヒンジの変形により前記保持部材を前記回転支点を支点として回転させることによって、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板の少なくとも一方を回動させる。
本実施形態において、前記リンク機構の回動中心は、前記照明光学系の光軸から隔たった位置にある。
前記第1の遮光板のエッジおよび前記第2の遮光板のエッジは、それぞれ前記第1のマスキングブレードのエッジおよび前記第2のマスキングブレードのエッジに対応した形状をしている。なお、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板の少なくとも一方のエッジの形状が可変であることが好ましい。
図1は本発明の一実施例に係る露光装置の構成を示す。図1の装置では、レチクル(原版)を照明するための露光光をスリット状に加工する遮光スリット(第2スリット)とは別の遮光スリット(第1スリット)を形成している。第1スリットは、前記レチクルが照明される領域を前記走査の方向において規制する第1および第2の遮光スリット材(遮光板)光板により形成される。そして、走査方向と垂直な方向(非走査方向)で露光量を修整する際は、この追加した遮光スリットの前縁(第1の遮光板の遮光エッジ)および後縁(第2の遮光板の遮光エッジ)の少なくとも一方を回動する。これにより、スリット幅、すなわち透過光量を走査方向左右で異ならせる。また、第1の遮光板および第2の遮光板は、照明系の一次結像面近傍に配置する。
図5は本実施例の非走査方向露光量修整装置を駆動した後のウエハ面での照度ムラを表わす図である。
ウエハの露光時のプロセス原因(レジスト塗布ムラ,現像ムラ、エッチングムラ等)によるウエハ面内照度ムラはショットごとに異なるのでショットごとのCD修整が必要になる。そこで,図3で示すウエハ面内1ショットの修整前の照度ムラ分布を露光照度の最高部41から露光照度の最低部45までの範囲で計測する。
(1)計測した照度ムラが左右均等なショットの場合は中間位置にしてCD修整を行わない未修整レベル46(図4)に設定する。
(2)計測した照度ムラが略中心で高低に分かれているショットの場合は計測値が高い照度を示している側を修整光量マイナス側修整状態にしてCD修整を行う状態となる一次修整レベル47(図4)に設定する。
続いて、この設定された各々の修整値に対してCD修整駆動スリット材1を駆動させてCD修整を行う。
計測値に対する一次修整レベル47が、設定されている値になるようにCD修整駆動スリット材1を傾けるため、まずモータ固定部23に支持されたリニアモータに駆動指令を出す。これにより、モータ駆動部22がモータ駆動方向24上方に移動し、モータ駆動部支持部材25が上方に引き上げられる。このときモータ駆動部支持部材25に固定された位置検出センサ変位部26も同様に引き上げられる。この位置検出センサ変位部26の変位量を位置検出センサ読み取り部27で読み取り、指令位置で停止するようにフィードバックをかける。
また、図2では、露光量修整用のスリット材1、3の一方のみを回動させる場合を示したが、スリット材1、3の双方を、例えば、走査方向に対し垂直な方向の基準線に対し対称に、回動させてもよい。
さらに、露光量修整用スリットの遮光エッジと露光用スリットの遮光エッジとを交差させるようにすれば、例えば折れ線状の、図4よりも複雑な露光量修整を行うことも可能である。
次に、この露光装置を利用した微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造プロセスを説明する。
図6は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスク(原版またはレチクルともいう)を製作する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組立)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
2 有効光領域
3 CD修整非駆動スリット材
4 走査方向
5 非走査方向
6 駆動部リンク機構
7 駆動部支点
8 駆動部リンク固定部
9 駆動部リンク機構
10〜12 リンクヒンジ
13 CD修整駆動スリット支持部
21 モータ非駆動部
22 モータ駆動部
23 モータ固定部
24 モータ駆動方向
25 モータ駆動部支持部材
26 位置検出センサ変位部
27 位置検出センサ読み取り部
30 照明光学系
31 レーザパルス発生装置
32 光学系
33 マスキングブレード
34 レチクル
35 投影光学系
36 ウエハ
37 ウエハステージ
38 リレーレンズ
39 ミラー
40 リレーレンズ
41 露光照度の最高部
42 露光照度の中高部
43 露光照度の中間部
44 露光照度の中低部
45 露光照度の最低部
46 未修整レベル
47 一次修整レベル
48 修整光量プラス側修整状態
49 修整光量マイナス側修整状態
Claims (10)
- 原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板上に投影する投影光学系とを有し、前記原版および前記基板を走査させながら露光を行う露光装置であって、前記照明光学系中に配され、前記原版上の被照明領域を走査方向において規定する、第1の遮光板および第2の遮光板と、
固定部と、モータと、該モータにより駆動される被駆動部材と、一方が一軸回りにのみ回動可能な回転支点を介して前記固定部に連結され他方が第1ヒンジを介して前記被駆動部材に連結され、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板のうち少なくとも一方を保持する第1の保持部材と、
一方が第2のヒンジを介して前記固定部に連結され他方が第3のヒンジを介して前記被駆動部材に連結された前記第1の保持部材と平行に動く第2の保持部材とを有し、前記被駆動部材の駆動にともなう前記第1ヒンジ、前記第2のヒンジ及び前記第3のヒンジの変形により前記第1の保持部材を前記回転支点を支点として回転させることによって、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板の少なくとも一方を回動させるリンク機構と、を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記基板上には複数のショットが露光され、
前記リンク機構は、前記基板のプロセス原因に基づいて、前記ショットごとに、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板のうち少なくとも一方を回動させることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記基板上には複数のショットが露光され、
前記リンク機構は、ショット間で、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板のうち少なくとも一方を回動させることを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。 - 前記リンク機構の回動によって、前記基板上に露光される非走査方向線幅が調整されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記リンク機構は、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板を、前記走査方向に垂直な基準線に関して対称となるように、回動させることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記リンク機構の回動中心は、前記照明光学系の光軸から隔たった位置にあることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記照明光学系は、前記原版および前記基板の走査に応じて移動する第1のマスキングブレードおよび第2のマスキングブレードを有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記第1の遮光板のエッジおよび前記第2の遮光板のエッジは、それぞれ前記第1のマスキングブレードのエッジおよび前記第2のマスキングブレードのエッジに対応した形状をしていることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 前記第1の遮光板および前記第2の遮光板のうち少なくとも一方のエッジの形状が可変であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の露光装置。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、前記基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006341108A JP4838698B2 (ja) | 2006-12-19 | 2006-12-19 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US11/956,204 US7477357B2 (en) | 2006-12-19 | 2007-12-13 | Exposure apparatus and device manufacturing method |
TW096148076A TWI388939B (zh) | 2006-12-19 | 2007-12-14 | 曝光設備及裝置製造方法 |
KR1020070132921A KR100929268B1 (ko) | 2006-12-19 | 2007-12-18 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006341108A JP4838698B2 (ja) | 2006-12-19 | 2006-12-19 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008153498A JP2008153498A (ja) | 2008-07-03 |
JP2008153498A5 JP2008153498A5 (ja) | 2009-01-22 |
JP4838698B2 true JP4838698B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=39526728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006341108A Expired - Fee Related JP4838698B2 (ja) | 2006-12-19 | 2006-12-19 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7477357B2 (ja) |
JP (1) | JP4838698B2 (ja) |
KR (1) | KR100929268B1 (ja) |
TW (1) | TWI388939B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5272584B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-08-28 | 株式会社ニコン | 遮光ユニット、可変スリット装置、及び露光装置 |
JP5204725B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2013-06-05 | Kbセーレン株式会社 | ポリウレタン極細繊維の製造方法 |
JP5127875B2 (ja) | 2010-04-28 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
JP6243616B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-12-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078381A (en) * | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US5854671A (en) * | 1993-05-28 | 1998-12-29 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure |
US6013401A (en) * | 1997-03-31 | 2000-01-11 | Svg Lithography Systems, Inc. | Method of controlling illumination field to reduce line width variation |
US5966202A (en) * | 1997-03-31 | 1999-10-12 | Svg Lithography Systems, Inc. | Adjustable slit |
KR100574208B1 (ko) * | 1998-06-02 | 2006-04-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 주사형 노광장치 및 그의 제조방법, 및 디바이스 제조방법 |
JP2000114164A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Canon Inc | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3056206B1 (ja) * | 1999-03-18 | 2000-06-26 | 広島日本電気株式会社 | ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法 |
JP2002033272A (ja) * | 2000-05-11 | 2002-01-31 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US6704090B2 (en) * | 2000-05-11 | 2004-03-09 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
JP2002110529A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Nikon Corp | 投影露光装置及び該装置を用いたマイクロデバイス製造方法 |
JP2002184676A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
JP2004063988A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Canon Inc | 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4631707B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2011-02-16 | 株式会社ニコン | 照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
JP4581639B2 (ja) | 2003-11-13 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
KR20060059491A (ko) * | 2004-11-29 | 2006-06-02 | 삼성전자주식회사 | 레티클 마스킹 블레이드 및 이를 포함하는 반도체 소자제조용 노광 장치 |
-
2006
- 2006-12-19 JP JP2006341108A patent/JP4838698B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-12-13 US US11/956,204 patent/US7477357B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-14 TW TW096148076A patent/TWI388939B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-12-18 KR KR1020070132921A patent/KR100929268B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080143991A1 (en) | 2008-06-19 |
JP2008153498A (ja) | 2008-07-03 |
TW200842504A (en) | 2008-11-01 |
US7477357B2 (en) | 2009-01-13 |
TWI388939B (zh) | 2013-03-11 |
KR100929268B1 (ko) | 2009-11-27 |
KR20080057166A (ko) | 2008-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3969855B2 (ja) | 露光方法および露光装置 | |
KR100668481B1 (ko) | 노광장치 및 방법 | |
KR20060044898A (ko) | 노광장치 및 방법 | |
WO2005048326A1 (ja) | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 | |
JP2003178969A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 | |
JP2007318121A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2007207821A (ja) | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 | |
JPWO2006085626A1 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP3799275B2 (ja) | 走査露光装置及びその製造方法並びにデバイス製造方法 | |
US20040157143A1 (en) | Exposure method and lithography system, exposure apparatus and method of making the apparatus, and method of manufacturing device | |
US6641981B1 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP4838698B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2003068622A (ja) | 露光装置及びその制御方法並びにデバイスの製造方法 | |
JP4458329B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2005108934A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
JP5084432B2 (ja) | 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2001244183A (ja) | 投影露光装置 | |
JP2006120798A (ja) | 露光装置 | |
JP2004153096A (ja) | 露光装置 | |
JP2007157824A (ja) | 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法 | |
JP2010206175A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5644416B2 (ja) | 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
JP2022106891A (ja) | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 | |
WO2013094733A1 (ja) | 計測方法、メンテナンス方法及びその装置 | |
JP2000114164A (ja) | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081202 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081202 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100119 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100323 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110927 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110930 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |