JPH08330220A - 走査露光装置 - Google Patents
走査露光装置Info
- Publication number
- JPH08330220A JPH08330220A JP7160064A JP16006495A JPH08330220A JP H08330220 A JPH08330220 A JP H08330220A JP 7160064 A JP7160064 A JP 7160064A JP 16006495 A JP16006495 A JP 16006495A JP H08330220 A JPH08330220 A JP H08330220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- light
- scanning direction
- illumination
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 走査方向と直交する方向に複数のパターン像
を部分的に接続させることによって感光基板上に所定の
パターンをつなぎ合わせて形成する際に、パターン像の
接続部と他の露光領域における露光量をほぼ同一にす
る。 【構成】 レチクル５上の照明領域２１を光ビームで照
射する照明光学系を有し、前記照明領域に対して前記マ
スクと感光基板とを同期して走査することにより、マス
ク上のパターン像で感光基板を露光する装置である。マ
スク上での照明領域の走査方向の幅を設定するための固
定視野絞り５と、照明領域の走査方向の幅を制限する第
１及び第２の遮光板７Ｃ、７Ｄと、前記照明領域の前記
走査方向と直交する方向の幅を設定するとともに少なく
とも一方が前記照明光学系の光軸とほぼ垂直な面内で回
転移動する第３及び第４の遮光板７Ａ，７Ｂとからなる
可変視野絞りとを備える。遮光板７Ａ，７Ｂはそれぞれ
画面継ぎ部２００の接続領域Δ上で同じ回転角を維持し
て走査露光されることで、接続部Δと他の領域では同一
の露光量が得られる。
を部分的に接続させることによって感光基板上に所定の
パターンをつなぎ合わせて形成する際に、パターン像の
接続部と他の露光領域における露光量をほぼ同一にす
る。 【構成】 レチクル５上の照明領域２１を光ビームで照
射する照明光学系を有し、前記照明領域に対して前記マ
スクと感光基板とを同期して走査することにより、マス
ク上のパターン像で感光基板を露光する装置である。マ
スク上での照明領域の走査方向の幅を設定するための固
定視野絞り５と、照明領域の走査方向の幅を制限する第
１及び第２の遮光板７Ｃ、７Ｄと、前記照明領域の前記
走査方向と直交する方向の幅を設定するとともに少なく
とも一方が前記照明光学系の光軸とほぼ垂直な面内で回
転移動する第３及び第４の遮光板７Ａ，７Ｂとからなる
可変視野絞りとを備える。遮光板７Ａ，７Ｂはそれぞれ
画面継ぎ部２００の接続領域Δ上で同じ回転角を維持し
て走査露光されることで、接続部Δと他の領域では同一
の露光量が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスク上の照明領域に
対してマスクと感光基板とを同期して走査することによ
りマスク上のパターン像を感光基板上に走査露光する装
置に関し、さらに詳細には、走査方向と直交する方向に
沿って複数のパターン像を部分的に重畳させながら複数
回、走査露光を行うことによって感光基板上にパターン
をつなぎ合わせて形成するスキャンアンドステッチ型の
走査露光装置に関する。
対してマスクと感光基板とを同期して走査することによ
りマスク上のパターン像を感光基板上に走査露光する装
置に関し、さらに詳細には、走査方向と直交する方向に
沿って複数のパターン像を部分的に重畳させながら複数
回、走査露光を行うことによって感光基板上にパターン
をつなぎ合わせて形成するスキャンアンドステッチ型の
走査露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子又
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下、
「レチクル」と総称する）のパターンを投影光学系を介
して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ又はガラス
プレート等の感光基板上に露光する投影露光装置が使用
されている。最近は、半導体素子の１個のチップパター
ン等が大型化する傾向にあり、投影露光装置において
は、レチクル上でより大きな面積のパターンを感光基板
上に露光する、転写対象パターンの大面積化が求められ
ている。
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下、
「レチクル」と総称する）のパターンを投影光学系を介
して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ又はガラス
プレート等の感光基板上に露光する投影露光装置が使用
されている。最近は、半導体素子の１個のチップパター
ン等が大型化する傾向にあり、投影露光装置において
は、レチクル上でより大きな面積のパターンを感光基板
上に露光する、転写対象パターンの大面積化が求められ
ている。
【０００３】また、半導体素子等のパターンが微細化す
るのに応じて投影光学系の解像度を向上することが要求
されている。投影光学系の解像度を向上するためには、
投影光学系の露光フィールドを大きくすることが設計上
あるいは製造上難しい。特に、投影光学系として、反射
屈折系を使用するような場合には、無収差の露光フィー
ルドの形状が円弧状の領域となることもある。
るのに応じて投影光学系の解像度を向上することが要求
されている。投影光学系の解像度を向上するためには、
投影光学系の露光フィールドを大きくすることが設計上
あるいは製造上難しい。特に、投影光学系として、反射
屈折系を使用するような場合には、無収差の露光フィー
ルドの形状が円弧状の領域となることもある。
【０００４】かかる転写対象パターンの大面積化及び投
影光学系の露光フィールドの制限に対処するために、例
えば矩形、円弧状又は６角形等の照明領域（以下、これ
らを「スリット状の照明領域」と総称する）に対してレ
チクル及び感光基板を同期して走査することにより、レ
チクル上のスリット状照明領域より広い面積のパターン
を感光基板上に露光する所謂スリットスキャン露光方式
の投影露光装置が開発されている。更に、この露光方式
を採用しつつ、走査方向と直交する方向（本明細書にお
いて非走査方向ともいう）に沿って複数のパターン像を
部分的に重畳させながら一連のパターンを感光基板上に
つなぎ合わせて形成するスキャンアンドステッチ型の投
影露光装置が提案されている。このタイプの投影露光装
置では、一回の走査露光後に、レチクルを交換するかあ
るいはレチクルをレチクルステージ上で走査方向と直交
する方向に移動するとともに、感光基板を走査露光方向
と直交する方向に移動させながら、走査露光が複数回行
われる。一般に、投影露光装置においては、感光基板上
の感光材に対する適正露光量及び照度均一性の条件が定
められているため、スリットスキャン露光方式の投影露
光装置においても、感光基板に対する露光量を適正露光
量に対して所定の許容範囲内で合致させると共に、ウエ
ハに対する露光光の照度均一性を所定の水準に維持する
ための露光量制御が行われている。また、上記スキャン
アンドステッチ型露光装置においても同様にウエハに対
する露光光の照度均一性を所定の水準に維持するための
露光量制御が必要である。
影光学系の露光フィールドの制限に対処するために、例
えば矩形、円弧状又は６角形等の照明領域（以下、これ
らを「スリット状の照明領域」と総称する）に対してレ
チクル及び感光基板を同期して走査することにより、レ
チクル上のスリット状照明領域より広い面積のパターン
を感光基板上に露光する所謂スリットスキャン露光方式
の投影露光装置が開発されている。更に、この露光方式
を採用しつつ、走査方向と直交する方向（本明細書にお
いて非走査方向ともいう）に沿って複数のパターン像を
部分的に重畳させながら一連のパターンを感光基板上に
つなぎ合わせて形成するスキャンアンドステッチ型の投
影露光装置が提案されている。このタイプの投影露光装
置では、一回の走査露光後に、レチクルを交換するかあ
るいはレチクルをレチクルステージ上で走査方向と直交
する方向に移動するとともに、感光基板を走査露光方向
と直交する方向に移動させながら、走査露光が複数回行
われる。一般に、投影露光装置においては、感光基板上
の感光材に対する適正露光量及び照度均一性の条件が定
められているため、スリットスキャン露光方式の投影露
光装置においても、感光基板に対する露光量を適正露光
量に対して所定の許容範囲内で合致させると共に、ウエ
ハに対する露光光の照度均一性を所定の水準に維持する
ための露光量制御が行われている。また、上記スキャン
アンドステッチ型露光装置においても同様にウエハに対
する露光光の照度均一性を所定の水準に維持するための
露光量制御が必要である。
【０００５】ところで、このスキャンアンドステッチ型
露光装置では、一連のパターンを感光基板上につなぎ合
わせて形成するために、感光基板上の継ぎ部において局
所的に積算露光量が大きい領域や小さい領域が発生する
可能性がある。これは、スリット状の照明領域の非走査
方向（走査方向と直交する方向）の両端部において、光
強度が照明領域の外側から内側にかけてステップ関数的
に０から１００％に上昇すると仮定した場合に、感光基
板の位置決め精度が低いと感光基板上の継ぎ部での積算
露光量が他の領域に比べて２倍になったり０になったり
する可能性があるからである。
露光装置では、一連のパターンを感光基板上につなぎ合
わせて形成するために、感光基板上の継ぎ部において局
所的に積算露光量が大きい領域や小さい領域が発生する
可能性がある。これは、スリット状の照明領域の非走査
方向（走査方向と直交する方向）の両端部において、光
強度が照明領域の外側から内側にかけてステップ関数的
に０から１００％に上昇すると仮定した場合に、感光基
板の位置決め精度が低いと感光基板上の継ぎ部での積算
露光量が他の領域に比べて２倍になったり０になったり
する可能性があるからである。
【０００６】これに対処するために、特公昭４６−３４
０５７号公報は、水銀ランプのような連続発光の光源を
用いて非走査方向に画面（チップパターン）を継ぐ場
合、感光基板上に露光領域の非走査方向の光強度をその
両端部で低下させて、非走査方向に対する光強度分布の
形状を等脚台形状にする技法を開示している。この公報
のように露光領域の照度分布を変形させる技術は、特公
昭５３−２５７９０号やＤ．Ａ．ＭａｒｋｌｅによるＳ
ＰＩＥ，Ｖｏｌ．７７４，１０８頁（１９８７年）にも
開示されている。
０５７号公報は、水銀ランプのような連続発光の光源を
用いて非走査方向に画面（チップパターン）を継ぐ場
合、感光基板上に露光領域の非走査方向の光強度をその
両端部で低下させて、非走査方向に対する光強度分布の
形状を等脚台形状にする技法を開示している。この公報
のように露光領域の照度分布を変形させる技術は、特公
昭５３−２５７９０号やＤ．Ａ．ＭａｒｋｌｅによるＳ
ＰＩＥ，Ｖｏｌ．７７４，１０８頁（１９８７年）にも
開示されている。
【０００７】露光領域の照度分布を変化させる別の技術
としては、静止露光方式、走査露光方式等の露光方式に
かかわらず、Ｊ．Ｐ．ＲｏｍｉｎｇｅｒがＳＰＩＥ，Ｖ
ｏｌ．９２２，１８８頁（１９８８年）で報告している
ように視野絞りを光軸方向に沿って移動することにより
照明領域をデフォーカスして形成する方法や、特開平６
−１３２１９５号に開示されているように、透過率分布
が直線的に変化しているＮＤフィルターを用いることに
よって、照明領域の走査方向と直交する方向における照
度分布の形状を等脚台形状としている。
としては、静止露光方式、走査露光方式等の露光方式に
かかわらず、Ｊ．Ｐ．ＲｏｍｉｎｇｅｒがＳＰＩＥ，Ｖ
ｏｌ．９２２，１８８頁（１９８８年）で報告している
ように視野絞りを光軸方向に沿って移動することにより
照明領域をデフォーカスして形成する方法や、特開平６
−１３２１９５号に開示されているように、透過率分布
が直線的に変化しているＮＤフィルターを用いることに
よって、照明領域の走査方向と直交する方向における照
度分布の形状を等脚台形状としている。
【０００８】ところで、近年、レチクル交換に要する時
間を短縮してスループットを向上させるために、レチク
ル上に複数の回路パターン領域が同時に設けられてい
る。これらのレチクル上の複数の回路パターン領域中か
ら所望の転写パターン領域を選択するために、可動の視
野絞りが使用される。可動の視野絞りは、露光したいパ
ターン領域周辺の遮光領域の幅を充分に小さくするため
に、通常、レチクルパターンの近傍もしくは、照明系中
のレチクルパターンと共役な位置に配置される。この可
動視野絞りによって形成される開口の面積は、露光した
いパターンの領域の大きさに従って変更可能である。例
えば、本出願人による特開平７−９４３８７号公報に
は、スキャン露光装置の走査方向に配列した２枚の可動
羽根（遮光板）を有する可動の視野絞りが開示されてお
り、走査露光が行われている間、視野絞りの開口部を画
定する各羽根のエッジ部は、レチクル上の遮光帯として
区画された部分以外の遮光されるべきレチクルパターン
部分を覆うようにレチクルの走査移動に同期して移動す
る。
間を短縮してスループットを向上させるために、レチク
ル上に複数の回路パターン領域が同時に設けられてい
る。これらのレチクル上の複数の回路パターン領域中か
ら所望の転写パターン領域を選択するために、可動の視
野絞りが使用される。可動の視野絞りは、露光したいパ
ターン領域周辺の遮光領域の幅を充分に小さくするため
に、通常、レチクルパターンの近傍もしくは、照明系中
のレチクルパターンと共役な位置に配置される。この可
動視野絞りによって形成される開口の面積は、露光した
いパターンの領域の大きさに従って変更可能である。例
えば、本出願人による特開平７−９４３８７号公報に
は、スキャン露光装置の走査方向に配列した２枚の可動
羽根（遮光板）を有する可動の視野絞りが開示されてお
り、走査露光が行われている間、視野絞りの開口部を画
定する各羽根のエッジ部は、レチクル上の遮光帯として
区画された部分以外の遮光されるべきレチクルパターン
部分を覆うようにレチクルの走査移動に同期して移動す
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記の露光領域の非走
査方向の照度分布を変形させる技術においては、感光基
板上で走査方向と直交する方向にパターンをつなぐ場合
に、露光領域の走査方向と直交する方向の光強度分布は
左右対称であり、継ぎ部とその反対側において露光量は
同一であった。例えば、照度を走査方向に渡って積分し
た非走査方向に対する照度分布が等脚台形状の照度分布
になる前記従来技術の場合、継ぎ部と反対側の領域にお
いても露光光の照度は非走査方向の両端部に向かって徐
々に低下する。従って、パターン像が重畳されない側の
露光部分では低光強度で一回しか露光は行われないため
に中央部に比べてアンダー露光が生じることになる。こ
のため、感光基板全体として均一な露光が得られないと
いう問題があった。かかる局部的なアンダー露光を防止
するためには、継ぎ部を構成しない側に従来より幅広の
遮光板を設置する必要があった。
査方向の照度分布を変形させる技術においては、感光基
板上で走査方向と直交する方向にパターンをつなぐ場合
に、露光領域の走査方向と直交する方向の光強度分布は
左右対称であり、継ぎ部とその反対側において露光量は
同一であった。例えば、照度を走査方向に渡って積分し
た非走査方向に対する照度分布が等脚台形状の照度分布
になる前記従来技術の場合、継ぎ部と反対側の領域にお
いても露光光の照度は非走査方向の両端部に向かって徐
々に低下する。従って、パターン像が重畳されない側の
露光部分では低光強度で一回しか露光は行われないため
に中央部に比べてアンダー露光が生じることになる。こ
のため、感光基板全体として均一な露光が得られないと
いう問題があった。かかる局部的なアンダー露光を防止
するためには、継ぎ部を構成しない側に従来より幅広の
遮光板を設置する必要があった。
【００１０】本発明の目的は、走査方向と直交する方向
に複数のパターン像を部分的に重畳させることによって
感光基板上に所定のパターンを継ぎ合わせて形成する際
に、複数のパターン像の重畳部と他の露光領域における
露光量をほぼ同一にすることができる走査露光装置を提
供することにある。
に複数のパターン像を部分的に重畳させることによって
感光基板上に所定のパターンを継ぎ合わせて形成する際
に、複数のパターン像の重畳部と他の露光領域における
露光量をほぼ同一にすることができる走査露光装置を提
供することにある。
【００１１】本発明の別の目的は、スキャンアンドステ
ッチタイプの投影露光を行う際に、照明領域の非走査方
向のいずれか一方の端部において独立に光強度を低下さ
せることができる投影露光装置を提供することにある。
ッチタイプの投影露光を行う際に、照明領域の非走査方
向のいずれか一方の端部において独立に光強度を低下さ
せることができる投影露光装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様に従
えば、マスク上の照明領域を光ビームで照射する照明光
学系を有し、前記照明領域に対して前記マスクと感光基
板とを同期して走査することにより、前記マスク上のパ
ターン像で前記感光基板を露光する装置において、前記
マスク上での前記照明領域の走査方向の幅を設定するた
めの固定視野絞りと、前記照明領域の走査方向の幅を制
限する第１及び第２の遮光板と、前記照明領域の前記走
査方向と直交する方向の幅を設定するとともに、少なく
とも一方が前記照明光学系の光軸とほぼ垂直な面内で回
転移動する第３及び第４の遮光板とからなる可変視野絞
りとを備えたことを特徴とする走査露光装置が提供され
る。
えば、マスク上の照明領域を光ビームで照射する照明光
学系を有し、前記照明領域に対して前記マスクと感光基
板とを同期して走査することにより、前記マスク上のパ
ターン像で前記感光基板を露光する装置において、前記
マスク上での前記照明領域の走査方向の幅を設定するた
めの固定視野絞りと、前記照明領域の走査方向の幅を制
限する第１及び第２の遮光板と、前記照明領域の前記走
査方向と直交する方向の幅を設定するとともに、少なく
とも一方が前記照明光学系の光軸とほぼ垂直な面内で回
転移動する第３及び第４の遮光板とからなる可変視野絞
りとを備えたことを特徴とする走査露光装置が提供され
る。
【００１３】上記走査露光装置において、前記第１及び
第２の遮光板は、前記照明光学系内の前記マスクのパタ
ーン面と実質的に共役な面内に配置され、前記第３及び
第４の遮光板は、前記第１及び第２の遮光板に近接した
位置及び前記第１及び第２の遮光板と実質的に共役な位
置の一方の位置に配置されることが好ましい。
第２の遮光板は、前記照明光学系内の前記マスクのパタ
ーン面と実質的に共役な面内に配置され、前記第３及び
第４の遮光板は、前記第１及び第２の遮光板に近接した
位置及び前記第１及び第２の遮光板と実質的に共役な位
置の一方の位置に配置されることが好ましい。
【００１４】前記走査露光装置は、前記走査方向と直交
する方向に沿って複数のパターン像を部分的に重畳させ
つつ前記感光基板上につなぎ合わせて形成するスキャン
アンドステッチタイプの走査露光装置であり、前記照明
領域の前記走査方向と直交する方向の光強度分布が少な
くとも一端で次第に弱められるように、前記照明光学系
の光軸とほぼ垂直な面内で前記第３及び第４の遮光板を
それぞれ独立に回転させる駆動部材を有することが好ま
しい。
する方向に沿って複数のパターン像を部分的に重畳させ
つつ前記感光基板上につなぎ合わせて形成するスキャン
アンドステッチタイプの走査露光装置であり、前記照明
領域の前記走査方向と直交する方向の光強度分布が少な
くとも一端で次第に弱められるように、前記照明光学系
の光軸とほぼ垂直な面内で前記第３及び第４の遮光板を
それぞれ独立に回転させる駆動部材を有することが好ま
しい。
【００１５】本発明の第２の態様に従えば、マスク上の
照明領域を光ビームで照射する照明光学系を有し、前記
照明領域に対して前記マスクと感光基板とを同期して走
査することにより、前記マスク上のパターン像で前記感
光基板を露光する装置において、前記マスク上での前記
照明領域の走査方向の幅を設定するための固定視野絞り
と、前記照明領域の走査方向の幅を制限する第１及び第
２の遮光板と、前記照明領域の前記走査方向と直交する
方向の幅を設定するとともに、少なくとも一方が前記マ
スクのパターン面または該パターン面と実質的に共役な
面に対して、前記照明光学系の光軸にほぼ平行に相対的
に移動する第３及び第４の遮光板とからなる可変視野絞
りとを備えたことを特徴とする走査露光装置が提供され
る。
照明領域を光ビームで照射する照明光学系を有し、前記
照明領域に対して前記マスクと感光基板とを同期して走
査することにより、前記マスク上のパターン像で前記感
光基板を露光する装置において、前記マスク上での前記
照明領域の走査方向の幅を設定するための固定視野絞り
と、前記照明領域の走査方向の幅を制限する第１及び第
２の遮光板と、前記照明領域の前記走査方向と直交する
方向の幅を設定するとともに、少なくとも一方が前記マ
スクのパターン面または該パターン面と実質的に共役な
面に対して、前記照明光学系の光軸にほぼ平行に相対的
に移動する第３及び第４の遮光板とからなる可変視野絞
りとを備えたことを特徴とする走査露光装置が提供され
る。
【００１６】上記走査露光装置において、前記第１及び
第２の遮光板は、前記照明光学系内の前記マスクのパタ
ーン面と実質的に共役な面内に配置され、前記第３及び
第４の遮光板は、前記第１及び第２の遮光板に対して前
記光軸にほぼ沿って相対移動することが好ましい。
第２の遮光板は、前記照明光学系内の前記マスクのパタ
ーン面と実質的に共役な面内に配置され、前記第３及び
第４の遮光板は、前記第１及び第２の遮光板に対して前
記光軸にほぼ沿って相対移動することが好ましい。
【００１７】前記走査露光装置は、前記走査方向と直交
する方向に沿って複数のパターン像を部分的に重畳させ
つつ前記感光基板上につなぎ合わせて形成するスキャン
アンドステッチタイプの走査露光装置であり、前記照明
領域の前記走査方向と直交する方向の光強度分布が少な
くとも一端で次第に弱められるように、前記第３及び第
４の遮光板をそれぞれ独立に前記光軸にほぼ沿って移動
させる駆動部材を有することが好ましい。
する方向に沿って複数のパターン像を部分的に重畳させ
つつ前記感光基板上につなぎ合わせて形成するスキャン
アンドステッチタイプの走査露光装置であり、前記照明
領域の前記走査方向と直交する方向の光強度分布が少な
くとも一端で次第に弱められるように、前記第３及び第
４の遮光板をそれぞれ独立に前記光軸にほぼ沿って移動
させる駆動部材を有することが好ましい。
【００１８】上記本発明の走査露光装置において、前記
固定視野絞りは、前記照明領域の前記走査方向の光強度
分布がその両端で次第に弱められるように、前記マスク
のパターン面または該パターン面と実質的に共役な面か
ら前記光軸方向に離れて配置されることが好ましい。
固定視野絞りは、前記照明領域の前記走査方向の光強度
分布がその両端で次第に弱められるように、前記マスク
のパターン面または該パターン面と実質的に共役な面か
ら前記光軸方向に離れて配置されることが好ましい。
【００１９】上記本発明の走査露光装置において、前記
走査方向と直交する方向に沿って複数のパターン像を部
分的に重畳させつつ前記感光基板上につなぎ合わせて形
成するために、一回の走査露光後にマスクを交換するか
または前記マスクを前記走査方向と直交する方向に移動
するとともに、前記感光基板を前記走査方向と直交する
方向に移動させながら、前記走査露光を複数回行うこと
ができる。
走査方向と直交する方向に沿って複数のパターン像を部
分的に重畳させつつ前記感光基板上につなぎ合わせて形
成するために、一回の走査露光後にマスクを交換するか
または前記マスクを前記走査方向と直交する方向に移動
するとともに、前記感光基板を前記走査方向と直交する
方向に移動させながら、前記走査露光を複数回行うこと
ができる。
【００２０】上記本発明の走査露光装置において、前記
走査露光によって前記感光基板上の前記複数のパターン
像の重畳部に与えられる露光量がそれ以外の部分に与え
られる露光量とほぼ同一になるように、前記第３及び第
４の遮光板が移動され得る。
走査露光によって前記感光基板上の前記複数のパターン
像の重畳部に与えられる露光量がそれ以外の部分に与え
られる露光量とほぼ同一になるように、前記第３及び第
４の遮光板が移動され得る。
【００２１】
【作用】請求項１の走査露光装置において、走査方向と
直交する方向の照明領域の幅を設定する可動視野絞りの
第３及び第４の遮光板を照明光学系の光軸とほぼ垂直な
面内で独立に回転移動できるようにしている。かかる走
査露光装置を、走査方向と直交する方向に沿って複数の
レチクルパターン像を部分的に重畳させつつ感光基板上
につなぎ合わせて形成させる、いわゆる、スキャンアン
ドステッチ方式の露光操作に用いる場合、照明領域の走
査方向と直交する方向においてパターン像が重畳される
側で光強度分布が次第に低下するように第３及び第４の
少なくとも一方の遮光板を独立に前記光軸と垂直な面内
で回転させることができる。より具体的には、パターン
像が重畳される側の遮光板のエッジ部を走査方向に対し
て傾斜させて照明領域の非走査方向端部を照射する光の
一部を遮光するとともに、パターン像が重畳されない側
の遮光板のエッジ部を走査方向と平行に配置させる。こ
のように操作することによって、感光基板の露光領域に
おいて、パターン像が重畳されない側でのアンダー露光
を容易に防止するとともに、感光基板上の複数のパター
ンの重畳部とそれ以外の領域での露光量をほぼ同一にす
ることができる。
直交する方向の照明領域の幅を設定する可動視野絞りの
第３及び第４の遮光板を照明光学系の光軸とほぼ垂直な
面内で独立に回転移動できるようにしている。かかる走
査露光装置を、走査方向と直交する方向に沿って複数の
レチクルパターン像を部分的に重畳させつつ感光基板上
につなぎ合わせて形成させる、いわゆる、スキャンアン
ドステッチ方式の露光操作に用いる場合、照明領域の走
査方向と直交する方向においてパターン像が重畳される
側で光強度分布が次第に低下するように第３及び第４の
少なくとも一方の遮光板を独立に前記光軸と垂直な面内
で回転させることができる。より具体的には、パターン
像が重畳される側の遮光板のエッジ部を走査方向に対し
て傾斜させて照明領域の非走査方向端部を照射する光の
一部を遮光するとともに、パターン像が重畳されない側
の遮光板のエッジ部を走査方向と平行に配置させる。こ
のように操作することによって、感光基板の露光領域に
おいて、パターン像が重畳されない側でのアンダー露光
を容易に防止するとともに、感光基板上の複数のパター
ンの重畳部とそれ以外の領域での露光量をほぼ同一にす
ることができる。
【００２２】請求項４の走査露光装置において、走査方
向と直交する方向の照明領域の幅を設定する可動視野絞
りの第３及び第４の遮光板をレチクルパターン面または
それと実質的に共役な面に対して照明光学系の光軸にほ
ぼ平行に相対移動できるようにしている。かかる走査露
光装置を、走査方向と直交する方向に沿って複数のレチ
クルパターン像を部分的に重畳させつつ感光基板上につ
なぎ合わせて形成させる、いわゆる、スキャンアンドス
テッチ方式の露光操作に用いる場合、照明領域の走査方
向と直交する方向においてパターン像が重畳される側で
光強度分布が次第に低下するように第３及び第４の遮光
板を独立に前記光軸に沿って移動させることができる。
具体的には、パターン像が重畳される側の遮光板のみを
上記光軸に沿ってレチクルパターンあるいはその共役面
から離れるように移動させて該遮光板の像をレチクルパ
ターン上でデフォーカスさせる。このように操作するこ
とによって、感光基板の露光領域において、パターン像
が重畳されない側でのアンダー露光を容易に防止すると
ともに、感光基板上の複数のパターンの重畳部とそれ以
外の領域での露光量をほぼ同一にすることができる。
向と直交する方向の照明領域の幅を設定する可動視野絞
りの第３及び第４の遮光板をレチクルパターン面または
それと実質的に共役な面に対して照明光学系の光軸にほ
ぼ平行に相対移動できるようにしている。かかる走査露
光装置を、走査方向と直交する方向に沿って複数のレチ
クルパターン像を部分的に重畳させつつ感光基板上につ
なぎ合わせて形成させる、いわゆる、スキャンアンドス
テッチ方式の露光操作に用いる場合、照明領域の走査方
向と直交する方向においてパターン像が重畳される側で
光強度分布が次第に低下するように第３及び第４の遮光
板を独立に前記光軸に沿って移動させることができる。
具体的には、パターン像が重畳される側の遮光板のみを
上記光軸に沿ってレチクルパターンあるいはその共役面
から離れるように移動させて該遮光板の像をレチクルパ
ターン上でデフォーカスさせる。このように操作するこ
とによって、感光基板の露光領域において、パターン像
が重畳されない側でのアンダー露光を容易に防止すると
ともに、感光基板上の複数のパターンの重畳部とそれ以
外の領域での露光量をほぼ同一にすることができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明によるスキャンアンドステッチ
型の投影露光装置の一実施例を、図１〜図６を参照しな
がら説明する。図１に、本実施例の投影露光装置の概略
図を示す。この投影露光装置は、主に、照明光を発生す
るパルス光源１と、照明光を均一な照度とし且つレチク
ルＲ上での照明領域を画定する照明光学系と、レチクル
Ｒを走査するレチクルステージ９と、レチクルパターン
をウエハＷに投影する投影光学系１３と、ウエハＷを２
次元方向に移動するウエハステージ１４から構成されて
いる。
型の投影露光装置の一実施例を、図１〜図６を参照しな
がら説明する。図１に、本実施例の投影露光装置の概略
図を示す。この投影露光装置は、主に、照明光を発生す
るパルス光源１と、照明光を均一な照度とし且つレチク
ルＲ上での照明領域を画定する照明光学系と、レチクル
Ｒを走査するレチクルステージ９と、レチクルパターン
をウエハＷに投影する投影光学系１３と、ウエハＷを２
次元方向に移動するウエハステージ１４から構成されて
いる。
【００２４】パルス光源１としては、ＡｒＦエキシマレ
ーザ若しくはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ
光源、金属蒸気レーザ光源、又はＹＡＧレーザの高調波
発生装置等が使用される。または、パルス光源の他に、
水銀ランプからの輝線（ｉ線等）を始めとする連続光を
用いてもよい。
ーザ若しくはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ
光源、金属蒸気レーザ光源、又はＹＡＧレーザの高調波
発生装置等が使用される。または、パルス光源の他に、
水銀ランプからの輝線（ｉ線等）を始めとする連続光を
用いてもよい。
【００２５】照明光学系は、シリンドリカルレンズやビ
ームエクスパンダ等よりなるビーム整形光学系２、フラ
イアイレンズ３、コンデンサーレンズ４、固定視野絞り
５、可動ブラインド７及びリレーレンズ８から構成され
ている。パルス光源１から射出された光はビーム整形光
学系２によりビーム径が拡大されてフライアイレンズ３
に達する。フライアイレンズ３の射出面には多数の２次
光源が形成され、これら２次光源からのパルス照明光は
コンデンサーレンズ４によって集光され、固定の視野絞
り５を経て可動ブラインド７に達する。
ームエクスパンダ等よりなるビーム整形光学系２、フラ
イアイレンズ３、コンデンサーレンズ４、固定視野絞り
５、可動ブラインド７及びリレーレンズ８から構成され
ている。パルス光源１から射出された光はビーム整形光
学系２によりビーム径が拡大されてフライアイレンズ３
に達する。フライアイレンズ３の射出面には多数の２次
光源が形成され、これら２次光源からのパルス照明光は
コンデンサーレンズ４によって集光され、固定の視野絞
り５を経て可動ブラインド７に達する。
【００２６】図２に、図１の露光装置における固定の視
野絞り５及び可動ブラインド７の構成及び配置を示す。
図２は、可動ブラインド７の構造を明瞭に示すために斜
め下方からみた斜視図として表してあり、照明光は図面
下方から上方に進行する。固定視野絞り５は、走査方向
と直交する方向を長手方向とする矩形の平板であり、そ
の内部に矩形のスリット状の開口部７０が形成されてい
る。リレーレンズ４からの光束は、視野絞り５の開口部
７０を通過することによって、矩形のスリット状の断面
を有する光束となる。固定視野絞り７０の下方（図面
中、上方）には、レチクル上の照明領域を制限する４枚
の矩形の遮光板から構成される可動のブラインド７が配
置されている。ここで、可動ブラインド７は可動視野絞
りとして機能する。レチクルＲ上の照明領域の走査方向
の幅を制限する遮光板７Ｃ及び７Ｄは、レチクルＲのパ
ターン面と共役な面内に位置し、固定視野絞りの開口部
７０を挟んで走査方向に対向して配置している。遮光板
７Ｃ及び７Ｄは、図示しない駆動部によりそれぞれ独立
して走査方向に移動して、固定視野絞り７の開口部７０
の走査方向の幅を自在に制限することができる。
野絞り５及び可動ブラインド７の構成及び配置を示す。
図２は、可動ブラインド７の構造を明瞭に示すために斜
め下方からみた斜視図として表してあり、照明光は図面
下方から上方に進行する。固定視野絞り５は、走査方向
と直交する方向を長手方向とする矩形の平板であり、そ
の内部に矩形のスリット状の開口部７０が形成されてい
る。リレーレンズ４からの光束は、視野絞り５の開口部
７０を通過することによって、矩形のスリット状の断面
を有する光束となる。固定視野絞り７０の下方（図面
中、上方）には、レチクル上の照明領域を制限する４枚
の矩形の遮光板から構成される可動のブラインド７が配
置されている。ここで、可動ブラインド７は可動視野絞
りとして機能する。レチクルＲ上の照明領域の走査方向
の幅を制限する遮光板７Ｃ及び７Ｄは、レチクルＲのパ
ターン面と共役な面内に位置し、固定視野絞りの開口部
７０を挟んで走査方向に対向して配置している。遮光板
７Ｃ及び７Ｄは、図示しない駆動部によりそれぞれ独立
して走査方向に移動して、固定視野絞り７の開口部７０
の走査方向の幅を自在に制限することができる。
【００２７】一方、走査方向と直交する方向のレチクル
Ｒ上の照明領域の幅を制限する一対の遮光板７Ａ，７Ｂ
は、遮光板７Ｃ及び７Ｄの下方（図面中、上方）で且つ
それらの近傍に位置している。遮光板７Ａ及び７Ｂは、
駆動部６Ａ及び６Ｂ（図１参照）により非走査方向（図
中Ｙまたは−Ｙ方向）に移動可能である。また、遮光板
７Ａ及び７Ｂは、並進駆動部及びモータとギヤによる回
転駆動部との組み合わせ機構により遮光板の可動ブライ
ンドの開口部を画定する長手方向エッジＡＬの中点ＡＸ
及びエッジＢＬの中点ＢＸを中心として光軸に垂直な平
面内で回転可能である。また、この遮光板７Ａ及び７Ｂ
は、後述するようにそれぞれ駆動部６Ａ及び６Ｂにより
独立に光軸とほぼ平行に移動できるように構成すること
もできる。上記のような可動ブラインド７の構成によ
り、固定の視野絞り５により最初に設定されることにな
るレチクルＲ上のスリット状の照明領域２１は、さらに
可動ブラインド７により制限されて感光基板上で所望の
露光領域を形成する。可動ブラインド７の駆動部の動作
は可動ブラインド制御部１１により制御される。可動ブ
ラインドの動作については後に詳述する。
Ｒ上の照明領域の幅を制限する一対の遮光板７Ａ，７Ｂ
は、遮光板７Ｃ及び７Ｄの下方（図面中、上方）で且つ
それらの近傍に位置している。遮光板７Ａ及び７Ｂは、
駆動部６Ａ及び６Ｂ（図１参照）により非走査方向（図
中Ｙまたは−Ｙ方向）に移動可能である。また、遮光板
７Ａ及び７Ｂは、並進駆動部及びモータとギヤによる回
転駆動部との組み合わせ機構により遮光板の可動ブライ
ンドの開口部を画定する長手方向エッジＡＬの中点ＡＸ
及びエッジＢＬの中点ＢＸを中心として光軸に垂直な平
面内で回転可能である。また、この遮光板７Ａ及び７Ｂ
は、後述するようにそれぞれ駆動部６Ａ及び６Ｂにより
独立に光軸とほぼ平行に移動できるように構成すること
もできる。上記のような可動ブラインド７の構成によ
り、固定の視野絞り５により最初に設定されることにな
るレチクルＲ上のスリット状の照明領域２１は、さらに
可動ブラインド７により制限されて感光基板上で所望の
露光領域を形成する。可動ブラインド７の駆動部の動作
は可動ブラインド制御部１１により制御される。可動ブ
ラインドの動作については後に詳述する。
【００２８】上記可動ブラインド７により制限された光
束はリレーレンズ系８に入射する。リレーレンズ系８
は、可動ブラインド７のうちレチクル上の照明領域の走
査方向の幅を制限する遮光板７Ｃ及び７ＤとレチクルＲ
のパターン形成面とを共役に維持するレンズ系である。
リレーレンズ系８は両側テレセントリックな光学系であ
る。
束はリレーレンズ系８に入射する。リレーレンズ系８
は、可動ブラインド７のうちレチクル上の照明領域の走
査方向の幅を制限する遮光板７Ｃ及び７ＤとレチクルＲ
のパターン形成面とを共役に維持するレンズ系である。
リレーレンズ系８は両側テレセントリックな光学系であ
る。
【００２９】レチクルＲが載置されるレチクルステージ
９は、レチクルステージ駆動部１０に駆動されてレチク
ルＲを走査方向に移動させる。ここで、投影光学系１３
の光軸に垂直な２次元平面内で、スリット状の照明領域
２１に対するレチクルＲの走査方向をＹ方向（または−
Ｙ方向）（図１の紙面に垂直な方向）、走査方向に垂直
な方向をＸ方向（または−Ｘ方向）、投影光学系１３の
光軸に平行な方向をＺ方向とする。レチクルステージ９
は、走査方向に移動するだけではなく、また、レチクル
パターンの画面継ぎを実行するために、走査方向に直交
する方向（画面継ぎ方向）にも移動可能である。この移
動は、図６に示したような２次元エアステージを用いて
行うことができる。このエアステージは、レチクルＲを
載置し且つＸ方向に移動可能なＸステージ３５と、Ｘス
テージ３５上に配置されるＹ方向に移動可能なＹステー
ジ３４から構成されている。Ｘステージ３４は、Ｘステ
ージの走査方向の両側に取り付けられたＸ方向エアガイ
ド４０がステージ基板３３に連結されたＸ方向リニアモ
ータ３１上を非接触で移動することによってレチクルＲ
をＸ方向に移動させる。また、Ｙステージ３４は、Ｙス
テージの非走査方向の両側に取り付けられたＹ方向エア
ガイド４１がステージ基板３３に連結されたＹ方向リニ
アモータ３２上を非接触で移動することによってレチク
ルＲをＹ方向に移動させる。画面継ぎの操作は、可動ブ
ラインド７の動作とともに後述する。
９は、レチクルステージ駆動部１０に駆動されてレチク
ルＲを走査方向に移動させる。ここで、投影光学系１３
の光軸に垂直な２次元平面内で、スリット状の照明領域
２１に対するレチクルＲの走査方向をＹ方向（または−
Ｙ方向）（図１の紙面に垂直な方向）、走査方向に垂直
な方向をＸ方向（または−Ｘ方向）、投影光学系１３の
光軸に平行な方向をＺ方向とする。レチクルステージ９
は、走査方向に移動するだけではなく、また、レチクル
パターンの画面継ぎを実行するために、走査方向に直交
する方向（画面継ぎ方向）にも移動可能である。この移
動は、図６に示したような２次元エアステージを用いて
行うことができる。このエアステージは、レチクルＲを
載置し且つＸ方向に移動可能なＸステージ３５と、Ｘス
テージ３５上に配置されるＹ方向に移動可能なＹステー
ジ３４から構成されている。Ｘステージ３４は、Ｘステ
ージの走査方向の両側に取り付けられたＸ方向エアガイ
ド４０がステージ基板３３に連結されたＸ方向リニアモ
ータ３１上を非接触で移動することによってレチクルＲ
をＸ方向に移動させる。また、Ｙステージ３４は、Ｙス
テージの非走査方向の両側に取り付けられたＹ方向エア
ガイド４１がステージ基板３３に連結されたＹ方向リニ
アモータ３２上を非接触で移動することによってレチク
ルＲをＹ方向に移動させる。画面継ぎの操作は、可動ブ
ラインド７の動作とともに後述する。
【００３０】レチクルＲ上のスリット状の照明領域２１
内で且つ可動ブラインド７により規定された回路パター
ンの像が、投影光学系１３を介してウエハＷ上に投影露
光される。ウエハＷはウエハステージ１４上に載置され
ており、ウエハＷ上にはスリット状の照明領域２１と共
役なスリット状露光領域２２が形成される。ウエハステ
ージ１４は、投影光学系１３の光軸に垂直な面内でウエ
ハＷの位置決めを行うと共にウエハＷを±Ｙ方向に走査
すると共に、画面継ぎのためにＸまたは−Ｘ方向にステ
ッピングするＸＹステージ及びＺ方向にウエハＷの位置
決めを行うＺステージ等より構成されている。
内で且つ可動ブラインド７により規定された回路パター
ンの像が、投影光学系１３を介してウエハＷ上に投影露
光される。ウエハＷはウエハステージ１４上に載置され
ており、ウエハＷ上にはスリット状の照明領域２１と共
役なスリット状露光領域２２が形成される。ウエハステ
ージ１４は、投影光学系１３の光軸に垂直な面内でウエ
ハＷの位置決めを行うと共にウエハＷを±Ｙ方向に走査
すると共に、画面継ぎのためにＸまたは−Ｘ方向にステ
ッピングするＸＹステージ及びＺ方向にウエハＷの位置
決めを行うＺステージ等より構成されている。
【００３１】主制御系１２は、ウエハステージ駆動部１
５を介してウエハステージ１４の位置決め動作及び走査
動作を制御する。また、上記レチクルステージ駆動部１
０及び可動ブラインド制御部１１の動作は、装置全体の
動作を制御する主制御系１２で管理される。
５を介してウエハステージ１４の位置決め動作及び走査
動作を制御する。また、上記レチクルステージ駆動部１
０及び可動ブラインド制御部１１の動作は、装置全体の
動作を制御する主制御系１２で管理される。
【００３２】上記のような装置構成において、レチクル
Ｒ上のパターン像をスキャン方式で投影光学系１３を介
してウエハＷ上の各ショット領域に露光する際には、レ
チクルＲを、視野絞り５により設定されるスリット状の
照明領域２１に対してＹ方向（又は−Ｙ方向）にレチク
ルステージ９を介して走査する。また、この走査と同期
して、スリット状の照明領域２１と共役なスリット状の
露光領域２２に対して−Ｙ方向（又はＹ方向）に、ウエ
ハステージ１４を介してウエハＷを走査する。即ち、こ
の−Ｙ方向（又はＹ方向）がウエハＷの走査方向であ
る。このようにレチクルＲ及びウエハＷを同期して走査
することにより、ウエハＷ上の各ショット領域にはレチ
クルＲの回路パターン像が逐次転写される。
Ｒ上のパターン像をスキャン方式で投影光学系１３を介
してウエハＷ上の各ショット領域に露光する際には、レ
チクルＲを、視野絞り５により設定されるスリット状の
照明領域２１に対してＹ方向（又は−Ｙ方向）にレチク
ルステージ９を介して走査する。また、この走査と同期
して、スリット状の照明領域２１と共役なスリット状の
露光領域２２に対して−Ｙ方向（又はＹ方向）に、ウエ
ハステージ１４を介してウエハＷを走査する。即ち、こ
の−Ｙ方向（又はＹ方向）がウエハＷの走査方向であ
る。このようにレチクルＲ及びウエハＷを同期して走査
することにより、ウエハＷ上の各ショット領域にはレチ
クルＲの回路パターン像が逐次転写される。
【００３３】前記のようにレチクル上に複数の回路パタ
ーン領域が同時に設けられる場合には、これらのレチク
ル上の複数の回路パターン領域中から所望の転写パター
ン領域を選択するために、可動ブラインドが使用され
る。本実施例の投影露光装置においても上記可動ブライ
ンド７は、かかる目的で使用される。このため、本実施
例の投影露光装置には、レチクルＲ上の回路パターン領
域に関する情報を入力する入力部１６と、この入力部１
６からの回路パターン情報を記憶するメモリー部１７と
が設けられ、主制御系１２は、そのメモリー部１７の回
路パターン情報に基づいて可動ブラインド制御部１１及
び可動ブラインド７の遮光板７Ｃ，７Ｄの駆動部を介し
て遮光板７Ｃ，７Ｄを駆動する。
ーン領域が同時に設けられる場合には、これらのレチク
ル上の複数の回路パターン領域中から所望の転写パター
ン領域を選択するために、可動ブラインドが使用され
る。本実施例の投影露光装置においても上記可動ブライ
ンド７は、かかる目的で使用される。このため、本実施
例の投影露光装置には、レチクルＲ上の回路パターン領
域に関する情報を入力する入力部１６と、この入力部１
６からの回路パターン情報を記憶するメモリー部１７と
が設けられ、主制御系１２は、そのメモリー部１７の回
路パターン情報に基づいて可動ブラインド制御部１１及
び可動ブラインド７の遮光板７Ｃ，７Ｄの駆動部を介し
て遮光板７Ｃ，７Ｄを駆動する。
【００３４】上記投影露光装置において走査露光を行う
際の可動ブラインド７Ｃ，７Ｄの動作の一例につき図１
及び図３を参照して説明する。なお、この動作の詳細に
ついては本出願人により特開平４−１９６５１３号公報
や特開平７−９４３８７号公報に開示されており、それ
を参照することができる。図３（ａ）〜（ｆ）に、複数
のパターンが設けられたレチクルＲを可動ブラインド７
を用いて特定のパターンだけを照明する場合において、
照明領域と可動ブラインド７の遮光板７Ｃ，Ｄとレチク
ルＲのパターン領域との関係を示す。同図中、説明を簡
略するために、図２中に示した走査方向と直交する照明
領域の幅を制限する遮光板７Ａ，７Ｂを省略してある。
図３（ａ）に示す如く、レチクルＲ上には２つの回路パ
ターン領域２０Ａ及び２０Ｂが形成され、これら回路パ
ターン領域２０Ａ，２０Ｂの境界部には走査方向の幅が
Ｌ１の遮光部（遮光帯）２０Ｃが形成され、回路パター
ン領域２０Ａ，２０Ｂの走査方向の外側にも同じく幅Ｌ
１の遮光部２０Ｄ，２０Ｅがそれぞれ形成されていると
する。また、レチクルＲ上に形成されるスリット状の照
明領域２１は、図３（ａ）に示すように、走査方向の幅
がＬ２の細長い長方形であり、遮光部２０Ｃ，２０Ｄ，
２０Ｅの幅Ｌ１は照明領域２１の幅Ｌ２より狭く設定さ
れている。
際の可動ブラインド７Ｃ，７Ｄの動作の一例につき図１
及び図３を参照して説明する。なお、この動作の詳細に
ついては本出願人により特開平４−１９６５１３号公報
や特開平７−９４３８７号公報に開示されており、それ
を参照することができる。図３（ａ）〜（ｆ）に、複数
のパターンが設けられたレチクルＲを可動ブラインド７
を用いて特定のパターンだけを照明する場合において、
照明領域と可動ブラインド７の遮光板７Ｃ，Ｄとレチク
ルＲのパターン領域との関係を示す。同図中、説明を簡
略するために、図２中に示した走査方向と直交する照明
領域の幅を制限する遮光板７Ａ，７Ｂを省略してある。
図３（ａ）に示す如く、レチクルＲ上には２つの回路パ
ターン領域２０Ａ及び２０Ｂが形成され、これら回路パ
ターン領域２０Ａ，２０Ｂの境界部には走査方向の幅が
Ｌ１の遮光部（遮光帯）２０Ｃが形成され、回路パター
ン領域２０Ａ，２０Ｂの走査方向の外側にも同じく幅Ｌ
１の遮光部２０Ｄ，２０Ｅがそれぞれ形成されていると
する。また、レチクルＲ上に形成されるスリット状の照
明領域２１は、図３（ａ）に示すように、走査方向の幅
がＬ２の細長い長方形であり、遮光部２０Ｃ，２０Ｄ，
２０Ｅの幅Ｌ１は照明領域２１の幅Ｌ２より狭く設定さ
れている。
【００３５】かかるレチクルＲを用いて走査露光する際
に、先ず、オペレータは図１の入力部１６を介してメモ
リー部１７に、レチクルＲ上の回路パターン領域２０
Ａ，２０Ｂに関する情報を入力する。第１の回路パター
ン領域２０Ａ内のパターン像を投影光学系１３を介して
ウエハＷ上に転写する場合には、主制御系１２はメモリ
ー部１７に記憶された回路パターン情報中の第１の回路
パターン領域２０Ａに関する情報を読み出し、この情報
に基づいて可動ブラインド制御部１１を介して可動ブラ
インド７の遮光板７Ｃ，７Ｄの走査方向の位置を制御す
る。これにより、レチクルＲを照明領域２１に対して−
Ｙ方向に走査する場合、図３（ｂ）〜（ｆ）に示すよう
に、レチクルＲ上の第２の回路パターン領域２０Ｂを常
に他方の遮光板７Ｄで覆い、第１の回路パターン領域２
０Ａのみにスリット状の照明領域２１の照明光が照射さ
れるようにする。なお、図３において、レチクルＲ上に
は実際には可動ブラインド７の遮光板７Ｃ及び７Ｄの像
が投影されるが、それらの像をそれぞれ遮光板７Ｃ及び
７Ｄとみなしている。
に、先ず、オペレータは図１の入力部１６を介してメモ
リー部１７に、レチクルＲ上の回路パターン領域２０
Ａ，２０Ｂに関する情報を入力する。第１の回路パター
ン領域２０Ａ内のパターン像を投影光学系１３を介して
ウエハＷ上に転写する場合には、主制御系１２はメモリ
ー部１７に記憶された回路パターン情報中の第１の回路
パターン領域２０Ａに関する情報を読み出し、この情報
に基づいて可動ブラインド制御部１１を介して可動ブラ
インド７の遮光板７Ｃ，７Ｄの走査方向の位置を制御す
る。これにより、レチクルＲを照明領域２１に対して−
Ｙ方向に走査する場合、図３（ｂ）〜（ｆ）に示すよう
に、レチクルＲ上の第２の回路パターン領域２０Ｂを常
に他方の遮光板７Ｄで覆い、第１の回路パターン領域２
０Ａのみにスリット状の照明領域２１の照明光が照射さ
れるようにする。なお、図３において、レチクルＲ上に
は実際には可動ブラインド７の遮光板７Ｃ及び７Ｄの像
が投影されるが、それらの像をそれぞれ遮光板７Ｃ及び
７Ｄとみなしている。
【００３６】図３（ａ）〜（ｆ）に示された操作におい
て、レチクルＲ及び可動ブラインド７の動作に同期し
て、主制御系１２は、ウエハステージ駆動部１５を介し
てウエハステージ１４を駆動してウエハＷを走査方向
（Ｙ方向）に走査する。投影光学系１３のレチクルＲか
らウエハＷへの投影倍率をＭRWとすると、露光中にはレ
チクルＲが−Ｙ方向（又はＹ方向）に速度ＶR0で走査さ
れるのと同期して、ウエハＷはＹ方向（又は−Ｙ方向）
に速度ＶW0（＝ＭRW・ＶR0）で走査される。この場合、
レチクルＲ上の第１の回路パターン領域２０Ａのみにパ
ルス照明光が照射されるので、ウエハＷ上には第１の回
路パターン領域２０Ａのパターン像のみが転写される。
なお、前述の場合と異なり、レチクルＲを照明領域２１
に対してＹ方向に走査する場合には、可動ブラインド７
の遮光板７Ｃ，７Ｄは図３（ｆ）〜図２（ｂ）の順序で
制御される。
て、レチクルＲ及び可動ブラインド７の動作に同期し
て、主制御系１２は、ウエハステージ駆動部１５を介し
てウエハステージ１４を駆動してウエハＷを走査方向
（Ｙ方向）に走査する。投影光学系１３のレチクルＲか
らウエハＷへの投影倍率をＭRWとすると、露光中にはレ
チクルＲが−Ｙ方向（又はＹ方向）に速度ＶR0で走査さ
れるのと同期して、ウエハＷはＹ方向（又は−Ｙ方向）
に速度ＶW0（＝ＭRW・ＶR0）で走査される。この場合、
レチクルＲ上の第１の回路パターン領域２０Ａのみにパ
ルス照明光が照射されるので、ウエハＷ上には第１の回
路パターン領域２０Ａのパターン像のみが転写される。
なお、前述の場合と異なり、レチクルＲを照明領域２１
に対してＹ方向に走査する場合には、可動ブラインド７
の遮光板７Ｃ，７Ｄは図３（ｆ）〜図２（ｂ）の順序で
制御される。
【００３７】また、ウエハＷ上に図３（ａ）のレチクル
Ｒ上の第２の回路パターン領域２０Ｂのパターンを転写
する場合には、主制御系１２はメモリー部１７に記憶さ
れた入力情報の内の第２の回路パターン領域２０Ｂに関
する情報を読み出し、この情報に基づいて可動ブライン
ド制御部１１を介して遮光板７Ｃ，７Ｄの走査方向の位
置を制御する。即ち、図３と同様の考え方で、露光開始
時に遮光板７Ｃを遮光部２０Ｃに、露光終了時に遮光板
７Ｄを遮光部２０Ｅにそれぞれ追従させ、レチクルＲ上
の第１の回路パターン領域２０Ａを遮光板７Ｃで覆うよ
うにして、第２の回路パターン領域２０Ｂのみにスリッ
ト状の照明領域２１の照明光を照射する。これにより、
回路パターン領域２０Ｂのパターン像のみがウエハＷ上
に転写される。
Ｒ上の第２の回路パターン領域２０Ｂのパターンを転写
する場合には、主制御系１２はメモリー部１７に記憶さ
れた入力情報の内の第２の回路パターン領域２０Ｂに関
する情報を読み出し、この情報に基づいて可動ブライン
ド制御部１１を介して遮光板７Ｃ，７Ｄの走査方向の位
置を制御する。即ち、図３と同様の考え方で、露光開始
時に遮光板７Ｃを遮光部２０Ｃに、露光終了時に遮光板
７Ｄを遮光部２０Ｅにそれぞれ追従させ、レチクルＲ上
の第１の回路パターン領域２０Ａを遮光板７Ｃで覆うよ
うにして、第２の回路パターン領域２０Ｂのみにスリッ
ト状の照明領域２１の照明光を照射する。これにより、
回路パターン領域２０Ｂのパターン像のみがウエハＷ上
に転写される。
【００３８】図３において、走査方向に垂直な方向（非
走査方向）の開口幅を規定する遮光板７Ａ，７Ｂを図示
しなかったが、遮光板７Ａ，７Ｂによって形成される開
口部は走査露光中は固定することができ、後述するよう
に複数のパターンを走査方向と直交する方向に重畳して
パターンを継いで露光する場合には、画面継ぎの際に遮
光板７Ａ，７Ｂを回転移動することもできる。
走査方向）の開口幅を規定する遮光板７Ａ，７Ｂを図示
しなかったが、遮光板７Ａ，７Ｂによって形成される開
口部は走査露光中は固定することができ、後述するよう
に複数のパターンを走査方向と直交する方向に重畳して
パターンを継いで露光する場合には、画面継ぎの際に遮
光板７Ａ，７Ｂを回転移動することもできる。
【００３９】ここで、固定視野絞り５及び可動ブライン
ド７により画定される照明領域の照度について考察す
る。固定視野絞り５がレチクルＲとの共役位置からずれ
ているため、固定視野絞りのみで区画されるスリット状
の照明領域は非走査方向及び走査方向のいずれにおいて
も端部で光の強度は中央に比べて低下している。非走査
方向の照度分布でみると照度曲線の両端が下降する傾斜
部をもち、照明領域の非走査方向の照度分布は台形状と
なっている。しかしながら、照明領域の非走査方向の長
さをレチクルＲとほぼ共役な位置にある遮光板７Ａ，７
Ｂにて規定しているために、スリット状の照明領域内の
非走査方向の照度分布は投影レンズの露光フィールド内
で一定に保たれている。
ド７により画定される照明領域の照度について考察す
る。固定視野絞り５がレチクルＲとの共役位置からずれ
ているため、固定視野絞りのみで区画されるスリット状
の照明領域は非走査方向及び走査方向のいずれにおいて
も端部で光の強度は中央に比べて低下している。非走査
方向の照度分布でみると照度曲線の両端が下降する傾斜
部をもち、照明領域の非走査方向の照度分布は台形状と
なっている。しかしながら、照明領域の非走査方向の長
さをレチクルＲとほぼ共役な位置にある遮光板７Ａ，７
Ｂにて規定しているために、スリット状の照明領域内の
非走査方向の照度分布は投影レンズの露光フィールド内
で一定に保たれている。
【００４０】前述したように本実施例では、レチクルＲ
のパターン面と共役な面からの遮光板７Ａ，７Ｂのずれ
量と、照明光学系の光軸と垂直な面内での遮光板７Ａ，
７Ｂの移動量との少なくとも一方を調整可能に構成し、
これによりレチクルＲ（またはウエハＷ）上での照明領
域の非走査方向の照度分布、特に、端部での照度の変化
率（照度曲線の傾き）や照度分布が下降する傾斜部の非
走査方向の幅を変更としている。これに対して照明領域
の走査方向の照度分布は固定視野絞り５によって一義的
に決められる。即ち、固定視野絞り５とレチクルＲのパ
ターン面と共役な面との光軸方向の間隔に応じて端部で
の照度分布（傾きやその幅）が設定されている。これに
より、照明領域の走査方向の照度分布が台形形状または
ガウス分布となり、例えば、特開平７−６６１０３号公
報に開示されているように、特にパルス光を用いた走査
露光でウエハ上のショット領域全面にほぼ均一な露光量
を与えることができるという利点がある。なお、走査露
光の開始前後及び終了前後では、固定視野絞り５の開口
７０によって規定されるレチクルＲ上での照明領域の走
査方向の幅が遮光板７Ｃ，７Ｄにより制限されるが、こ
れは１回の走査露光によってウエハＷに転写すべきレチ
クルＲ上のパターン以外の部分を照明光が通過して、ウ
エハＷ上のショット領域（そのパターン像の形成領域）
以外を不要に感光させるのを防止するためである。
のパターン面と共役な面からの遮光板７Ａ，７Ｂのずれ
量と、照明光学系の光軸と垂直な面内での遮光板７Ａ，
７Ｂの移動量との少なくとも一方を調整可能に構成し、
これによりレチクルＲ（またはウエハＷ）上での照明領
域の非走査方向の照度分布、特に、端部での照度の変化
率（照度曲線の傾き）や照度分布が下降する傾斜部の非
走査方向の幅を変更としている。これに対して照明領域
の走査方向の照度分布は固定視野絞り５によって一義的
に決められる。即ち、固定視野絞り５とレチクルＲのパ
ターン面と共役な面との光軸方向の間隔に応じて端部で
の照度分布（傾きやその幅）が設定されている。これに
より、照明領域の走査方向の照度分布が台形形状または
ガウス分布となり、例えば、特開平７−６６１０３号公
報に開示されているように、特にパルス光を用いた走査
露光でウエハ上のショット領域全面にほぼ均一な露光量
を与えることができるという利点がある。なお、走査露
光の開始前後及び終了前後では、固定視野絞り５の開口
７０によって規定されるレチクルＲ上での照明領域の走
査方向の幅が遮光板７Ｃ，７Ｄにより制限されるが、こ
れは１回の走査露光によってウエハＷに転写すべきレチ
クルＲ上のパターン以外の部分を照明光が通過して、ウ
エハＷ上のショット領域（そのパターン像の形成領域）
以外を不要に感光させるのを防止するためである。
【００４１】本実施例においては、レチクルＲ上での実
質的なスリット状の照明領域２１の形状は、走査方向は
固定視野絞り５により、非走査方向は可動ブラインド７
の遮光板７Ａ及び７Ｂによりそれぞれ規定されることに
よって、以下に説明するように画面継ぎの場合にも露光
量が調節される。
質的なスリット状の照明領域２１の形状は、走査方向は
固定視野絞り５により、非走査方向は可動ブラインド７
の遮光板７Ａ及び７Ｂによりそれぞれ規定されることに
よって、以下に説明するように画面継ぎの場合にも露光
量が調節される。
【００４２】図４に、一連のレチクルパターンを複数の
領域に分割してその一部を重畳して走査露光する場合に
おける非走査方向の可動ブラインドの遮光板７Ａ，７Ｂ
の動作を例示する。この例では、レチクルＲは、図３に
説明した例におけるレチクルパターンと異なり、図４
（ａ）に示したように、走査方向及び非走査方向におい
てもスリット状の照明領域２１よりも十分広い連続パタ
ーン領域を有している。この場合、レチクルＲのパター
ン領域を非走査方向に２０Ｆ及び２０Ｇに２分割し、領
域２０Ｆと領域２０Ｇを継ぎ部２００にて継いで照明し
なければならず、継ぎ部２００近傍の所定幅Δの領域は
重畳されて照明され、それに対応する感光基板の領域も
重畳されて走査露光されることになる。
領域に分割してその一部を重畳して走査露光する場合に
おける非走査方向の可動ブラインドの遮光板７Ａ，７Ｂ
の動作を例示する。この例では、レチクルＲは、図３に
説明した例におけるレチクルパターンと異なり、図４
（ａ）に示したように、走査方向及び非走査方向におい
てもスリット状の照明領域２１よりも十分広い連続パタ
ーン領域を有している。この場合、レチクルＲのパター
ン領域を非走査方向に２０Ｆ及び２０Ｇに２分割し、領
域２０Ｆと領域２０Ｇを継ぎ部２００にて継いで照明し
なければならず、継ぎ部２００近傍の所定幅Δの領域は
重畳されて照明され、それに対応する感光基板の領域も
重畳されて走査露光されることになる。
【００４３】最初に、図４（ａ）に示したように、レチ
クルＲの領域２０Ｆ上に照明領域２１が形成されるよう
にレチクルＲをレチクルステージ９により非走査方向に
移動して走査開始位置にセットする。この際、レチクル
のパターンの走査方向と直交する方向の長さより、可動
ブラインド７の非走査方向の幅を規定する遮光板７Ａ，
７Ｂの間隔が決定され、駆動装置６Ａ，Ｂにより調整さ
れる。そして、遮光板７Ａ，７Ｂのうち画面継ぎ部２０
０と反対側（図面左側）を遮光する遮光板７Ａは、長手
方向のエッジ部ＡＬが走査方向と平行になるように配置
される。一方、継ぎ部２００側の遮光板７Ｂは、駆動装
置６Ｂにより可動ブラインド７開口部側のエッジ部ＢＬ
が継ぎ部２００上に配置された後に、エッジ部ＢＬの中
点ＢＸを軸として光軸に直交する面内で反時計方向に角
度α回転して、遮光板７Ｂの長手方向エッジ部は走査方
向に対して角度αだけ傾斜される。遮光板７Ａ，７Ｂが
上記のようにセットされた後、この回転角を維持したま
ま、図３において説明したように、照明領域２１に対し
てレチクルステージ９を−Ｙ方向に移動するとともに、
感光基板ＷをＸＹステージ１４によりＹ方向に移動する
ことによって領域２０Ｆの相対走査を実行する。
クルＲの領域２０Ｆ上に照明領域２１が形成されるよう
にレチクルＲをレチクルステージ９により非走査方向に
移動して走査開始位置にセットする。この際、レチクル
のパターンの走査方向と直交する方向の長さより、可動
ブラインド７の非走査方向の幅を規定する遮光板７Ａ，
７Ｂの間隔が決定され、駆動装置６Ａ，Ｂにより調整さ
れる。そして、遮光板７Ａ，７Ｂのうち画面継ぎ部２０
０と反対側（図面左側）を遮光する遮光板７Ａは、長手
方向のエッジ部ＡＬが走査方向と平行になるように配置
される。一方、継ぎ部２００側の遮光板７Ｂは、駆動装
置６Ｂにより可動ブラインド７開口部側のエッジ部ＢＬ
が継ぎ部２００上に配置された後に、エッジ部ＢＬの中
点ＢＸを軸として光軸に直交する面内で反時計方向に角
度α回転して、遮光板７Ｂの長手方向エッジ部は走査方
向に対して角度αだけ傾斜される。遮光板７Ａ，７Ｂが
上記のようにセットされた後、この回転角を維持したま
ま、図３において説明したように、照明領域２１に対し
てレチクルステージ９を−Ｙ方向に移動するとともに、
感光基板ＷをＸＹステージ１４によりＹ方向に移動する
ことによって領域２０Ｆの相対走査を実行する。
【００４４】領域２０Ｆの走査露光が終了した後、照度
を走査方向に積分して領域２０Ｆにおける照度分布を求
め、非走査方向を横軸として図２（ａ）下方に表した。
遮光板７Ｂの回転によりエッジ部ＢＬが照明領域２１の
走査方向の両端部と交差する２点の走査方向と直交する
方向の間隔Δにおいては、遮光板７Ｂにより照明光が部
分的に遮光されるために、領域２０Ｇに向かうに従って
照度の積分値も徐々に低下し、照度分布において下降す
るスロープ部を形成している。この間隔Δの領域は、レ
チクルのパターン領域２０Ｇが走査露光される際に、重
畳して照明されることになる。
を走査方向に積分して領域２０Ｆにおける照度分布を求
め、非走査方向を横軸として図２（ａ）下方に表した。
遮光板７Ｂの回転によりエッジ部ＢＬが照明領域２１の
走査方向の両端部と交差する２点の走査方向と直交する
方向の間隔Δにおいては、遮光板７Ｂにより照明光が部
分的に遮光されるために、領域２０Ｇに向かうに従って
照度の積分値も徐々に低下し、照度分布において下降す
るスロープ部を形成している。この間隔Δの領域は、レ
チクルのパターン領域２０Ｇが走査露光される際に、重
畳して照明されることになる。
【００４５】パターン領域２０ＦのＹ方向の走査及びそ
れに対応する感光基板領域の走査露光が終了した後、レ
チクルステージ９が非走査方向（−Ｘ方向）に移動し
て、照明領域２１に対してパターン領域２０Ｇを位置決
めする。同時に、ウエハＷもステージ１４により非走査
方向（＋Ｘ方向）に移動する。次いで、レチクルパター
ン右端部を遮光する遮光板７Ｂは、長手方向エッジ部Ｂ
Ｌが走査方向と平行になるようにエッジ部ＢＬの中点Ｂ
Ｘを軸として角度−αだけ回転させられる。一方、レチ
クルパターン内の継ぎ部２００側に位置する遮光板７Ａ
は、レチクルステージ９の非走査方向の移動によりエッ
ジＡＬが継ぎ部２００上に位置している。そして、エッ
ジＡＬの中点ＡＸを中心として光軸に直交する面内で回
転移動してエッジ部ＡＬが走査方向に対して傾斜する。
この回転移動における回転角は、前記領域２０Ｆの走査
の際に回転された遮光板７Ｂのエッジ部ＢＬの回転角＋
αと同じでなければならない。この遮光板７Ａ，７Ｂの
回転位置の調整が行われた後、領域２０Ｆの場合と同様
にレチクルＲの領域２０Ｇと感光基板の相対走査が行わ
れる。但し、レチクル及び感光基板の走査方向は領域２
０Ｆにおける場合と逆方向である。領域２０Ｇの走査が
終了後、領域２０Ｇに渡って積分して求めた照度分布を
図４（ｂ）下側に示す。この照度分布に見られるよう
に、領域２０Ｆの走査の場合と対称的な照度分布が得ら
れ、間隔Δの領域における面積は領域２０Ｆの走査露光
と領域２０Ｇの走査露光で同一である。上記のように領
域２０Ｆの走査における遮光板７Ｂの回転角と領域２０
Ｇの走査における遮光板７Ａの回転角が同一になるよう
に調節することにより、領域２０Ｆと２０Ｇの走査にお
いて重複して照明される領域Δにおける照明光量の走査
方向の積分値は、領域２０Ｆの走査露光と領域２０Ｇの
走査露光の両者を積算するとΔ以外のレチクルパターン
領域での一回の走査露光の照度の積分値と等しくなる。
従って、画面継ぎ露光によってもウエハ上の露光継ぎ部
と他のウエハ上の領域とでは露光量とで同一となり、露
光むらが起こらず、ウエハ全体として均一が露光が行わ
れることになる。
れに対応する感光基板領域の走査露光が終了した後、レ
チクルステージ９が非走査方向（−Ｘ方向）に移動し
て、照明領域２１に対してパターン領域２０Ｇを位置決
めする。同時に、ウエハＷもステージ１４により非走査
方向（＋Ｘ方向）に移動する。次いで、レチクルパター
ン右端部を遮光する遮光板７Ｂは、長手方向エッジ部Ｂ
Ｌが走査方向と平行になるようにエッジ部ＢＬの中点Ｂ
Ｘを軸として角度−αだけ回転させられる。一方、レチ
クルパターン内の継ぎ部２００側に位置する遮光板７Ａ
は、レチクルステージ９の非走査方向の移動によりエッ
ジＡＬが継ぎ部２００上に位置している。そして、エッ
ジＡＬの中点ＡＸを中心として光軸に直交する面内で回
転移動してエッジ部ＡＬが走査方向に対して傾斜する。
この回転移動における回転角は、前記領域２０Ｆの走査
の際に回転された遮光板７Ｂのエッジ部ＢＬの回転角＋
αと同じでなければならない。この遮光板７Ａ，７Ｂの
回転位置の調整が行われた後、領域２０Ｆの場合と同様
にレチクルＲの領域２０Ｇと感光基板の相対走査が行わ
れる。但し、レチクル及び感光基板の走査方向は領域２
０Ｆにおける場合と逆方向である。領域２０Ｇの走査が
終了後、領域２０Ｇに渡って積分して求めた照度分布を
図４（ｂ）下側に示す。この照度分布に見られるよう
に、領域２０Ｆの走査の場合と対称的な照度分布が得ら
れ、間隔Δの領域における面積は領域２０Ｆの走査露光
と領域２０Ｇの走査露光で同一である。上記のように領
域２０Ｆの走査における遮光板７Ｂの回転角と領域２０
Ｇの走査における遮光板７Ａの回転角が同一になるよう
に調節することにより、領域２０Ｆと２０Ｇの走査にお
いて重複して照明される領域Δにおける照明光量の走査
方向の積分値は、領域２０Ｆの走査露光と領域２０Ｇの
走査露光の両者を積算するとΔ以外のレチクルパターン
領域での一回の走査露光の照度の積分値と等しくなる。
従って、画面継ぎ露光によってもウエハ上の露光継ぎ部
と他のウエハ上の領域とでは露光量とで同一となり、露
光むらが起こらず、ウエハ全体として均一が露光が行わ
れることになる。
【００４６】上記の遮光板７Ａ，７Ｂの回転において、
回転方向は図４（ｂ）に示すように時計周り（７Ａ”）
または反時計周り（７Ａ’）のいずれでもよい。また、
非走査方向の位置決め誤差εで生じる露光量不均一性の
許容度をＡとした場合、Δ≧ε／Ａを満足するように遮
光板の回転角を設定すればよい。
回転方向は図４（ｂ）に示すように時計周り（７Ａ”）
または反時計周り（７Ａ’）のいずれでもよい。また、
非走査方向の位置決め誤差εで生じる露光量不均一性の
許容度をＡとした場合、Δ≧ε／Ａを満足するように遮
光板の回転角を設定すればよい。
【００４７】次に、図５に、パターン領域が図４に示し
たレチクルよりもさらに大きいレチクルＲを２回の画面
継ぎにより走査露光する例を示す。このレチクルＲのパ
ターン内に２ヵ所の画面継ぎ部２０１及び２０２を想定
し、この継ぎ部２０１及び２０２により分割される３つ
のパターン領域２０Ｈ，２０Ｉ及び２０Ｊを継ぎ部の近
傍を重畳しながら３回に分けて走査露光する。最初に領
域２０ＨをＹ方向に走査するために、図４（ａ）の場合
と同様に最初に、レチクルＲの領域２０Ｈ上に照明領域
２１が形成されるようにレチクルＲをレチクルステージ
９により非走査方向に移動して走査開始位置にセットす
る。走査露光前に、可動ブラインド７の非走査方向の幅
を規定する遮光板７Ａ，７Ｂのうち、画面継ぎ部２０１
と反対側を遮光する遮光板７Ａは、長手方向のエッジ部
ＡＬが走査方向と平行になるように位置され、継ぎ部２
０１側の遮光板７Ｂは、駆動装置６Ｂにより可動ブライ
ンド７の開口部側のエッジ部ＢＬが上記継ぎ部２０１上
に配置された後に、エッジ部ＢＬの中点ＢＸを回転軸と
して光軸に直交する面内で反時計方向に角度αだけ回転
される。遮光板７Ａ，７Ｂが上記のようにセットされた
後、照明領域２１に対してレチクルステージ９を−Ｙ方
向に移動するとともに、感光基板ＷをＸＹステージ１４
によりＹ方向に移動することによって領域２０Ｈの相対
走査を実行する。
たレチクルよりもさらに大きいレチクルＲを２回の画面
継ぎにより走査露光する例を示す。このレチクルＲのパ
ターン内に２ヵ所の画面継ぎ部２０１及び２０２を想定
し、この継ぎ部２０１及び２０２により分割される３つ
のパターン領域２０Ｈ，２０Ｉ及び２０Ｊを継ぎ部の近
傍を重畳しながら３回に分けて走査露光する。最初に領
域２０ＨをＹ方向に走査するために、図４（ａ）の場合
と同様に最初に、レチクルＲの領域２０Ｈ上に照明領域
２１が形成されるようにレチクルＲをレチクルステージ
９により非走査方向に移動して走査開始位置にセットす
る。走査露光前に、可動ブラインド７の非走査方向の幅
を規定する遮光板７Ａ，７Ｂのうち、画面継ぎ部２０１
と反対側を遮光する遮光板７Ａは、長手方向のエッジ部
ＡＬが走査方向と平行になるように位置され、継ぎ部２
０１側の遮光板７Ｂは、駆動装置６Ｂにより可動ブライ
ンド７の開口部側のエッジ部ＢＬが上記継ぎ部２０１上
に配置された後に、エッジ部ＢＬの中点ＢＸを回転軸と
して光軸に直交する面内で反時計方向に角度αだけ回転
される。遮光板７Ａ，７Ｂが上記のようにセットされた
後、照明領域２１に対してレチクルステージ９を−Ｙ方
向に移動するとともに、感光基板ＷをＸＹステージ１４
によりＹ方向に移動することによって領域２０Ｈの相対
走査を実行する。
【００４８】パターン領域２０ＨのＹ方向の走査及びそ
れに対応する感光基板領域の走査露光が終了した後、レ
チクルステージ９を非走査方向（−Ｘ方向）に移動し、
照明領域２１に対してパターン領域２０Ｉを位置決めす
る。この際、遮光板７ＡのエッジＡＬの中点ＡＸ及び遮
光板７ＢのエッジＢＬの中点ＢＸは、それぞれ、継ぎ部
２０１及び２０２上に位置する。同時に、ウエハＷもス
テージ１４により非走査方向（＋Ｘ方向）に移動する。
次いで、遮光板７Ｂは、そのまま角度αを維持しつつ、
遮光板７ＡをエッジＡＬの中点ＡＸを回転軸として光軸
に直交する面内で回転移動してエッジ部ＡＬが走査方向
に対して角度αだけ傾斜する。その後、領域２０Ｈの場
合と同様にレチクルＲの領域２０Ｉと感光基板の相対走
査が行われる。
れに対応する感光基板領域の走査露光が終了した後、レ
チクルステージ９を非走査方向（−Ｘ方向）に移動し、
照明領域２１に対してパターン領域２０Ｉを位置決めす
る。この際、遮光板７ＡのエッジＡＬの中点ＡＸ及び遮
光板７ＢのエッジＢＬの中点ＢＸは、それぞれ、継ぎ部
２０１及び２０２上に位置する。同時に、ウエハＷもス
テージ１４により非走査方向（＋Ｘ方向）に移動する。
次いで、遮光板７Ｂは、そのまま角度αを維持しつつ、
遮光板７ＡをエッジＡＬの中点ＡＸを回転軸として光軸
に直交する面内で回転移動してエッジ部ＡＬが走査方向
に対して角度αだけ傾斜する。その後、領域２０Ｈの場
合と同様にレチクルＲの領域２０Ｉと感光基板の相対走
査が行われる。
【００４９】領域２０Ｉの走査終了後、領域２０Ｊの走
査のためにレチクルＲはレチクルステージ９により−Ｘ
方向に、ウエハＷはＸＹステージによりＸ方向に移動さ
れて、遮光板７ＡのエッジＡＬの中点ＡＸ及び遮光板７
ＢのエッジＢＬの中点ＢＸを、それぞれ、継ぎ部２０２
及びレチクルパターンの右側端部に位置する。そして、
遮光板７ＢはエッジＢＬが走査方向と平行に戻され、遮
光板７Ａについてはエッジ部７Ａが走査方向に対して角
度αを維持したまま領域２０Ｊの走査が行われる。こう
して継ぎ部２０１及び２０２により画面継ぎを行った場
合にも、各継ぎ部上で遮光板の回転角αが同一であるた
めに、照明光が重畳される間隔Δが継ぎ部２０１及び２
０２において同一となる。このため間隔Δにおける照度
の和は照明が重畳されない領域と同一となり、対応する
感光基板上の露光継ぎ部は他の露光領域と同じ露光量が
得られ、感光基板全体として均一な露光が行われること
になる。
査のためにレチクルＲはレチクルステージ９により−Ｘ
方向に、ウエハＷはＸＹステージによりＸ方向に移動さ
れて、遮光板７ＡのエッジＡＬの中点ＡＸ及び遮光板７
ＢのエッジＢＬの中点ＢＸを、それぞれ、継ぎ部２０２
及びレチクルパターンの右側端部に位置する。そして、
遮光板７ＢはエッジＢＬが走査方向と平行に戻され、遮
光板７Ａについてはエッジ部７Ａが走査方向に対して角
度αを維持したまま領域２０Ｊの走査が行われる。こう
して継ぎ部２０１及び２０２により画面継ぎを行った場
合にも、各継ぎ部上で遮光板の回転角αが同一であるた
めに、照明光が重畳される間隔Δが継ぎ部２０１及び２
０２において同一となる。このため間隔Δにおける照度
の和は照明が重畳されない領域と同一となり、対応する
感光基板上の露光継ぎ部は他の露光領域と同じ露光量が
得られ、感光基板全体として均一な露光が行われること
になる。
【００５０】上記遮光板７Ａ，７Ｂの回転移動動作は、
遮光板７Ｃ，７Ｄの移動動作とともに可動ブラインド制
御部１１により制御され、主制御系を通じてレチクルス
テージ９及びウエハステージ１４の動作と同期するよう
に管理されている。
遮光板７Ｃ，７Ｄの移動動作とともに可動ブラインド制
御部１１により制御され、主制御系を通じてレチクルス
テージ９及びウエハステージ１４の動作と同期するよう
に管理されている。
【００５１】上記実施例では、レチクルステージを走査
方向と直交する方向に移動させて、同一レチクル上の連
続パターンの画面継ぎにして走査露光したが、、別のレ
チクルパターンの画面継ぎに用いてもよい。但し、その
場合には、画面継ぎに用いる両方のレチクルの継ぎ部で
あって照度分布の傾斜部の幅Δに対応した領域に同一の
パターンを形成しておく必要がある。
方向と直交する方向に移動させて、同一レチクル上の連
続パターンの画面継ぎにして走査露光したが、、別のレ
チクルパターンの画面継ぎに用いてもよい。但し、その
場合には、画面継ぎに用いる両方のレチクルの継ぎ部で
あって照度分布の傾斜部の幅Δに対応した領域に同一の
パターンを形成しておく必要がある。
【００５２】上記実施例では、レチクル上の照明領域の
走査方向と直交する方向の幅を制限する遮光板の一方を
回転させることによって、画面継ぎ部の側の照度を低下
させたが、かかる遮光板の一方を光軸にほぼ沿って投影
光学系側に移動させ、かかる遮光板の像をデフォーカス
させることによって、画面継ぎ部の側の照度を低下させ
ることもできる。
走査方向と直交する方向の幅を制限する遮光板の一方を
回転させることによって、画面継ぎ部の側の照度を低下
させたが、かかる遮光板の一方を光軸にほぼ沿って投影
光学系側に移動させ、かかる遮光板の像をデフォーカス
させることによって、画面継ぎ部の側の照度を低下させ
ることもできる。
【００５３】また、上記実施例では、レチクル上の照明
領域の走査方向と直交する方向の幅を制限する遮光板の
一方を回転させることによって、非走査方向を横軸とす
る照度分布が台形になるように画面継ぎ部の側の照度を
低下させたが、これに限定されず、遮光板の形状を適宜
変更等することによりガウス分布曲線のような曲線状に
低下させることもできる。
領域の走査方向と直交する方向の幅を制限する遮光板の
一方を回転させることによって、非走査方向を横軸とす
る照度分布が台形になるように画面継ぎ部の側の照度を
低下させたが、これに限定されず、遮光板の形状を適宜
変更等することによりガウス分布曲線のような曲線状に
低下させることもできる。
【００５４】本実施例において、露光光源としてパルス
光源１を使用したが、水銀ランプのような連続光源を露
光光源として使用した場合にも本発明はそのまま適用で
きる。更に、上述実施例における投影光学系１３は、屈
折系でも、反射系でも、反射屈折系でも良いことも言う
までもない。更に、本発明は投影露光装置のみに限定さ
れず、コンタクト方式やプロキシミティ方式の露光装置
にも適用できる。また、本実施例はスリット状の照明領
域を長方形状としたが、円弧状の照明領域に対しても本
発明を適用できることはいうまでもない。このように本
発明は上述実施例に限定されず、本発明を逸脱しない範
囲で種々の構成を取り得る。
光源１を使用したが、水銀ランプのような連続光源を露
光光源として使用した場合にも本発明はそのまま適用で
きる。更に、上述実施例における投影光学系１３は、屈
折系でも、反射系でも、反射屈折系でも良いことも言う
までもない。更に、本発明は投影露光装置のみに限定さ
れず、コンタクト方式やプロキシミティ方式の露光装置
にも適用できる。また、本実施例はスリット状の照明領
域を長方形状としたが、円弧状の照明領域に対しても本
発明を適用できることはいうまでもない。このように本
発明は上述実施例に限定されず、本発明を逸脱しない範
囲で種々の構成を取り得る。
【００５５】
【発明の効果】本発明の走査露光装置によれば、可動の
視野絞りを構成する非走査方向の２枚の遮光板を独立に
回転制御または移動制御することにより、一回の走査露
光において感光基板上の走査方向の照度積分値により表
された照度分布を非走査方向の両端部において独立に変
更することができる。よって、連続したレチクルパター
ンを複数の領域に分けて画面継ぎにより複数回の走査を
行って感光基板を走査露光するスキャンアンドステッチ
露光の場合に、露光継ぎ部を２回の走査露光で重複して
露光させることによって露光継ぎ部と他の露光された領
域とで均一な露光量を得ることができ、これによって感
光基板全体に渡って均一な露光が可能となる。
視野絞りを構成する非走査方向の２枚の遮光板を独立に
回転制御または移動制御することにより、一回の走査露
光において感光基板上の走査方向の照度積分値により表
された照度分布を非走査方向の両端部において独立に変
更することができる。よって、連続したレチクルパター
ンを複数の領域に分けて画面継ぎにより複数回の走査を
行って感光基板を走査露光するスキャンアンドステッチ
露光の場合に、露光継ぎ部を２回の走査露光で重複して
露光させることによって露光継ぎ部と他の露光された領
域とで均一な露光量を得ることができ、これによって感
光基板全体に渡って均一な露光が可能となる。
【図１】本発明の実施例の投影露光装置を示す構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例の投影露光装置で使用される固
定視野絞りと、走査方向及び非走査方向の照明領域の幅
を制限する遮光板の配置と構成を示す図である。
定視野絞りと、走査方向及び非走査方向の照明領域の幅
を制限する遮光板の配置と構成を示す図である。
【図３】本発明の実施例において、レチクルＲ上の回路
パターン領域の一例及び走査露光における照明領域と走
査方向の照明領域の幅を制限する遮光板の動作（ａ）〜
（ｆ）を示す図である。
パターン領域の一例及び走査露光における照明領域と走
査方向の照明領域の幅を制限する遮光板の動作（ａ）〜
（ｆ）を示す図である。
【図４】実施例において、レチクルＲのパターンを２回
に分割して走査露光する場合の走査方向と直交する方向
の照明領域の幅を制限する遮光板の回転動作と２つのパ
ターン領域を走査した場合の照度分布を示す概念図であ
り、図４（ａ）は領域２０Ｆを走査露光する場合を示
し、図４（ｂ）は領域２０Ｇを走査露光する場合を示
す。
に分割して走査露光する場合の走査方向と直交する方向
の照明領域の幅を制限する遮光板の回転動作と２つのパ
ターン領域を走査した場合の照度分布を示す概念図であ
り、図４（ａ）は領域２０Ｆを走査露光する場合を示
し、図４（ｂ）は領域２０Ｇを走査露光する場合を示
す。
【図５】実施例において、レチクルＲのパターンを３回
に分割して走査露光する場合の走査方向と直交する方向
の照明領域の幅を制限する遮光板の回転動作と継ぎ部の
位置関係を示す図である。
に分割して走査露光する場合の走査方向と直交する方向
の照明領域の幅を制限する遮光板の回転動作と継ぎ部の
位置関係を示す図である。
【図６】実施例においてレチクルＲの２次元移動するた
めに用いた２次元エアステージの概略斜視図である。
めに用いた２次元エアステージの概略斜視図である。
１ パルス光源 ３ フライアイレンズ ５ 固定の視野絞り ７ 可動ブラインド ７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ ８ リレーレンズ Ｒ レチクル Ｗ ウエハ ９ レチクルステージ １０ レチクルステージ駆動部 １１ 可動ブラインド制御部 １２ 主制御系 １３ 投影光学系 １４ ウエハステージ １５ ウエハステージ駆動部 １６ 入力部 １７ メモリー部 ２１ スリット状の照明領域 ３１ Ｘ方向リニアモータ ３２ Ｙ方向リニアモータ ３４ Ｘステージ ３５ Ｙステージ ２００，２０１，２０２ 画面継ぎ部
Claims (9)
- 【請求項１】 マスク上の照明領域を光ビームで照射す
る照明光学系を有し、前記照明領域に対して前記マスク
と感光基板とを同期して走査することにより、前記マス
ク上のパターン像で前記感光基板を露光する装置におい
て、 前記マスク上での前記照明領域の走査方向の幅を設定す
るための固定視野絞りと、 前記照明領域の走査方向の幅を制限する第１及び第２の
遮光板と、前記照明領域の前記走査方向と直交する方向
の幅を設定するとともに、少なくとも一方が前記照明光
学系の光軸とほぼ垂直な面内で回転移動する第３及び第
４の遮光板とからなる可変視野絞りとを備えたことを特
徴とする走査露光装置。 - 【請求項２】 前記第１及び第２の遮光板は、前記照明
光学系内の前記マスクのパターン面と実質的に共役な面
内に配置され、前記第３及び第４の遮光板は、前記第１
及び第２の遮光板に近接した位置及び前記第１及び第２
の遮光板と実質的に共役な位置の一方の位置に配置され
ることを特徴とする請求項１に記載の走査露光装置。 - 【請求項３】 前記走査露光装置は、前記走査方向と直
交する方向に沿って複数のパターン像を部分的に重畳さ
せつつ前記感光基板上につなぎ合わせて形成するスキャ
ンアンドステッチタイプの走査露光装置であり、 前記照明領域の前記走査方向と直交する方向の光強度分
布が少なくとも一端で次第に弱められるように、前記照
明光学系の光軸とほぼ垂直な面内で前記第３及び第４の
遮光板をそれぞれ独立に回転させる駆動部材を有するこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の走査露光装
置。 - 【請求項４】 マスク上の照明領域を光ビームで照射す
る照明光学系を有し、前記照明領域に対して前記マスク
と感光基板とを同期して走査することにより、前記マス
ク上のパターン像で前記感光基板を露光する装置におい
て、 前記マスク上での前記照明領域の走査方向の幅を設定す
るための固定視野絞りと、 前記照明領域の走査方向の幅を制限する第１及び第２の
遮光板と、前記照明領域の前記走査方向と直交する方向
の幅を設定するとともに、少なくとも一方が前記マスク
のパターン面または該パターン面と実質的に共役な面に
対して、前記照明光学系の光軸にほぼ沿って相対的に移
動する第３及び第４の遮光板とからなる可変視野絞りと
を備えたことを特徴とする走査露光装置。 - 【請求項５】 前記第１及び第２の遮光板は、前記照明
光学系内の前記マスクのパターン面と実質的に共役な面
内に配置され、前記第３及び第４の遮光板は、前記第１
及び第２の遮光板に対して前記光軸にほぼ平行に相対移
動することを特徴とする請求項４に記載の走査露光装
置。 - 【請求項６】 前記走査露光装置は、前記走査方向と直
交する方向に沿って複数のパターン像を部分的に重畳さ
せつつ前記感光基板上につなぎ合わせて形成するスキャ
ンアンドステッチタイプの走査露光装置であり、 前記照明領域の前記走査方向と直交する方向の光強度分
布が少なくとも一端で次第に弱められるように、前記第
３及び第４の遮光板をそれぞれ独立に前記光軸にほぼ沿
って移動させる駆動部材を有することを特徴とする請求
項４または５に記載の走査露光装置。 - 【請求項７】 前記固定視野絞りは、前記照明領域の前
記走査方向の光強度分布がその両端で次第に弱められる
ように、前記マスクのパターン面または該パターン面と
実質的に共役な面から前記光軸方向に離れて配置される
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の走査
露光装置。 - 【請求項８】 前記走査方向と直交する方向に沿って複
数のパターン像を部分的に重畳させつつ前記感光基板上
につなぎ合わせて形成するために、一回の走査露光後に
マスクを交換するかまたは前記マスクを前記走査方向と
直交する方向に移動するとともに、前記感光基板を前記
走査方向と直交する方向に移動させながら、前記走査露
光を複数回行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれ
かに記載の走査露光装置。 - 【請求項９】 前記走査露光によって前記感光基板上の
前記複数のパターン像の重畳部に与えられる露光量がそ
れ以外の部分に与えられる露光量とほぼ同一になるよう
に、前記第３及び第４の遮光板が移動されることを特徴
とする請求項８に記載の走査露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16006495A JP3711586B2 (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 走査露光装置 |
| KR1019960017959A KR100420195B1 (ko) | 1995-06-02 | 1996-05-27 | 주사형노광장치,주사노광방법및마이크로디바이스의제조방법 |
| US09/231,634 US6295119B1 (en) | 1995-06-02 | 1999-01-15 | Scanning type exposure apparatus with multiple field diaphragms for providing consistent exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16006495A JP3711586B2 (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 走査露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330220A true JPH08330220A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3711586B2 JP3711586B2 (ja) | 2005-11-02 |
Family
ID=15707124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16006495A Expired - Fee Related JP3711586B2 (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 走査露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6295119B1 (ja) |
| JP (1) | JP3711586B2 (ja) |
| KR (1) | KR100420195B1 (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288772B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-09-11 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and scanning type exposure apparatus |
| US6377338B1 (en) | 1998-08-18 | 2002-04-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
| JP2002319530A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置、及び露光方法 |
| KR20030017835A (ko) * | 2001-08-23 | 2003-03-04 | 주식회사 덕인 | 회전 마스크 패턴을 사용한 에스엘에스 공정 방법 및 그장치 |
| US6556353B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-04-29 | Nikon Corporation | Projection optical system, projection exposure apparatus, and projection exposure method |
| US6606144B1 (en) | 1999-09-29 | 2003-08-12 | Nikon Corporation | Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems |
| US6608667B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US6674513B2 (en) | 1999-09-29 | 2004-01-06 | Nikon Corporation | Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems |
| US6750948B2 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-15 | Nikon Corporation | Projection optical system, projection exposure apparatus having the projection optical system, projection method thereof, exposure method thereof and fabricating method for fabricating a device using the projection exposure apparatus |
| US6912094B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-06-28 | Nikon Corporation | Projection optical system, a projection exposure apparatus, and a projection exposure method |
| JP2006128690A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器、デバイスの製作方法、及びそれによって製作されたデバイス |
| JP2007500872A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-01-18 | カール ツァイス イエナ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 調整可能なピンホール |
| JP2007281317A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
| US7755839B2 (en) | 2003-12-19 | 2010-07-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal lens |
| JP2014501937A (ja) * | 2010-10-28 | 2014-01-23 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | リソグラフィ法及び装置 |
| JP2014192255A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Canon Inc | 露光装置および物品の製造方法 |
| US8908269B2 (en) | 2004-01-14 | 2014-12-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Immersion catadioptric projection objective having two intermediate images |
| US9019596B2 (en) | 2004-05-17 | 2015-04-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
| JP2017049358A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置及び物品の製造方法 |
| WO2017150388A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 |
| US9772478B2 (en) | 2004-01-14 | 2017-09-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with parallel, offset optical axes |
| CN107608173A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-01-19 | 黄志群 | 一种可增长相片冲印长度的彩色相片激光冲印机 |
| US10760971B2 (en) | 2014-03-13 | 2020-09-01 | National University Of Singapore | Optical interference device |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100574208B1 (ko) * | 1998-06-02 | 2006-04-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 주사형 노광장치 및 그의 제조방법, 및 디바이스 제조방법 |
| US6842225B1 (en) | 1999-05-07 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, microdevice, photomask, method of exposure, and method of production of device |
| JP2001154371A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Nikon Corp | 回路デバイスや表示デバイスの製造方法、及び大型ディスプレー装置 |
| TW495836B (en) | 2000-02-02 | 2002-07-21 | Nikon Corp | Scanning exposure method and device |
| JP2001319871A (ja) | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光方法、濃度フィルタの製造方法、及び露光装置 |
| US6704090B2 (en) * | 2000-05-11 | 2004-03-09 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
| JPWO2003065427A1 (ja) * | 2002-01-29 | 2005-05-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
| CN1508631A (zh) * | 2002-12-19 | 2004-06-30 | Asml | 器件制造方法和所制出的器件以及计算机程序和光刻装置 |
| WO2005048326A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| US7119883B2 (en) * | 2004-10-13 | 2006-10-10 | Asml Holding N.V. | Correcting variations in the intensity of light within an illumination field without distorting the telecentricity of the light |
| DE102008042438B4 (de) * | 2008-09-29 | 2010-11-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens zwei Arbeitszuständen |
| CN107450271B (zh) * | 2016-05-31 | 2019-10-25 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法 |
| JP2018010105A (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品製造方法 |
| DE102022203331A1 (de) | 2022-04-04 | 2022-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage für Mikrolithographie |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4702592A (en) | 1986-06-30 | 1987-10-27 | Itt Corporation | Reticle assembly, system, and method for using the same |
| US5473410A (en) | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP3316697B2 (ja) | 1992-10-22 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 投影光学装置、レーザ装置、走査型露光装置、走査露光方法、及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
| US5477304A (en) | 1992-10-22 | 1995-12-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| US5486896A (en) | 1993-02-19 | 1996-01-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP3301153B2 (ja) * | 1993-04-06 | 2002-07-15 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法 |
| JP3316704B2 (ja) * | 1993-06-10 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法 |
| JP3377053B2 (ja) | 1993-09-21 | 2003-02-17 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| US5777724A (en) | 1994-08-24 | 1998-07-07 | Suzuki; Kazuaki | Exposure amount control device |
| JP3395280B2 (ja) | 1993-09-21 | 2003-04-07 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
| US5617182A (en) * | 1993-11-22 | 1997-04-01 | Nikon Corporation | Scanning exposure method |
| EP0658811B1 (de) | 1993-12-13 | 1998-06-17 | Carl Zeiss | Beleuchtungseinrichtung für eine Projektions-Mikrolithographie-Belichtungsanlage |
| US5661548A (en) | 1994-11-30 | 1997-08-26 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus including a changing system for changing the reference image-formation position used to generate a focus signal |
| JP3617558B2 (ja) | 1995-11-17 | 2005-02-09 | 株式会社ニコン | 露光量制御方法、露光装置、及び素子製造方法 |
-
1995
- 1995-06-02 JP JP16006495A patent/JP3711586B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-05-27 KR KR1019960017959A patent/KR100420195B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-01-15 US US09/231,634 patent/US6295119B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6377338B1 (en) | 1998-08-18 | 2002-04-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
| US6451507B1 (en) | 1998-08-18 | 2002-09-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
| US6452723B1 (en) | 1998-08-18 | 2002-09-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
| US6646797B2 (en) | 1998-08-18 | 2003-11-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
| US6707601B2 (en) | 1998-08-18 | 2004-03-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
| US6288772B1 (en) | 1999-02-12 | 2001-09-11 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and scanning type exposure apparatus |
| EP1936420A2 (en) | 1999-09-29 | 2008-06-25 | Nikon Corporation | Projection exposure methods and apparatus, and projection optical system |
| US6864961B2 (en) | 1999-09-29 | 2005-03-08 | Nikon Corporation | Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems |
| US6606144B1 (en) | 1999-09-29 | 2003-08-12 | Nikon Corporation | Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems |
| EP1936419A2 (en) | 1999-09-29 | 2008-06-25 | Nikon Corporation | Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems |
| US6674513B2 (en) | 1999-09-29 | 2004-01-06 | Nikon Corporation | Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems |
| US6750948B2 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-15 | Nikon Corporation | Projection optical system, projection exposure apparatus having the projection optical system, projection method thereof, exposure method thereof and fabricating method for fabricating a device using the projection exposure apparatus |
| US6608667B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US6556353B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-04-29 | Nikon Corporation | Projection optical system, projection exposure apparatus, and projection exposure method |
| US6912094B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-06-28 | Nikon Corporation | Projection optical system, a projection exposure apparatus, and a projection exposure method |
| JP4548969B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2010-09-22 | パナソニック株式会社 | 露光装置、及び露光方法 |
| JP2002319530A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置、及び露光方法 |
| KR20030017835A (ko) * | 2001-08-23 | 2003-03-04 | 주식회사 덕인 | 회전 마스크 패턴을 사용한 에스엘에스 공정 방법 및 그장치 |
| JP2007500872A (ja) * | 2003-05-22 | 2007-01-18 | カール ツァイス イエナ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 調整可能なピンホール |
| US7755839B2 (en) | 2003-12-19 | 2010-07-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal lens |
| US8908269B2 (en) | 2004-01-14 | 2014-12-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Immersion catadioptric projection objective having two intermediate images |
| US9772478B2 (en) | 2004-01-14 | 2017-09-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with parallel, offset optical axes |
| US9019596B2 (en) | 2004-05-17 | 2015-04-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
| US9134618B2 (en) | 2004-05-17 | 2015-09-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
| US9726979B2 (en) | 2004-05-17 | 2017-08-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
| JP2006128690A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器、デバイスの製作方法、及びそれによって製作されたデバイス |
| JP2007281317A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
| JP2014501937A (ja) * | 2010-10-28 | 2014-01-23 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | リソグラフィ法及び装置 |
| US9400432B2 (en) | 2010-10-28 | 2016-07-26 | National University Of Singapore | Lithography method and apparatus |
| JP2014192255A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Canon Inc | 露光装置および物品の製造方法 |
| US10760971B2 (en) | 2014-03-13 | 2020-09-01 | National University Of Singapore | Optical interference device |
| JP2017049358A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置及び物品の製造方法 |
| WO2017150388A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 |
| KR20180100405A (ko) * | 2016-02-29 | 2018-09-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 차광 장치, 및 노광 방법 |
| JPWO2017150388A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2018-11-29 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 |
| TWI663482B (zh) * | 2016-02-29 | 2019-06-21 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、平板顯示器之製造方法、元件製造方法、遮光裝置、及曝光方法 |
| JP2020173465A (ja) * | 2016-02-29 | 2020-10-22 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 |
| KR20210025719A (ko) * | 2016-02-29 | 2021-03-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 차광 장치, 및 노광 방법 |
| JP2022106891A (ja) * | 2016-02-29 | 2022-07-20 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
| CN107608173B (zh) * | 2017-11-07 | 2020-04-28 | 黄志群 | 一种可增长相片冲印长度的彩色相片激光冲印机 |
| CN107608173A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-01-19 | 黄志群 | 一种可增长相片冲印长度的彩色相片激光冲印机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970003556A (ko) | 1997-01-28 |
| US6295119B1 (en) | 2001-09-25 |
| JP3711586B2 (ja) | 2005-11-02 |
| KR100420195B1 (ko) | 2004-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3711586B2 (ja) | 走査露光装置 | |
| US6900879B2 (en) | Projection exposure apparatus | |
| US5473410A (en) | Projection exposure apparatus | |
| JP2691319B2 (ja) | 投影露光装置および走査露光方法 | |
| JP2830492B2 (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
| KR100849870B1 (ko) | 주사노광방법 및 주사형 노광장치 | |
| JP3600869B2 (ja) | 投影光学系及び該光学系を備えた投影露光装置 | |
| JP2674578B2 (ja) | 走査露光装置及び露光方法 | |
| JPH09186082A (ja) | 走査露光方法 | |
| JP3209294B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2001215717A (ja) | 走査露光方法および走査型露光装置 | |
| JP3500620B2 (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
| JP2803666B2 (ja) | 走査露光方法及び回路パターン製造方法 | |
| JP3377053B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2674579B2 (ja) | 走査露光装置および走査露光方法 | |
| JP2800731B2 (ja) | 走査露光方法、及び走査露光による回路素子製造方法 | |
| JP4135824B2 (ja) | スキャン投影露光方法およびスキャン投影露光装置 | |
| JP2004311896A (ja) | 露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにマスク | |
| JP2830868B2 (ja) | 投影露光装置及び走査露光方法 | |
| JP2674577B2 (ja) | 投影露光装置及び露光方法 | |
| JP3161430B2 (ja) | 走査露光方法、走査露光装置、及び素子製造方法 | |
| JP2000277408A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JP2830869B2 (ja) | 回路素子製造方法 | |
| JP3279311B2 (ja) | 投影露光方法及び装置、並びに前記方法を用いた回路素子製造方法 | |
| JP3123526B2 (ja) | 走査型露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040315 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041012 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050726 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050808 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |