JP2000277408A - 露光装置および露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステップ・アンド・スキャン方式を用いて、
オーバーラップ露光による画面合成を高精度に行う。 【解決手段】 感光性基板（１４）上にて互いに一部重
複した複数の単位露光領域のそれぞれに複数のマスク
（１２）のパターン像を所定の露光視野を有する投影系
（１３）を用いて順次露光する。ここで、単位露光領域
にて複数のマスクのパターン像を順次走査露光するため
に、投影系に対してマスクと感光性基板とを所定の走査
方向に相対的に移動させる。また、複数の単位露光領域
が一部重複した重複露光領域と該重複露光領域以外の非
重複露光領域とに亘って露光量分布がほぼ均一となるよ
うに、重複露光領域を走査露光するときに露光視野を変
化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は露光装置および露光
方法に関し、特に大型の液晶表示パネル等の製造に用い
られる走査型の露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子の製造のためのフォトリソ
グラフィ工程においては、フォトマスクあるいはレチク
ル（以下、「マスク」という）に形成されたパターンを
フォトレジスト等の感光材が塗布されたガラスプレート
等の感光性基板上に転写し、現像処理を経て形成された
レジストパターンをマスクとしてフォトエッチングを行
う。マスクのパターンは、例えばステップ・アンド・リ
ピート方式の露光装置を用いて、感光性基板に高精度に
露光される。この場合、露光が行われる感光性基板は、
レーザー干渉計等により高精度に計測され且つ制御され
た基板ステージ上に載置され、各露光領域が所定の関係
になるように基板ステージをステッピング移動させるこ
とにより露光を繰り返す。

【０００３】すなわち、露光対象となる感光性基板の大
型化に対処するために、感光性基板の露光領域を複数の
単位露光領域に分割し、各単位露光領域に対する露光を
複数回に亘って繰り返し、最終的に所望の大面積を有す
るパターンを合成する手法、すなわち画面合成の手法が
用いられている。この種の露光装置では、１２インチ超
のサイズの液晶表示パネルが通常６インチ角の大きさを
有するマスクを用いて露光されるため、マスクを高速に
交換するためのマスクチェンジャが搭載されている。つ
まり、マスクを交換しつつ基板ステージをステッピング
移動させて画面合成を行いながら、１枚のデバイスを形
成している。なお、セカンド露光以降の露光において
は、マスクと感光性基板との位置合わせ（アライメン
ト）をし、感光性基板上に既に形成されているパターン
に次のマスクパターンを重ね合わせて投影露光する。

【０００４】また、一方では、特公昭６０−３９２０５
号公報に記載されているように、いわゆるミラープロジ
ェクション方式の等倍の円弧状の投影視野（イメージフ
ィールド）を有する投影光学系を用いた露光装置が提案
されている。この方式の露光装置では、例えば１２イン
チのデバイスを露光する場合に、同じ大きさのパターン
領域をマスクに形成し、マスクと感光性基板であるプレ
ートとを同期移動させながら、１回の走査露光によりプ
レートにデバイスを形成する。この場合には、いわゆる
画面継ぎ露光を行う必要がないが、大型のマスクを用い
る必要がある。

【０００５】また、近年では、特公昭５４−１０８２６
号公報に記載されているように、比較的小さな露光視野
（イメージフィールド内において実際に露光に用いられ
る領域）を有する正立正像型の投影光学系を搭載した露
光装置が提案されている。この方式の露光装置では、大
型のマスクとプレートとを同期移動させる方向（走査方
向）と直交する方向に沿って、複数の投影光学系が配列
されている。そして、各投影光学系に対応する台形状ま
たは六角形状の露光視野を走査方向と直交する方向にオ
ーバーラップさせながら、１回の走査露光によりマスク
に形成されたパターンの全体をプレート上に露光する。

【０００６】また、特に微細なパターンを有する半導体
素子を製造するための露光装置の場合には、高精度で描
画された６インチのマスクと１／４倍の投影光学系とを
用い、投影光学系の投影視野の直径に近い長さの長辺を
有するスリット状（細長い矩形状）に露光視野を設定
し、マスクと感光性基板であるウエハとを同期移動させ
て、ウエハの各露光領域にマスクパターンを走査露光す
る方式、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式も考
案されている。この場合は、露光視野としてほぼ一次元
的な形状であるスリット状の視野を利用することによ
り、投影光学系のディストーション等の収差の影響も小
さく抑えられる。更に、スリット状の露光視野の幅（細
長い矩形の短辺方向の長さ）で平均された像がウエハに
焼き付けられることになるため、収差も平均化される。
その結果、この方式の露光装置では、パターンの転写の
忠実性は飛躍的に向上する。また、１回の走査露光によ
り焼き付けられる露光領域の大きさが投影光学系の投影
視野の直径によって規定されるので、例えばステップ・
アンド・リピート方式と同じ大きさの露光領域に露光す
る場合には、投影光学系のレンズ径を小さくすることが
でき、コスト的にも充分な利点がある。

【０００７】近年、液晶表示素子は大型化を目指す一方
で、付加価値をつけるためのパネルの高精細化や、応答
周波数を高めるためのパターンの微細化の方向に進みつ
つある。したがって、大型の液晶表示パネルの製造に用
いられる露光装置には、１〜１．５μｍの高解像度、高
スループット、更に重ね合わせ精度や画面合成精度を含
めたトータル精度の向上が要求されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術には以下のような不都合がある。まず、大型の
マスクを用いる場合には、マスク自体が大型になること
により、マスクに描画することのできるパターンの微細
化に限界があり、パターンの線幅は２〜３μｍ程度が限
界とされている。当然に、マスクのパターンが微細化す
ればするほど、またマスクが大型化すればするほど、マ
スクにパターンを描画する時間が多くかかり、マスク自
体のコストが飛躍的に高くなってしまうからである。

【０００９】また、大型のマスクでは、パターンの描画
精度を高めることが難しい。特に、マスクブランクスの
平面度等を考慮すると、描画自体のパターン位置精度や
パターン寸法精度は、現状では、０．５〜１．０μｍ程
度が限界である。つまり、一般的にパターンの最小線幅
の１／３程度の精度が必要とされるトータル精度は、パ
ターンの最小線幅が１μｍとすれば０．３μｍ以下とな
り、マスクのパターン精度だけでトータル精度を超えて
しまうことになる。以上のように、大型マスクを用いる
露光装置では、所要の精度およびコスト等を達成するこ
とが厳しくなってしまう。

【００１０】次に、ステップ・アンド・リピート方式の
露光装置では、原版として６インチ程度のマスクを用い
て画面合成によりデバイスを形成するため、原版の精度
的な面では充分に対応可能である。例を挙げれば、現在
の半導体露光装置の先端技術では、１μｍの線幅を有す
るパターンが形成されたマスクを用い、倍率が１／５の
投影光学系を介して、ウエハ上に０．２μｍのラインを
形成している。したがって、仮に液晶表示素子を製造す
るための露光装置の投影光学系の倍率が等倍とすれば、
プレート上では１μｍのラインが形成されることとな
り、要求線幅を露光することが可能になる。

【００１１】また、半導体露光装置においても、いわゆ
るトータル精度は、一般には対象パターンの最小線幅の
１／３とされているが、半導体の分野で適用されている
露光装置である以上、パターン精度も十分であることが
わかる。しかしながら、ステップ・アンド・リピート方
式の露光装置では、露光視野を大きく設定しないとスル
ープットが上がらず、露光視野を大きくすれば、当然に
投影光学系の所要レンズ径が大きくなり、更に収差設計
上レンズ全長が長くなるので、結果的にコストアップに
なってしまう。また、画面合成を行う必要があるため、
対象パターンの線幅が１μｍ以下となれば、画面継ぎ精
度を大幅に向上する必要がでてくる。

【００１２】なお、ステップ・アンド・リピート方式の
露光装置における画面合成方法として、オーバーラップ
露光技術が特開平７−２３５４６６号公報に記載されて
いる。この露光技術では、オーバーラップ露光する部分
（以下、「重複露光領域」という）の露光量が他の部分
（以下、「非重複露光領域」という）の露光量とほぼ一
致するように、照明光学系内に設置された減光手段とマ
スク上の照明領域の形状を可変にするマスクブラインド
とを走査する。しかしながら、投影光学系の投影視野内
に残存する収差、ひいては露光視野内に残存する収差の
影響は、ステッピング露光により繰り返される。このた
め、投影光学系の広い投影視野内においてディストーシ
ョンを厳密に抑える必要があり、製造上も大きな時間と
コストとを費やしている。

【００１３】一方、半導体露光装置にて行われているス
テップ・アンド・スキャン方式では、投影光学系の投影
視野の直径に近い長さの長辺を有するスリット状に露光
視野を設定し、マスクとウエハとを同期移動させて走査
露光する。このように、露光視野としてほぼ一次元的な
形状であるスリット状の視野を利用することにより、投
影光学系のディストーション等の収差の影響も小さく抑
えられ、更にスリット状の露光視野の幅で平均された像
がウエハに焼き付けられることになるため収差も平均化
されるので、パターンの転写の忠実性は飛躍的に向上す
る。

【００１４】更に、ステップ・アンド・スキャン方式で
は、ステップ・アンド・リピート方式と同じ大きさの露
光視野を設定するのに必要な投影光学系の投影視野を実
質的に小さくする効果があるため、投影光学系のレンズ
径およびレンズ全長を抑えることができ、コスト的にも
充分な利点がある。しかしながら、ステップ・アンド・
スキャン方式で各単位露光領域へ走査露光を繰り返しな
がら画面合成を行う場合にも、従来のオーバーラップ露
光技術と同様に、複数の単位露光領域において部分的に
重なり合う重複露光領域の露光量と非重複露光領域の露
光量とをほぼ一致させなければならない。特に、走査方
向に沿って隣接する２つの単位露光領域の間の重複露光
領域において、非重複露光領域とほぼ一致する均一の露
光量を得なければならない。

【００１５】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式を
用いて、オーバーラップ露光による画面合成を高精度に
行うことのできる露光装置および露光方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第１発明では、所定の被照明面に設定され
たマスクを照明光で照明する照明系と、前記マスクのパ
ターン像を所定の露光視野のもとで感光性基板に投影す
る投影系と、被照明面に複数のマスクを順次設定するマ
スク交換手段とを備え、前記感光性基板上にて一部重複
した複数の単位露光領域のそれぞれに前記複数のマスク
のパターン像を順次露光する露光装置において、前記単
位露光領域にて前記複数のマスクのパターン像を順次走
査露光するために、前記投影系に対して前記マスクと前
記感光性基板とを所定の走査方向に相対的に移動させる
走査手段と、前記複数の単位露光領域が一部重複した重
複露光領域と該重複露光領域以外の非重複露光領域とに
亘って露光量分布がほぼ均一となるように、前記重複露
光領域を走査露光するときに前記露光視野を変化させる
露光視野制御手段とを備えていることを特徴とする露光
装置を提供する。

【００１７】第１発明の好ましい態様によれば、前記露
光視野制御手段は、前記走査方向と交差する重複露光領
域での前記走査方向の露光量をほぼ一定に保つために、
前記走査方向と交差する重複露光領域を走査露光すると
きに前記走査方向での前記露光視野を変化させる。ま
た、前記露光視野制御手段は、前記照明系または前記投
影系の光路中に配置されて前記露光視野を形成する視野
絞りと、前記露光視野の少なくとも一部を制限する露光
視野制限部材と、前記露光視野を変化させるために前記
視野絞りと前記露光視野制限部材とを相対的に移動させ
る駆動手段とを有することが好ましい。

【００１８】また、本発明の第２発明では、感光性基板
上にて互いに一部重複した複数の単位露光領域のそれぞ
れに複数のマスクのパターン像を所定の露光視野を有す
る投影系を用いて順次露光する露光方法において、前記
単位露光領域にて前記複数のマスクのパターン像を順次
走査露光するために、前記投影系に対して前記マスクと
前記感光性基板とを所定の走査方向に相対的に移動させ
る走査工程と、前記複数の単位露光領域が一部重複した
重複露光領域での露光量をほぼ一定に保つために、前記
重複露光領域を走査露光するときに前記露光視野を変化
させる露光視野可変工程とを有することを特徴とする露
光方法を提供する。

【００１９】さらに、本発明の第３発明では、感光性基
板上にて互いに一部重複した複数の単位露光領域のそれ
ぞれに複数のマスクのパターン像を所定の露光視野を有
する投影系を用いて順次露光する露光方法において、前
記単位露光領域にて前記複数のマスクのパターン像を順
次走査露光するために、前記投影系に対して前記マスク
と前記感光性基板とを所定の走査方向に相対的に移動さ
せる走査工程と、前記複数の単位露光領域が一部重複し
た重複露光領域と該重複露光領域以外の非重複露光領域
とに亘って露光量分布がほぼ均一となるように、前記重
複露光領域での露光量を調整する露光量調整工程とを有
することを特徴とする露光方法を提供する。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明では、いわゆるステップ・
アンド・スキャン方式を用いて感光性基板上において部
分的に重なり合う複数の単位露光領域の各々にマスクパ
ターンを走査露光する。この場合、複数の単位露光領域
において部分的に重なり合う重複露光領域の露光量分布
が非重複露光領域とほぼ同じで均一な分布となる必要が
ある。そこで、本発明では、感光性基板上で走査される
露光視野を変化させる露光視野制御手段を備えている。
この露光視野制御手段は、照明系または投影系の光路中
に配置されて露光視野を形成する視野絞りと、露光視野
の少なくとも一部を制限する露光視野制限部材とを有
し、視野絞りと露光視野制限部材とを相対的に移動させ
て露光視野を変化させる。

【００２１】具体的には、走査方向と直交する走査直交
方向に沿って隣接する２つの単位露光領域の間の重複露
光領域、すなわち走査直交方向の重複露光領域において
露光視野の走査方向に沿った幅が走査直交方向に沿って
たとえば線形的に変化するように、露光視野の形状を規
定する。あるいは、走査直交方向の重複露光領域におい
て露光視野の走査直交方向に沿った照度分布がたとえば
線形的に変化するように、露光視野の照度分布を規定す
る。その結果、走査直交方向の重複露光領域において、
線形的に変化する所望の露光量分布を得ることができ
る。

【００２２】一方、走査方向に沿って隣接する２つの単
位露光領域の間の重複露光領域、すなわち走査方向の重
複露光領域（あるいは走査方向と交差する重複露光領
域）において走査露光するときに露光視野の走査方向に
沿った幅がたとえば線形的に変化するように、露光視野
の形状を走査露光中に変化させる。その結果、走査方向
の重複露光領域においても、線形的に変化する所望の露
光量分布を得ることができる。さらに具体的には、たと
えば照明系の光路中においてマスクと共役な位置、ひい
ては感光性基板と共役な位置の近傍に、視野絞りとし
て、たとえば台形状の開口部を有する固定ブラインドを
配置する。この場合、マスク上には台形状の照明領域が
形成され、感光性基板上には台形状の露光視野が形成さ
れることになる。

【００２３】この状態において、投影系に対してマスク
と感光性基板とを同期的に相対移動させると、マスクの
パターン領域が台形状の照明領域で走査され、感光性基
板は台形状の露光視野で走査される。その結果、走査直
交方向の重複露光領域では、台形状の露光視野の一部で
ある三角形状の露光視野で走査されることになり、線形
的に変化する所望の露光量分布を得ることができる。一
方、走査方向の重複露光領域では、露光視野制限部材で
ある可動ブラインドの作用により固定ブラインドの開口
部の幅を走査露光中に線形変化させることにより、すな
わち露光視野の幅を走査露光中に線形変化させることに
より、線形的に変化する所望の露光量分布を得ることが
できる。

【００２４】なお、本発明では、走査方向の重複露光領
域において露光視野の走査速度をたとえば線形的に変化
させてもよいし、露光視野の照度をたとえば線形的に変
化させてもよい。以上のように、本発明では、各単位露
光領域への走査露光の際に、重複露光領域においてたと
えば線形的に変化する所望の露光量分布を得ることがで
きるので、部分的に重なり合う複数の単位露光領域から
なる最終的な大型の露光領域において重複露光領域と非
重複露光領域とに亘ってほぼ均一な露光量分布を得るこ
とができる。その結果、感光性基板上で画面合成により
形成された大面積のパターンにおいてパターン継ぎ目に
欠陥のない高精度で良好なデバイスを製造することがで
きる。

【００２５】また、本発明では、ステップ・アンド・ス
キャン方式を用いているので、露光視野としてほぼ一次
元的な形状であるスリット状の視野を利用することによ
り、投影光学系のディストーション等の収差の影響が小
さく抑えられる。また、スリット状の露光視野の幅で平
均された像が感光性基板に露光されることになるため、
収差も平均化される。その結果、パターンの転写の忠実
性が飛躍的に向上するだけでなく、投影光学系のレンズ
全長を小型化することができる。また、１回の走査露光
により焼き付けられる露光領域の大きさが投影光学系の
投影視野の直径によって規定されるので、結果的に投影
光学系のレンズ径を小さくすることができ、コスト的に
非常に有利である。

【００２６】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の第１実施例にかかる露光装置
の構成を概略的に示す斜視図である。第１実施例では、
大型の液晶表示素子の製造に用いられる走査型の投影露
光装置に本発明を適用している。図１では、投影光学系
１３の光軸に平行にＺ軸が、投影光学系１３の光軸に垂
直な面内において互いに直交する方向にＸ軸およびＹ軸
がそれぞれ設定されている。

【００２７】図１に示す投影露光装置は、たとえば超高
圧水銀ランプからなる光源１を備えている。光源１は、
回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡２の第１焦点
位置に位置決めされている。したがって、光源１から射
出された照明光束は、ミラー３を介して、楕円鏡２の第
２焦点位置Ｐ１に光源像を形成する。楕円鏡２の第２焦
点位置Ｐ１に形成された光源像からの光束は、コレクタ
ーレンズ４によりほぼ平行な光束に変換された後、所望
の波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルター
（不図示）に入射する。波長選択フィルターを介して選
択された露光波長の光は、第１フライアイインテグレー
タ５に入射する。なお、楕円鏡２の第２焦点位置Ｐ１の
近傍にはシャッター（不図示）が設けられ、このシャッ
ターにより露光状態と非露光状態との間で切換えを行う
ように構成されている。

【００２８】第１フライアイインテグレータ５は、たと
えば正方形状の断面を有する多数の正レンズエレメント
をその中心軸線が光軸に沿って延びるように縦横に配列
することによって構成されている。したがって、第１フ
ライアイインテグレータ５に入射した光束は、多数のレ
ンズエレメントにより二次元的に分割され、第１フライ
アイインテグレータ５の後側焦点面（すなわち射出面の
近傍）にレンズエレメントの数と同数の光源像を形成す
る。すなわち、第１フライアイインテグレータ５の後側
焦点面には、実質的な面光源が形成される。

【００２９】第１フライアイインテグレータ５の後側焦
点面に形成された多数の光源像からの光束は、第１リレ
ーレンズ６を介した後、第２フライアイインテグレータ
７を重畳的に照明する。こうして、第２フライアイイン
テグレータ７の入射面には、第１フライアイインテグレ
ータ５の各レンズエレメントの断面形状に相似な正方形
状の照野が形成される。なお、第１リレーレンズ６は、
第１フライアイインテグレータ５の後側焦点面と第２フ
ライアイインテグレータ７の後側焦点面とを光学的にほ
ぼ共役に結んでいる。

【００３０】第２フライアイインテグレータ７は、正の
屈折力を有する多数のシリンドリカルレンズエレメント
をその中心軸線が光軸に沿って延びるように縦横配列す
ることによって構成されている。そして、第２フライア
イインテグレータ７を構成する各シリンドリカルレンズ
エレメントは、その入射面と光学的に共役に配置された
マスク１２上において形成すべき照野の形状（ひいては
プレート１４上において形成すべき露光視野の形状）と
ほぼ相似なスリット状（細長い矩形状）の断面を有す
る。

【００３１】したがって、第２フライアイインテグレー
タ７に入射した光束は多数のシリンドリカルレンズエレ
メントにより二次元的に分割され、その後側焦点面（す
なわち射出面の近傍）には第１フライアイインテグレー
タ５のレンズエレメントの数と第２フライアイインテグ
レータ７のシリンドリカルレンズエレメントの数との積
に等しい数の多数の光源像（二次光源）が形成される。
なお、シリンドリカルレンズエレメントによる第２フラ
イアイインテグレータを段違いに配置することにより、
スリット状断面の縦方向と横方向との照度差を低減する
ことができるように構成している（詳細は特願平７−１
３０４３８号公報を参照）。また、本実施例では、照度
均一性を向上させるためにダブルフライアイの構成をと
っているが、エレメントを長方形にした正の屈折力を有
する１つのフライアイインテグレータのみで構成しても
かまわない。

【００３２】第２フライアイインテグレータ７の後側焦
点面に形成された二次光源からの光束は、その近傍に配
置された開口絞り（不図示）により制限された後、第２
リレーレンズ８に入射する。なお、この開口絞りは、後
述する投影光学系１３の入射瞳面と光学的にほぼ共役な
位置に配置され、照明に寄与する二次光源の範囲を規定
するための可変開口部を有する。この開口絞りは、この
可変開口部の開口径を変化させることにより、照明条件
を決定するσ値（投影光学系の瞳面の開口径に対するそ
の瞳面上での光源像の口径の比）を所望の値に設定す
る。第２リレーレンズ８を介して集光された光束は、マ
スクブラインド９に入射する。

【００３３】図２は、図１のマスクブラインド９の要部
構成を示す図である。図２（ａ）に示すように、マスク
ブラインド９は、Ｙ方向に平行な長辺（台形の上底およ
び下底のうち長い方の辺を長辺という）３１ａおよび短
辺３１ｂ（台形の上底および下底のうち短い方の辺を短
辺という）を有するＹ方向に細長い台形状の開口部（光
透過部）を有する台形ブラインド３１と、Ｙ方向に平行
な直線エッジ３２ａが形成された遮光部を有する直線エ
ッジブラインド３２とを備えている。台形ブラインド３
１および直線エッジブラインド３２は、マスク１２のパ
ターン面と（ひいてはプレート１４の露光面と）光学的
に共役な面の近傍に配置されている。

【００３４】なお、図２（ｂ）に示すように、台形ブラ
インド３１は、走査露光中において移動することのない
固定ブラインドであって、露光視野を形成する視野絞り
を構成している。一方、直線エッジブラインド３２は、
Ｚ方向に沿って移動可能に構成された可動ブラインドで
あって、露光視野の少なくとも一部を制限する露光視野
制限部材を構成している。直線エッジブラインド３２の
直線エッジ３２ａは、台形ブラインド３１の台形状の開
口部の長辺３１ａおよび短辺３１ｂに平行な状態を保持
しつつＺ方向に移動する。なお、直線エッジブラインド
３２の走査露光中における具体的な移動については後述
する。

【００３５】マスクブラインド９を介した光束は、ブラ
インドリレー系１０および折り曲げミラー１１を介し
て、マスク１２を重畳的に照明する。マスク１２は、マ
スクホルダ（不図示）を介して、マスクステージ１５上
においてＸＹ平面に平行に保持されている。マスク１２
には転写すべきパターンが形成されており、パターン領
域全体のうちＹ方向に沿って長辺を有する細長い台形状
のパターン領域が照明される。マスクステージ１５は、
図示を省略した駆動系の作用により、マスク面（すなわ
ちＸＹ平面）に沿って二次元的に移動可能であり、その
位置座標はマスク干渉計１６によって計測され且つ位置
制御されるように構成されている。

【００３６】マスク１２を透過した光束は、投影光学系
１３を介して、感光性基板であるプレート１４に達す
る。こうして、プレート１４上には、マスク１２のパタ
ーン像が形成される。ここで、上述したように第２フラ
イアイインテグレータ７の後側焦点面近傍の開口絞りと
投影光学系１３の入射瞳面とがほぼ共役に配置されてい
るので、投影光学系１３の入射瞳面上に二次光源の像が
形成され、マスク１２およびプレート１４がいわゆるケ
ーラー照明される。

【００３７】プレート１４は、プレートホルダ（不図
示）を介して、基板ステージ１７上においてＸＹ平面に
平行に保持されている。そして、マスク１２上の照明領
域に光学的に対応するように、プレート１４上ではＹ方
向に沿って長辺を有する細長い台形状の露光視野にパタ
ーン像が形成される。基板ステージ１７は、図示を省略
した駆動系の作用によりプレート面（すなわちＸＹ平
面）に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標
はプレート干渉計１８によって計測され且つ位置制御さ
れるように構成されている。

【００３８】上述したように、マスク１２上の照明領域
およびプレート１４上の露光視野は、Ｙ方向に沿って長
辺を有する細長い台形状である。したがって、駆動系お
よび干渉計（１６、１８）などを用いてマスク１２およ
びプレート１４の位置制御を行いながら、Ｘ方向に沿っ
てマスクステージ１５と基板ステージ１７とを、ひいて
はマスク１２とプレート１４とを同期的に移動（走査）
させることにより、プレート１４上には台形状の露光視
野のＹ方向の長さに応じた幅を有し且つプレート１４の
走査量（相対的には露光視野の走査量）に応じた長さを
有する単位露光領域に対してマスクパターンが走査露光
される。なお、マスクテーブル１５の上方には、被照明
面に複数のマスクを順次設定するためにマスクを高速に
交換するマスク交換手段としてのマスクチェンジャ（不
図示）が配置されている。第１実施例では、４枚のマス
ク１２ａ〜１２ｄを用いて、プレート１４上の４つの単
位露光領域ＥＡ１〜ＥＡ４に対して画面継ぎ走査露光を
行う。

【００３９】図３は、第１実施例において用いられる４
枚のマスク１２ａ〜１２ｄの構成を示す図である。ま
た、図４は、４枚のマスク１２ａ〜１２ｄを用いた画面
継ぎ走査露光によりプレート１４上に形成されるデバイ
スパターンを示す図である。図３に示すように、各マス
クの中央には転写用のパターンが描かれた矩形状のパタ
ーン領域ＰＡが形成され、その周囲には外側遮光領域Ｓ
Ａ１が形成されている。また、各マスクの外側遮光領域
ＳＡ１においてＸ方向に沿ってそのほぼ中央であってＹ
方向に沿ってその両端部に一対のマスクアライメントマ
ークＭＭ１およびＭＭ２が形成されている。さらに、各
マスクには、パターン領域ＰＡと外側遮光領域ＳＡとの
間にＬ字状の内側遮光領域ＳＡ２が形成されている。こ
の内側遮光領域ＳＡ２は、パターン領域ＰＡのうちオー
バーラップ露光に用いられるＬ字状の部分（図中破線で
規定されている）と対向するように形成されている。外
側遮光領域ＳＡ１および内側遮光領域ＳＡ２には、露光
光の透過をほぼ１００％遮るように、たとえばクロム膜
が蒸着されている。

【００４０】図３および図４を参照するとわかるよう
に、第１のマスク１２ａのパターンがプレート１４の第
１単位露光領域ＥＡ１に走査露光され、第２のマスク１
２ｂのパターンがプレート１４の第２単位露光領域ＥＡ
２に走査露光され、第３のマスク１２ｃのパターンがプ
レート１４の第３単位露光領域ＥＡ３に走査露光され、
第４のマスク１２ｄのパターンがプレート１４の第４単
位露光領域ＥＡ４に走査露光される。したがって、図４
において破線で規定された十字状の領域は走査露光が２
回行われる重複露光領域であり、十字状の領域の中央部
分は走査露光が４回行われる４重複露光領域であり、そ
の他の領域は走査露光が１回だけ行われる非重複露光領
域である。

【００４１】図３の各マスクのパターン領域ＰＡにも、
プレート１４と同様に、重複露光領域に対応する部分
と、４重複露光領域に対応する部分と、非重複露光領域
に対応する部分とがある。たとえば、第１のマスク１２
ａでは、図中破線で規定するように、パターン領域ＰＡ
の図中左側の縦長の領域ａ１は重複露光領域に対応する
部分である。また、パターン領域ＰＡの図中下側の横長
の領域ｂ１も重複露光領域に対応する部分である。さら
に、領域ａ１と領域ｂ１とが重なる領域は、４重複露光
領域に対応する部分である。そして、第１のマスク１２
ａでは、重複露光領域に対応する部分である領域ａ１お
よび領域ｂ１に対向するように、内側遮光領域ＳＡ２が
図中右側の縦長の領域と図中上側の横長の領域とから構
成されている。

【００４２】同様に、第２のマスク１２ｂでは、図中破
線で規定するように、パターン領域ＰＡの図中右側の縦
長の領域ａ２および図中下側の横長の領域ｃ２は重複露
光領域に対応する部分である。そして、重複露光領域に
対応する部分である領域ａ２および領域ｃ２に対向する
ように、内側遮光領域ＳＡ２が図中左側の縦長の領域と
図中上側の横長の領域とから構成されている。また、第
３のマスク１２ｃでは、図中破線で規定するように、パ
ターン領域ＰＡの図中右側の縦長の領域ｄ３および図中
上側の横長の領域ｃ３は重複露光領域に対応する部分で
ある。そして、重複露光領域に対応する部分である領域
ｄ３および領域ｃ３に対向するように、内側遮光領域Ｓ
Ａ２が図中左側の縦長の領域と図中下側の横長の領域と
から構成されている。

【００４３】さらに、第４のマスク１２ｄでは、図中破
線で規定するように、パターン領域ＰＡの図中左側の縦
長の領域ｄ４および図中上側の横長の領域ｂ４は重複露
光領域に対応する部分である。そして、重複露光領域に
対応する部分である領域ｄ４および領域ｂ４に対向する
ように、内側遮光領域ＳＡ２が図中右側の縦長の領域と
図中下側の横長の領域とから構成されている。

【００４４】以下、第１実施例におけるアライメント動
作および走査露光の基本動作について説明する。まず、
走査露光の開始に際して、第１のマスク１２ａがマスク
チェンジャからマスクステージ１５の上方へ搬入され、
マスクホルダ上に載置される。マスクステージ１５上に
配置されたマスク１２ａの一対のマスクアライメントマ
ークＭＭ１およびＭＭ２の上方には、一対のマスクアラ
イメント系１９ａおよび１９ｂが配置されている。各マ
スクアライメント系１９は、非露光光でマークを照明す
るための落射照明系と、マークの像を形成するための顕
微鏡と、マークの像を光電検出するためのＣＣＤとから
構成され、画像処理によりマークの位置を計測する。

【００４５】したがって、第１のマスクアライメント系
１９ａにより、第１のマスクアライメントマークＭＭ１
が観察されるとともに、基板ステージ１７上に形成され
た基準マークＳＭが投影光学系１３を介して観察され
る。すなわち、第１のマスクアライメント系１９ａによ
り、第１のマスクアライメントマークＭＭ１と基準マー
クＳＭとを同時観察し、画像処埋により第１のマスクア
ライメントマークＭＭ１と基準マークＳＭとの相対位置
計測を行う。そして、このときのマスク干渉計１６の位
置情報とプレート干渉計１８の位置情報とを用いること
により、基準マークＳＭに対する第１のマスクアライメ
ントマークＭＭ１の相対位置が正確に計測される。

【００４６】次に、第２のマスクアライメントマークＭ
Ｍ２の位置に対応する位置に基準マークＳＭを移動さ
せ、第２のマスクアライメント系１９ｂにより、第２の
マスクアライメントマークＭＭ２と基準マークＳＭとを
同時観察する。その結果、基準マークＳＭに対する第２
のマスクアライメントマークＭＭ２の相対位置が正確に
計測される。こうして、基準マークＳＭを用いて、第１
のマスク１２ａの載置された状態や位置を計測すること
ができる。

【００４７】一方、基板ステージ１７の上方には、たと
えば複数（たとえば３つ）のプレートアライメント系２
０が配置されている。プレートアライメント系２０もマ
スクアライメント系１９と同様に、非露光光でマークを
照明するための落射照明系と、マークの像を形成するた
めの顕微鏡と、マーク像を光電検出するためのＣＣＤと
から構成され、画像処理によりプレート１４に形成され
たプレートアライメントマーク（不図示）の位置を計測
する。このプレートアライメント系２０で基準マークＳ
Ｍを観察し、このときのプレート干渉計１８の位置情報
を用いることにより、基準マークＳＭに対するプレート
アライメント系２０の相対位置が正確に計測される。

【００４８】こうして、基準マークＳＭを介して第１の
マスク１２ａとプレートアライメント系２０との相対位
置が計測され、いわゆるベースラインが求まったことに
なる。このアライメント動作を残る３つのマスク１２ｂ
〜１２ｄについて繰り返することにより、基準マークＳ
Ｍを介して各マスク１２とプレートアライメント系２０
との相対位置が計測される。

【００４９】続いて、基板ステージ１７の上方にプレー
ト１４が搬入され、プレートホルダ上に載置される。こ
うして、マスクステージ１５上に載置された第１のマス
ク１２ａと基板ステージ１７上に載置されたプレート１
４とをＸ方向に沿って同期移動させながら、プレート１
４の第１単位露光領域ＥＡ１に第１のマスク１２ａのパ
ターンが走査露光される。次に、第１のマスク１２ａか
ら第２のマスク１２ｂへのマスク交換の際には、マスク
アライメント系１９により第２のマスク１２ｂの一対の
アライメントマークＭＭ１およびＭＭ２を観察し、第２
のマスク１２ｂの位置合わせを行う。そして、位置合わ
せされた第２のマスク１２ｂを用いて、プレート１４の
第２単位露光領域ＥＡ２に走査露光を行う。ファースト
露光の場合には、プレートアライメントの動作は必要と
しないので、以下同様に第３のマスク１２ｃおよび第４
のマスク１２ｄを用いてプレート１４の第３単位露光領
域ＥＡ３および第４単位露光領域ＥＡ４に順次走査露光
が行われる。

【００５０】次に、第１実施例における走査露光の具体
的な動作について説明する。図５は、プレート１４上の
第１単位露光領域ＥＡ１に走査露光する際のマスクブラ
インド９の動作を説明する図である。まず、第１単位露
光領域ＥＡ１への走査露光では、図５に示すように、台
形ブラインド３１を介して形成される台形状の照明領域
３１ｃ（図中斜線で示す）が第１のマスク１２ａのＹ方
向に延びた内側遮光領域ＳＡ２と重なるように、台形ブ
ラインド３１と第１のマスク１２ａとの位置関係が初期
的に設定されている。すなわち、初期状態では、台形状
の照明領域３１ｃの長辺がパターン領域ＰＡよりも上側
に位置し、長辺の左端がパターン領域ＰＡの左側のエッ
ジの延長線と接し、台形状の照明領域３１ｃの短辺（長
辺に対向する短辺）の右端がパターン領域ＰＡの右側の
エッジの延長線よりも右側に突出している。

【００５１】第１単位露光領域ＥＡ１への走査露光で
は、図５に示す初期状態から、第１のマスク１２ａを−
Ｘ方向に一定の速度で移動させる。以下、説明の便宜
上、台形状の照明領域３１ｃが＋Ｘ方向に走査（ひいて
は対応する露光視野が単位露光領域上において走査）さ
れるものとして説明する。この場合、台形状の照明領域
３１ｃの短辺の左端がパターン領域ＰＡを通過する軌跡
は図中の破線５１で表され、この破線５１よりも左側の
領域は第１単位露光領域ＥＡ１の重複露光領域（走査直
交方向に隣接する第１単位露光領域ＥＡ１と第２単位露
光領域ＥＡ２との間の重複露光領域であり、以下「走査
直交方向の重複露光領域」という）に対応する領域ａ１
となる。換言すると、パターン領域ＰＡの左側のエッジ
と接する頂点を有し且つ破線５１と接する長辺を有する
三角形状の照明領域によって、すなわちＸ方向に沿った
幅がＹ方向に沿って線形変化する照明領域によって、領
域ａ１のパターンがＸ方向に走査される。したがって、
この領域ａ１を介して走査露光される第１単位露光領域
ＥＡ１の重複露光領域では、破線５１に対応する重複露
光領域のエッジからパターン領域ＰＡの左側のエッジに
対応する重複露光領域のエッジにかけて線形変化する露
光量分布を得ることができる。

【００５２】しかしながら、上述の構成では、第１単位
露光領域ＥＡ１の走査直交方向の重複露光領域において
線形変化する所望の露光量分布を得ることができるが、
走査方向の重複露光領域（走査方向に隣接する第１単位
露光領域ＥＡ１と第３単位露光領域ＥＡ３との間の重複
露光領域）においては非重複露光領域と同じ均一な露光
量分布しか得ることができない。上述したように、第１
のマスク１２ａにおいて、破線５２よりも下側の領域は
第１単位露光領域ＥＡ１の走査方向の重複露光領域に対
応する領域ｂ１とならなければならない。そこで、第１
実施例では、台形状の照明領域３１ｃの長辺がパターン
領域ＰＡの下側のエッジに達したときに、図３（ｂ）に
示すように直線エッジブラインド３２で台形ブラインド
３１の台形状の開口部の幅（開口部のＸ方向に沿った長
さ）を線形的に減少させて遮る動作を開始する。

【００５３】すなわち、台形状の照明領域３１ｃの長辺
がパターン領域ＰＡの下側のエッジに達したとき、直線
エッジブラインド３２の遮光エッジ３２ａが台形ブライ
ンド３１の台形状の開口部の長辺３１ａと重なる位置関
係にある。直線エッジブラインド３２は＋Ｚ方向に沿っ
て一定の速度（たとえばマスク上での照明領域の走査速
度と同じ速度）で移動し、やがて直線エッジブラインド
３２の遮光エッジ３２ａが台形ブラインド３１の台形状
の開口部の短辺３１ｂと重なって開口部が完全に塞がれ
たとき、台形状の照明領域３１ｃの短辺が破線５２の位
置に達する。こうして、マスク１２ａ上において破線５
２で規定される領域ｂ１を介して走査露光される第１単
位露光領域ＥＡ１の走査方向の重複露光領域において
も、破線５２に対応する重複露光領域のエッジからパタ
ーン領域ＰＡの下側のエッジに対応する重複露光領域の
エッジにかけて線形変化する所望の露光量分布を得るこ
とができる。

【００５４】次いで、第１のマスク１２ａを第２のマス
ク１２ｂと交換し、基板ステージ１７をステッピング移
動させることによりプレート１４の第２単位露光領域Ｅ
Ａ２を投影光学系１３の投影視野内へ移動させた後、第
２単位露光領域ＥＡ２への走査露光を行う。第２単位露
光領域ＥＡ２への走査露光の初期状態では、台形状の照
明領域３１ｃの長辺がパターン領域ＰＡよりも上側に位
置し、長辺の右端がパターン領域ＰＡの右側のエッジの
延長線と接し、台形状の照明領域３１ｃの短辺の左端が
パターン領域ＰＡの左側のエッジの延長線よりも左側に
突出している。第２単位露光領域ＥＡ２への走査露光で
は、第２のマスク１２ｂを初期状態から−Ｘ方向に一定
の速度で移動させる。

【００５５】そして、台形状の照明領域３１ｃの長辺が
パターン領域ＰＡの下側のエッジに達したときに、直線
エッジブラインド３２で台形ブラインド３１の台形状の
開口部の幅を線形的に減少させて遮る動作を開始し、直
線エッジブラインド３２の遮光エッジ３２ａが台形ブラ
インド３１の台形状の開口部の短辺３１ｂと重なって開
口部が完全に塞がれたとき、台形状の照明領域３１ｃの
短辺が図５の破線５２に対応する位置に達する。こうし
て、第２のマスク１２ｂ上の領域ａ２および領域ｃ２
（図３（ａ）を参照）を介して走査露光される第２単位
露光領域ＥＡ２の重複露光領域においても、線形変化す
る所望の露光量分布を得ることができる。

【００５６】次いで、第２のマスク１２ｂを第３のマス
ク１２ｃと交換し、プレート１４の第３単位露光領域Ｅ
Ａ３を投影光学系１３の投影視野内へ移動させた後、第
３単位露光領域ＥＡ３への走査露光を行う。図６は、プ
レート１４上の第３単位露光領域ＥＡ３に走査露光する
際のマスクブラインド９の動作を説明する図である。第
３単位露光領域ＥＡ３への走査露光では、図６に示すよ
うに、台形ブラインド３１を介して形成される台形状の
照明領域３１ｃ（図中斜線で示す）の短辺が第３のマス
ク１２ｃのＹ方向に延びた外側遮光領域ＳＡ１と重なる
ように、台形ブラインド３１と第３のマスク１２ｃとの
位置関係が初期的に設定されている。すなわち、台形状
の照明領域３１ｃの短辺がパターン領域ＰＡよりも上側
に位置し、長辺の右端がパターン領域ＰＡの右側のエッ
ジと接し、台形状の照明領域３１ｃの短辺の左端がパタ
ーン領域ＰＡの左側のエッジの延長線よりも左側に突出
するように、台形ブラインド３１と第３のマスク１２ｃ
との位置関係が初期的に設定されている。

【００５７】しかしながら、第３単位露光領域ＥＡ３へ
の走査露光の初期状態において、台形ブラインド３１の
台形状の開口部は直線エッジブラインド３２によって完
全に塞がれており、第３のマスク１２ｃ上において図６
に示すような照明領域３１ｃは実際には形成されていな
い。第３単位露光領域ＥＡ３への走査露光では、第３の
マスク１２ｃを初期状態から−Ｘ方向に一定の速度で移
動させる。そして、直線エッジブラインド３２がなけれ
ば形成されているであろう台形状の照明領域３１ｃの短
辺がパターン領域の上側エッジに達したとき、直線エッ
ジブラインド３２で塞がれていた台形ブラインド３１の
台形状の開口部の幅を線形的に増大させて開放する動作
を開始する。

【００５８】すなわち、台形状の照明領域３１ｃの短辺
がパターン領域ＰＡの上側のエッジに達したとき、直線
エッジブラインド３２の遮光エッジ３２ａ（図３（ｂ）
参照）が台形ブラインド３１の台形状の開口部の短辺３
１ｂと重なる位置関係にある。直線エッジブラインド３
２は−Ｚ方向に沿って一定の速度（たとえばマスク上で
の照明領域の走査速度と同じ速度）で移動し、やがて直
線エッジブラインド３２の遮光エッジ３２ａが台形ブラ
インド３１の台形状の開口部の長辺３１ａと重なって開
口部が完全に開放されたとき、台形状の照明領域３１ｃ
の長辺が破線６１の位置に達する。こうして、マスク１
２ｃ上において破線６２で規定される領域ｃ３を介して
走査露光される第３単位露光領域ＥＡ３の走査方向の重
複露光領域では、破線６２に対応する重複露光領域のエ
ッジからパターン領域ＰＡの上側のエッジに対応する重
複露光領域のエッジにかけて線形変化する所望の露光量
分布を得ることができる。

【００５９】その後、台形ブラインド３１の台形状の開
口部が開放されたままの状態で、台形状の照明領域３１
ｃは＋Ｘ方向へ一定の速度で移動する。この場合、台形
状の照明領域３１ｃの短辺の右端がパターン領域ＰＡを
通過する軌跡は図中の破線６１で表され、この破線６１
よりも右側の領域は第３単位露光領域ＥＡ３の走査直交
方向の重複露光領域に対応する領域ｄ３となる。換言す
ると、パターン領域ＰＡの右側のエッジと接する頂点を
有し且つ破線６１と接する長辺を有する三角形状の照明
領域によって、すなわちＸ方向に沿った幅がＹ方向に沿
って線形変化する照明領域によって、領域ｄ３のパター
ンがＸ方向に走査される。したがって、この領域ｄ３を
介して走査露光される第３単位露光領域ＥＡ３の走査直
交方向の重複露光領域では、破線６１に対応する重複露
光領域のエッジからパターン領域ＰＡの右側のエッジに
対応する重複露光領域のエッジにかけて線形変化する所
望の露光量分布を得ることができる。

【００６０】最後に、第３のマスク１２ｃを第４のマス
ク１２ｄと交換し、プレート１４の第４単位露光領域Ｅ
Ａ４を投影光学系１３の投影視野内へ移動させた後、第
４単位露光領域ＥＡ４への走査露光を行う。第４単位露
光領域ＥＡ４への走査露光では、台形状の照明領域３１
ｃの短辺がパターン領域ＰＡよりも上側に位置し、長辺
の左端がパターン領域ＰＡの左側のエッジと接し、台形
状の照明領域３１ｃの短辺の右端がパターン領域ＰＡの
右側のエッジの延長線よりも右側に突出するように、台
形ブラインド３１と第４のマスク１２ｄとの位置関係が
初期的に設定されている。

【００６１】しかしながら、第４単位露光領域ＥＡ４へ
の走査露光の初期状態においても第３単位露光領域ＥＡ
３への走査露光と同様に、台形ブラインド３１の台形状
の開口部は直線エッジブラインド３２によって完全に塞
がれており、第４のマスク１２ｄ上において照明領域３
１ｃは実際には形成されていない。第４単位露光領域Ｅ
Ａ４への走査露光では、第４のマスク１２ｄを初期状態
から−Ｘ方向に一定の速度で移動させる。そして、直線
エッジブラインド３２がなければ形成されているであろ
う台形状の照明領域３１ｃの短辺がパターン領域の上側
エッジに達したとき、直線エッジブラインド３２で塞が
れていた台形ブラインド３１の台形状の開口部の幅を線
形的に増大させて開放する動作を開始する。

【００６２】すなわち、台形状の照明領域３１ｃの短辺
がパターン領域ＰＡの上側のエッジに達したとき、直線
エッジブラインド３２の遮光エッジ３２ａ（図３（ｂ）
参照）が台形ブラインド３１の台形状の開口部の短辺３
１ｂと重なる位置関係にある。直線エッジブラインド３
２は−Ｚ方向に沿って一定の速度（たとえばマスク上で
の照明領域の走査速度と同じ速度）で移動し、やがて直
線エッジブラインド３２の遮光エッジ３２ａが台形ブラ
インド３１の台形状の開口部の長辺３１ａと重なって開
口部が完全に開放されたとき、台形状の照明領域３１ｃ
の長辺が図６の破線６２に対応する位置に達する。こう
して、マスク１２ｄ上において領域ｂ４を介して走査露
光される第４単位露光領域ＥＡ４の走査方向の重複露光
領域では、線形変化する所望の露光量分布を得ることが
できる。

【００６３】その後、台形状の照明領域３１ｃの短辺の
左端がパターン領域ＰＡを通過する軌跡によって規定さ
れる線よりも左側の領域は第４単位露光領域ＥＡ４の重
複露光領域に対応する領域ｄ４となる。したがって、こ
の領域ｄ４を介して走査露光される第４単位露光領域Ｅ
Ａ４の走査直交方向の重複露光領域においても線形変化
する所望の露光量分布を得ることができる。こうして、
プレート１４を二次元的にステッピング移動させながら
プレート１４上の４つの単位露光領域ＥＡ１〜ＥＡ４に
順次走査露光を行うことにより、走査方向の重複露光領
域および走査直交方向の重複露光領域において、非重複
露光領域とほぼ一致する均一分布の露光量を得ることが
できる。

【００６４】なお、前述したように、図４における十字
状の重複露光領域の中央では４回の走査露光が行われ
る。以下、この４重複露光領域における露光量分布につ
いて検証する。図７（ａ）は第１のマスク１２ａを介し
てプレート１４上で形成される４重複露光領域の露光量
分布を数値的に示す図であり、（ｂ）は第２のマスク１
２ｂを介してプレート１４上で形成される４重複露光領
域の露光量分布を数値的に示す図であり、（ｃ）は第１
のマスク１２ａと第２のマスク１２ｂとを介した２回の
走査露光によりプレート１４上で形成される４重複露光
領域の露光量分布を数値的に示す図である。ここで、非
重複露光領域における露光量を１００として規格化して
いる。

【００６５】図７（ａ）に示す矩形状の４重複露光領域
の図中上側の辺は、図４の矩形状の４重複露光領域の左
側の辺に対応している。すなわち、図３の第１のマスク
１２ａにおいて領域ａ１と領域ｂ１とが重なる矩形状の
領域の左側の辺に対応している。一方、図７（ａ）に示
す矩形状の４重複露光領域の図中左側の辺は、図４の矩
形状の４重複露光領域の下側の辺に対応している。すな
わち、図３の第１のマスク１２ａにおいて領域ａ１と領
域ｂ１とが重なる矩形状の領域の下側の辺に対応してい
る。図７（ａ）を参照すると、第１のマスク１２ａを用
いた第１回目の走査露光により、図４の矩形状の４重複
露光領域では左下隅から右上隅にかけてほぼ線形的に増
大する露光量分布が得られることがわかる。

【００６６】また、図７（ｂ）に示す矩形状の４重複露
光領域の図中上側の辺は、図４の矩形状の４重複露光領
域の左側の辺に対応している。すなわち、図３の第２の
マスク１２ｃにおいて領域ａ２と領域ｃ２とが重なる矩
形状の領域の左側の辺に対応している。一方、図７
（ｂ）に示す矩形状の４重複露光領域の図中左側の辺
は、図４の矩形状の４重複露光領域の下側の辺に対応し
ている。すなわち、図３の第２のマスク１２ｂにおいて
領域ａ２と領域ｃ２とが重なる矩形状の領域の下側の辺
に対応している。図７（ｂ）を参照すると、第２のマス
ク１２ｂを用いた第２回目の走査露光により、図４の矩
形状の４重複露光領域では右下隅から左上隅にかけてほ
ぼ線形的に増大する露光量分布が得られることがわか
る。

【００６７】図７（ｃ）に示す矩形状の４重複露光領域
に示す露光量分布は、図７（ａ）に示す矩形状の４重複
露光領域に示す露光量分布と図７（ｂ）に示す矩形状の
４重複露光領域に示す露光量分布との総和である。すな
わち、図７（ｃ）に示す矩形状の４重複露光領域には、
第１のマスク１２ａを用いた第１回目の走査露光と第２
のマスク１２ｂを用いた第２回目の走査露光とにより形
成される露光量分布が示されている。図７（ｃ）を参照
すると、第１回目の走査露光と第２回目の走査露光とに
より、図４の矩形状の４重複露光領域では下辺から短辺
にかけて単調に増大する露光量分布が得られることがわ
かる。

【００６８】図８（ａ）は第３のマスク１２ｃを介して
プレート１４上で形成される４重複露光領域の露光量分
布を数値的に示す図であり、（ｂ）は第４のマスク１２
ｄを介してプレート１４上で形成される４重複露光領域
の露光量分布を数値的に示す図であり、（ｃ）は第３の
マスク１２ｃと第４のマスク１２ｄとを介した２回の走
査露光によりプレート１４上で形成される４重複露光領
域の露光量分布を数値的に示す図である。

【００６９】図８（ａ）に示す矩形状の４重複露光領域
の図中上側の辺は、図４の矩形状の４重複露光領域の左
側の辺に対応している。すなわち、図３の第３のマスク
１２ｃにおいて領域ｃ３と領域ｄ３とが重なる矩形状の
領域の左側の辺に対応している。一方、図８（ａ）に示
す矩形状の４重複露光領域の図中左側の辺は、図４の矩
形状の４重複露光領域の下側の辺に対応している。すな
わち、図３の第３のマスク１２ｃにおいて領域ｃ３と領
域ｄ３とが重なる矩形状の領域の下側の辺に対応してい
る。図８（ａ）を参照すると、第３のマスク１２ｃを用
いた第３回目の走査露光により、図４の矩形状の４重複
露光領域では右上隅から左下隅にかけてほぼ線形的に増
大する露光量分布が得られることがわかる。

【００７０】また、図８（ｂ）に示す矩形状の４重複露
光領域の図中上側の辺は、図４の矩形状の４重複露光領
域の左側の辺に対応している。すなわち、図３の第４の
マスク１２ｄにおいて領域ｂ４と領域ｄ４とが重なる矩
形状の領域の左側の辺に対応している。一方、図８
（ｂ）に示す矩形状の４重複露光領域の図中左側の辺
は、図４の矩形状の４重複露光領域の下側の辺に対応し
ている。すなわち、図３の第４のマスク１２ｄにおいて
領域ｂ４と領域ｄ４とが重なる矩形状の領域の下側の辺
に対応している。図８（ｂ）を参照すると、第４のマス
ク１２ｄを用いた第４回目の走査露光により、図４の矩
形状の４重複露光領域では左上隅から右下隅にかけてほ
ぼ線形的に増大する露光量分布が得られることがわか
る。

【００７１】図８（ｃ）に示す矩形状の４重複露光領域
に示す露光量分布は、図８（ａ）に示す矩形状の４重複
露光領域に示す露光量分布と図８（ｂ）に示す矩形状の
４重複露光領域に示す露光量分布との総和である。すな
わち、図８（ｃ）に示す矩形状の４重複露光領域には、
第３のマスク１２ｃを用いた第３回目の走査露光と第４
のマスク１２ｄを用いた第４回目の走査露光とにより形
成される露光量分布が示されている。図８（ｃ）を参照
すると、第３回目の走査露光と第４回目の走査露光とに
より、図４の矩形状の４重複露光領域では短辺から下辺
にかけて単調に増大する露光量分布が得られることがわ
かる。

【００７２】図９は、４回の走査露光によりプレート１
４上で最終的に形成される４重複露光領域の露光量分布
を数値的に示す図である。図９に示す矩形状の４重複露
光領域に示す露光量分布は、図７（ａ）に示す矩形状の
４重複露光領域に示す露光量分布と、図７（ｂ）に示す
矩形状の４重複露光領域に示す露光量分布と、図８
（ａ）に示す矩形状の４重複露光領域に示す露光量分布
と、図８（ｂ）に示す矩形状の４重複露光領域に示す露
光量分布との総和である。図９に示すように、第１実施
例では、４重複露光領域においても、走査方向の重複露
光領域および走査直交方向の重複露光領域と同様に、非
重複露光領域と同じ均一な露光量分布を得ることができ
る。

【００７３】以上のように、第１実施例の露光装置で
は、各単位露光領域への走査露光の際に、重複露光領域
において線形的に変化する所望の露光量分布を得ること
ができるので、部分的に重なり合う複数の単位露光領域
からなる最終的な大型の露光領域において重複露光領域
と非重複露光領域とに亘ってほぼ均一な露光量分布を得
ることができ、露光量ムラがほとんど発生しない。その
結果、プレート上で画面合成により形成された大面積の
パターンにおいてパターン継ぎ目に欠陥のない高精度で
良好なデバイスを製造することができる。

【００７４】また、ステップ・アンド・スキャン方式を
用いているので、露光視野としてほぼ一次元的な形状で
あるスリット状の視野を利用することにより、投影光学
系のディストーション等の収差の影響も小さく抑えられ
る。また、スリット状の露光視野の幅で平均された像が
プレートに露光されることになるため、収差も平均化さ
れる。その結果、パターンの転写の忠実性が飛躍的に向
上するだけでなく、投影光学系のレンズ全長を小型化す
ることができる。また、１回の走査露光により焼き付け
られる露光領域の大きさが投影光学系の投影視野の直径
によって規定されるので、結果的に投影光学系のレンズ
径を小さくすることができ、コスト的に非常に有利であ
る。

【００７５】第１実施例では、細長い台形状の開口部
（光透過部）が固定的に形成された台形ブラインド３１
に対して直線エッジブラインド３２を移動させている。
しかしながら、使用するマスクのパターンによっては、
台形状の開口部の長辺方向の長さを変更しなければなら
ない場合がある。したがって、走査露光時には直線エッ
ジブラインド３２を移動させるだけでよいが、台形状の
開口部の長辺方向（マスク上では走査直交方向）の長さ
を任意に設定することができるように台形ブラインド３
１を構成することが望ましい。

【００７６】また、固定ブラインド３１の開口部の形状
も台形だけでなく長方形や他の形状に適宜変更すること
ができれば、隣接する単位露光領域との間でオーバーラ
ップの有る場合と無い場合とが混在しても、投影光学系
の投影視野（イメージフィールド）を最大限に活用する
ことができる。この目的のため、台形状の開口部の斜辺
（台形の上底と下底とを結ぶ２つの辺を斜辺という）部
分を直線エッジを有する別の可動ブラインドで規定する
構成を採ってもよい。また、オーバーラップのある走査
露光をする場合に使用するブラインドおよびオーバーラ
ップのない通常の走査露光を行う場合に使用するブライ
ンドを設け、これら２種類のブラインドを交換可能に構
成してもよい。また、固定ブラインド（第１実施例では
台形ブラインド）と可動ブラインド（第１実施例では直
線エッジブラインド）と近接させて配置してもよいし、
照明光学系内にマスクと共役な面を２つ形成し、一方の
共役面に固定ブラインドを設け他方の共役面に可動ブラ
インドを設けてもよい。

【００７７】更に、第１実施例では、走査露光するマス
クステージの速度に対してマスク上において同じ速度に
なるように直線エッジブラインドを移動させている。し
かしながら、直線エッジブラインドのマスク上での移動
速度とマスクステージの走査速度とを等しく設定する必
要はなく、走査方向のオーバーラップ幅により速度を変
更することができる。また、第１実施例では、固定ブラ
インドの開口部の形状を台形状に設定しているが、最終
的にプレート上で得られる露光領域の全体に亘る露光量
分布が均一になるような形状であれば、台形状に限定す
ることなく、平行四辺形や六角形等の形状を有する開口
部を設定することができることは言うまでもない。

【００７８】更に、第１実施例では、台形ブラインドの
台形状の開口部の長辺に対して平行な直線エッジを有す
る直線エッジブラインドを開口部の長辺と直交する方向
に沿って移動させている。しかしながら、図１０に示す
ように、台形ブラインドの台形状の開口部の短辺と２つ
の斜辺とに対応するエッジ形状を有する変形エッジブラ
インドを、台形ブラインドの台形状の開口部の長辺と直
交する方向に沿って移動させてもよい。また、ブライン
ド自体は、ガラス基板に微小遮光部をパターニングする
ことにより形成しても構わないし、遮光性を有する金属
膜等をガラス基板に直接エッチングして形成しても構わ
ない。

【００７９】図１１は、本発明の第２実施例にかかる露
光装置の構成を概略的に示す図である。また、図１２
は、第２実施例におけるマスクブラインドの固定ブライ
ンドに形成されたスリット状の光透過部の構成を示す図
である。第２実施例においても第１実施例と同様に、大
型の液晶表示素子の製造に用いられる走査型の投影露光
装置に本発明を適用している。第２実施例は第１実施例
と類似の構成を有するが、投影光学系の構成およびマス
クブラインドの構成だけが第１実施例と基本的に相違し
ている。したがって、図１１において第１実施例の構成
要素と同様の機能を有する要素には、図１と同じ参照符
号を付している。以下、第１実施例との相違点に着目し
ながら、第２実施例を説明する。

【００８０】図１１に示すように、第２実施例の走査型
露光装置には、プリズムミラー１００と屈折レンズ１０
１と凹面反射鏡１０２とからなる反射屈折型の投影光学
系が搭載されている。したがって、第２実施例におい
て、マスク１２からの光は、プリズムミラー１００の第
１反射面１００ａで反射された後、屈折レンズ１０１を
介して凹面反射鏡１０２に入射する。凹面反射鏡１０２
で反射された光は、屈折レンズ１０１を介した後、プリ
ズムミラー１００の第２反射面１００ｂで反射され、プ
レート１４上にマスクパターンの等倍正立像を形成す
る。したがって、走査露光に際して、第１実施例ではマ
スクとプレートとを逆の向きに走査するが、第２実施例
ではマスクとプレートとを同じ向きに同じ速度で走査す
ることになる。

【００８１】また、第２実施例では、マスクブラインド
９を構成する一対のブラインドのうち固定ブラインド３
１に、スリット状（細長い矩形状）の光透過部が形成さ
れている。図１２に示すように、固定ブラインド３１の
スリット状の光透過部は、その中央に形成されて光をほ
ぼ１００％透過させる透光領域３１ｄと、その両端部に
形成されて透光領域と接する側から光の透過率が線形的
に減少するように構成された減光領域３１ｅとから構成
されている。図１２に示すように、減光領域３１ｅに
は、たとえば５μｍ以下の大きさの微小遮光部が所定の
パターンにしたがって形成されている。その結果、この
減光領域３１ｅを介してマスク上に形成される照明領域
の照度分布は、ひいてはプレート上に形成される露光視
野の照度分布（露光量分布）は走査直交方向に沿ってほ
ぼ線形変化することになる。なお、マスクブラインド９
を構成する一対のブラインドのうち可動ブラインド３２
は、第１実施例と同様に直線エッジが形成された遮光部
を有する直線エッジブラインドである。そして、直線エ
ッジブラインド３２の直線エッジは固定ブラインド３１
のスリット状の光透過部の長手方向と平行であり、直線
エッジブラインド３２はスリット状の光透過部の長手方
向と直交する方向に移動可能に構成されている。

【００８２】したがって、第２実施例においても、第１
実施例と同様の手順にしたがって４つの単位露光領域に
対して走査露光を行うことができる。すなわち、第２実
施例においても、単位露光領域の走査直交方向の重複露
光領域では、固定ブラインド３１のスリット状の光透過
部に形成された減光領域３１ｅの作用により、線形変化
する所望の露光量分布を得ることができる。また、単位
露光領域の走査方向の重複露光領域では、固定ブライン
ド３１のスリット状の光透過部を走査露光中に徐々に遮
ったり徐々に開放したりする直線エッジブラインド３２
の作用により、線形変化する所望の露光量分布を得るこ
とができる。その結果、第２実施例においても、重複露
光領域の露光量分布を非重複露光領域の露光量分布とほ
ぼ一致させることができ、露光量ムラがほとんど発生し
ない。

【００８３】なお、隣接する単位露光領域との間でオー
バーラップさせない通常の走査露光にも対応することが
できるように、減光領域の形成されていないスリット状
の光透過部が形成された他の固定ブラインドも用意し、
２つの固定ブラインドを切り換え可能に構成することが
好ましい。また、図１２では、１枚のガラス基板上に微
小遮光部のパターンを形成することにより固定ブライン
ド３１を構成しているが、例えばＬ字形の２枚のブライ
ンドを重ね合わせることにより固定ブラインドを構成し
てもよい。

【００８４】図１３は、本発明の第３実施例にかかる露
光装置の構成を概略的に示す図である。第３実施例にお
いても第１実施例および第２実施例と同様に、大型の液
晶表示素子の製造に用いられる走査型の投影露光装置に
本発明を適用している。第３実施例は第２実施例と類似
の構成を有するが、照明光学系の構成および投影光学系
の構成だけが第２実施例と基本的に相違している。した
がって、図１３において第２実施例の構成要素と同様の
機能を有する要素には、図１１と同じ参照符号を付して
いる。以下、第２実施例との相違点に着目しながら、第
３実施例を説明する。

【００８５】図１３に示すように、第３実施例の走査型
露光装置には、第２実施例の投影光学系と同じ構成を有
する２つの反射屈折型結像光学系Ｋ１およびＫ２からな
る投影光学系が搭載されている。したがって、第３実施
例において、マスク１２からの光は、第１結像光学系Ｋ
１のプリズムミラー１１０の第１反射面１１０ａで反射
された後、屈折レンズ１１１を介して凹面反射鏡１１２
に入射する。凹面反射鏡１１２で反射された光は、屈折
レンズ１１１を介した後、プリズムミラー１１０の第２
反射面１１０ｂで反射され、マスクパターンの中間像を
形成する。

【００８６】マスクパターンの中間像からの光は、第２
結像光学系Ｋ２のプリズムミラー１２０の第１反射面１
２０ａで反射された後、屈折レンズ１２１を介して凹面
反射鏡１２２に入射する。凹面反射鏡１２２で反射され
た光は、屈折レンズ１２１を介した後、プリズムミラー
１２０の第２反射面１２０ｂで反射され、プレート１４
上にマスクパターンの等倍正立正像を形成する。したが
って、走査露光に際して、第３実施例においても第２実
施例と同様に、マスクとプレートとを同じ向きに同じ速
度で走査することになる。

【００８７】第３実施例の投影光学系は、第２実施例の
投影光学系を２つ直列に接続した光学系であって、例え
ば特開平８−２１１２９４号公報に記載されている光学
系である。この種の投影光学系では、投影視野（収差補
正されたフィールド）がほぼ半円形状となり、露光視野
の形状を台形状に設定すれば投影光学系の投影視野を有
効に利用することができる。また、この種の投影光学系
では、中間像の形成位置がマスクおよびプレートと共役
な位置となるので、投影光学系内において中間像の形成
位置の近傍に視野絞りを配置することができ、照明光学
系内に特にマスクブラインドを設ける必要がない。その
代わりに、投影光学系内において中間像が形成される位
置の近傍に固定ブラインド３１と可動ブラインド３２と
を設け、第１実施例および第２実施例と同様の手順にし
たがってブラインドの駆動動作を行えばよい。

【００８８】また、第３実施例では、正立正像を形成す
る投影光学系用いているので、以下のように照明光学系
の構成を簡素化することができる。図１３を参照する
と、照明光学系において、光源１から射出された照明光
束は、ミラー３を介して、楕円鏡２の第２焦点位置Ｐ１
に光源像を形成する。楕円鏡２の第２焦点位置Ｐ１に形
成された光源像からの光束は、集光レンズ１３１を介し
て、光ファイバーのようなライドガイド１３２の入射面
に入射する。ライドガイド１３２の内部を伝搬してその
射出面から射出された光は、コレクターレンズ１３３に
よりほぼ平行な光束に変換された後、フライアイインテ
グレータ１３４に入射する。フライアイインテグレータ
１３４に入射した光束は、多数のレンズエレメントによ
り二次元的に分割され、フライアイインテグレータ１３
４の後側焦点面（すなわち射出面の近傍）にレンズエレ
メントの数と同数の光源像を形成する。フライアイイン
テグレータ１３４の後側焦点面に形成された多数の光源
像からの光束は、折り曲げミラー１３５およびリレーレ
ンズ１３６を介した後、マスク１２を重畳的に照明す
る。

【００８９】なお、第３実施例では、投影光学系内にブ
ラインド９を配置する構成としているが、当然に照明光
学系内においてプレートまたはマスクとほぼ共役な位置
にマスクブラインドを配置してもよい。この場合、ブラ
インドの駆動系を投影光学系の外部に設けることができ
るため、駆動系による振動等の影響を投影光学系に与え
ずに済むという利点がある。

【００９０】また、第３実施例の照明光学系では、ライ
トガイドファイバーを用いてスリット状の照明領域に対
する照明効率を向上させている。この場合、ランダム性
の高いファイバーを用いることにより、ファイバー入射
側に遮光ブラインド（シャッター等）を設け、遮光ブラ
インドで一部の光束を制限しても、制限された光束に基
づいてファイバー射出側では均一化された所望断面の光
束が形成される。したがって、走査方向の重複露光領域
を走査露光する際に遮光ブラインドで遮る光束の量を変
化させることにより、露光視野の照度を徐々に低下させ
たり逆に徐々に増大させたりして、所望の露光量分布を
得ることができる。

【００９１】また、各実施例中に記載されている方式の
他に上述の方式の補完的な方法として、ブラインドまた
はシャッターを制御し切れない部分については、マスク
およびプレートの走査速度を制御することにより、走査
方向の重複露光領域における照度分布（露光量分布）を
所望の分布に規定することができる。

【００９２】さらに、上述の各実施例では、液晶表示素
子を製造する露光装置に本発明を適用しているが、半導
体素子を製造する露光装置に対して本発明を適用するこ
ともできる。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
部分的に重なり合う複数の単位露光領域からなる最終的
な大型の露光領域において重複露光領域と非重複露光領
域とに亘ってほぼ均一な露光量分布を得ることができ、
露光量ムラがほとんど発生しない。その結果、感光性基
板上で画面合成により形成された大面積のパターンにお
いてパターン継ぎ目に欠陥のない高精度で良好なデバイ
スを製造することができる。

【００９４】また、ステップ・アンド・スキャン方式を
用いているので、露光視野としてほぼ一次元的な形状で
あるスリット状の視野を利用することにより、投影光学
系のディストーション等の収差の影響が小さく抑えられ
る。また、スリット状の露光視野の幅で平均された像が
感光性基板に露光されることになるため、収差も平均化
される。その結果、パターンの転写の忠実性が飛躍的に
向上するだけでなく、投影光学系のレンズ全長を小型化
することができる。また、１回の走査露光により焼き付
けられる露光領域の大きさが投影光学系の投影視野の直
径によって規定されるので、結果的に投影光学系のレン
ズ径を小さくすることができ、コスト的に非常に有利で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例にかかる露光装置の構成を
概略的に示す斜視図である。

【図２】図１のマスクブラインド９の要部構成を示す図
である。

【図３】第１実施例において用いられる４枚のマスク１
２ａ〜１２ｄの構成を示す図である。

【図４】４枚のマスク１２ａ〜１２ｄを用いた画面継ぎ
走査露光によりプレート１４上に形成されるデバイスパ
ターンを示す図である。

【図５】プレート１４上の第１単位露光領域ＥＡ１に走
査露光する際のマスクブラインド９の動作を説明する図
である。

【図６】プレート１４上の第３単位露光領域ＥＡ３に走
査露光する際のマスクブラインド９の動作を説明する図
である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は第１および第２のマスクを介
してプレート上で形成される４重複露光領域の露光量分
布を数値的に示す図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は第３および第４のマスクを介
してプレート上で形成される４重複露光領域の露光量分
布を数値的に示す図である。

【図９】４回の走査露光によりプレート１４上で最終的
に形成される４重複露光領域の露光量分布を数値的に示
す図である。

【図１０】マスクブラインドの変形例を示す図である。

【図１１】本発明の第２実施例にかかる露光装置の構成
を概略的に示す図である。

【図１２】第２実施例におけるマスクブラインドの固定
ブラインドに形成されたスリット状の光透過部の構成を
示す図である。

【図１３】本発明の第３実施例にかかる走査型露光装置
の構成を概略的に示す図である。

【符号の説明】

１ 光源 ２ 楕円反射鏡 ３ 第２焦点位置 ４ コレクターレンズ ５ 第１フライアイインテグレーター ６ 第１リレーレンズ ７ 第２フライアイインテグレーター ８ 第２リレーレンズ ９ マスクブラインド １０ ブラインドリレー系 １１ ミラー １２ マスク １３ 投影光学系 １４ プレート １５ マスクステージ １６ マスク干渉計 １７ 基板ステージ １８ プレート干渉計 １９ マスクアライメント系 ２０ プレートアライメント系

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H087 KA21 LA24 RA26 RA37 TA01 TA03 5F046 BA05 CA02 CB02 CB03 CB05 CB06 CB08 CB12 CB13 CB17 CB23 CC02 DA02 9A001 HH28 HH34 JJ46 KK16 KK36 KK42 KZ29 KZ37

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の被照明面に設定されたマスクを照
   明光で照明する照明系と、前記マスクのパターン像を所
   定の露光視野のもとで感光性基板に投影する投影系と、
   被照明面に複数のマスクを順次設定するマスク交換手段
   とを備え、前記感光性基板上にて一部重複した複数の単
   位露光領域のそれぞれに前記複数のマスクのパターン像
   を順次露光する露光装置において、 前記単位露光領域にて前記複数のマスクのパターン像を
   順次走査露光するために、前記投影系に対して前記マス
   クと前記感光性基板とを所定の走査方向に相対的に移動
   させる走査手段と、 前記複数の単位露光領域が一部重複した重複露光領域と
   該重複露光領域以外の非重複露光領域とに亘って露光量
   分布がほぼ均一となるように、前記重複露光領域を走査
   露光するときに前記露光視野を変化させる露光視野制御
   手段とを備えていることを特徴とする露光装置。
2. 【請求項２】 前記露光視野制御手段は、前記走査方向
   と交差する重複露光領域での前記走査方向の露光量をほ
   ぼ一定に保つために、前記走査方向と交差する重複露光
   領域を走査露光するときに前記走査方向での前記露光視
   野を変化させることを特徴とする請求項１に記載の露光
   装置。
3. 【請求項３】 前記露光視野制御手段は、前記照明系ま
   たは前記投影系の光路中に配置されて前記露光視野を形
   成する視野絞りと、前記露光視野の少なくとも一部を制
   限する露光視野制限部材と、前記露光視野を変化させる
   ために前記視野絞りと前記露光視野制限部材とを相対的
   に移動させる駆動手段とを有することを特徴とする請求
   項１または２に記載の露光装置。
4. 【請求項４】 感光性基板上にて互いに一部重複した複
   数の単位露光領域のそれぞれに複数のマスクのパターン
   像を所定の露光視野を有する投影系を用いて順次露光す
   る露光方法において、 前記単位露光領域にて前記複数のマスクのパターン像を
   順次走査露光するために、前記投影系に対して前記マス
   クと前記感光性基板とを所定の走査方向に相対的に移動
   させる走査工程と、 前記複数の単位露光領域が一部重複した重複露光領域で
   の露光量をほぼ一定に保つために、前記重複露光領域を
   走査露光するときに前記露光視野を変化させる露光視野
   可変工程とを有することを特徴とする露光方法。
5. 【請求項５】 感光性基板上にて互いに一部重複した複
   数の単位露光領域のそれぞれに複数のマスクのパターン
   像を所定の露光視野を有する投影系を用いて順次露光す
   る露光方法において、 前記単位露光領域にて前記複数のマスクのパターン像を
   順次走査露光するために、前記投影系に対して前記マス
   クと前記感光性基板とを所定の走査方向に相対的に移動
   させる走査工程と、 前記複数の単位露光領域が一部重複した重複露光領域と
   該重複露光領域以外の非重複露光領域とに亘って露光量
   分布がほぼ均一となるように、前記重複露光領域での露
   光量を調整する露光量調整工程とを有することを特徴と
   する露光方法。