JP3279311B2 - 投影露光方法及び装置、並びに前記方法を用いた回路素子製造方法 - Google Patents
投影露光方法及び装置、並びに前記方法を用いた回路素子製造方法Info
- Publication number
- JP3279311B2 JP3279311B2 JP2001037738A JP2001037738A JP3279311B2 JP 3279311 B2 JP3279311 B2 JP 3279311B2 JP 2001037738 A JP2001037738 A JP 2001037738A JP 2001037738 A JP2001037738 A JP 2001037738A JP 3279311 B2 JP3279311 B2 JP 3279311B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- projection
- numerical aperture
- illumination
- projection exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7025—Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造用の
リソグラフィー工程で使用して好適な投影露光方法及び
投影露光装置に関する。
リソグラフィー工程で使用して好適な投影露光方法及び
投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体素子又は液晶基板等をリソ
グラフィー技術を用いて製造する工程において、回路パ
ターン等のレチクルパターンを投影光学系を介して基板
上に所定の倍率で転写する投影露光装置が使用されてい
る。斯かる投影露光装置においては、転写対象となるパ
ターンの線幅が例えば０．５μｍ以下ときわめて微細化
している。このような微細な線幅のパターンを良好に結
像するためには投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくす
る必要がある。また、レチクルとして近時は光の干渉効
果を積極的に活用した所謂位相シフトレチクル等も使用
されるようになっているが、このような位相シフトレチ
クルに対しては露光光のコヒーレンシィを高める必要が
ある。
グラフィー技術を用いて製造する工程において、回路パ
ターン等のレチクルパターンを投影光学系を介して基板
上に所定の倍率で転写する投影露光装置が使用されてい
る。斯かる投影露光装置においては、転写対象となるパ
ターンの線幅が例えば０．５μｍ以下ときわめて微細化
している。このような微細な線幅のパターンを良好に結
像するためには投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくす
る必要がある。また、レチクルとして近時は光の干渉効
果を積極的に活用した所謂位相シフトレチクル等も使用
されるようになっているが、このような位相シフトレチ
クルに対しては露光光のコヒーレンシィを高める必要が
ある。
【０００３】図６は従来の投影露光装置の照明系の模式
図であり、この図６において、２次光源としてのフライ
アイレンズ１から射出されてその射出面（レチクル側焦
点面）近傍に配置された可変開口絞り２の開口部を通過
した露光光は、アウトプットレンズ３により略々平行な
光束に変換される。この略々平行な光束の内で可変視野
絞りとしてのレチクルブラインド４の開口部を通過した
光束が、リレーレンズ５及び主コンデンサレンズ６によ
り略々平行で大口径の露光光ＩＬに変換されてレチクル
７をほぼ均一な照度で照明する。レチクル７のパターン
形成面とレチクルブラインド４の開口部とは光学的に共
役な位置関係にあり、レチクルブラインド４の開口部の
形状を変えることにより、レチクル７上の照明領域の形
状、大きさを任意に設定することができる。
図であり、この図６において、２次光源としてのフライ
アイレンズ１から射出されてその射出面（レチクル側焦
点面）近傍に配置された可変開口絞り２の開口部を通過
した露光光は、アウトプットレンズ３により略々平行な
光束に変換される。この略々平行な光束の内で可変視野
絞りとしてのレチクルブラインド４の開口部を通過した
光束が、リレーレンズ５及び主コンデンサレンズ６によ
り略々平行で大口径の露光光ＩＬに変換されてレチクル
７をほぼ均一な照度で照明する。レチクル７のパターン
形成面とレチクルブラインド４の開口部とは光学的に共
役な位置関係にあり、レチクルブラインド４の開口部の
形状を変えることにより、レチクル７上の照明領域の形
状、大きさを任意に設定することができる。
【０００４】そして、レチクル７のパターン形成面のパ
ターンが投影レンズ８によりウェハ９の露光面に所定の
倍率で転写される。投影レンズ８の瞳面Ｐ１には可変開
口絞り１０が配置されており、可変開口絞り２と可変開
口絞り１０とは光学的に共役な位置関係にある。
ターンが投影レンズ８によりウェハ９の露光面に所定の
倍率で転写される。投影レンズ８の瞳面Ｐ１には可変開
口絞り１０が配置されており、可変開口絞り２と可変開
口絞り１０とは光学的に共役な位置関係にある。
【０００５】投影露光装置の照明系の特性を表す数値と
しては一般に、投影レンズの開口数ＮＡと露光光のコヒ
ーレンシィを表すσ値とが用いられる。図６を参照して
開口数とσ値について説明するに、図６において、投影
レンズ８の瞳面Ｐ１の可変開口絞り１０により、投影レ
ンズ８のレチクル７側からの光束が通過できる最大の角
度θR 及び投影レンズ８からウェハ９側に落射する光束
の最大の角度θW は所定の値に制限されている。投影レ
ンズ８の開口数ＮＡPLはｓｉｎθW であり、投影倍率を
１／ｍとすると、ｓｉｎθR ＝ｓｉｎθW ／ｍの関係に
ある。また、露光光ＩＬがレチクル７に入射するときの
最大の入射角をθILとすると、露光光ＩＬを生成する照
明系のσ値であるσILは次のように定義される。
しては一般に、投影レンズの開口数ＮＡと露光光のコヒ
ーレンシィを表すσ値とが用いられる。図６を参照して
開口数とσ値について説明するに、図６において、投影
レンズ８の瞳面Ｐ１の可変開口絞り１０により、投影レ
ンズ８のレチクル７側からの光束が通過できる最大の角
度θR 及び投影レンズ８からウェハ９側に落射する光束
の最大の角度θW は所定の値に制限されている。投影レ
ンズ８の開口数ＮＡPLはｓｉｎθW であり、投影倍率を
１／ｍとすると、ｓｉｎθR ＝ｓｉｎθW ／ｍの関係に
ある。また、露光光ＩＬがレチクル７に入射するときの
最大の入射角をθILとすると、露光光ＩＬを生成する照
明系のσ値であるσILは次のように定義される。
【数１】 σIL＝ｓｉｎθIL／ｓｉｎθR ＝ｍ・ｓｉｎθIL／ｓｉｎθW
【０００６】一般に開口数ＮＡが大きい程解像度は向上
するが、焦点深度が浅くなる。一方、σ値が小さい程に
露光光ＩＬのコヒーレンシィが良くなるため、σ値が小
さくなるとパターンのエッジが強調され、σ値が大きい
とパターンのエッジがぼけるようになる。従って、パタ
ーンの結像特性は開口数ＮＡとσ値とでほぼ決って来
る。また、可変開口絞り２によりσ値が変化すると、投
影レンズ８の瞳面Ｐ１における照度分布が変化する。
するが、焦点深度が浅くなる。一方、σ値が小さい程に
露光光ＩＬのコヒーレンシィが良くなるため、σ値が小
さくなるとパターンのエッジが強調され、σ値が大きい
とパターンのエッジがぼけるようになる。従って、パタ
ーンの結像特性は開口数ＮＡとσ値とでほぼ決って来
る。また、可変開口絞り２によりσ値が変化すると、投
影レンズ８の瞳面Ｐ１における照度分布が変化する。
【０００７】図７を参照して、図６の従来の投影露光装
置でウェハ上にレチクルパターンを露光する場合のシー
ケンスにつき説明する。この場合、先ずステップ１０１
において、オペレータはマニュアルで投影レンズ８の可
変開口絞り１０を操作して、投影レンズ８の開口数ＮＡ
を転写対象のレチクル上の最小線幅を解像できる程度の
値に設定する。次に、オペレータは可変開口絞り２を操
作することにより、転写対象のレチクル７に合わせて照
明系のσ値を設定した後に、転写対象のレチクルをレチ
クルホルダーにセットする（ステップ１０２）。
置でウェハ上にレチクルパターンを露光する場合のシー
ケンスにつき説明する。この場合、先ずステップ１０１
において、オペレータはマニュアルで投影レンズ８の可
変開口絞り１０を操作して、投影レンズ８の開口数ＮＡ
を転写対象のレチクル上の最小線幅を解像できる程度の
値に設定する。次に、オペレータは可変開口絞り２を操
作することにより、転写対象のレチクル７に合わせて照
明系のσ値を設定した後に、転写対象のレチクルをレチ
クルホルダーにセットする（ステップ１０２）。
【０００８】その後、複数枚のウェハに順次投影レンズ
８を介してそのレチクルのマスクパターンを転写する
（ステップ１０３）。そして、転写対象である次のレチ
クルの最適な開口数ＮＡ及び照明系のσ値が異なる場合
には、オペレータはステップ１０４においてマニュアル
で可変開口絞り１０及び可変開口絞り２の調整を行う。
その後、レチクルを交換した後に（ステップ１０５）、
再び複数枚のウェハに対する露光処理が行われる（ステ
ップ１０６）。
８を介してそのレチクルのマスクパターンを転写する
（ステップ１０３）。そして、転写対象である次のレチ
クルの最適な開口数ＮＡ及び照明系のσ値が異なる場合
には、オペレータはステップ１０４においてマニュアル
で可変開口絞り１０及び可変開口絞り２の調整を行う。
その後、レチクルを交換した後に（ステップ１０５）、
再び複数枚のウェハに対する露光処理が行われる（ステ
ップ１０６）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
投影露光装置においては開口数ＮＡ及びσ値の両パラメ
ータは装置定数であるため、オペレータが一度マニュア
ルで設定を行うと一連の露光シーケンスの中でそれら両
パラメータを変えることはできなかった。しかしなが
ら、最適な開口数ＮＡ及びσ値は、レチクル上の投影露
光するパターンの最小線幅又はレチクル上のマスクパタ
ーンに対するウェハ上の転写パターンの寸法忠実度等の
要求される結像性能によって異なるものである。
投影露光装置においては開口数ＮＡ及びσ値の両パラメ
ータは装置定数であるため、オペレータが一度マニュア
ルで設定を行うと一連の露光シーケンスの中でそれら両
パラメータを変えることはできなかった。しかしなが
ら、最適な開口数ＮＡ及びσ値は、レチクル上の投影露
光するパターンの最小線幅又はレチクル上のマスクパタ
ーンに対するウェハ上の転写パターンの寸法忠実度等の
要求される結像性能によって異なるものである。
【００１０】従って、例えば所謂特定用途向けＩＣ（Ａ
ＳＩＣ）を製造するような場合で、同一ウェハ上に最適
な結像パラメータの値が異なる複数種類のデバイスチッ
プのパターンを露光するような場合には、従来は途中で
パラメータの値を変更することができないため、パラメ
ータの値をそれら複数種類のパターンの内の或る特定の
パターンのみに対する最適値に設定せざるを得なかっ
た。これはその他のパターンは必ずしも最適な結像条件
では露光されていなかったことを意味する。同様に、レ
チクル中に最適なパラメータの値が異なる複数のパター
ンが存在するような場合にも、従来はパラメータの値を
その内の或る特定のパターンのみに対する最適値に設定
せざるを得なかった。
ＳＩＣ）を製造するような場合で、同一ウェハ上に最適
な結像パラメータの値が異なる複数種類のデバイスチッ
プのパターンを露光するような場合には、従来は途中で
パラメータの値を変更することができないため、パラメ
ータの値をそれら複数種類のパターンの内の或る特定の
パターンのみに対する最適値に設定せざるを得なかっ
た。これはその他のパターンは必ずしも最適な結像条件
では露光されていなかったことを意味する。同様に、レ
チクル中に最適なパラメータの値が異なる複数のパター
ンが存在するような場合にも、従来はパラメータの値を
その内の或る特定のパターンのみに対する最適値に設定
せざるを得なかった。
【００１１】本発明は斯かる点に鑑み、同一ウェハ上に
開口数ＮＡ及びσ値等の結像パラメータの最適な値が異
なる複数のデバイスチップを露光するような場合、又は
最適パラメータが異なる複数のパターンが存在するレチ
クル上のそれら複数のパターンを同一ウェハ上に順次露
光するような場合でも、全体として最適な結像特性を得
ることができる投影露光方法及び装置を提供することを
目的とする。
開口数ＮＡ及びσ値等の結像パラメータの最適な値が異
なる複数のデバイスチップを露光するような場合、又は
最適パラメータが異なる複数のパターンが存在するレチ
クル上のそれら複数のパターンを同一ウェハ上に順次露
光するような場合でも、全体として最適な結像特性を得
ることができる投影露光方法及び装置を提供することを
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光方
法は、照明系からの照明光束（ＩＬ）でマスク（７）上
のパターンを照明し、このマスク上のパターンの像を投
影光学系（８）を介して基板（９）上に転写する投影露
光方法において、そのパターンの転写中に以下の（Ａ
１）〜（Ａ５）のいずれかを変化させるものである。 （Ａ１）その照明系の開口数 （Ａ２）その照明系の開口数及びその投影光学系の開口
数 （Ａ３）その照明系のσ値 （Ａ４）その照明系のσ値及びその投影光学系の開口数 （Ａ５）その投影光学系の開口数
法は、照明系からの照明光束（ＩＬ）でマスク（７）上
のパターンを照明し、このマスク上のパターンの像を投
影光学系（８）を介して基板（９）上に転写する投影露
光方法において、そのパターンの転写中に以下の（Ａ
１）〜（Ａ５）のいずれかを変化させるものである。 （Ａ１）その照明系の開口数 （Ａ２）その照明系の開口数及びその投影光学系の開口
数 （Ａ３）その照明系のσ値 （Ａ４）その照明系のσ値及びその投影光学系の開口数 （Ａ５）その投影光学系の開口数
【００１３】また、本発明による回路素子製造方法は、
本発明のいずれかの投影露光方法を用いて、そのマスク
上に形成された回路パターンをその基板上に転写する工
程を含むものである。
本発明のいずれかの投影露光方法を用いて、そのマスク
上に形成された回路パターンをその基板上に転写する工
程を含むものである。
【００１４】次に、本発明による投影露光装置は、マス
ク（７）上に形成されたパターンを照明光束（ＩＬ）で
照明する照明系（１５〜２１，１，３〜６，３２）と、
その照明光束で照明されたパターンの像を、基板（９）
上に投影する投影光学系（８）と、そのパターンのその
基板上への投影中に以下の（Ｂ１）〜（Ｂ５）のいずれ
かを変化させる制御系（３４，３５）とを有するもので
ある。 （Ｂ１）その照明系の開口数 （Ｂ２）その照明系の開口数及びその投影光学系の開口
数 （Ｂ３）その照明系のσ値 （Ｂ４）その照明系のσ値及びその投影光学系の開口数 （Ｂ５）その投影光学系の開口数
ク（７）上に形成されたパターンを照明光束（ＩＬ）で
照明する照明系（１５〜２１，１，３〜６，３２）と、
その照明光束で照明されたパターンの像を、基板（９）
上に投影する投影光学系（８）と、そのパターンのその
基板上への投影中に以下の（Ｂ１）〜（Ｂ５）のいずれ
かを変化させる制御系（３４，３５）とを有するもので
ある。 （Ｂ１）その照明系の開口数 （Ｂ２）その照明系の開口数及びその投影光学系の開口
数 （Ｂ３）その照明系のσ値 （Ｂ４）その照明系のσ値及びその投影光学系の開口数 （Ｂ５）その投影光学系の開口数
【００１５】
【作用】斯かる本発明の投影露光方法、及び投影露光装
置によれば、最適な結像パラメータの値が異なる複数種
類のパターンが同一面に形成され、且つ１つのマスク上
に複数種の線幅のパターンが複雑に入り組んでいて、線
幅毎に複数のマスクやマスクパターンに分けて対応する
ことが困難な場合でも、各線幅に対して最良ではないが
次善の結像特性を得ることができ、パターン全体として
みれば最良の結像特性を得ることができる。
置によれば、最適な結像パラメータの値が異なる複数種
類のパターンが同一面に形成され、且つ１つのマスク上
に複数種の線幅のパターンが複雑に入り組んでいて、線
幅毎に複数のマスクやマスクパターンに分けて対応する
ことが困難な場合でも、各線幅に対して最良ではないが
次善の結像特性を得ることができ、パターン全体として
みれば最良の結像特性を得ることができる。
【００１６】また、本発明の投影露光装置を使用すれ
ば、上記の投影露光方法を直接に実施することができ
る。
ば、上記の投影露光方法を直接に実施することができ
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図１〜図５を
参照して説明する。本例は図６の従来例と同様にステッ
プアンドリピート方式の半導体素子製造用縮小投影露光
装置に本発明を適用したものであり、その図１において
図６に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明
を省略する。図１は本例の投影露光装置の全体の構成を
示し、この図１において、レチクル７をレチクルホルダ
ー１１に保持し、レチクルホルダー１１の近傍にバーコ
ードリーダ１２を配置する。レチクル７のパターン領域
ＰＡの外側にはそのレチクルの種類を表すバーコードＢ
Ｃが形成され、レチクル７をレチクルホルダー１１にセ
ットする際にバーコードリーダ１２でそのバーコードＢ
Ｃを読み取ることにより、レチクル７の名称を判別する
ことができる。詳しく述べると、後述の主制御装置３５
内には、この投影露光装置で扱うべき複数枚のレチクル
の名称と、各名称に対応したステッパーの動作パラメー
タとが予め登録されている。そして、主制御装置３５は
バーコードリーダ１２がバーコードＢＣを読み取ると、
その名称に対応した動作パラメータの１つとして、予め
登録されているレチクルに対する照明条件に関する情報
に基づいて、後述の回転板２１、レチクルブラインド
４、及び可変開口絞り１０，３０を駆動することにな
る。以上の動作は、キーボードからオペレータがコマン
ドとデータとを主制御装置３５へ直接入力することによ
っても実行できる。尚、上記情報はレチクルの種類やそ
のパターンの微細度、周期性等に対応している。
参照して説明する。本例は図６の従来例と同様にステッ
プアンドリピート方式の半導体素子製造用縮小投影露光
装置に本発明を適用したものであり、その図１において
図６に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明
を省略する。図１は本例の投影露光装置の全体の構成を
示し、この図１において、レチクル７をレチクルホルダ
ー１１に保持し、レチクルホルダー１１の近傍にバーコ
ードリーダ１２を配置する。レチクル７のパターン領域
ＰＡの外側にはそのレチクルの種類を表すバーコードＢ
Ｃが形成され、レチクル７をレチクルホルダー１１にセ
ットする際にバーコードリーダ１２でそのバーコードＢ
Ｃを読み取ることにより、レチクル７の名称を判別する
ことができる。詳しく述べると、後述の主制御装置３５
内には、この投影露光装置で扱うべき複数枚のレチクル
の名称と、各名称に対応したステッパーの動作パラメー
タとが予め登録されている。そして、主制御装置３５は
バーコードリーダ１２がバーコードＢＣを読み取ると、
その名称に対応した動作パラメータの１つとして、予め
登録されているレチクルに対する照明条件に関する情報
に基づいて、後述の回転板２１、レチクルブラインド
４、及び可変開口絞り１０，３０を駆動することにな
る。以上の動作は、キーボードからオペレータがコマン
ドとデータとを主制御装置３５へ直接入力することによ
っても実行できる。尚、上記情報はレチクルの種類やそ
のパターンの微細度、周期性等に対応している。
【００１８】１３はウェハホルダー、１４はウェハステ
ージを示し、ウェハステージ１４は、投影レンズ８の光
軸に垂直な２次元平面内で位置決めできるＸＹステー
ジ、その光軸の方向に位置決めできるＺステージ及びレ
ベリングステージ等よりなる。ウェハステージ１４のＸ
Ｙステージ及びＺステージにはそれぞれ駆動機構及び座
標測定機構が組み込まれている。そのウェハステージ１
４の上に順にウェハホルダー１３及びウェハ９を載置す
る。
ージを示し、ウェハステージ１４は、投影レンズ８の光
軸に垂直な２次元平面内で位置決めできるＸＹステー
ジ、その光軸の方向に位置決めできるＺステージ及びレ
ベリングステージ等よりなる。ウェハステージ１４のＸ
Ｙステージ及びＺステージにはそれぞれ駆動機構及び座
標測定機構が組み込まれている。そのウェハステージ１
４の上に順にウェハホルダー１３及びウェハ９を載置す
る。
【００１９】次に、本例のレチクル７を照明する露光光
ＩＬ用の照明系の構成につき説明する。図１において、
１５はウェハ９上のレジスト層を感光させる波長帯の露
光光ＩＬを発生する露光用照明光源を示し、露光光ＩＬ
としては、水銀ランプの輝線（ｉ線、ｊ線等）、Ａｒ
Ｆ，ＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ光又は金属蒸気レ
ーザ若しくはＹＡＧレーザ等の高調波等を使用すること
ができる。その露光光ＩＬを楕円鏡１６で反射して１度
集束した後に、ミラー１９で反射してインプットレンズ
２０に向ける。楕円鏡１６とミラー１９との間（楕円鏡
１６の第２焦点近傍）にはシャッター１７を配置し、こ
のシャッター１７を駆動モータ１８で回転することによ
り必要に応じて露光光ＩＬを遮蔽する。
ＩＬ用の照明系の構成につき説明する。図１において、
１５はウェハ９上のレジスト層を感光させる波長帯の露
光光ＩＬを発生する露光用照明光源を示し、露光光ＩＬ
としては、水銀ランプの輝線（ｉ線、ｊ線等）、Ａｒ
Ｆ，ＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ光又は金属蒸気レ
ーザ若しくはＹＡＧレーザ等の高調波等を使用すること
ができる。その露光光ＩＬを楕円鏡１６で反射して１度
集束した後に、ミラー１９で反射してインプットレンズ
２０に向ける。楕円鏡１６とミラー１９との間（楕円鏡
１６の第２焦点近傍）にはシャッター１７を配置し、こ
のシャッター１７を駆動モータ１８で回転することによ
り必要に応じて露光光ＩＬを遮蔽する。
【００２０】インプットレンズ２０により略々平行光束
に変換された露光光ＩＬはオプティカルインテグレータ
としてのフライアイレンズ１に入射する。このフライア
イレンズ１の後（レチクル）側焦点面には、露光光ＩＬ
のほぼ均一な２次光源像が形成される。この２次光源像
が形成されている位置（すなわち照明光学系中のレチク
ルパターンのフリーエ変換面、又は共役面もしくはその
近傍の面内）に回転板２１を回転自在に取り付けて、回
転板２１を駆動モータ２２により所定の回転位置に位置
決めする。回転板２１には、図２に示すように、例えば
６種類の開口絞り２３〜２８を等角度間隔で形成する。
これらの開口絞りの内で、円形開口絞り２３及び２４は
それぞれ異なる直径の通常の円形の開口部２３ａ及び２
４ａを有し、輪帯開口絞り２５は輪帯状の開口部２５ａ
を有する。また、傾斜照明用の開口絞り２６及び２７は
それぞれ互いに直交する方向に配置された１対の微小開
口部２６ａ，２６ｂ及び２７ａ，２７ｂを有し、傾斜照
明用の開口絞り２８は光軸を中心として等距離に配置さ
れた４個の微小開口部２８ａ〜２８ｄを有する。例え
ば、開口絞り２６，２７，２８を用いるときは各開口部
からの照明光束のσ値が０．１〜０．３程度となるよう
に設定することが望ましい。さらにレチクルパターンの
微細度（ピッチ等）に応じて開口絞り２６〜２８の各々
における各開口部の位置を微調整できるように構成して
おくことが望ましい。また、開口絞り２４〜２８を用い
るときはレチクルまたはウェハ上での照度均一性が悪く
なり得るので、フライアイレンズ１の各エレメントを細
かくする（断面積を小さくする）ことが望ましい。さら
に別のインテグレータ（フライアイ型又はロッド型）を
追加して２段のインテグレータ構造としても良い。ま
た、開口絞り２６〜２８の使用時は光量ロスが大きいの
で、光ファイバー、多面プリズム等の光分割器を用い
て、開口絞り上の各開口部に露光光を導くように構成し
ておくと良い。
に変換された露光光ＩＬはオプティカルインテグレータ
としてのフライアイレンズ１に入射する。このフライア
イレンズ１の後（レチクル）側焦点面には、露光光ＩＬ
のほぼ均一な２次光源像が形成される。この２次光源像
が形成されている位置（すなわち照明光学系中のレチク
ルパターンのフリーエ変換面、又は共役面もしくはその
近傍の面内）に回転板２１を回転自在に取り付けて、回
転板２１を駆動モータ２２により所定の回転位置に位置
決めする。回転板２１には、図２に示すように、例えば
６種類の開口絞り２３〜２８を等角度間隔で形成する。
これらの開口絞りの内で、円形開口絞り２３及び２４は
それぞれ異なる直径の通常の円形の開口部２３ａ及び２
４ａを有し、輪帯開口絞り２５は輪帯状の開口部２５ａ
を有する。また、傾斜照明用の開口絞り２６及び２７は
それぞれ互いに直交する方向に配置された１対の微小開
口部２６ａ，２６ｂ及び２７ａ，２７ｂを有し、傾斜照
明用の開口絞り２８は光軸を中心として等距離に配置さ
れた４個の微小開口部２８ａ〜２８ｄを有する。例え
ば、開口絞り２６，２７，２８を用いるときは各開口部
からの照明光束のσ値が０．１〜０．３程度となるよう
に設定することが望ましい。さらにレチクルパターンの
微細度（ピッチ等）に応じて開口絞り２６〜２８の各々
における各開口部の位置を微調整できるように構成して
おくことが望ましい。また、開口絞り２４〜２８を用い
るときはレチクルまたはウェハ上での照度均一性が悪く
なり得るので、フライアイレンズ１の各エレメントを細
かくする（断面積を小さくする）ことが望ましい。さら
に別のインテグレータ（フライアイ型又はロッド型）を
追加して２段のインテグレータ構造としても良い。ま
た、開口絞り２６〜２８の使用時は光量ロスが大きいの
で、光ファイバー、多面プリズム等の光分割器を用い
て、開口絞り上の各開口部に露光光を導くように構成し
ておくと良い。
【００２１】図１のフライアイレンズ１による２次光源
形成面には、一例として回転板２１中の円形の開口部２
３ａが配置されている。開口部２３ａは投影レンズ８の
瞳面（フーリエ変換面）Ｐ１とほぼ共役である。開口部
２３ａより射出された露光光ＩＬはアウトプットレンズ
３により略々平行光束に変換されて可変視野絞りとして
のレチクルブラインド４に入射する。レチクルブライン
ド４の開口部は、駆動手段２９により任意の形状、大き
さに設定することができる。レチクルブラインド４の開
口部は、レチクル７のパターン領域ＰＡとほぼ共役であ
り、レチクルブラインド４を出た露光光ＩＬをリレーレ
ンズ５で一度集束する。この集束面Ｐ２は回転板２１の
開口絞り面、すなわちフライアイレンズ１の射出面（レ
チクル側焦点面）とほぼ共役であり、面Ｐ２に露光光Ｉ
Ｌ用の可変開口絞り３０を配置し、駆動手段３１により
その可変開口絞り３０の円形開口部の直径を任意の値に
設定する。尚、可変開口絞り３０はフライアイレンズ１
の射出面近傍に、回転板２１と極近接して配置するよう
にしても良い。
形成面には、一例として回転板２１中の円形の開口部２
３ａが配置されている。開口部２３ａは投影レンズ８の
瞳面（フーリエ変換面）Ｐ１とほぼ共役である。開口部
２３ａより射出された露光光ＩＬはアウトプットレンズ
３により略々平行光束に変換されて可変視野絞りとして
のレチクルブラインド４に入射する。レチクルブライン
ド４の開口部は、駆動手段２９により任意の形状、大き
さに設定することができる。レチクルブラインド４の開
口部は、レチクル７のパターン領域ＰＡとほぼ共役であ
り、レチクルブラインド４を出た露光光ＩＬをリレーレ
ンズ５で一度集束する。この集束面Ｐ２は回転板２１の
開口絞り面、すなわちフライアイレンズ１の射出面（レ
チクル側焦点面）とほぼ共役であり、面Ｐ２に露光光Ｉ
Ｌ用の可変開口絞り３０を配置し、駆動手段３１により
その可変開口絞り３０の円形開口部の直径を任意の値に
設定する。尚、可変開口絞り３０はフライアイレンズ１
の射出面近傍に、回転板２１と極近接して配置するよう
にしても良い。
【００２２】可変開口絞り３０を射出した露光光ＩＬの
主光線を主コンデンサレンズ６で略々平行光束に変換
し、この主光線が略々平行な露光光ＩＬをミラー３２で
反射してレチクル７に導く。レチクル７のパターン領域
ＰＡからレチクルブラインド４により選択された領域の
パターンが、投影レンズ８によりウェハ９の一連のショ
ット領域に露光される。また、投影レンズ８の瞳面Ｐ１
の近傍に配置された可変開口絞り１０の円形開口部の直
径は、駆動手段３３により任意の値に設定することがで
きる。
主光線を主コンデンサレンズ６で略々平行光束に変換
し、この主光線が略々平行な露光光ＩＬをミラー３２で
反射してレチクル７に導く。レチクル７のパターン領域
ＰＡからレチクルブラインド４により選択された領域の
パターンが、投影レンズ８によりウェハ９の一連のショ
ット領域に露光される。また、投影レンズ８の瞳面Ｐ１
の近傍に配置された可変開口絞り１０の円形開口部の直
径は、駆動手段３３により任意の値に設定することがで
きる。
【００２３】３４は露光コントローラ、３５は装置全体
の動作を制御する主制御装置を示し、露光コントローラ
３４は主制御装置３５からの指示により、モータ２２、
駆動手段２９、駆動手段３１及び駆動手段３３の動作を
制御する。即ち、露光コントローラ３４は、駆動手段３
３を介して可変開口絞り１０の開口部の調整を行うこと
により、投影レンズ８の開口数ＮＡを所望の値に設定す
ることができる。また、露光コントローラ３４は、モー
タ２２を介して回転板２１の位置決めを行うか又は駆動
手段３１を介して可変開口絞り３０の開口部の調整を行
うかの何れの方法によっても、露光光ＩＬ用の照明系の
開口数、ひいてはコヒーレンスファクターであるσ値を
所望の値に設定することができる。
の動作を制御する主制御装置を示し、露光コントローラ
３４は主制御装置３５からの指示により、モータ２２、
駆動手段２９、駆動手段３１及び駆動手段３３の動作を
制御する。即ち、露光コントローラ３４は、駆動手段３
３を介して可変開口絞り１０の開口部の調整を行うこと
により、投影レンズ８の開口数ＮＡを所望の値に設定す
ることができる。また、露光コントローラ３４は、モー
タ２２を介して回転板２１の位置決めを行うか又は駆動
手段３１を介して可変開口絞り３０の開口部の調整を行
うかの何れの方法によっても、露光光ＩＬ用の照明系の
開口数、ひいてはコヒーレンスファクターであるσ値を
所望の値に設定することができる。
【００２４】具体的に、レチクル７が通常のレチクルの
場合にはσ値は例えば０．５〜０．６に設定され、レチ
クル７が位相シフトレチクルの場合にはσ値は例えば
０．１〜０．４に設定される。更に、露光コントローラ
３４は、駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の
開口部の形状、大きさを制御することにより、レチクル
７のパターン領域ＰＡの所望の部分にのみ露光光ＩＬを
照明することができる。
場合にはσ値は例えば０．５〜０．６に設定され、レチ
クル７が位相シフトレチクルの場合にはσ値は例えば
０．１〜０．４に設定される。更に、露光コントローラ
３４は、駆動手段２９を介してレチクルブラインド４の
開口部の形状、大きさを制御することにより、レチクル
７のパターン領域ＰＡの所望の部分にのみ露光光ＩＬを
照明することができる。
【００２５】３６は露光データファイルを示し、この露
光データファイル３６には種々のレチクルの名称に対応
してパターン領域の形状及び最適な結像パラメータ等の
データが対応して記憶されている。最適な結像パラメー
タとしては、投影レンズの最適な開口数ＮＡ、照明系の
最適なσ値の他に、例えばレチクルに対する照明条件
（回転板２１のどの開口絞りを使うか）等が記憶されて
いる。更にレチクルのパターン領域ＰＡに複数のそれぞ
れ最適な結像パラメータが異なるパターンが形成されて
いる場合には、それら複数の領域の形状、大きさ及び各
領域の最適な結像パラメータのデータがその露光データ
ファイル３６に記憶されている。その露光データファイ
ル３６をバスラインを介して主制御装置３５と接続し、
バーコードリーダ１２をもバスラインを介して主制御装
置３５と接続する。主制御装置３５は、バーコードリー
ダ１２から送られて来るレチクル７のバーコードを用い
て、露光データファイル３６より露光対象としているレ
チクル７の最適な結像パラメータ等を認識することがで
き、この最適な結像パラメータ等の情報を露光コントロ
ーラ３４に供給する。
光データファイル３６には種々のレチクルの名称に対応
してパターン領域の形状及び最適な結像パラメータ等の
データが対応して記憶されている。最適な結像パラメー
タとしては、投影レンズの最適な開口数ＮＡ、照明系の
最適なσ値の他に、例えばレチクルに対する照明条件
（回転板２１のどの開口絞りを使うか）等が記憶されて
いる。更にレチクルのパターン領域ＰＡに複数のそれぞ
れ最適な結像パラメータが異なるパターンが形成されて
いる場合には、それら複数の領域の形状、大きさ及び各
領域の最適な結像パラメータのデータがその露光データ
ファイル３６に記憶されている。その露光データファイ
ル３６をバスラインを介して主制御装置３５と接続し、
バーコードリーダ１２をもバスラインを介して主制御装
置３５と接続する。主制御装置３５は、バーコードリー
ダ１２から送られて来るレチクル７のバーコードを用い
て、露光データファイル３６より露光対象としているレ
チクル７の最適な結像パラメータ等を認識することがで
き、この最適な結像パラメータ等の情報を露光コントロ
ーラ３４に供給する。
【００２６】次に、図１の投影露光装置の種々の露光動
作につき説明する。 ［第１の露光動作例］この例では、レチクル７上に第１
の領域及び第２の領域よりなる２つの半導体チップ用の
パターン領域があり、それぞれ最適な開口数ＮＡ及びσ
値が異なる場合を扱う。図３を参照してこの場合の動作
を説明する。先ず図３のステップ１０７において、レチ
クル７を図１のレチクルホルダー１１にセットする。こ
の際に、主制御装置３５はバーコードリーダ１２を介し
てレチクル７のバーコードＢＣを読み取り、レチクル７
の名称を判別する。そして、主制御装置３５は露光デー
タファイル３６のその判別した名称に対応する記憶領域
を参照することにより、レチクル７の２つの領域の各々
の最適な結像パラメータ及び２つの領域の形状、大きさ
を認識する。
作につき説明する。 ［第１の露光動作例］この例では、レチクル７上に第１
の領域及び第２の領域よりなる２つの半導体チップ用の
パターン領域があり、それぞれ最適な開口数ＮＡ及びσ
値が異なる場合を扱う。図３を参照してこの場合の動作
を説明する。先ず図３のステップ１０７において、レチ
クル７を図１のレチクルホルダー１１にセットする。こ
の際に、主制御装置３５はバーコードリーダ１２を介し
てレチクル７のバーコードＢＣを読み取り、レチクル７
の名称を判別する。そして、主制御装置３５は露光デー
タファイル３６のその判別した名称に対応する記憶領域
を参照することにより、レチクル７の２つの領域の各々
の最適な結像パラメータ及び２つの領域の形状、大きさ
を認識する。
【００２７】その後、ステップ１０８において、主制御
装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている
レチクル７の第１の領域の最適な結像パラメータ及びそ
の第１の領域の形状、大きさの情報を供給する。これに
対応して、先ず露光コントローラ３４は、レチクル７に
対する照明条件を設定するため、モータ２２を介して回
転板２１の中のレチクル７に合った開口絞りを選択して
設定する。この選択基準の一例としては、特に微細パタ
ーンに対しては開口絞り２６，２７，２８（この３つの
使い分けはレチクルパターンの周期性に応じて選択すれ
ば良い）を用い、線幅が厳しくないときは開口絞り２３
を用い、位相シフトレチクルには開口絞り２４（又は開
口絞り３０を使用しても良い）を用いる。開口絞り２６
は例えばＸ方向に配列された周期パターン、開口絞り２
７はＹ方向に配列された周期パターン、開口絞り２８は
２次元パターンに対して有効である。また、第１の領域
と第２の領域とで開口絞り２３〜２８を切り替えること
なく、開口数ＮＡ及びσ値のを変更するだけでも良い。
さらに、線幅に関係なく、第１の領域と第２の領域とで
そのパターンの周期性が互いに直交していたら、開口絞
り２６，２７を切り替えるようにしても良い。その後、
露光コントローラ３４は駆動手段３３を介して投影レン
ズ８の可変開口絞り１０を制御することにより、投影レ
ンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定する。そして、露
光コントローラ３４は、駆動手段３１を介して可変開口
絞り３０を制御することにより、照明系のσ値を最適な
値に設定する。次にステップ１０９において、露光コン
トローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブライン
ド４の開口部の形状をレチクル７の第１の領域の形状に
合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を行
う。
装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている
レチクル７の第１の領域の最適な結像パラメータ及びそ
の第１の領域の形状、大きさの情報を供給する。これに
対応して、先ず露光コントローラ３４は、レチクル７に
対する照明条件を設定するため、モータ２２を介して回
転板２１の中のレチクル７に合った開口絞りを選択して
設定する。この選択基準の一例としては、特に微細パタ
ーンに対しては開口絞り２６，２７，２８（この３つの
使い分けはレチクルパターンの周期性に応じて選択すれ
ば良い）を用い、線幅が厳しくないときは開口絞り２３
を用い、位相シフトレチクルには開口絞り２４（又は開
口絞り３０を使用しても良い）を用いる。開口絞り２６
は例えばＸ方向に配列された周期パターン、開口絞り２
７はＹ方向に配列された周期パターン、開口絞り２８は
２次元パターンに対して有効である。また、第１の領域
と第２の領域とで開口絞り２３〜２８を切り替えること
なく、開口数ＮＡ及びσ値のを変更するだけでも良い。
さらに、線幅に関係なく、第１の領域と第２の領域とで
そのパターンの周期性が互いに直交していたら、開口絞
り２６，２７を切り替えるようにしても良い。その後、
露光コントローラ３４は駆動手段３３を介して投影レン
ズ８の可変開口絞り１０を制御することにより、投影レ
ンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定する。そして、露
光コントローラ３４は、駆動手段３１を介して可変開口
絞り３０を制御することにより、照明系のσ値を最適な
値に設定する。次にステップ１０９において、露光コン
トローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブライン
ド４の開口部の形状をレチクル７の第１の領域の形状に
合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を行
う。
【００２８】そして、主制御装置３５は、ウェハステー
ジ１４を駆動してウェハ９の今回の露光領域である指定
ショット領域を投影レンズ８の光軸上にアライメントし
て（ステップ１１０）、レチクル７の第１の領域のパタ
ーンを投影レンズ８を介してウェハ９の指定ショット領
域に露光する（ステップ１１１）。次にステップ１１２
において、主制御装置３５は予め記憶された露光シーケ
ンスを調べることにより、レチクル７を交換するか否か
を判定する。本例ではレチクル７を交換することなく、
レチクル７の第２の領域のパターンを露光するので、動
作はステップ１１３に移行し、主制御装置３５は露光コ
ントローラ３４に露光対象としているレチクル７の第２
の領域の最適な結像パラメータ及びその第２の領域の形
状の情報を供給する。これに対応して、露光コントロー
ラ３４はモータ２２を介して回転板２１の中の所定の開
口絞りを設定した後に、駆動手段３３を介して投影レン
ズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定する。そして、露光
コントローラ３４は、駆動手段３１を介して照明系のσ
値を最適な値に設定する。
ジ１４を駆動してウェハ９の今回の露光領域である指定
ショット領域を投影レンズ８の光軸上にアライメントし
て（ステップ１１０）、レチクル７の第１の領域のパタ
ーンを投影レンズ８を介してウェハ９の指定ショット領
域に露光する（ステップ１１１）。次にステップ１１２
において、主制御装置３５は予め記憶された露光シーケ
ンスを調べることにより、レチクル７を交換するか否か
を判定する。本例ではレチクル７を交換することなく、
レチクル７の第２の領域のパターンを露光するので、動
作はステップ１１３に移行し、主制御装置３５は露光コ
ントローラ３４に露光対象としているレチクル７の第２
の領域の最適な結像パラメータ及びその第２の領域の形
状の情報を供給する。これに対応して、露光コントロー
ラ３４はモータ２２を介して回転板２１の中の所定の開
口絞りを設定した後に、駆動手段３３を介して投影レン
ズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定する。そして、露光
コントローラ３４は、駆動手段３１を介して照明系のσ
値を最適な値に設定する。
【００２９】次にステップ１１４において、露光コント
ローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド
４の開口部の形状、大きさをレチクル７の第２の領域の
形状、大きさに合わせることにより、レチクルブライン
ド４の設定を行う。この場合、ウェハ９の指定ショット
領域は前回と同じであるため、ウェハ９のアライメント
を行う必要はない。そこでステップ１１５において、主
制御装置３５は、レチクル７の第２の領域のパターンを
投影レンズ８を介してウェハ９の前回と同じ指定ショッ
ト領域に露光する。その後ステップ１１６において、ウ
ェハ９の全部のショット領域への露光が終了したかどう
かが判断され、終了していない場合には動作はステップ
１１２に移行する。終了している場合には動作はステッ
プ１１７に移行する。
ローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド
４の開口部の形状、大きさをレチクル７の第２の領域の
形状、大きさに合わせることにより、レチクルブライン
ド４の設定を行う。この場合、ウェハ９の指定ショット
領域は前回と同じであるため、ウェハ９のアライメント
を行う必要はない。そこでステップ１１５において、主
制御装置３５は、レチクル７の第２の領域のパターンを
投影レンズ８を介してウェハ９の前回と同じ指定ショッ
ト領域に露光する。その後ステップ１１６において、ウ
ェハ９の全部のショット領域への露光が終了したかどう
かが判断され、終了していない場合には動作はステップ
１１２に移行する。終了している場合には動作はステッ
プ１１７に移行する。
【００３０】ステップ１１７において、露光工程が終了
した場合には露光動作は終了するが、次のウェハに露光
する場合には動作はステップ１０７に移行して同様に露
光が行われる。このようにして、レチクル７上に複数の
それぞれ最適な結像パラメータが異なる領域が存在する
場合でも、それぞれについて最適な結像条件で露光を行
うことができる。尚、第１露光動作例ではウェハの１つ
１つのショット領域に対して第１レチクル上の第１の領
域と第２の領域のパターンを露光していったが（このと
き第２の領域のパターンを露光する際にはショット毎に
アライメントを行う必要がある）、ウェハ上の複数のシ
ョット領域のうち、第１レチクルの第１の領域のパター
ンを露光すべきショット領域の全てに対して第１の領域
のパターンを露光した後で、レチクルブラインド４を駆
動して先に第１の領域のパターンを露光した全てのショ
ット領域に対して第２の領域のパターンを露光するよう
にしても良い。以下、同一ウェハ上で露光が行われてい
ないショット領域については第２レチクル、第３レチク
ル、…を用いて上記と同様の動作で露光を行っていけば
良い。
した場合には露光動作は終了するが、次のウェハに露光
する場合には動作はステップ１０７に移行して同様に露
光が行われる。このようにして、レチクル７上に複数の
それぞれ最適な結像パラメータが異なる領域が存在する
場合でも、それぞれについて最適な結像条件で露光を行
うことができる。尚、第１露光動作例ではウェハの１つ
１つのショット領域に対して第１レチクル上の第１の領
域と第２の領域のパターンを露光していったが（このと
き第２の領域のパターンを露光する際にはショット毎に
アライメントを行う必要がある）、ウェハ上の複数のシ
ョット領域のうち、第１レチクルの第１の領域のパター
ンを露光すべきショット領域の全てに対して第１の領域
のパターンを露光した後で、レチクルブラインド４を駆
動して先に第１の領域のパターンを露光した全てのショ
ット領域に対して第２の領域のパターンを露光するよう
にしても良い。以下、同一ウェハ上で露光が行われてい
ないショット領域については第２レチクル、第３レチク
ル、…を用いて上記と同様の動作で露光を行っていけば
良い。
【００３１】［第２露光動作例］本例では、特定用途向
けＩＣ（ＡＳＩＣ）の生産、画面合成又は小ロット生産
時の危険分散等を目的として、１個のウェハ上に複数の
レチクルを用いて複数種類の半導体チップを形成する場
合で、且つそれぞれ最適な結像パラメータが異なる場合
を扱う。この場合の動作も図３を参照して説明する。使
用する複数のレチクルを第１のレチクル、第２のレチク
ル、‥‥とする。先ず、図３のステップ１０７におい
て、第１のレチクルをレチクルホルダー１１にセットす
る。この際に、主制御装置３５はバーコードリーダ１２
を介して第１のレチクルのバーコードＢＣを読み取り、
レチクルの名称を判別する。そして、主制御装置３５は
露光データファイル３６のその判別した名称に対応する
記憶領域を参照することにより、第１のレチクルのパタ
ーン領域の各々の最適な結像パラメータ及びパターン領
域の形状、大きさを認識する。
けＩＣ（ＡＳＩＣ）の生産、画面合成又は小ロット生産
時の危険分散等を目的として、１個のウェハ上に複数の
レチクルを用いて複数種類の半導体チップを形成する場
合で、且つそれぞれ最適な結像パラメータが異なる場合
を扱う。この場合の動作も図３を参照して説明する。使
用する複数のレチクルを第１のレチクル、第２のレチク
ル、‥‥とする。先ず、図３のステップ１０７におい
て、第１のレチクルをレチクルホルダー１１にセットす
る。この際に、主制御装置３５はバーコードリーダ１２
を介して第１のレチクルのバーコードＢＣを読み取り、
レチクルの名称を判別する。そして、主制御装置３５は
露光データファイル３６のその判別した名称に対応する
記憶領域を参照することにより、第１のレチクルのパタ
ーン領域の各々の最適な結像パラメータ及びパターン領
域の形状、大きさを認識する。
【００３２】その後、ステップ１０８において、主制御
装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている
第１のレチクル７の最適な結像パラメータ及びパターン
領域の形状、大きさの情報を供給する。これに対応し
て、先ず露光コントローラ３４は、レチクル７に対する
照明条件を設定するため、モータ２２を介して回転板２
１の中のレチクル７に合った開口絞り２３〜２８を選択
して設定する。その後、露光コントローラ３４は投影レ
ンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定すると共に、照明
系のσ値を最適な値に設定する。次にステップ１０９に
おいて、露光コントローラ３４はレチクルブラインド４
の開口部の形状を第１のレチクルのパターン領域の形状
に合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を
行う。
装置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている
第１のレチクル７の最適な結像パラメータ及びパターン
領域の形状、大きさの情報を供給する。これに対応し
て、先ず露光コントローラ３４は、レチクル７に対する
照明条件を設定するため、モータ２２を介して回転板２
１の中のレチクル７に合った開口絞り２３〜２８を選択
して設定する。その後、露光コントローラ３４は投影レ
ンズ８の開口数ＮＡを最適な値に設定すると共に、照明
系のσ値を最適な値に設定する。次にステップ１０９に
おいて、露光コントローラ３４はレチクルブラインド４
の開口部の形状を第１のレチクルのパターン領域の形状
に合わせることにより、レチクルブラインド４の設定を
行う。
【００３３】そして、主制御装置３５は、ウェハステー
ジ１４を駆動してウェハ９の今回の露光領域である指定
ショット領域を投影レンズ８の光軸上に設定し（ステッ
プ１１０）、第１のレチクルのパターン領域のパターン
を投影レンズ８を介してウェハ９の指定ショット領域に
露光する。（ステップ１１１）。次にステップ１１２に
おいて、主制御装置３５は予め記憶された露光シーケン
スを調べることにより、第１のレチクルを交換するか否
かを判定する。本例ではレチクルを交換するので動作は
ステップ１１８に移行し、主制御装置３５はレチクルホ
ルダー１１に第２のレチクルをセットする。この際に主
制御装置３５はバーコードリーダ１２を介して第２のレ
チクルの名称を調べ、露光データファイル３６を参照し
て第２のレチクルの照明条件（最適な開口絞り２３〜２
８の設定）、最適な結像パラメータの値及びパターン領
域の形状等を認識する。
ジ１４を駆動してウェハ９の今回の露光領域である指定
ショット領域を投影レンズ８の光軸上に設定し（ステッ
プ１１０）、第１のレチクルのパターン領域のパターン
を投影レンズ８を介してウェハ９の指定ショット領域に
露光する。（ステップ１１１）。次にステップ１１２に
おいて、主制御装置３５は予め記憶された露光シーケン
スを調べることにより、第１のレチクルを交換するか否
かを判定する。本例ではレチクルを交換するので動作は
ステップ１１８に移行し、主制御装置３５はレチクルホ
ルダー１１に第２のレチクルをセットする。この際に主
制御装置３５はバーコードリーダ１２を介して第２のレ
チクルの名称を調べ、露光データファイル３６を参照し
て第２のレチクルの照明条件（最適な開口絞り２３〜２
８の設定）、最適な結像パラメータの値及びパターン領
域の形状等を認識する。
【００３４】その後ステップ１１９において、主制御装
置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている第
２のレチクルのパターン領域の最適な結像パラメータ及
びそのパターン領域の輪郭の座標の情報を供給する。こ
れに対応して、露光コントローラ３４は、先ずモータ２
２を介して回転板２１の中の開口絞り２３〜２８の中の
第２のレチクルに適合する開口絞りを設定する。その後
露光コントローラは、駆動手段３３を介して投影レンズ
８の開口数ＮＡを最適な値に設定すると共に、照明系の
σ値を最適な値に設定する。
置３５は露光コントローラ３４に露光対象としている第
２のレチクルのパターン領域の最適な結像パラメータ及
びそのパターン領域の輪郭の座標の情報を供給する。こ
れに対応して、露光コントローラ３４は、先ずモータ２
２を介して回転板２１の中の開口絞り２３〜２８の中の
第２のレチクルに適合する開口絞りを設定する。その後
露光コントローラは、駆動手段３３を介して投影レンズ
８の開口数ＮＡを最適な値に設定すると共に、照明系の
σ値を最適な値に設定する。
【００３５】次にステップ１２０において、露光コント
ローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド
４の開口部の形状を第２のレチクルのパターン領域の形
状に合わせることにより、レチクルブランド４の設定を
行う。その後ステップ１２１において、主制御装置３５
はウェハ９上の第２のレチクルを露光するための指定シ
ョット領域を投影レンズ８の光軸上にアライメントす
る。そして、主制御装置３５は、第２のレチクルのパタ
ーン領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の
第２のレチクル用の指定ショット領域に露光させる。そ
の後ステップ１２２において、ウェハ９の全部のショッ
ト領域への露光が終了したかどうかが判別され、終了し
ていない場合には動作はステップ１１２に移行する。終
了している場合には動作はステップ１１７に移行する。
このような動作により、１個のウェハ上に複数のそれぞ
れ最適な結像パラメータが異なるレチクルのパターンを
最適な結像条件で露光することができる。
ローラ３４は駆動手段２９を介してレチクルブラインド
４の開口部の形状を第２のレチクルのパターン領域の形
状に合わせることにより、レチクルブランド４の設定を
行う。その後ステップ１２１において、主制御装置３５
はウェハ９上の第２のレチクルを露光するための指定シ
ョット領域を投影レンズ８の光軸上にアライメントす
る。そして、主制御装置３５は、第２のレチクルのパタ
ーン領域のパターンを投影レンズ８を介してウェハ９の
第２のレチクル用の指定ショット領域に露光させる。そ
の後ステップ１２２において、ウェハ９の全部のショッ
ト領域への露光が終了したかどうかが判別され、終了し
ていない場合には動作はステップ１１２に移行する。終
了している場合には動作はステップ１１７に移行する。
このような動作により、１個のウェハ上に複数のそれぞ
れ最適な結像パラメータが異なるレチクルのパターンを
最適な結像条件で露光することができる。
【００３６】［第３露光動作例］本例では、１個の半導
体チップ内、即ち１個の露光用のレチクルパターン内に
それぞれ最適な結像パラメータの値が異なる複数種類の
線幅のパターンが混在し、且つ第１露光動作例のように
レチクルブラインド４でレチクル７の露光視野を分割す
ることが困難な場合を扱う。この場合には、元のレチク
ルのパターンを複数に分割する。そして、複数に分割さ
れたパターンの各々を別々のレチクル又は同一のレチク
ル内の異なる領域に形成する。別々のレチクルに形成す
る場合には、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、それ
ぞれ最適な結像パラメータの値が異なるパターンが形成
された複数のレチクル７Ａ及び７Ｂを用意する。図４
（ａ）及び（ｂ）の斜線部の領域３７はそれぞれクロム
蒸着膜による遮光域であり、白抜き状に示す領域３８は
それぞれ必要なパターンが描画されている領域である。
従って、レチクル７Ａとレチクル７Ｂとは遮光域３７の
位相が１８０°ずれている。
体チップ内、即ち１個の露光用のレチクルパターン内に
それぞれ最適な結像パラメータの値が異なる複数種類の
線幅のパターンが混在し、且つ第１露光動作例のように
レチクルブラインド４でレチクル７の露光視野を分割す
ることが困難な場合を扱う。この場合には、元のレチク
ルのパターンを複数に分割する。そして、複数に分割さ
れたパターンの各々を別々のレチクル又は同一のレチク
ル内の異なる領域に形成する。別々のレチクルに形成す
る場合には、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、それ
ぞれ最適な結像パラメータの値が異なるパターンが形成
された複数のレチクル７Ａ及び７Ｂを用意する。図４
（ａ）及び（ｂ）の斜線部の領域３７はそれぞれクロム
蒸着膜による遮光域であり、白抜き状に示す領域３８は
それぞれ必要なパターンが描画されている領域である。
従って、レチクル７Ａとレチクル７Ｂとは遮光域３７の
位相が１８０°ずれている。
【００３７】これら２枚のレチクル７Ａ及び７Ｂを第２
露光動作例と同様のシーケンスでウェハ上に露光する。
第２露光動作例と異なる点は、ウェハ上の同一領域に異
なる２個のレチクルのパターンが露光されることであ
る。
露光動作例と同様のシーケンスでウェハ上に露光する。
第２露光動作例と異なる点は、ウェハ上の同一領域に異
なる２個のレチクルのパターンが露光されることであ
る。
【００３８】［第４露光動作例］上記の第３露光動作例
と同じ場合であるが、レチクル上の複数種の線幅が複雑
に入り組んでいて、図４に示すような複数枚のレチクル
で対応することが困難な場合を扱う。この場合には、図
３のステップ１１１において、ウェハの各ショット領域
に露光する際に、投影レンズ８の開口数ＮＡ及び照明系
のσ値を所定の範囲に亘って連続的に変化させることに
より、最良ではないが次善の結像特性を得ることができ
る。その所定の範囲とは、例えばそのレチクル上の最も
線幅の広いパターンの結像パラメータと最も線幅の狭い
結像パラメータとの間である。
と同じ場合であるが、レチクル上の複数種の線幅が複雑
に入り組んでいて、図４に示すような複数枚のレチクル
で対応することが困難な場合を扱う。この場合には、図
３のステップ１１１において、ウェハの各ショット領域
に露光する際に、投影レンズ８の開口数ＮＡ及び照明系
のσ値を所定の範囲に亘って連続的に変化させることに
より、最良ではないが次善の結像特性を得ることができ
る。その所定の範囲とは、例えばそのレチクル上の最も
線幅の広いパターンの結像パラメータと最も線幅の狭い
結像パラメータとの間である。
【００３９】［第５露光動作例］本例では露光のための
最適条件を求めるための所謂テストプリントを行う場合
を扱う。従来はテストプリントとは、ステップアンドリ
ピートでウェハの一連のショット領域にレチクルのパタ
ーンを露光する際に、ウェハ９の投影レンズ８の光軸方
向の位置である焦点位置Ｚ及び露光時間Ｔを各ショット
露光毎に少しずつ変化させて露光することを意味する。
最適条件を求めるための所謂テストプリントを行う場合
を扱う。従来はテストプリントとは、ステップアンドリ
ピートでウェハの一連のショット領域にレチクルのパタ
ーンを露光する際に、ウェハ９の投影レンズ８の光軸方
向の位置である焦点位置Ｚ及び露光時間Ｔを各ショット
露光毎に少しずつ変化させて露光することを意味する。
【００４０】これに対して本例では、第１露光動作例と
同様のシーケンスに従って、例えば図５（ａ）のマップ
に示されるように結像条件を種々に変えて露光を行う。
ただし、本例ではレチクルブラインド４の開口部の形状
に対応するレチクルブラインド４を変化させる必要はな
い。図５（ａ）において、３９はウェハ上の１個の指定
ショット領域を示し、指定ショット領域３９と同様のシ
ョット領域が縦横に多数配置されており、各ショット領
域にそれぞれ解像力テストパターンが露光される。結像
条件は図５（ａ）の横方向に対して、ウェハの焦点位置
Ｚが５個のショット領域毎に変化し、投影レンズの開口
数ＮＡが１個のショット領域毎に５個周期で変化する。
また、図５（ａ）の縦方向に対して、露光時間Ｔが５個
のショット領域毎に変化し、照明系のσ値が１個のショ
ット領域毎に５個周期で変化する。
同様のシーケンスに従って、例えば図５（ａ）のマップ
に示されるように結像条件を種々に変えて露光を行う。
ただし、本例ではレチクルブラインド４の開口部の形状
に対応するレチクルブラインド４を変化させる必要はな
い。図５（ａ）において、３９はウェハ上の１個の指定
ショット領域を示し、指定ショット領域３９と同様のシ
ョット領域が縦横に多数配置されており、各ショット領
域にそれぞれ解像力テストパターンが露光される。結像
条件は図５（ａ）の横方向に対して、ウェハの焦点位置
Ｚが５個のショット領域毎に変化し、投影レンズの開口
数ＮＡが１個のショット領域毎に５個周期で変化する。
また、図５（ａ）の縦方向に対して、露光時間Ｔが５個
のショット領域毎に変化し、照明系のσ値が１個のショ
ット領域毎に５個周期で変化する。
【００４１】その外に、図５（ｂ）のマップに示される
ように結像条件を変えてもよい。結像条件は図５（ｂ）
の横方向に対して、投影レンズの開口数ＮＡが５個のシ
ョット領域毎に変化し、ウェハの焦点位置Ｚが１個のシ
ョット領域毎に５個周期で変化する。また、図５（ｂ）
の縦方向に対して、照明系のσ値が５個のショット領域
毎に変化し、露光時間Ｔが１個のショット領域毎に５個
周期で変化する。図５に示すようなマップでテストプリ
ントを行うことにより、開口数ＮＡ、σ値、焦点位置Ｚ
及び露光時間Ｔよりなる４個のパラメータでのテストプ
リントを行うことができる。なお、本発明は上述実施例
に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の
構成を取り得ることは勿論である。
ように結像条件を変えてもよい。結像条件は図５（ｂ）
の横方向に対して、投影レンズの開口数ＮＡが５個のシ
ョット領域毎に変化し、ウェハの焦点位置Ｚが１個のシ
ョット領域毎に５個周期で変化する。また、図５（ｂ）
の縦方向に対して、照明系のσ値が５個のショット領域
毎に変化し、露光時間Ｔが１個のショット領域毎に５個
周期で変化する。図５に示すようなマップでテストプリ
ントを行うことにより、開口数ＮＡ、σ値、焦点位置Ｚ
及び露光時間Ｔよりなる４個のパラメータでのテストプ
リントを行うことができる。なお、本発明は上述実施例
に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の
構成を取り得ることは勿論である。
【００４２】
【発明の効果】本発明の投影露光方法及び投影露光装置
によれば、最適な結像パラメータの値が異なる複数種類
のパターンが同一面に形成され、且つ１つのマスク上に
複数種の線幅のパターンが複雑に入り組んでいて、線幅
毎に複数のマスクやマスクパターンに分けて対応するこ
とが困難な場合でも、各線幅に対して最良ではないが次
善の結像特性を得ることができ、パターン全体としてみ
れば最良の結像特性を得ることができる。
によれば、最適な結像パラメータの値が異なる複数種類
のパターンが同一面に形成され、且つ１つのマスク上に
複数種の線幅のパターンが複雑に入り組んでいて、線幅
毎に複数のマスクやマスクパターンに分けて対応するこ
とが困難な場合でも、各線幅に対して最良ではないが次
善の結像特性を得ることができ、パターン全体としてみ
れば最良の結像特性を得ることができる。
【図１】 本発明の一実施例の投影露光装置の主要部を
示す一部を断面とした構成図である。
示す一部を断面とした構成図である。
【図２】 図１中の回転板２１を示す平面図である。
【図３】 実施例の露光動作の一例を示す流れ図であ
る。
る。
【図４】 実施例で使用するレチクルのパターンの変形
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図５】 実施例のテストプリントのマップの例を示す
線図である。
線図である。
【図６】 従来の投影露光装置の照明系を簡略化して示
す模式図である。
す模式図である。
【図７】 従来の投影露光装置の露光動作を示す流れ図
である。
である。
１…フライアイレンズ、３…アウトプットレンズ、６…
主コンデンサレンズ、７…レチクル、８…投影レンズ、
９…ウェハ、１０…可変開口絞り、１２…バーコードリ
ーダ、１４…ウェハステージ、１７…シャッター、２１
…回転板、２２…モータ、４…レチクルブラインド、２
９，３１，３３…駆動手段、３０…可変開口絞り、３４
…露光コントローラ、３５…主制御装置、３６…露光デ
ータファイル
主コンデンサレンズ、７…レチクル、８…投影レンズ、
９…ウェハ、１０…可変開口絞り、１２…バーコードリ
ーダ、１４…ウェハステージ、１７…シャッター、２１
…回転板、２２…モータ、４…レチクルブラインド、２
９，３１，３３…駆動手段、３０…可変開口絞り、３４
…露光コントローラ、３５…主制御装置、３６…露光デ
ータファイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (26)
- 【請求項１】 照明系からの照明光束でマスク上のパタ
ーンを照明し、該マスク上のパターンの像を投影光学系
を介して基板上に転写する投影露光方法において、 前記パターンの転写中に前記照明系の開口数を変化させ
ることを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項２】 照明系からの照明光束でマスク上のパタ
ーンを照明し、該マスク上のパターンの像を投影光学系
を介して基板上に転写する投影露光方法において、 前記パターンの転写中に、前記照明系の開口数及び前記
投影光学系の開口数を変化させることを特徴とする投影
露光方法。 - 【請求項３】 前記照明系内における前記投影光学系の
瞳面とほぼ共役な関係となる所定面上に設けられた開口
部の大きさを調整することにより、前記照明系の開口数
を変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載の
投影露光方法。 - 【請求項４】 前記照明系の開口数を、前記パターンに
応じて変化させること特徴とする請求項１、２、又は３
に記載の投影露光方法。 - 【請求項５】 前記照明系の開口数を所定範囲に亘って
変化させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一
項に記載の投影露光方法。 - 【請求項６】 前記所定範囲とは、前記マスク上に形成
されたパターンのうち、最も広い線幅を持つパターンに
対して最適な開口数と、最も狭い線幅を持つパターンに
対して最適な開口数との間であることを特徴とする請求
項５に記載の投影露光方法。 - 【請求項７】 照明系からの照明光束でマスク上のパタ
ーンを照明し、該マスク上のパターンの像を投影光学系
を介して基板上に転写する投影露光方法において、 前記パターンの転写中に前記照明系のσ値を変化させる
ことを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項８】 照明系からの照明光束でマスク上のパタ
ーンを照明し、該マスク上のパターンの像を投影光学系
を介して基板上に転写する露光方法において、 前記パターンの転写中に、前記照明系のσ値及び前記投
影光学系の開口数を変化させることを特徴とする投影露
光方法。 - 【請求項９】 前記照明系内における前記投影光学系の
瞳面とほぼ共役な関係となる所定面上に設けられた開口
部の大きさを調整することにより、前記照明系のσ値を
変化させることを特徴とする請求項７又は８に記載の投
影露光方法。 - 【請求項１０】 前記照明系内における前記投影光学系
の瞳面とほぼ共役な関係となる所定面上での光量分布状
態を変化させることにより、前記照明系のσ値を変化さ
せることを特徴とする請求項７又は８に記載の投影露光
方法。 - 【請求項１１】 前記照明光束の光量分布状態は、前記
所定面上での光量分布が中心部で高められる第１光量分
布状態と、該所定面上での光量分布が該中心部よりもそ
の外側で高められる第２光量分布状態とを含み、 前記第２光量分布状態は、前記所定面上での光量分布が
ほぼ輪帯状の特定領域内で高められる第３光量分布状態
と、前記所定面上での光量分布が前記照明系の光軸から
偏心した少なくとも１つの局所領域で高められる第４光
量分布状態とを含むことを特徴とする請求項１０に記載
の投影露光方法。 - 【請求項１２】 前記照明系のσ値を、前記パターンに
応じて、所定範囲に亘って変化させること特徴とする請
求項７〜１１のいずれか一項に記載の投影露光方法。 - 【請求項１３】 前記所定範囲とは、前記マスク上に形
成されたパターンのうち、最も広い線幅を持つパターン
に対して最適なσ値を開口数と、最も狭い線幅を持つパ
ターンに対して最適なσ値との間であることを特徴とす
る請求項１２に記載の投影露光方法。 - 【請求項１４】 照明系からの照明光束でマスク上のパ
ターンを照明し、該マスク上のパターンの像を投影光学
系を介して基板上に転写する投影露光方法において、 前記パターンの転写中に、前記投影光学系の開口数を変
化させることを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項１５】 前記投影光学系の開口数を、前記パタ
ーンに応じて変化させること特徴とする請求項１４に記
載の投影露光方法。 - 【請求項１６】 前記投影光学系の開口数を所定範囲に
亘って変化させることを特徴とする請求項１４又は１５
に記載の投影露光方法。 - 【請求項１７】 前記所定範囲とは、前記マスク上に形
成されたパターンのうち、最も広い線幅を持つパターン
に対して最適な開口数と、最も狭い線幅を持つパターン
に対して最適な開口数との間であることを特徴とする請
求項１６に記載の投影露光方法。 - 【請求項１８】 請求項１〜１７のいずれか一項に記載
の投影露光方法を用いて、前記マスク上に形成された回
路パターンを前記基板上に転写する工程を含むことを特
徴とする回路素子製造方法。 - 【請求項１９】 マスク上に形成されたパターンを照明
光束で照明する照明系と、 前記照明光束で照明された前記パターンの像を、前記基
板上に投影する投影光学系と、 前記パターンの前記基板上への投影中に、前記照明系の
開口数を変化させる制御系と、を有することを特徴とす
る投影露光装置。 - 【請求項２０】 マスク上に形成されたパターンを照明
光束で照明する照明系と、 前記照明光束で照明された前記パターンの像を、前記基
板上に投影する投影光学系と、 前記パターンの前記基板上への投影中に、前記照明系の
開口数及び前記投影光学系の開口数を変化させる制御系
と、を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２１】 マスク上に形成されたパターンを照明
光束で照明する照明系と、 前記照明光束で照明された前記パターンの像を、前記基
板上に投影する投影光学系と、 前記パターンの前記基板上への投影中に、前記照明系の
σ値を変化させる制御系と、を有することを特徴とする
投影露光装置。 - 【請求項２２】 マスク上に形成されたパターンを照明
光束で照明する照明系と、 前記照明光束で照明された前記パターンの像を、前記基
板上に投影する投影光学系と、 前記パターンの前記基板上への投影中に、前記照明系の
σ値及び前記投影光学系の開口数を変化させる制御系
と、を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２３】 マスク上に形成されたパターンを照明
光束で照明する照明系と、 前記照明光束で照明された前記パターンの像を、前記基
板上に投影する投影光学系と、 前記パターンの前記基板上への投影中に、前記投影光学
系の開口数を変化させる制御系と、を有することを特徴
とする投影露光装置。 - 【請求項２４】 前記制御系は、前記パターンに応じて
制御対象を変化させることを特徴とする請求項１９〜２
３のいずれか一項に記載の投影露光装置。 - 【請求項２５】 前記制御系は、所定範囲に亘って制御
対象を変化させることを特徴とする請求項１９〜２４の
いずれか一項に記載の投影露光装置。 - 【請求項２６】 前記所定範囲とは、前記マスク上に形
成されたパターンのうち、最も広い線幅を持つパターン
に対する最適値と、最も狭い線幅を持つパターンに対す
る最適値との間であることを特徴とする請求項２５に記
載の投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037738A JP3279311B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 投影露光方法及び装置、並びに前記方法を用いた回路素子製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037738A JP3279311B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 投影露光方法及び装置、並びに前記方法を用いた回路素子製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35375491A Division JP3391404B2 (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 投影露光方法及び回路素子製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001250774A JP2001250774A (ja) | 2001-09-14 |
| JP3279311B2 true JP3279311B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=18900821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001037738A Expired - Fee Related JP3279311B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | 投影露光方法及び装置、並びに前記方法を用いた回路素子製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279311B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016071243A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂パターンの形成方法、パターンの形成方法、硬化膜、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置、及び、タッチパネル表示装置 |
-
2001
- 2001-02-14 JP JP2001037738A patent/JP3279311B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001250774A (ja) | 2001-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3391404B2 (ja) | 投影露光方法及び回路素子製造方法 | |
| US6295119B1 (en) | Scanning type exposure apparatus with multiple field diaphragms for providing consistent exposure | |
| JP2593440B2 (ja) | 投影型露光装置 | |
| US5854671A (en) | Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure | |
| US6934009B2 (en) | Illumination apparatus, illumination-controlling method, exposure apparatus, device fabricating method | |
| JP3102076B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JPH04369209A (ja) | 露光用照明装置 | |
| JP3320262B2 (ja) | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JPH05217855A (ja) | 露光用照明装置 | |
| JPH11111601A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP4034286B2 (ja) | デバイス製造方法、その方法で使用するためのマスク・セット、プログラム可能なパターン形成装置を制御するためのデータ・セット、マスク・パターンを作成する方法、およびコンピュータ・プログラム | |
| JP3084760B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP3600869B2 (ja) | 投影光学系及び該光学系を備えた投影露光装置 | |
| JP4474121B2 (ja) | 露光装置 | |
| US6600166B2 (en) | Scanning exposure method | |
| JP2002353108A (ja) | 露光方法、露光装置、フォトマスク、デバイス製造方法、及びフォトマスク製造方法 | |
| JP3097620B2 (ja) | 走査型縮小投影露光装置 | |
| JP3279311B2 (ja) | 投影露光方法及び装置、並びに前記方法を用いた回路素子製造方法 | |
| JP3015224B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH06232031A (ja) | 露光装置 | |
| JP3500620B2 (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
| JP2000133563A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JPH0547627A (ja) | 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JPH0982633A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0794387A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |