JP2001154371A - 回路デバイスや表示デバイスの製造方法、及び大型ディスプレー装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のマスクパターンをプレート基板上に継
ぎ露光することによって大型の表示デバイスを製造する
際、継ぎ露光に必要なマスクパターンの共通化を図るこ
とで、マスク基板の不要な大型化を避けるとともに、露
光装置の大型化を避けるようにする。 【解決手段】 マスク基板上の回路パターン領域の周辺
領域のうち、継ぎ露光のためにマスク基板とプレート基
板との相対位置関係を変化させる方向に対峙した一対の
継ぎ領域の各々に形成されるパターン同志の形状または
配置を、互いに相補的な入れ子関係にし、相対位置関係
を変化させた露光によってマスク基板上の一対の継ぎ領
域の両方または一方を、プレート基板上の既に転写され
ている回路パターン領域周辺の同様の継ぎ領域と入れ子
状態で接合されるように転写する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ、ガ
ラス板、セラミック板、エポキシ板、或いは高分子フィ
ルム等のプレート基板上に、リソグラフィ処理装置を用
いて回路デバイスや表示デバイスを形成する製造方法
と、そのような製造方法によって作られる大型ディスプ
レー装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置やプラズマ表示装置
等に内蔵される表示デバイス（ガラス板製）は大画面化
が進み、３０インチ〜４０インチ程度の表示領域を有す
る量産製品が開発されつつあり、将来的には縦横比が１
６：９のワイド画面を有する６０インチの壁掛けタイプ
の表示装置も開発されようとしている。また多くの電子
部品を実装する電気製品用のマザーボードやＣＰＵサブ
ボード等のプリント基板（セラミック板、エポキシ板、
高分子フィルムシート等）では、実装密度を高めるため
に配線パターンの線幅や密度が微細化されるとともに、
基板の大型化が要求されることがある。

【０００３】このような表示デバイス用のガラス板や電
装用のプリント基板上には、表示セルや配線のための微
細な回路パターン構造がフォトリソグラフィ処理によっ
て形成されるが、その処理工程の中心的な役割を担うの
が、ガラス板やプリント基板上に均一の厚みで塗布され
たレジスト層にマスク基板の回路パターンの像を転写す
る精密露光装置である。

【０００４】従来から、露光すべきガラス板やプリント
基板上に大きな回路パターン構造が転写できるように、
様々な露光装置と露光手法とが提案されて実用化されて
きたが、そのなかでもマスク基板上の回路パターンを被
露光基板上に接合して露光していく画面継ぎ露光法が注
目されている。この画面継ぎ露光法とは、例えば特開昭
６２−１４５７３０号公報（米国特許第４，７４８，４
７８号）に開示されているように、複数の回路パターン
領域に分割されたマスク基板（レチクル）と被露光基板
とを、高解像の投影レンズを備えた投影露光装置（ステ
ッパー）に装着し、被露光基板を載置したステージをス
テップ移動させて投影された回路パターンの像を被露光
基板上で相互に接合していく方式である。

【０００５】また同じようなステッパー方式の露光手法
ではあるが、特開平１−１６１２４３号公報（米国特許
第４，７６９，６８０号）に開示されているように、高
解像の投影レンズを一定の間隔で２本設け、各投影レン
ズ毎に装着されるマスク基板の回路パターンを被露光基
板上に同時に露光する際、先行して露光された被露光基
板上の２つの回路パターンの各投影像とそれぞれ接合す
る方式も知られている。

【０００６】ところで、複数の回路パターンの像を被露
光基板上で接合して表示デバイス用の大きな回路パター
ン領域を形成する場合、各回路パターン像の継ぎ部分
を、例えばＷＯ９５／１６２７６号公報、特開平９−１
９０９６２４号公報（米国特許第５，８８８，６７６
号）に開示のように連続的な境界（直線状、折れ線状、
波線状、矩形状等）にすると、その継ぎ部での表示コン
トラストの差が大きいと、その境界線が目視にて認めら
れてしまうといった不都合がある。

【０００７】これは、例えば左右に継ぐべき２つの回路
パターン像の各々を被露光基板上に露光する際の残留ア
ライメント誤差、残留フォーカス誤差、露光量制御精度
等によって、回路パターン領域（表示領域）中に形成さ
れる画素駆動用のトランジスタのゲート幅等が左右の回
路パターンで微妙に異なり、同一の駆動電圧であっても
継いだ左右の表示領域内では液晶画素の透過率が僅かに
異なってしまうためである。

【０００８】そこで、継ぎ部の境界線をぼかす手法とし
て、特開平６−３２４４７４号公報に開示されているよ
うに、回路パターン中の表示画素部分での継ぎ部に所定
の幅を設定し、その幅内のパターンをランダムな飛び石
状の入れ子の関係で分割することが知られている。この
手法は、継ぎ部分に明確な境界線を作ることなく、所定
の幅を有する継ぎ部内の微細パターンの集合体が細分化
されて全体として入れ子状態で接合されるものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の各種の継ぎ露光
手法によれば、原理的には大きな回路パターン領域、表
示領域を有する回路デバイス、表示デバイスの製造が可
能であるが、タクトタイムを考慮すると、必ずしも現実
的な継ぎ露光法ではなかった。それは液晶表示デバイス
の場合を考えると、表示領域を露光するためのマスクパ
ターンは繰り返し継ぎ露光できるので頻繁なマスク交換
を必要としないが、表示領域の周辺回路部（端子部パタ
ーン）を露光する際には、頻繁にマスクパターンを交換
する必要が生じ、その交換時間が必要となるからであ
る。

【００１０】もちろん、表示デバイスの外形寸法よりも
大きな１枚のマスク基板上に表示領域の全体と周辺回路
部の全てをそのまま形成しておけば、マスク交換するこ
と無く被露光基板（プレート基板）上に表示デバイス用
の全体回路パターンを継ぎ露光なしで形成することも可
能である。しかしながら、製造しようとする表示デバイ
スが３０インチ〜６０インチと大型化した場合には、そ
れと同サイズのマスク基板が必要となり、マスク基板自
体の製作が困難になるとともに、露光装置、特にマスク
ステージ部が益々大型になってしまうといった問題も生
じる。

【００１１】そこで本発明は、マスク基板に形成される
回路パターンの配置や形状を工夫することによって、継
ぎ露光による継ぎ目部を目立たなくしつつ、大型の回路
デバイス（例えばプリント基板等）や表示デバイス（液
晶、プラズマ等）を製造する方法を提供することを目的
とする。本発明の他の目的は、継ぎ露光の際に必要とさ
れるマスク基板の枚数を低減しつつ大型の回路デバイス
や表示デバイスを製造する方法を提供するにある。さら
に本発明の他の目的は、走査露光装置を使って少ない走
査回数のもとで作られる大型ディスプレー装置を得るこ
とにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】そこで請求項１に記載の
発明は、マスク基板（Ｍ）上の回路パターン領域が回路
デバイス形成用のプレート基板（Ｐ）上で相互に継いで
転写されるようにマスク基板とプレート基板との相対位
置関係を変化させて露光する回路デバイスの製造方法に
適用され、マスク基板（Ｍ）上の回路パターン領域（Ｐ
Ａ，ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３…）の周辺領域のうち、相
対位置関係が変化される方向（例えばＸ方向）に対峙し
た一対の継ぎ領域（ＳＡ１，ＳＡ２）の各々に形成され
るパターン同志の形状または配置を互いに相補的な入れ
子関係にし、相対位置関係を変化させた露光によってマ
スク基板（Ｍ）上の一対の継ぎ領域の両方または一方
を、プレート基板（Ｐ）上の既に転写されている回路パ
ターン領域周辺の同様の継ぎ領域（継ぎ部ＪＡ，ＪＢ内
の領域ＳＡ１´，ＳＡ２´）と入れ子状態で接合させて
転写することを特徴としている。

【００１３】また請求項２に記載の発明では、請求項１
で規定した一対の継ぎ領域（ＳＡ１，ＳＡ２）内に、相
対位置関係を変化させる方向（Ｘ方向）に関して所定間
隔で繰り返し形成された微細パターン構造（表示画素Ｐ
ｘｎ単位、又は３色のセルＣｘｙ単位のパターン構造）
を含むようにしたことを特徴とし、請求項３に記載の発
明では、請求項２で規定したような一対の継ぎ領域（Ｓ
Ａ１，ＳＡ２）の各々に形成されるパターン同志の形状
或いは配置を、互いに相補的なランダムな入れ子関係
（図８、図９〜１２、図１４）にすることを特徴とし、
そして請求項４に記載の発明では、請求項３で規定した
ような互いに相補的なランダムな入れ子関係にするため
の最小単位を、所定間隔で繰り返し形成される微細パタ
ーン構造（表示画素Ｐｘｎ単位、又は３色のセルＣｘｙ
単位のパターン構造）にしたことを特徴としている。

【００１４】さらに、請求項５に記載の発明では、請求
項４に規定された回路デバイスが表示装置の表示画素部
（ＰＡ１〜ＰＡ３又はＰＡ１´〜ＰＡ４´）であり、互
いに相補的なランダムな入れ子関係となる最小単位の微
細パターン構造が、表示装置の画素（表示画素Ｐｘｎ単
位、又は３色のセルＣｘｙ単位）を基準として設定され
ることを特徴とし、請求項６に記載の発明では、請求項
５に規定された表示画素部の各画素が、カラー表示用の
赤緑青の３色に対応した３個の画素セル（図４中のＰｘ
ｒ，Ｐｘｇ，Ｐｘｂ）を含み、互いに相補的なランダム
な入れ子関係となる最小単位の微細パターン構造を画素
セル単位（Ｃｘｙ又はＣｎｍ）に設定したことを特徴と
している。

【００１５】そして、請求項７に記載の発明では、請求
項５で規定された表示画素部の各画素が、カラー表示用
の赤緑青の３色に対応した３個の画素セル（図４中のＰ
ｘｒ，Ｐｘｇ，Ｐｘｂ）を含み、互いに相補的なランダ
ムな入れ子関係となる最小単位の微細パターン構造を画
素セル単位（Ｃｘｙ又はＣｎｍ）で分割した分割パター
ン要素（例えば図９〜１２中のＥｐ１，Ｅｐ２，Ｅｐ
３，Ｅｐ４）とし、その分割パターン要素を相対位置関
係の変化させる方向（Ｘ方向）に関してランダムな飛び
石状に配列しつつ、一対の継ぎ領域（ＳＡ１，ＳＡ２）
間で相補的な入れ子関係の配列にしたことを特徴とし、
請求項８に記載の発明では、請求項７で規定された一対
の継ぎ領域（ＳＡ１，ＳＡ２）の各々の相対位置関係を
変化させる方向（Ｘ方向）に関する幅を、プレート基板
上に継ぎ露光で形成される隣り合った２つの表示領域間
のコントラスト差（階調差）に応じて設定（例えば図１
３）することを特徴としている。

【００１６】一方、請求項９に記載の独立した発明は、
マスク基板（Ｍ）上に形成された回路パターンをプレー
ト基板（Ｐ）上に継ぎ露光することにより、プレート基
板（Ｐ）上に大きな２次元表示デバイスを形成する方法
に適用され、プレート基板（Ｐ）上に形成される表示デ
バイス用の回路パターンが相互に位置合せされた複数の
層の積層構造（例えば図４，５に示すゲート配線層、ａ
−Ｓｉ層、ドレイン／ソース配線層、ＩＴＯ膜層）であ
り、第Ｎ層形成用のマスク基板（例えば図７に示すＭ
１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４の１つ）上の回路パターンをプレ
ート基板（Ｐ）上に継ぎ露光する際に生じる継ぎ目の形
状、或いは継ぎ領域（ＳＡ１，ＳＡ２）内に露光される
マスク基板上の回路パターンの配列状態を、第（Ｎ−
１）層または第（Ｎ＋１）層形成用のマスク基板（Ｍ
１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４の１つ）上の回路パターンをプレ
ート基板上に継ぎ露光する際に生じる継ぎ目の形状、或
いは継ぎ領域内に露光されるマスク基板上の回路パター
ンの配列状態と異ならせることを特徴としている。

【００１７】また請求項１０に記載の発明では、請求項
９で規定された継ぎ領域（ＳＡ１，ＳＡ２）は、単一ま
たは複数のマスク基板上に形成された同じ回路パターン
同志、或いは異なる回路パターン同志をプレート基板
（Ｐ）上に継ぎ露光する際、継ぐべき回路パターンの周
辺領域同志を所定幅でオーバーラッブさせる領域であ
り、マスク基板上の継ぎ領域（ＳＡ１，ＳＡ２）内に露
光される回路パターンの外縁を結ぶ包絡線を、第Ｎ層形
成用のマスク基板上では連続した周期的な波形（波線
状、三角波状、矩形波状）とし、第（Ｎ−１）層または
第（Ｎ＋１）層形成用のマスク基板上ではランダムな折
れ線とすることにより、継ぎ目の形状を層間で異ならせ
ることを特徴としている。

【００１８】さらに請求項１１に記載の発明では、請求
項１０で規定された連続した周期的な波形（波線状、三
角波状、矩形波状、多次関数波形の一部等）、又はラン
ダムな折れ線に形成される回路パターン外縁の包絡線の
振幅を、継ぎ領域（ＳＡ１，ＳＡ２）内でオーバーラッ
プが行われる所定幅と等しくしたことを特徴とし、請求
項１２に記載の発明では、請求項９で規定された継ぎ領
域（ＳＡ１，ＳＡ２）を、単一または複数のマスク基板
（Ｍ１〜Ｍ４）上に形成された同じ回路パターン同志、
或いは異なる回路パターン同志をプレート基板（Ｐ）上
に継ぎ露光する際、継ぐべき回路パターンの周辺領域同
志を所定幅でオーバーラッブさせる領域とし、その継ぎ
領域内に存在すべき回路パターンを２次元的に複数のパ
ターン要素（例えば図９〜１２に示すＥｐ１，Ｅｐ２，
Ｅｐ３，Ｅｐ４）に分割し、その分割されたパターン要
素を継ぎ露光すべきマスク基板（Ｍ１〜Ｍ４）上の回路
パターンの各周辺領域にランダムに振り分けて形成して
おくことにより、プレート基板（Ｐ）上の継ぎ領域（Ｓ
Ａ１´，ＳＡ２´）内に露光されるマスク基板上の回路
パターンの配列状態を層間で異ならせることを特徴とし
ている。

【００１９】一方、請求項１３に記載の他の独立した発
明は、マスク基板（Ｍ）上に形成された長方形のパター
ン領域（例えば図２のような端子部パターン領域ＣＮ
１，ＣＮ２，ＣＮ３…を含む集合パターン領域ＰＡ）を
プレート基板（Ｐ）上の複数領域に相互に接続して順次
投影露光することにより、プレート基板（Ｐ）上に大き
な２次元表示デバイスを形成する方法に適用され、マス
ク基板（Ｍ）上の長方形パターン領域（例えば図２中の
ＰＡ）の長手方向（Ｙ方向）に関してマスク基板（Ｍ）
とプレート基板（Ｐ）とを投影系（ＰＬ）に対して移動
させることで長方形パターン領域（ＰＡ）の第１の像
（例えば図１中のＰＡ１）をプレート基板（Ｐ）上に走
査露光し、マスク基板（Ｍ）上の長方形パターン領域
（ＰＡ）の短手方向（Ｘ方向）に関してマスク基板
（Ｍ）とプレート基板（Ｐ）との相対位置を変更させ
て、プレート基板（Ｐ）上に新たに走査露光されるべき
長方形パターン領域の第２の像（例えば図１中のＰＡ
２）が第１の像（ＰＡ１）と継ぎ合わされるように位置
付けることにより、プレート基板（Ｐ）上に形成される
表示領域が走査移動の方向（Ｙ方向）と直交した方向
（Ｘ方向）を水平走査線（ＨＬ）とする長方形に形成さ
れるようにしたことを特徴としている。

【００２０】請求項１４に記載の発明では、請求項１３
で規定した２次元表示デバイスが表示画素毎の個別の駆
動信号を与えるマトリックス状の駆動信号線（例えば図
６、１５で示したＤＳＲ（ｎ），ＤＳＧ（ｎ），ＤＳＢ
（ｎ），ＧＬ（ｍ）…）を有し、マスク基板（Ｍ）上に
形成される長方形パターン領域（ＰＡ）は、その長手方
向の少なくとも一方の外周部に、例えば図１５のように
駆動信号線（ＤＳＲ（ｎ），ＤＳＧ（ｎ），ＤＳＢ
（ｎ）…）を所定本数毎にまとめるための端子領域（Ｃ
Ｎ１，ＣＮ２，ＣＮ３…）の複数個を含み、その端子領
域の少なくとも１つは、例えば図１６、１７に示すよう
に、継ぎ合わせ露光によって投影される第１の像と第２
の像に対応した各長方形パターン領域に分割して形成
（例えば図１中のＰＡ１側の端子領域ＣＮ３とＰＡ２側
の端子領域ＣＮ１）されることを特徴としている。

【００２１】また請求項１５の発明では、請求項１４で
規定した長方形パターン領域（ＰＡ）の短手方向の寸法
を端子領域（例えば図１，２，１５，２２，２４中のＣ
Ｎ２）の幅のほぼ整数倍（１倍を含む）にすることを特
徴とし、請求項１６の発明では、請求項１３で規定した
投影系（ＰＬ）として、走査露光の方向と直交した非走
査方向（Ｘ方向）の全露光範囲が長方形パターン領域
（ＰＡ）の短手方向の寸法を包含するように、複数の投
影光学系（図２０、２１に示すユニットＰＵ１〜ＰＵ
５）を非走査方向に隣接配置したもので構成され、その
複数の投影光学系（ＰＵ１〜ＰＵ５）の各視野のうち、
特定の視野（例えばＩＡ１，ＩＡ５）を長方形パターン
領域（ＰＡ）の短手方向の寸法に応じて制限して走査露
光することを特徴とし、そして請求項１７の発明は、請
求項１３で規定された投影系（ＰＬ）として、走査露光
の方向と直交した非走査方向（Ｘ方向）の全露光範囲が
長方形パターン領域（ＰＡ）の短手方向の寸法を包含す
るような円弧スリット状の視野（図１，２中に示すＥｘ
Ｓ）を有し、その円弧スリット状の視野（ＥｘＳ）を長
方形パターン領域（ＰＡ）の短手方向の寸法に応じて制
限して走査露光することを特徴としている。

【００２２】さらに請求項１８に記載の他の独立した発
明は、マスク基板（Ｍ）上に形成される表示デバイス用
の回路パターンをプレート基板（Ｐ）上に継ぎ露光して
製造される大型のディスプレー装置に適用され、表示画
面のサイズは３０インチ以上の横長の長方形であり、そ
の表示画面が横方向（Ｘ方向）に分割された複数の領域
（例えば図１中のＰＡ１〜ＰＡ３、又は図１９、２３中
のＰＡ１´〜ＰＡ４´）毎に走査露光装置によって回路
パターンをプレート基板（Ｐ）上に継ぎ露光することで
形成され、分割された各領域（ＰＡ１〜ＰＡ３又はＰＡ
１´〜ＰＡ４´）の長手方向（Ｙ方向）は表示画面の垂
直走査線（ＨＬ）の方向であって、且つ走査露光装置に
よるプレート基板（Ｐ）の走査移動の方向（Ｙ方向）に
設定され、分割された各領域（ＰＡ１〜ＰＡ３又はＰＡ
１´〜ＰＡ４´）の短手方向（Ｘ方向）は表示画面の水
平走査線（ＨＬ）の方向であって、且つ走査露光装置の
非走査方向（Ｘ方向）に関する投影視野（例えば図１、
２中のＥｘＳ、又は図２１、２２中のＩＡ１〜ＩＡ５の
合計）の最大範囲よりも小さく設定されていることを特
徴としている。

【００２３】また請求項１９に記載の発明は請求項１８
で規定された走査露光装置として、走査露光時にマスク
基板（Ｍ）を分割された各領域（ＰＡ１〜ＰＡ３又はＰ
Ａ１´〜ＰＡ４´）の長手方向（Ｙ方向）の寸法以上の
距離に渡ってほぼ等速に移動するとともに、その等速移
動の方向と直交した非走査方向（Ｘ方向）の微動とマス
ク基板（Ｍ）の面と垂直な軸の回りの微小回転（θ回
転）とが可能なマスクステージ（図３中の１５、又は図
２２中の５４）と、プレート基板（Ｐ）を保持して表示
画面の垂直走査線（ＨＬ）に対応した方向（Ｙ方向）に
ほぼ等速に移動可能であるとともに、表示画面の水平走
査線（ＨＬ）に対応した方向にステップ移動可能なプレ
ートステージ（図３中の２０、図２２中の６４）とを備
えた走査露光装置を用いて製造されることを特徴として
いる。

【００２４】

【発明の実施の形態】図１〜図２は、本発明の製造方法
をＴＦＴ型の大型液晶表示デバイスに適用する場合に好
適な実施例によるマスクパターンの分割法とプレート基
板（感応性基板）上での継ぎ露光法とを模式的に示す図
であり、図３は図１、２のマスクパターンをプレート基
板上に露光するためのミラープロジェクション型露光装
置の概略構成を示す図である。

【００２５】図１において、マスク基板上には、表示画
素用の繰り返しパターン部と一部の周辺端子パターン部
ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３とを含む集合パターン領域ＰＡ
が形成されている。この集合パターン領域ＰＡの外形
は、ここではＹ方向を長辺とする長方形に形成され、そ
の短辺方向（Ｘ方向）の寸法はミラープロジェクション
型露光装置の円弧スリット状の露光視野ＥｘＳの非走査
方向の範囲内に納まるように定められる。

【００２６】本実施例では、この集合パターン領域ＰＡ
をプレート基板上でＸ方向に接合して繰り返し露光転写
することで大きな表示領域を形成するが、最終的に作ら
れる表示デバイス上での水平走査線ＨＬの方向はＸ方
向、即ちミラープロジェクション型露光装置によってプ
レート基板を走査露光するときの移動方向（矢印Ｄｓで
示したＹ方向）と直交したステッピング方向に定められ
る。

【００２７】そして本実施例における集合パターン領域
ＰＡは、完成後の表示デバイスの表示領域における垂直
走査線方向の寸法を包含するように定められる。従って
図１に示すように集合パターン領域ＰＡをプレート基板
上で上下（Ｙ方向）に接合することはなく、専ら水平走
査線ＨＬの方向（Ｘ方向）に継ぎ露光される。このた
め、表示画素領域の上端側、或いは下端側に配置される
周辺端子パターン部ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３は、ミラー
プロジェクション型露光装置の円弧スリット状の露光視
野視野ＥｘＳによる１回の走査露光で表示画素のパター
ン部とともに転写される。

【００２８】さて本実施例では、完成後の表示画面上で
の接合部（継ぎ部）が視覚的に認知できないように、プ
レート基板上での継ぎ部ＪＡ，ＪＢの水平走査線ＨＬ方
向の幅を５〜５０ｍｍ程度に定め、この範囲内で集合パ
ターン領域ＰＡの左右の周辺領域（Ｘ方向の幅５〜５０
ｍｍ）同志がオーバーラップするように定めるものとす
るが、その数値範囲は一例であって本発明の各実施例で
開示する継ぎ幅が、全てその数値範囲に限定されるもの
ではない。

【００２９】但し、そのオーバーラップとは左右の周辺
領域全体がオーバーラップすることを意味し、その左側
の周辺領域内に形成されている個々のパターン形状や配
置と右側の周辺領域内に形成されている個々のパターン
形状や配置とは相補的な入れ子関係になっているため、
厳密に見ると全く異なったパターン形状同志をＸＹ方向
に精密にアライメントとて継ぎ露光しているに過ぎな
い。

【００３０】図１に示すように、集合パターン領域ＰＡ
の左周辺端にはＸ方向に一定の幅（例えば１０ｍｍ）を
有する周辺継ぎ領域ＳＡ１が確保され、集合パターン領
域ＰＡの右周辺端にはＸ方向に一定の幅（同様に１０ｍ
ｍ）を有する周辺継ぎ領域ＳＡ２が確保される。継ぎ領
域ＳＡ１のうち端子パターン部ＣＮ１に属するパターン
の端部形状として、図１中の円ＡＬ内に模式的に示すよ
うに、Ｘ方向に延びる複数本の配線パターンがＹ方向に
繰り返し形成されている場合は、例えばストレートな先
端部を持つ配線パターンＶａ１と先端部を僅かに太らせ
た配線パターンＶｂ１とをＸ方向の端部位置を僅かにず
らしてＹ方向に繰り返し形成する。

【００３１】一方、継ぎ領域ＳＡ１内の端子パターン部
ＣＮ１の配線パターン群と接合される右側の継ぎ領域Ｓ
Ａ２内の端子部ＣＮ３の配線パターン群は、図１中の円
ＡＲ内に模式的に示すように、Ｘ方向に延びる複数本の
配線パターンをＹ方向に繰り返し形成したものとなり、
先端部を僅かに太らせた配線パターンＶａ２とストレー
トな先端部を持つ配線パターンＶｂ２とをＸ方向の端部
位置を僅かにずらしてＹ方向に繰り返し形成される。

【００３２】なお、通常の液晶表示デバイスの場合に
は、端子パターン部ＣＮ１内に円ＡＬ内のような水平方
向（Ｘ方向）に延びる配線パターンが形成されることは
皆無であるが、端子部ＣＮ１，ＣＮ２…内に画素用トラ
ンジスタを駆動するためのドライバーＩＣ回路をリソグ
ラフィ工程で作り込んだりする場合は、このように水平
方向に延びる配線パターンが存在し得る。

【００３３】このように、左右の継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ
２の各々に位置する端子部ＣＮ１，ＣＮ３に属する各配
線パターン群同志が、継ぎ方向（Ｘ方向）に延びた配線
を含む場合は、これらの各配線パターン群同志はＸ方向
に関して相補的な形状、及び配置となっており、プレー
ト基板上で継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２が重畳して接合され
ると、継ぎ部ＪＡ，ＪＢでの端子部ＣＮ１，ＣＮ３に対
応した転写パターンは、図１中の円ＣＣ内に模式的に示
すように、プレート基板上で重畳される継ぎ領域ＳＡ１
´，ＳＡ２´内では、配線パターンＶａ１の先端部と配
線パターンＶａ２の太った先端部とがＸ方向に１〜数μ
ｍ程度で重なり合い、配線パターンＶｂ１の太った先端
部と配線パターンＶｂ２の先端部とがＸ方向に１〜数μ
ｍ程度で重なり合って形成（２重露光）される。

【００３４】なお、端子部ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３内の
配線パターン群はいずれも表示領域外であるため、継ぎ
目が認識されないように継ぎ部のパターン形状を工夫す
る必要はなく、図１中の円ＡＬ，ＡＲ内に示したように
各配線パターンの端部をＹ方向に結ぶ包絡線を全体的に
折れ線状にする以外に、単なる直線状でもよい。このよ
うに継ぎ部での配線パターン群の先端の包絡線はいずれ
でも良いが、各継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内ではＸ方向に
関して相補的なパターン形状になっている必要がある。

【００３５】また各配線パターンＶｂ１，Ｖａ２のよう
に先端部を太らせておくと、プレート基板上で継ぎ部Ｊ
Ａの左右に位置する集合パターン領域ＰＡの各転写像Ｐ
Ａ１とＰＡ２、或いは継ぎ部ＪＢの左右に位置する集合
パターン領域ＰＡの各転写像ＰＡ２とＰＡ３の相対的な
残留アライメント誤差（例えばＸ方向に±0.5μｍ，Ｙ
方向に±0.6μｍ）による継ぎ誤差を吸収して、断線等
の危険性を回避し得る。

【００３６】このような手法は、例えば特開昭６３−１
６０３３１号公報や特開昭６３−３１２６３６号公報に
詳細に開示されており、また継ぎ露光とアライメントの
最適化に関しては、例えば特開昭６３−２１１６２３号
公報や特開平１−２２７４３２号公報に詳細に開示され
ているので、必要であればこれらの従来の手法がそのま
ま、或いは若干の変形によって本発明にも適用可能であ
る。

【００３７】先にも述べたが、端子パターン部ＣＮ１〜
ＣＮ３内に形成される配線パターン群は、通常、表示画
素の各々を駆動するための薄膜トランジスタのドレイン
（又はソース）配線であり、図１中のＹ方向に延びてい
る。そのため図１中の円ＡＬ，ＡＲ，ＣＣ内に示すよう
なＸ方向に延びる配線パターンを形成することは、端子
パターン部ＣＮ１〜ＣＮ３内に画素駆動用トランジスタ
の専用ドライバーＩＣ回路等をリソグラフィ工程でプレ
ート基板上に一緒に作り込むと言った特別な場合を除い
て皆無である。

【００３８】さて、図１に示した集合パターン領域ＰＡ
において、継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内の水平走査線ＨＬ
で規定される画素部でのパターン形状は、図１中の円Ｂ
Ｌ，ＢＲ内に示すように、Ｘ方向に関して相補的である
とともにランダムな入れ子関係になつている。この円Ｂ
Ｌ，ＢＲ内に形成されるパターンは、一例として各画素
セル毎に組み込まれる薄膜トランジスタのゲートを、水
平走査線単位で共通につなぐゲート配線を模式的に表し
たものである。

【００３９】図１の円ＢＬ，ＢＲ内に示すように、例え
ば集合パターン領域ＰＡの左側の継ぎ領域ＳＡ１内に形
成される特定のゲート線パターンＶｃ１と右側の継ぎ領
域ＳＡ２内に形成される特定のゲート線パターンＶｃ２
は、プレート基板上の継ぎ部ＪＡ，ＪＢ内では図１の円
ＣＰ内のように直線的に接合されるべきパターンであ
る。本実施例では、各継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２のＸ方向
の幅寸法を画素サイズで割った商の整数倍（１〜３）の
数で、継ぎ部ＪＡ，ＪＢを成す転写像領域ＳＡ１´，Ｓ
Ａ２´内に形成されるべきゲート線パターンをＸ方向に
分割し、個々の分割パターン要素をマスク上の継ぎ領域
ＳＡ１とＳＡ２のどちらかに属させるかをランダムに振
り分けることで、画素領域の継ぎ目を目立たなくしてい
る。

【００４０】従って、マスク上の左側の継ぎ領域ＳＡ１
内に形成される画素パターン部と右側の継ぎ領域ＳＡ２
内に形成される画素パターン部は、少なくともＸ方向に
関して相補的であるとともにランダムな飛び石状の入れ
子関係でパターニングされる。もちろん、プレート基板
上の継ぎ部の転写像ＳＡ１´，ＳＡ２´中のＹ方向につ
いても、ゲート線パターン毎の分割の振り分けをランダ
ムにしておくことが望ましい。

【００４１】以上のような集合パターン領域ＰＡを円弧
スリット状の露光視野ＥｘＳによって走査露光してプレ
ート基板上に転写する際、マスク基板はＹ方向に１次元
移動するマスクステージ上に載置され、プレート基板は
Ｙ方向に等速移動できるだけでなくＸ方向に精密にステ
ッピングできるプレートステージ上に載置される。そし
て図１の場合、１回目の走査露光ではマスク基板とプレ
ート基板とを矢印Ｄｓの方向に一定速度で相対移動させ
てプレート基板上に集合パターン領域ＰＡの転写像ＰＡ
１を露光する。

【００４２】次に、プレート基板上に既に露光された転
写像ＰＡ１の右側の継ぎ領域ＳＡ２´と、マスク基板上
の左側の継ぎ領域ＳＡ１の投影像とが重畳するように、
マスクステージとプレートステージとのＹ方向の相対位
置関係（アライメント状態）を変えずに、Ｘ方向の相対
位置関係だけを例えば±0.5μｍ程度の精度で精密にス
テッピングさせ、しかる後に２回目の走査露光によりマ
スク基板上の同じ集合パターン領域ＰＡの転写像ＰＡ２
をプレート基板上に形成する。同様にステッピングと走
査露光とを繰り返して、転写像ＰＡ２と接合した集合パ
ターン領域ＰＡの転写像ＰＡ３を形成する。

【００４３】このように、本実施例では、３回の走査露
光と２回のステッピングという極めて少ない露光操作に
よって、プレート基板上にはＸ方向を長辺とした横長の
表示領域を有する液晶ディスプレーの画素パターン部と
上下の端子パターン部とが形成される。この場合、マス
ク基板に描画される集合パターン領域ＰＡのＸ方向の幅
寸法を３５〜４０ｃｍ程度にすると、ミラープロジェク
ション露光装置の投影倍率が等倍であるので、プレート
基板上には横幅（水平走査線ＨＬ方向の寸法）が９０ｃ
ｍ以上の表示デバイスを作ることが可能となる。

【００４４】なお、表示デバイスの垂直走査線方向（Ｙ
方向）の最大表示寸法は、基本的にはマスクステージと
プレートステージのＹ方向への走査移動ストロークによ
って制限されるが、集合パターン領域ＰＡに含まれる周
辺の端子パターン部のうち、上下のいずれか一方が省略
できるような回路デザインにしておけば、その分だけ表
示領域のＹ方向寸法を拡大できることになり、より大き
な表示画面のディスプレー装置を製造できる。

【００４５】ところで、図１の集合パターン領域ＰＡだ
けでは、完成された表示デバイス用の全パターンをプレ
ート基板上に形成することは難しく、実用的には図２に
示すようなマスク基板Ｍが準備される。図２は、図１で
説明した集合パターン領域ＰＡの他に、プレート基板Ｐ
上に形成される表示領域全体の左右に接合すべき端子パ
ターン部を含むパターン領域ＰＡＬ，ＰＡＲを１枚のマ
スク基板Ｍ上に設ける場合の配置例を示すものである。

【００４６】各端子部パターン領域ＰＡＬ，ＰＡＲに
は、各水平走査線毎のゲート線をドライバー回路へ接続
するための中継タブシート（フレキシブルなプリント基
板シート）と結合される複数の端子部パターンＣＮ４，
ＣＮ５，ＣＮ６が形成されるとともに、集合パターン領
域ＰＡの表示画素領域と継ぎ露光されるべき外周付近の
画素パターン部が形成される。また各端子部パターン領
域ＰＡＬ，ＰＡＲ内の端子部パターンＣＮ４，ＣＮ６
は、それぞれ集合パターン領域ＰＡの上下の端子部パタ
ーンＣＮ１，ＣＮ３と接合され得る。

【００４７】図２に示すように、集合パターン領域ＰＡ
の左右の継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内に形成される表示画
素部のパターン形状は、円ＢＬ１，ＢＲ１内に示すよう
にＸ方向に関して互いに相補的であるとともにランダム
な飛び石状の入れ子関係になっており、これは先の図１
中の円ＢＬ，ＢＲ内で説明したパターン形状と同じであ
る。一方、左側の端子部パターン領域ＰＡＬの継ぎ領域
ＳＡ１内に形成される表示画素部のパターン形状は、円
ＢＲ２内に示すように集合パターン領域ＰＡの左側の継
ぎ領域ＳＡ１内のパターン形状と相補的であるとともに
飛び石状の入れ子関係になっている。

【００４８】すなわち、端子部パターン領域ＰＡＬの継
ぎ領域ＳＡ１内に形成される表示画素部のパターン形状
（円ＢＲ２内）は、集合パターン領域ＰＡの右側の継ぎ
領域ＳＡ２内のパターン形状（円ＢＲ１内）と全く同一
になっている。同様に、右側の端子部パターン領域ＰＡ
Ｒの継ぎ領域ＳＡ２内に形成される表示画素部のパター
ン形状は、円ＢＬ２内に示すように集合パターン領域Ｐ
Ａの右側の継ぎ領域ＳＡ２内のパターン形状と相補的で
あるとともにランダムな飛び石状の入れ子関係になって
おり、結局、端子部パターン領域ＰＡＲの継ぎ領域ＳＡ
２内に形成される表示画素部のパターン形状（円ＢＬ２
内）は、集合パターン領域ＰＡの左側の継ぎ領域ＳＡ１
内のパターン形状（円ＢＬ１内）と全く同一になってい
る。

【００４９】また、マスク基板Ｍ上の各端子部パターン
領域ＰＡＬ，ＰＡＲと集合パターン領域ＰＡとの間に
は、所定の幅で遮光体ＳＢＬ，ＳＢＲが形成されるとと
もに、各パターン領域ＰＡ，ＰＡＬ，ＰＡＲのその他の
周辺部にも所定幅で遮光体が形成されている。特に遮光
体ＳＢＬ（ＳＢＲ）のＸ方向の幅は、円弧スリット状の
露光視野ＥｘＳの左右の周辺視野部ＥｘＳ１（ＥｘＳ
２）を使って端子部パターン領域ＰＡＬ（ＰＡＲ）を矢
印Ｄｓ１のように走査露光する際に、円弧スリット状の
露光視野ＥｘＳのうち周辺視野部ＥｘＳ１（ＥｘＳ２）
以外の範囲を遮光部材（可動ブラインド）で遮蔽すると
きのボケ幅を考慮して定められる。

【００５０】このようなマスク基板Ｍを使ってプレート
基板Ｐ上に表示デバイスを形成する場合、先の図１で説
明したように３回の走査露光と２回のステッピングによ
って集合パターン領域ＰＡの転写像ＰＡ１，ＰＡ２，Ｐ
Ａ３の各々をプレート基板Ｐ上に継ぎ露光した後、図２
に示すように露光視野ＥｘＳの左側の周辺視野部ＥｘＳ
１（Ｘ方向の寸法は端子部パターン領域ＰＡＬの幅より
も若干大きい）だけが有効になるように遮光部材を調整
する。

【００５１】それと並行して、マスク基板Ｍとプレート
基板ＰとのＹ方向の相対位置関係を崩すことなくプレー
トステージをＸ方向にステッピングさせて、既に露光さ
れている転写像ＰＡ１の左側の継ぎ領域ＳＡ１´上に端
子部パターン領域ＰＡＬの継ぎ領域ＳＡ１の投影像が精
密に重畳されるようにマスク基板Ｍとプレート基板Ｐと
位置決めする。

【００５２】その後、マスク基板Ｍとプレート基板Ｐと
を投影系に対してＹ方向に等速走査することで、円弧ス
リット状の露光視野ＥｘＳの制限された周辺視野部Ｅｘ
Ｓ１を介して端子部パターン領域ＰＡＬの投影像をプレ
ート基板Ｐ上の転写像ＰＡ１に継ぎ露光する。この走査
露光の後、プレート基板Ｐが再びステッピングされ、同
様にしてマスク基板Ｍ上の端子部パターン領域ＰＡＲの
投影像がプレート基板Ｐ上の転写像ＰＡ３の右側の継ぎ
領域ＳＡ２´で接合されるように走査露光される。

【００５３】従って本実施例では、５回の走査露光と４
回のステッピングとによって、実用的なマスク基板Ｍを
使ってプレート基板上に表示デバイス全体のパターンを
転写することが可能であるとともに、端子部パターン領
域ＰＡＬ，ＰＡＲの各転写像ＰＡＬ´，ＰＡＲ´が接合
されるプレート基板Ｐ上での継ぎ部ＪＣ，ＪＤは、図１
中に示した継ぎ部ＪＡ，ＪＢと同一のパターニングが施
され、同一の継ぎ条件で露光されるので、継ぎ目が目立
たないようにぼかされることになる。

【００５４】以上、本実施例におけるマスクパターンの
分割形態と継ぎ露光の形態とは、一例に過ぎず、特にマ
スクパターンの分割の形態は、露光装置のステージの移
動ストロークや露光視野ＥｘＳの大きさや形状に依存し
て自由に決めることができ、場合によっては集合パター
ン領域ＰＡと各端子部パターン領域ＰＡＬ，ＰＡＲとを
１枚のマスク基板ではなく別々のマスク基板上に形成し
ておき、マスク交換によって継ぎ露光を行うことも可能
である。

【００５５】次に図３を参照して図２のマスク基板Ｍを
使うミラープロジェクション露光装置の概略構成を説明
する。本実施例では投影光学系ＰＬとして平面鏡ＭＲ
１，ＭＲ４と凹面鏡ＭＲ２、及び凸面鏡ＭＲ３で構成さ
れる従来通りのオフナータイプの等倍反射投影系を用い
たミラープロジェクション露光装置を例示するが、比較
的に大きな露光視野を有する露光装置であれば、これに
限られるものではなく、反射屈折型の投影系或いは全屈
折型の投影系を備えた露光装置であっても良い。そのこ
とについては後で詳述する。

【００５６】さて図３において、露光用照明系１０から
の円弧状に制限された照明光はミラー１１で反射されて
照明用コンデンサー系１２に入射し、マスク基板Ｍを円
弧スリット状の一様の強度分布で照射する。マスク基板
ＭはＹ方向に大きなストロークで移動するとともに、Ｘ
方向とθ方向（マスク基板の面と垂直なＺ軸回りの回
転）とに微動するマスクステージ１５上に載置される。

【００５７】マスクステージ１５はリニアモータ等のア
クチュエータを含む駆動ユニット１６によって移動さ
れ、マスクステージ１５の座標位置（ＸＹθ）は多軸の
レーザ干渉計ユニット１７によって逐次計測され、その
計測情報はコンピュータを含む露光制御ユニット３０に
フィードバック信号として送られ、駆動ユニット１６の
サーボ制御に使われる。

【００５８】マスク基板Ｍからの結像光束は、投影光学
系ＰＬ内で平面鏡ＭＲ１、凹面鏡ＭＲ２、凸面鏡ＭＲ
３、平面鏡ＭＲ４の順番に反射され、プレート基板Ｐ上
の円弧スリット状の露光視野ＥｘＳ内に結像する。プレ
ート基板Ｐは２次元移動するプレートステージ２０上に
載置され、その移動はリニアモータ等のアクチュエータ
を含む駆動ユニット２１によって制御され、プレートス
テージ２０の座標位置とθ回転誤差とは多軸のレーザ干
渉計ユニット２２によって逐次計測される。その干渉計
ユニット２２からの計測情報は露光制御ユニット３０に
送られ、駆動ユニット２１の駆動制御に使われる。

【００５９】また投影光学系ＰＬ内の像面（又はマスク
基板）に近い光路中には、円弧状スリット露光視野Ｅｘ
Ｓの一部を任意に遮蔽するための可動ブラインド部材Ａ
Ｐが配置され、このブラインド部材ＡＰは遮蔽領域（或
いは有効露光領域）を設定するための露光制御ユニット
３０からの指令値に応答して駆動機構１８によって駆動
される。

【００６０】先の図２で説明したように、露光視野Ｅｘ
Ｓの周辺部ＥｘＳ１，ＥｘＳ２の一方だけを有効にし
て、残りの全部を遮蔽したり、或いは両方の周辺部Ｅｘ
Ｓ１，ＥｘＳ２を共に遮蔽して残りの中央部を有効にし
たりするのが、この可動ブラインド部材ＡＰの主な機能
である。尚、可動ブラインド部材ＡＰはマスク基板Ｍに
近接した上方側（照明系側）に配置しても良いし、露光
用照明系１０内でマスク基板Ｍのパターン面と光学的に
共役な関係となる位置、若しくはその位置の近傍に配置
しても良い。 このような露光装置では、走査露光時に
マスクステージ１５とプレートステージ２０とを所定の
同期精度でＹ方向に等速移動させる必要があるため、露
光制御ユニット３０はプレートステージ２０をＹ方向に
一定速度で移動させるように速度フィードバックと位置
フィードバックの２重ループで駆動ユニット２１を制御
し、マスクステージ１５のＹ方向の移動位置は常に同期
精度内でプレートステージ２０のＹ方向移動位置に追従
するように干渉計ユニット１７，２２の各々からの計測
情報のＹ方向座標の差分量に基づいて駆動ユニット１６
をサーボ制御する。

【００６１】このとき同時に、プレートステージ２０と
マスクステージ１５との相対的なＸ方向の位置誤差とθ
回転誤差とを干渉計ユニット１７，２２からの計測情報
に基づいて逐次計算し、その位置誤差とθ回転誤差とが
許容範囲内に追込まれるようにマスクステージ１５側の
駆動ユニット１６をサーボ制御する。またプレートステ
ージ２０をＸ方向にステッピングする際は、マスクステ
ージ１５とプレートステージ２０とのＹ方向の相対位置
関係や相対θ回転誤差を変えないように各駆動ユニット
１６，２１をサーボ制御しつつ、駆動ユニット２１のＸ
方向アクチュエータをサーボ制御する。

【００６２】ところで、図３の構成では、マスク基板Ｍ
上のマークとプレート基板Ｐ上のマークとを光電検出し
て、相対的な位置関係をアライメントするためのアライ
メント顕微鏡（アライメントセンサー）が省略されてい
るが、その種のアライメントセンサーは従来の露光装置
と同様に設けられている。さらにプレート基板Ｐやマス
ク基板Ｍのフォーカス位置からのずれを検出するオート
フォーカスセンサーも図示を省略したが、これも従来の
露光装置と同様に設けられているものとする。

【００６３】なお、先の図１、図２に示したようにプレ
ート基板上に形成される表示デバイスの外形はＸ方向に
長い長方形となるため、図３中のプレートステージ２０
のＸ方向の移動ストロークはそれに見合ったものとな
り、本実施例の場合、Ｙ方向の移動ストローク（走査露
光ストローク）よりも大きなストロークが必要となる。
また、露光用照明系１０内には光源としての水銀放電
灯、キセノンランプ、或いは紫外線レーザ等が含まれ、
水銀放電灯の場合は露光照明光として波長４３６ｎｍの
ｇ線、波長４０５ｎｍのｈ線、波長３６５ｎｍのｉ線等
の単独輝線、或いはそれら複数の輝線を混合した連続発
光紫外線が選ばれる。

【００６４】紫外線レーザを光源とする場合、多くの紫
外線レーザがパルス発光動作であるため、マスク基板Ｍ
とプレート基板Ｐとの走査速度や円弧スリット状の露光
視野ＥｘＳのＹ方向の幅に応じてパルス発光の周波数
（パルス間のトリガ周期）を最適化したり、逆にパルス
発光の周波数に応じて走査速度を最適化したりする必要
がある。

【００６５】ところで、現在製造されている典型的なＴ
ＦＴ型液晶表示デバイスの表示画素部の回路パターン
は、一例として図４のような平面構造となる。図４は液
晶表示デバイスのガラスプレート基板上に形成される２
画素分のパターンとトランジスタパターンとの部分拡大
図であり、ここではカラー液晶表示デバイスを想定して
いるので、上段の画素はＲＧＢ（赤、緑、青）の３原色
の各々に対応したセルＰｘｒ１，Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ１で
構成され、下段の画素もＲＧＢの３原色の各々に対応し
たセルＰｘｒ２，Ｐｘｇ２，Ｐｘｂ２で構成される。

【００６６】それらのセルＰｘｒ１，Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ
１，Ｐｘｒ２，Ｐｘｇ２，Ｐｘｂ２はＩＴＯ膜によって
作られており、Ｙ方向（図１〜３中のＹ方向と同一）に
２００〜３５０μｍ程度の長さを有し、Ｘ方向に６０〜
１００μｍ程度の長さを有する長方形に形成される。ま
た各セルの間には表示画面の最上部から最下部に渡って
線状のドレイン配線パターンＤＷｒ１，ＤＷｇ１，ＤＷ
ｂ１，ＤＷｒ２…が形成され、縦方向に並んだ同一色の
セル同志（Ｐｘｒ１とＰｘｒ２同志、Ｐｘｇ１とＰｘｇ
２同志、Ｐｘｂ１とＰｘｂ２同志）の各々に付随したト
ランジスタの各ドレイン電極部ＤＰＴは、ドレイン配線
パターンＤＷｒ１，ＤＷｇ１，ＤＷｂ１の一部をＸ方向
に延長して作られる。

【００６７】各セルＰｘｒ１，Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ１，Ｐ
ｘｒ２，Ｐｘｇ２，Ｐｘｂ２の右下部には、各セル毎に
設けられるトランジスタのソース電極部ＳＰＴと電気的
に接続するための突出部Ｔｐｐが設けられ、ドレイン電
極部ＤＰＴとソース電極部ＳＰＴとの下層にはトランジ
スタとして機能するアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ
とする）層ＴｒＰが形成され、このａ−Ｓｉ層ＴｒＰの
下には絶縁膜を挟んでＸ方向に延びたゲート配線パター
ンＧＰ１，ＧＰ２，ＧＰ３…が、上下に並んだ各セルの
間を通るように形成されている。

【００６８】このゲート配線パターンＧＰ１，ＧＰ２，
ＧＰ３…は表示デバイスの画面の横幅全体に渡って延び
るように形成され、１本のゲート配線パターンが１本の
水平走査線ＨＬに対応している。このような典型的な回
路構造において、ＩＴＯ膜で形成される各セルＰｘｒ
１，Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ１，Ｐｘｒ２，Ｐｘｇ２，Ｐｘｂ
２…は、液晶媒体のその部分の光透過率を変化させるた
めの透明電極パターンであり、その透過率はセル駆動用
のアモルファス・トランジスタ（ａ−Ｓｉ層ＴｒＰ）の
電気特性上のばらつきによって変化し得る。

【００６９】トランジスタの電気特性は、ａ−Ｓｉ層Ｔ
ｒＰ上に重ね合わせ露光で形成されるドレイン電極部Ｄ
ＰＴとソース電極部ＳＰＴの相対位置合わせ精度（残留
アライメント誤差）に依存して変化し、図４中の右下の
円内に示すように、ドレイン電極部ＤＰＴとソース電極
部ＳＰＴのＹ方向の線幅が同じであるとき、ドレイン電
極部ＤＰＴがａ−Ｓｉ層Ｔｒ上に重なっているＸ方向の
幅ｄ１、ソース電極部ＳＰＴがａ−Ｓｉ層Ｔｒ上に重な
っているＸ方向の幅ｄ２、及びドレイン電極部ＤＰＴと
ソース電極部ＳＰＴのＸ方向の間隔ｄ０によって変化す
る。

【００７０】通常、ドレイン電極部ＤＰＴとソース電極
部ＳＰＴは同一のマスクパターンにて形成するので、間
隔ｄ０はどのトランジスタにおいても同一に出来るが、
幅ｄ１，ｄ２に関しては、１回の走査露光で転写された
トランジスタ間であれば、どれもほぼ同一の値になって
いる。しかしながら、２回目の走査露光、３回目の走査
露光…というように異なる走査露光で形成されたトラン
ジスタ間では、幅ｄ１，ｄ２が微妙に異なった値になる
ことがあり、これがトランジスタの電気特性（増幅率や
コンダクタンス等）の違いを生じさせる。

【００７１】その結果、継ぎ露光された２つの画面内の
セル部を比べると、継ぎ目の左側のセル部と右側のセル
部の各トランジスタ（ドレイン）に同一の駆動電圧を印
加しても、それらのセル部と対峙した液晶媒体部分の透
過率が僅かに異なり、これが表示画面上でのコントラス
ト差として認識されるのである。従って、継ぎ部で接合
されるパターンの先端部を結ぶ包絡線を単なる直線状に
したり、折れ線状や波線状にした場合は、継ぎ部両側の
コントラスト差の度合によってその包絡線に沿った継ぎ
目線が見えることがある。

【００７２】しかしながら、図１や図２に示したような
継ぎ露光方式を採用すると、プレート基板上での継ぎ領
域ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，ＪＤ内の表示画素部では、継ぎ方
向（Ｘ方向）に関してコントラスト差を持つ画素、又は
セルがランダムな入れ子状態で並ぶとともに、さらにそ
のランダムな入れ子状態を各水平走査線間でも異ならせ
ることにより、各継ぎ領域ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，ＪＤ内に
明確な継ぎ目線を作らなくすることができる。

【００７３】以上の図４に示した回路パターンの構造
は、ガラスプレート基板上に形成される画素用の電極パ
ターン（ＩＴＯ膜のセル）とトランジスタ用のパターン
とを表したものであり、実際の液晶表示デバイスの断面
構造は図５（Ａ）に模式的に示すように構成される。図
５（Ａ）は、図４中のＫ１−Ｋ１´矢視に相当する液晶
表示デバイスの部分断面を表したものであり、図５
（Ｂ）は図４中のＫ２−Ｋ２´矢視に相当するトランジ
スタ部分の断面を表したものである。

【００７４】図５（Ａ）において、ガラスプレート基板
Ｐの画素部分の上表面には一様の厚さで絶縁膜ＩＳＬが
形成され、その上に図４に示したドレイン配線パターン
ＤＷｒ１，ＤＷｇ１，ＤＷｂ１，ＤＷｒ２…と、セル
（ＩＴＯ電極膜）Ｐｘｒ１，Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ１，…と
が形成され、さらにその上には絶縁性の保護透明膜であ
るパッシベーション層ＰＶＬが表示領域全体に一様の厚
みで蒸着される。

【００７５】パッシベーション層ＰＶＬの上方には、一
定の間隙を保って透明電極膜ＯＰＬとカラーフィルター
板ＣＶＰが配置され、これら透明電極膜ＯＰＬとフィル
ター板ＣＶＰとは一体化されて表示領域全面を覆うよう
にプレート基板Ｐに支持され、パッシベーション層ＰＶ
Ｌと透明電極膜ＯＰＬの間の密封された間隙（数μｍ程
度）内にはＴＦＴ型の液晶媒体ＬＣＦが充填されてい
る。

【００７６】またカラーフィルター板ＣＶＰの下面に
は、各画素を構成する３原色のセルＰｘｒ１，Ｐｘｇ
１，Ｐｘｂ１，…の各々とほぼ同じ幅のストライプ状の
色フィルター層ＦＲ（赤），ＦＧ（緑），ＦＢ（青）が
各セル毎に対向して配置され、フィルター板ＣＶＰは、
セルＰｘｒ１，Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ１，…の各中心点と色
フィルター層ＦＲ，ＦＧ，ＦＢの各中心点とが、それぞ
れ中心線Ｃｒ，Ｃｇ，Ｃｂに整列されるように、ＸＹθ
方向にアライメントされてプレート基板Ｐ上に取付けら
れる。

【００７７】このような構造において、プレート基板Ｐ
の下側からカラーフィルター板ＣＶＰ側に向けて一様な
強度分布のバックライト光が照射されると、カラーフィ
ルター板ＣＶＰ側から表示映像を見ることができる。こ
のとき、１つの画素領域において、透明電極膜ＯＰＬを
共通電位として３原色の各々に対応したセルＰｘｒ１，
Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ１に個別の電位を与えると、その間に
存在する液晶媒体ＬＣＦの各セルＰｘｒ１，Ｐｘｇ１，
Ｐｘｂ１に対峙した部分の透過率が電位差に応じて変化
し、各フィルター層ＦＲ，ＦＧ，ＦＢを透過してくるバ
ックライト光の透過強度が変化する。これにより、３原
色の合成比が調整されて１画素分の色彩と輝度とが決定
される。

【００７８】その１画素のサイズは表示画面上で３００
μｍ角以下のほぼ正方形であるため、人の目にはセル毎
の３原色が分離して視認されることはなく、１つの点が
調整された色彩で調整された輝度で光っているように視
認される。もちろん表示画面上を顕微鏡等で拡大して観
察すると、１画素中の３原色を分離して見ることができ
る。

【００７９】一方、図５（Ｂ）に示すようにトランジス
タ部分の断面構造においては、ガラスプレート基板Ｐの
上面に金属物質によるゲート配線パターンＧＰ２が形成
され、その上に一様な厚みで絶縁膜ＩＳＬが形成され
る。その後、絶縁膜ＩＳＬの上にゲート配線パターンＧ
Ｐ２とアライメントしてａ−Ｓｉ層ＴｒＰが形成され、
さらにその上にドレイン配線パターンＤＰＴとソース電
極パターンＳＰＴとが金属物質で形成される。

【００８０】ただし実際には、ａ−Ｓｉ層ＴｒＰの上に
ｎ＋ａ−Ｓｉ層が積層され、ドレイン／ソース電極とａ
−Ｓｉ層ＴｒＰ間の電気的導通を確保している。またト
ランジスタのチャネル部となる部分はメタル層のエッチ
ング工程でｎ＋ａ−Ｓｉ層の対応した部分が除去される
ため、ドレイン電極とソース電極とがｎ＋ａ−Ｓｉ層を
介して導通することはない。

【００８１】それから、図４に示したようにドレイン配
線パターンＤＷｒ１，ＤＷｇ１，ＤＷｂ１，…と、ゲー
ト配線パターンＧＰ１，ＧＰ２，ＧＰ３，…とでマトリ
ックス状に仕切られた各桝目内に、ＩＴＯ膜によるセル
Ｐｘｒ１，Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ１，…のパターンが形成さ
れる。このとき、各セルＰｘｒ１，Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ
１，…の右下の突出部Ｔｐｐが対応したソース電極パタ
ーンＳＰＴの上部に一定面積で重なるようにアライメン
トされる。

【００８２】こうして製造される液晶表示デバイスの画
素（セル）部の電気的な等価回路は図６に示すように、
各水平走査線毎のゲート配線パターンＧＬ１，ＧＬ２，
ＧＬ３…と、縦方向に並んだ同一色のセル毎のドレイン
配線パターンＤＷｒ１，ＤＷｇ１，ＤＷｂ１，ＤＷｒ２
…との各交点に、スイッチング用のトランジスタＴＲ
１，ＴＲ２，ＴＲ３の各々のゲートＧとドレインＤとを
接続し、各トランジスタＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３のソー
スＳと共通電位Ｖｃｏとの間に、透明電極膜ＯＰＬとセ
ルＰｘｒ１，ＰｘＧ１，Ｐｘｂ１，Ｐｘｒ２，Ｐｘｇ
２，Ｐｘｂ２，Ｐｘｒ３，Ｐｘｇ３，Ｐｘｂ３…と液晶
媒体ＬＣＦとで構成される容量性負荷（コンデンサー）
を接続したものとなる。

【００８３】このような回路構成において、横方向に並
んだ各セル毎のドレイン配線パターンＤＷｒ１，ＤＷｇ
１，ＤＷｂ１，ＤＷｒ２…に与えるべき電位を送出する
ドライブ回路からの横方向駆動ラインＤＳＲ（ｎ），Ｄ
ＳＧ（ｎ），ＤＳＢ（ｎ），ＤＳＲ（ｎ＋１），…に、
各セル毎の輝度に応じたアナログ電圧を１水平走査線分
の走査開始前に一斉に与えておき、その水平走査線の走
査開始時に、対応したゲート配線パターンに瞬間的にパ
ルス信号を与えることで、その水平走査線に沿った全画
素内の各セル毎のトランジスタＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３
…を一斉に導通状態して、１水平走査線分の各セル毎の
アナログ電圧をコンデンサーに蓄積する。

【００８４】このため、各ゲート配線パターンＧＰ１，
ＧＰ２，ＧＰ３…には、ドライブ回路からの縦方向駆動
ラインＧＬ（ｍ−１），ＧＬ（ｍ），ＧＬ（ｍ＋１）…
を介して選択された１本の水平走査線に対するパルス信
号が与えられる。このようなドライブ回路の一例として
は、表示画面領域の左側（又は右側）の端子部内に上下
方向に並んだ各駆動ラインＧＬ（ｍ−１），ＧＬ
（ｍ），ＧＬ（ｍ＋１）…に、上から下、又は下から上
に順番にパルス信号を与えるシフトレジスタ回路が使わ
れる。

【００８５】一方、横方向の駆動ラインＤＳＲ（ｎ），
ＤＳＧ（ｎ），ＤＳＢ（ｎ），ＤＳＲ（ｎ＋１），…に
与えられるアナログ電圧は、映像信号中の輝度信号と色
信号とに基づいて各セル毎に与えるべき電圧として切り
出し、それを一時的にホールドするアナログシフトレジ
スタ回路を介して作られる。以上の各ドライブ回路は、
表示デバイスの額縁部の幅を小さくするためにプレート
基板Ｐの表示画素領域外の裏側に配置され、そこからフ
レキシブルなプリント基板シートで作られた配線用のタ
ブを介して、プレート基板Ｐ周囲の端子部ＣＮ１〜ＣＮ
６に引き出された横方向駆動ラインＤＳＲ（ｎ），ＤＳ
Ｇ（ｎ），ＤＳＢ（ｎ），ＤＳＲ（ｎ＋１），…、縦方
向駆動ラインＧＬ（ｍ−１），ＧＬ（ｍ），ＧＬ（ｍ＋
１）…に接続される。

【００８６】さて、以上の図５で示した構造の他に、実
際のトランジスタでは幾つかの付加的な層（先に説明し
たｎ＋ａ−Ｓｉ層等）も形成されるが、重ね合わせ露光
（即ち異なるマスクパターン）によって回路パターンの
生成が必要とされる典型的な層を、図５（Ａ），（Ｂ）
に示したように、ゲート配線パターンＧＰ１，ＧＰ
２，ＧＰ３…、ａ−Ｓｉ層ＴｒＰ、ドレイン配線パ
ターンＤＷｒ１，ＤＷｇ１，ＤＷｂ１…、ドレイン電極
部ＤＰＴ、ソース電極部ＳＰＴ、セルＰｘｒ１，Ｐｘ
ｇ１，Ｐｘｂ１，…の４種類を代表的に扱うことにす
る。

【００８７】従って、液晶表示デバイス用のプレート基
板Ｐ上に必要な回路パターンを形成するためには、少な
くとも４枚のマスク基板（即ち４種類のマスクパター
ン）が必要となる。これら４枚のマスク基板の各々に形
成される表示画素部のパターン形状は、先の図４と対応
させると図７のように表せる。図７において、重ね合わ
せ露光はゲート線パターンを転写する第１のマスク基板
Ｍ１、ａ−Ｓｉ層パターンを転写する第２のマスク基板
Ｍ２、ソース／ドレインパターンを転写するマスク基板
Ｍ３、そしてセルパターンを転写するマスク基板Ｍ４の
順番で行われる。

【００８８】これら４種類のマスクパターンにおいて、
図７中の黒ベタ部分はマスク基板上にクロム層を蒸着し
た遮光部として形成されるが、その逆に黒ベタ部分を透
明部としてその周囲全体を遮光部として形成してもよ
い。その関係は露光すべき層のプロセスやレジストのネ
ガポジによって決められるが、いずれにしろマスク基板
Ｍ１によって露光されたプレート基板上に、マスク基板
Ｍ２〜Ｍ４を順次重ね合わせ露光する際、原則的には既
に転写されたプレート基板上のパターンに対して次のマ
スク基板のパターンが許容アライメント精度（例えば３
σで±0.5μｍ）で精密に位置合わせされる。

【００８９】ところで、図７に示した各層毎の画素部分
のパターンは、いずれも表示画面内の継ぎ部以外での形
状を表し、先の図１や図２にて説明したようにマスク基
板上の継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内でのパターン形状は、
Ｘ方向に関して相補的でランダムな入れ子関係になって
いる。図７に示した４枚のマスク基板Ｍ１〜Ｍ４の場合
も、各マスク基板上に同一外形寸法で集合パターン領域
ＰＡ、左側端子部パターン領域ＰＡＬ、右側端子部パタ
ーン領域ＰＡＲの各々が形成され、各パターン領域ＰＡ
Ｓ，ＰＡＬ，ＰＡＲの継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内の画素
部分では、図２で説明したような条件でランダムな入れ
子関係になるようにパターンが細分化されている。

【００９０】そこで、継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内の画素
部分のパターン細分化の具体的な手法について、図８を
参照して説明する。この図８は、マスク基板上の継ぎ領
域ＳＡ１，ＳＡ２内に存在するＸ方向のセル数を３０個
（画素数は１０）としたとき、継ぎ領域の左側のパター
ン領域に属する継ぎ部パターンと右側のパターン領域に
属する継ぎ部パターンとの各々をセル単位で細分化する
場合を例示したものである。

【００９１】図８において、グラフの横軸は継ぎ領域Ｓ
Ａ１，ＳＡ２内のセル数を表し、３０個のセルの最も左
側（１番目）のセル位置で０となり、最も右側（３０番
目）のセル位置で１となるような基底関数ｆ（ｃ）を設
定する。この基底関数ｆ（ｃ）は、図８の場合は正弦波
の１８０°分の波形に定められているが、その他にガウ
ス波形の１／２近似波形、折れ線近似波形、多次関数波
形の一部、或いは単なる直線波形であってもよい。

【００９２】そして、このような基底関数ｆ（ｃ）の各
セル位置毎の値（０〜１）に、−１〜＋１の範囲の値を
とるランダム関数ｆ（ｒ）を加え、その加算値がスライ
スレベル０．５よりも小さいときは、そのセル位置の分
割パターン要素を左側のパターン領域に属するように定
め、加算値がスライスレベル０．５よりも大きいとき
は、そのセル位置の分割パターン要素を右側のパターン
領域に属するように定める。

【００９３】このようにして、互いにオーバーラップ露
光される継ぎ領域同志では、図８の下側に示すように、
セル単位で細分化されたパターン要素がランダムな飛び
石状に相補的な関係で形成される。即ち、左側のパター
ン領域に属する継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内に分割パター
ン要素が形成される黒色のセル単位の位置では、右側の
パターン領域に属する継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内の対応
するセル単位の位置が空白とされ、同様に右側のパター
ン領域に属する継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内に分割パター
ン要素が形成される黒色のセル単位の位置では、左側の
パターン領域に属する継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内の対応
するセル単位の位置が空白とされる。

【００９４】以上のような操作を、ランダム関数ｆ
（ｒ）の出力値を異ならせて継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内
の全ての水平走査線に対して行うことにより、垂直走査
線方向（Ｙ方向）に一列に並ぶセル単位の分割パターン
要素も、左側パターン領域に属するか右側パターン領域
に属するかをランダムに振り分けることができる。この
ように、継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内に形成される細分化
された分割パターン要素の配置を決める際に、ランダム
関数ｆ（ｒ）だけではなく、基底関数ｆ（ｃ）を併用す
ることによって、例えば継ぎ領域の左側パターン領域に
属する分割パターン要素の分布確率を継ぎ領域内の左側
では高くし、継ぎ領域内の右側では低くすることがで
き、表示画面上の継ぎ部でのコントラスト差をさらに滑
らかにできると言った効果が得られる。

【００９５】そこで、図７に示した４枚のマスク基板Ｍ
１〜Ｍ４の各々の継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内に形成され
る画素部分のパターン形状の一例を図９〜１２を参照し
て説明する。図９（Ａ），（Ｂ）はマスク基板Ｍ１に形
成される継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内のゲート配線パター
ンの部分拡大図であり、図中の破線で区画された長方形
の領域は表示画素部をセル単位（先の図４中のＰｘｒ，
Ｐｘｇ，Ｐｘｂの各々に対応）で分割した様子を示し、
全表示画面内の特定の１ヶ所に位置するセル単位をＣｘ
ｙとする。 このセル単位Ｃｘｙは４枚のマスク基板Ｍ
１〜Ｍ４上で全て同じ座標であるとともに、左側パター
ン領域に属する継ぎ領域（ＳＡ１又はＳＡ２）内と右側
パターン領域に属する継ぎ領域（ＳＡ１又はＳＡ２）内
とで互いに重なり合うセルである。

【００９６】プレート基板上の継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，Ｊ
Ｃ，ＪＤに対して左側となる左側パターン領域（図２中
のＰＡ，ＰＡＬ）の継ぎ領域（図２中の円ＢＲ１，ＢＲ
２）内に形成されるゲート配線パターンは、図９（Ａ）
に示すようにセル単位で細分化され、先の図８で説明し
た分割／振り分け方法に従って各分割パターン要素Ｅｐ
１がマスク基板Ｍ１上に形成される。このとき、右隣が
空白となるべきセル単位になっている各分割パターン要
素Ｅｐ１の右端部は、右隣のセル単位内にΔｘｐだけ張
り出ている。 この幅Δｘｐはプレート基板上で１〜数
μｍ程度になるように定められ、図９（Ｂ）に示す右側
パターン領域を継ぎ露光したときに、空白だったセル単
位内に露光される分割パターン要素Ｅｐ１と既に露光さ
れているプレート基板上の分割パターン要素Ｅｐ１の像
とが幅Δｘｐでオーバーラップ露光される。

【００９７】一方、プレート基板上の継ぎ部ＪＡ，Ｊ
Ｂ，ＪＣ，ＪＤに対して右側となる右側パターン領域
（図２中のＰＡ，ＰＡＲ）の継ぎ領域（図２中の円ＢＬ
１，ＢＬ２）内に形成されるゲート配線パターンは、図
９（Ｂ）に示すようにセル単位で細分化され、先の図８
で説明した分割／振り分け方法に従って各分割パターン
要素Ｅｐ１がマスク基板Ｍ１上に形成される。このと
き、各分割パターン要素Ｅｐ１の右端部は図９（Ａ）の
場合と同様に右隣のセル単位内にΔｘｐだけ張り出して
いる。

【００９８】以上の図９（Ａ），（Ｂ）から明らかなよ
うに、左右のパターン領域の各継ぎ領域内に形成される
画素部分の分割パターン要素Ｅｐ１同志は、互いに相補
的な配置になっているとともに、ランダムな飛び石状の
入れ子関係になっている。従って図９（Ａ），（Ｂ）の
各継ぎ領域をセル単位Ｃｘｙ同志が位置合せされるよう
にプレート基板上にオーバーラップ露光すると、水平走
査線（Ｘ方向）に一列に並ぶ分割パターン要素Ｅｐ１の
全てが接合されて、連続したゲート配線パターンが形成
される。

【００９９】なお、本実施例では、継ぎ部に対して左側
のパターン領域と右側のパターン領域とのいずれに属す
るかを問わず、分割パターン要素Ｅｐ１の右端をΔｘｐ
だけＸ方向に突出させることでオーバーラップ露光によ
る継ぎを行うようにしたが、これは継ぎ領域ＳＡ１，Ｓ
Ａ２内に形成される無数の分割パターン要素Ｅｐ１の設
計や検査手法を共通化できる利点を得るためである。

【０１００】従って、そのような利点を多少犠牲にして
も良い場合は、例えば、継ぎ部に対する左側パターン領
域の継ぎ領域内に形成される分割パターン要素Ｅｐ１
は、Ｘ方向の寸法をセル単位と全く同一にしておき、右
側パターン領域の継ぎ領域内に形成される分割パターン
要素Ｅｐ１は、そのパターン要素の左右に隣接するセル
単位が空白のときに、左端と右端とを共にΔｘｐだけ突
出させるようにしても良い。

【０１０１】一方、マスク基板Ｍ２に形成されるａ−Ｓ
ｉ層用のパターンのうち、左側パターン領域と右側パタ
ーン領域の各継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内の画素部分に配
列される分割パターン要素Ｅｐ２は、図１０に示すよう
に孤立した微小な矩形状（例えば２０μｍ角）であり、
前層のゲート配線パターンの分割パターン要素Ｅｐ１中
のＹ方向に突出した部分の上に整合するような配置で設
けられる。

【０１０２】プレート基板上の継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，Ｊ
Ｃ，ＪＤに対して左側となる左側パターン領域（図２中
のＰＡ，ＰＡＬ）の継ぎ領域（図２中の円ＢＲ１，ＢＲ
２）内に形成されるａ−Ｓｉ層のパターンは、図１０
（Ａ）に示すようにセル単位で細分化され、先の図８で
説明した分割／振り分け方法に従って各分割パターン要
素Ｅｐ２としてマスク基板Ｍ２上に形成され、プレート
基板上の継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，ＪＤに対して右側と
なる右側パターン領域（図２中のＰＡ，ＰＡＲ）の継ぎ
領域（図２中の円ＢＬ１，ＢＬ２）内に形成されるａ−
Ｓｉ層のパターンは、図１０（Ｂ）に示すようにセル単
位で細分化され、先の図８で説明した分割／振り分け方
法に従って各分割パターン要素Ｅｐ２としてマスク基板
Ｍ１上に形成される。

【０１０３】以上の図１０（Ａ），（Ｂ）から明らかな
ように、左右のパターン領域の各継ぎ領域内に形成され
る画素部分の分割パターン要素Ｅｐ２同志は、互いに相
補的な配置であるとともに、ランダムな飛び石状の入れ
子関係になっている。従って図１０（Ａ），（Ｂ）の各
継ぎ領域をセル単位Ｃｘｙ同志が位置合せされるように
プレート基板上にオーバーラップ露光すると、継ぎ領域
内の全てのセル単位に分割パターン要素Ｅｐ２によるａ
−Ｓｉ層のパターンが形成される。

【０１０４】この図１０（Ａ），（Ｂ）に示すａ−Ｓｉ
層パターンに対応した分割パターン要素Ｅｐ２の継ぎ領
域内でのランダムな配列は、先の図９（Ａ），（Ｂ）に
示したゲート配線パターンに対応した分割パターン要素
Ｅｐ１の継ぎ領域内でのランダムな配列状態とは異なる
ようにパターン設計されている。これは、４枚のマスク
基板Ｍ１〜Ｍ４の相互で分割パターン要素の配列ランダ
ム性を異ならせることで、継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，Ｊ
Ｄ内で輝度差を生じ得る画素をよりランダムに分散化さ
せ、継ぎ部を目立たなくさせるためである。

【０１０５】さらに、マスク基板Ｍ３に形成されるドレ
イン／ソース配線用のパターンのうち、左側パターン領
域と右側パターン領域の各継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内の
画素部分に配列される分割パターン要素Ｅｐ３は、図１
１に示すように、Ｙ方向に延びるドレイン配線部、その
ドレイン配線からＸ方向に延びるドレイン電極部、ソー
ス電極部をセル単位に分割した後、先の図８で説明した
分割／振分け法に従って配列、形成したものである。

【０１０６】プレート基板上の継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，Ｊ
Ｃ，ＪＤに対して左側となる左側パターン領域（図２中
のＰＡ，ＰＡＬ）の継ぎ領域（図２中の円ＢＲ１，ＢＲ
２）内に形成されるドレイン／ソース配線パターンは、
図１１（Ａ）に示すようにセル単位で細分化され、先の
図８で説明した分割／振り分け方法に従って各分割パタ
ーン要素Ｅｐ３がマスク基板Ｍ３上に形成される。

【０１０７】このとき、各分割パターン要素Ｅｐ３内の
ドレイン電極部とソース電極部とが前層で形成されるａ
−Ｓｉ層用の分割パターン要素Ｅｐ２と所定の位置関係
で整合するようにパターニングされるとともに、上隣り
が空白となるべきセル単位になっている各分割パターン
要素Ｅｐ３のドレイン配線部の上端部は、上隣りのセル
単位内にΔｙｐだけ張り出すように形成される。

【０１０８】この幅Δｙｐはプレート基板上で１〜数μ
ｍ程度になるように定められ、図１１（Ｂ）に示す右側
パターン領域を継ぎ露光したときに、空白だったセル単
位内に露光される分割パターン要素Ｅｐ３と既に露光さ
れているプレート基板上の分割パターン要素Ｅｐ３の像
とが幅Δｙｐでオーバーラップ露光される。また、プレ
ート基板上の継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，ＪＤに対して右
側となる右側パターン領域（図２中のＰＡ，ＰＡＲ）の
継ぎ領域（図２中の円ＢＬ１，ＢＬ２）内に形成される
ドレイン／ソース配線パターンは、図１１（Ｂ）に示す
ようにセル単位で細分化され、先の図８で説明した分割
／振り分け方法に従って各分割パターン要素Ｅｐ３がマ
スク基板Ｍ３上に形成される。このとき、各分割パター
ン要素Ｅｐ３の上端部は図１１（Ａ）の場合と同様に上
隣りのセル単位内にΔｙｐだけ張り出している。

【０１０９】以上の図１１（Ａ），（Ｂ）から明らかな
ように、左右のパターン領域の各継ぎ領域内に形成され
る画素部分の分割パターン要素Ｅｐ３同志は、互いに相
補的な配置になっているとともに、ランダムな飛び石状
の入れ子関係になっており、図１１（Ａ），（Ｂ）の各
継ぎ領域をセル単位Ｃｘｙ同志が位置合せされるように
プレート基板上にオーバーラップ露光すると、垂直走査
線に沿ってＹ方向に一列に並ぶ分割パターン要素Ｅｐ３
によるドレイン配線部の全てが接合されて、連続したド
レイン配線パターンが形成される。

【０１１０】最後に、マスク基板Ｍ４に形成されるセル
（ＩＴＯ膜）用のパターンのうち、左側パターン領域と
右側パターン領域の各継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内の画素
部分に配列される分割パターン要素Ｅｐ４は、図１２に
示すように孤立した矩形状（例えば９０×２７０μｍ
角）であり、前層で形成されるドレイン／ソース配線パ
ターンの分割パターン要素Ｅｐ３中のドレイン電極部
（図４中のＳＴＰ）とセルパターンの右下の突出部（図
４中のＴｐｐ）とが重なり合うような配置関係で設けら
れる。

【０１１１】プレート基板上の継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，Ｊ
Ｃ，ＪＤに対して左側となる左側パターン領域（図２中
のＰＡ，ＰＡＬ）の継ぎ領域（図２中の円ＢＲ１，ＢＲ
２）内に形成されるセル層のパターンは、図１２（Ａ）
に示すようにセル単位で細分化され、先の図８で説明し
た分割／振り分け方法に従って各分割パターン要素Ｅｐ
４としてマスク基板Ｍ４上に形成され、プレート基板上
の継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，ＪＤに対して右側となる右
側パターン領域（図２中のＰＡ，ＰＡＲ）の継ぎ領域
（図２中の円ＢＬ１，ＢＬ２）内に形成されるセル層の
パターンは、図１２（Ｂ）に示すようにセル単位で細分
化され、先の図８で説明した分割／振り分け方法に従っ
て各分割パターン要素Ｅｐ４としてマスク基板Ｍ４上に
形成される。

【０１１２】以上の図１２（Ａ），（Ｂ）から明らかな
ように、左右のパターン領域の各継ぎ領域内に形成され
る画素部分の分割パターン要素Ｅｐ４同志は、互いに相
補的な配置であるとともに、ランダムな飛び石状の入れ
子関係になっている。従って図１２（Ａ），（Ｂ）の各
継ぎ領域をセル単位Ｃｘｙ同志が位置合せされるように
プレート基板上にオーバーラップ露光すると、継ぎ領域
内の全てのセル単位に分割パターン要素Ｅｐ４によるセ
ル（ＩＴＯ膜）パターンが形成される。

【０１１３】この図１２（Ａ），（Ｂ）に示すセルパタ
ーンに対応した分割パターン要素Ｅｐ４の継ぎ領域内で
のランダムな配列状態は、先の図９〜１１の各々に示し
た各分割パターン要素Ｅｐ１，Ｅｐ２，Ｅｐ３の継ぎ領
域内でのランダムな配列とは異なるようにパターン設計
されているが、セル自体の配列位置の残留アライメント
誤差内でのばらつきは、継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，ＪＤ
でのコントラスト差を生じさせるクリティカルな要因で
はない。

【０１１４】そのため、マスク基板Ｍ４に形成される継
ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内のセル単位毎の分割パターン要
素Ｅｐ４の配列状態は、マスク基板Ｍ１〜Ｍ３のいずれ
かと同じ配列状態であっても良く、特に前層で形成され
るドレイン配線パターンとソース電極部とのアライメン
トが重要であることから、分割パターン要素Ｅｐ４の配
列をマスク基板Ｍ３に形成される分割パターン要素Ｅｐ
３の分割／振り分けと同じ配列にしても良い。

【０１１５】ところで、各パターン領域ＰＡ，ＰＡＬ，
ＰＡＲ内の継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内に形成されるセル
単位毎の分割パターン要素の配列法は、先の図８で説明
したように定められるが、プレート基板Ｐ上の各継ぎ部
ＪＡ〜ＪＤの左右で生じるコントラスト差と表示画面上
での継ぎ幅（ＳＡ１，ＳＡ２のＸ方向の幅）との間に
は、製造される表示デバイスの大きさ、セル単位の寸
法、プロセス等に依存して実験的、経験的に或る傾向が
ある。

【０１１６】図１３は、そのような傾向を模式的に表し
たグラフであり、縦軸は継ぎ部の左右に位置する表示画
面間のコントラスト差に対応した階調差を表し、横軸は
継ぎ幅を表している。ここでの階調差とは、比較すべき
２つの画素内の同一色同志に同じ駆動電圧を印加したと
きに生じる輝度差を、駆動電圧の分解能に対応して表し
たものである。

【０１１７】通常、画素の輝度階調は、各セルの透過率
を規定するためにトランジスタのドレイン電極に印加さ
れる駆動電圧によって決まり、目視による輝度差の認知
は表示される画像の色彩、パターン、密度、個人差等に
よって変化し得る。図１３で示したグラフは、直線的に
２つの画素領域を接合した表示デバイスの表示画面全体
を単一色で点灯したときに生じる直線的な継ぎ目の左右
での階調差と、その階調差を滑らかにぼかすために必要
な継ぎ幅（又は画素数）との関係を模式的に表したもの
で、一般的な傾向として、継がれる左右の画面間の階調
差が小さければ継ぎ幅は小さく、階調差が大きければ継
ぎ幅も大きくなる。

【０１１８】但し、製造する表示デバイスのサイズや製
造プロセス、使用する露光装置によって、その傾向は図
１３中の傾向Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄのように変化し得る。傾向
Ａ，Ｂはほぼ直線的な特性を持ち、傾きが大きな傾向Ａ
は例えば画面サイズが４０インチ程度に大きい場合であ
り、傾きの小さい傾向Ｂは画面サイズがそれよりも小さ
い場合である。

【０１１９】また傾向Ｃは、階調差の増加によって継ぎ
幅が指数的に増える傾向の場合であり、１階調以下の間
は１０ｍｍ程度の継ぎ幅で良かったものが、２階調の差
になると３０ｍｍ程度の継ぎ幅が必要となる。さらに傾
向Ｄは、傾向Ｃと逆の特性を有し、階調差が増加しても
継ぎ幅の増加がそれ程増えない傾向の場合であり、１階
調の差で１５ｍｍ程度の継ぎ幅となり、３階調の差で３
０ｍｍ程度の継ぎ幅となる。

【０１２０】このように様々な傾向となり得るが、階調
差と継ぎ幅の関係は、これらの傾向に従って無制限に適
用されることはなく、ある程度の上限がある。例えば継
ぎ部で５階調以上ものコントラスト差が生じ得るような
場合は、例え継ぎ幅を大きくして本実施例のような継ぎ
方法（図１や図２）を使ったとしても、継ぎ部内のコン
トラスト差がベルト状に変化することが視認されるた
め、製造プロセスを最適化したり、露光装置の各種パラ
メータ（露光量関連、アライメント関連、フォーカス関
連等）の設定や運用を見直すことが必要になる。

【０１２１】以上、表示デバイスの表示画素部の基本的
な製造方法を説明したが、プレート基板Ｐ上の各継ぎ部
ＪＡ〜ＪＤ内に形成されるマスク基板Ｍ１〜Ｍ４上の継
ぎパターンの形状、配置は、相補的でランダムな飛び石
状の入れ子関係に限られるものではなく、例えば、図１
４に示すように各継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内に分割パタ
ーン要素をＸ方向（継ぎ方向）のどの位置まで形成する
かを、各水平走査線毎にランダムに設定するような相補
的な入れ子関係にしてもよい。

【０１２２】図１４は、マスク基板Ｍ１上に形成される
ゲート配線パターンの継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２内での形
成状態を模式的に示したものであり、同一の水平走査線
ＨＬに沿って配置される左側の継ぎ領域ＳＡ１内の分割
パターン要素Ｅｐ１と、右側の継ぎ領域ＳＡ２内の分割
パターン要素Ｅｐ１とは、継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２のオ
ーバーラップ露光によって１本のゲート配線パターンと
して接合される。即ち、継ぎ目がランダムな折れ線状と
される。

【０１２３】このとき、左側の継ぎ領域ＳＡ１内に形成
される分割パターン要素Ｅｐ１の左端部と、右側の継ぎ
領域ＳＡ１内に形成される分割パターン要素Ｅｐ１の右
端部とは、先の図９で説明したようにＸ方向にΔｘｐだ
け重畳するようにパターン設計されている。さらに左側
の分割パターン要素Ｅｐ１の左端と右側の分割パターン
要素Ｅｐ１の右端とがプレート基板上で接合されるＸ方
向のセル位置を、各水平走査線毎にランダムにするよう
に定める。

【０１２４】このようなランダムな配置、形状は、先の
図７で説明したようにマスク基板Ｍ１〜Ｍ４の相互間で
全く異ならせておくのが好ましいが、継ぎ部でのコント
ラスト差が小さく、継ぎ幅も小さくてよい場合は、こと
さら異ならせる必要はなく同一にしておいてもよい。ま
た、あるマスク基板上の継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２には先
の図８のような方法で分割パターン要素を形成し、別の
マスク基板上の継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２には図１４のよ
うな方法で分割パターン要素を形成してもよい。

【０１２５】また、図８、図１４で説明した継ぎ領域Ｓ
Ａ１，ＳＡ２のＸ方向の幅は、マスク基板Ｍ１〜Ｍ４の
いずれにおいても同じとしたが、その継ぎ幅自体をマス
ク基板毎に変えてもよい。最初に説明したように、コン
トラスト差を変える主要因は各画素のセル毎に設けられ
るトランジスタの電気特性のばらつきであるため、トラ
ンジスタ形成上でクリティカルな層の露光に使うマスク
基板では、継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２の幅を広め（例えば
設計標準値に対して１．２〜１．５倍程度）にしてお
き、それ以外のノンクリティカルな層の露光に使うマス
ク基板では継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２の幅を標準に定めて
おくこともできる。

【０１２６】ところで、先の図１、図２で示したように
集合パターン領域ＰＡの上下周辺部に形成される端子パ
ターン部ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３には、先の図６で説明
したように垂直方向に一列に並ぶ全セルの各トランジス
タのドレインに共通接続されるドレイン配線群ＤＳＲ
（ｎ），ＤＳＧ（ｎ），ＤＳＢ（ｎ），ＤＳＲ（ｎ＋
１）…が図１５のように形成される。

【０１２７】図１５は各端子部ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３
に接続されるタブ４０の模式的な構成と配置を示し、各
端子部ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３には、例えば１２８画素
分（１２８×３セル分）のドレイン配線群３８４本がＸ
方向のピッチをセル単位のピッチよりも僅かに狭められ
て接続端子部ＣｎＰとしてプレート基板Ｐの周縁部にま
とめられる。この端子部ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ３の各接
続端子部ＣｎＰは、通常、先の図１１で示したマスク基
板Ｍ３上に形成されたドレイン／ソース配線パターンと
一緒に形成されており、プレート基板Ｐ上でもドレイン
／ソース配線層と同じ金属物質によって作られる。

【０１２８】図１５のように、例えば端子部ＣＮ２に接
続されるフレキシブルなタブ４０の先端部裏面には、プ
レート基板Ｐ側の接続端子部ＣｎＰ内の各配線とハンダ
着けされる多数本の配線が形成され、これらの配線はタ
ブ４０に搭載されたドレイン駆動回路としてのドライブ
回路ＩＣ１に接続され、このドライブ回路ＩＣ１は例え
ば水平方向に１２８画素分のセルの各々に対応したトラ
ンジスタのドレイン電圧を制御する。

【０１２９】また、タブ４０のプレート基板Ｐの周縁近
傍には折返し部分が設けられ、この折返し部でタブ４０
をプレート基板Ｐの裏側に折り返しておくことで、表示
デバイス装置として製品化されたときの額縁の幅を狭く
でき、特に携帯型のパソコン等で有利である。なお、タ
ブ４０上にはドライブ回路ＩＣ１以外に必要とされる他
の回路部品ＩＣ２，ＩＣ３等を実装させておくこともで
きる。そしてタブ４０の後端には、映像信号の主処理回
路基板と接続されるコネクター部４０Ａが形成される。

【０１３０】以上のようなタブ４０は、一連のリソグラ
フィ工程が完了した後に組立工程で各端子部ＣＮ１，Ｃ
Ｎ２，ＣＮ３に取付けられるが、このときタブ４０と端
子部とを正確に位置合せする必要があり、タブ４０の先
端部とプレート基板Ｐの周縁部には位置合せ用のマーク
Ｍｋが形成されている。このようなタブ４０を用いる実
装方法は、額縁を太くできない携帯型のパソコンやモバ
イル製品に有効であるが、据え置き型の大型テレビやデ
スク・トップ型パソコンのディスプレー等では額縁幅を
限界まで狭くする必要がないため、図１５中の端子部Ｃ
Ｎ１，ＣＮ２，ＣＮ３の領域にドライブ回路ＩＣ１をハ
ンダ着けしたり、或いは低温ポリシリ工程が使える場合
には、各端子部ＣＮ１〜ＣＮ３の領域にドライブ回路Ｉ
Ｃ１に相当するＩＣ素子を直接リソグラフィ工程で形成
しておくこともできる。但しそのような場合は、各端子
部ＣＮ１〜ＣＮ３内に形成される配線パターン形状は図
１５に示したものとは全く異なったものになる。

【０１３１】図１５のように、各端子部ＣＮ１〜ＣＮ３
に形成される配線パターンが接続端子部ＣｎＰのような
場合、先の図１、図２で説明したようにマスク基板上で
集合パターン領域ＰＡの左右に分離された端子部ＣＮ
１，ＣＮ３をプレート基板Ｐ上で継ぎ露光することにな
る。このため、マスク基板上の端子部内のパターンにつ
いても継ぎ領域では相補的な入れ子関係になるように、
パターンの分割／振り分け法が適用可能である。

【０１３２】但し、端子部内のパターニングの誤差は表
示画面とは無関係なので、先の図８で説明したようなセ
ル単位での分割／振り分け法は不要である。そこで、そ
の具体的な一例を図１６、図１７を参照して簡単に説明
する。図１６は、ドレイン／ソース配線パターン形成用
のマスク基板Ｍ３上に描画された集合パターン領域ＰＡ
のうち、左側の継ぎ領域ＳＡ１内の端子部ＣＮ１に形成
されるパターン形状の部分拡大図である。

【０１３３】図１６のように、継ぎ領域ＳＡ１内で表示
画素領域の最も上段に位置する水平走査線方向の画素列
は、先の図１１で説明したような分割／振り分け法に従
ってセル単位でドレイン／ソース配線用の分割パターン
要素Ｅｐ３がランダムな配置で形成される。そして最上
段の画素列のうちで、セル単位毎の分割パターン要素Ｅ
ｐ３が形成される場合は、その分割パターン要素Ｅｐ３
から接続端子部ＣｎＰ内の対応する配線終端部ＣＤＬま
で連続して配線パターン部Ｕ１を延ばし、セル単位毎の
分割パターン要素Ｅｐ３が形成されずに空白となる場合
は、そのセルに対応した配線終端部ＣＤＬのみを接合部
Ｑ１とともに形成する。

【０１３４】一方、図１６中の継ぎ領域ＳＡ１と重畳す
る集合パターン領域ＰＡの右側の継ぎ領域ＳＡ２内の端
子部ＣＮ３には、図１７に示すように図１６のパターニ
ングと相補的な入れ子関係になるようなパターンが形成
されている。従って、表示画素領域内で同一座標位置に
存在する図１６、図１７中の特定のセル単位Ｃｎｍ同志
をプレート基板上で精密に重ね合せ露光すると、図１７
のように最上段のセル単位に形成された分割パターン要
素Ｅｐ３から接続端子部ＣｎＰに向けて延ばされた配線
パターン部Ｕ２の上端が、プレート基板上に既に転写さ
れている図１６中の配線終端部ＣＤＬの接合部Ｑ１の潜
像とΔｙｐ（１〜５μｍ程度）だけＹ方向に重畳して接
合される。

【０１３５】一般に、図１５で説明したタブ４０は、各
端子部ＣＮ１〜ＣＮ３に対して共通に使えるようになっ
ているため、１つのタブ４０が水平方向に１２８画素分
のドレイン配線（３８４本）を受け持ち、水平走査線方
向の画素数が１０２４画素とすると、端子部ＣＮ２と同
様の端子部がＸ方向に８ヶ所形成され、８個のタブ４０
が必要となる。

【０１３６】このため、図２で示したように、集合パタ
ーン領域ＰＡの上下の両側に配置される端子部ＣＮ１と
ＣＮ３をプレート基板Ｐ上に継ぎ露光で転写して形成さ
れる端子部内のパターン配置や形状は、集合パターン領
域ＰＡの上下に単独に形成される端子部ＣＮ２内のパタ
ーン配置や形状と同一、即ち合同であることが望まし
い。しかしながら、表示領域内の水平方向の全画素数や
ドライブ回路ＩＣ１が扱えるドレイン配線数等の制限
で、必ずしも全ての端子部形状や配置を同一に出来ない
こともあり得る。

【０１３７】その場合は、他の端子部形状や配置と同一
にできない特定の端子部に含まれるドレイン配線の本数
を、タブ４０で受け持つドレイン配線の本数よりも減ら
すことで、タブ４０を共通に使うこともできる。また図
１や図２に示した集合パターン領域ＰＡには上下に端子
部ＣＮ１〜ＣＮ３が形成されているが、上下のいずれか
一方のみであってもよい。

【０１３８】しかしこの場合、接続端子部ＣｎＰ内の配
線パターンのピッチが細かくなり過ぎる。そのため、端
子部ＣＮ１〜ＣＮ３は集合パターン領域ＰＡの上下に配
置し、例えば水平方向の１画素分（ＲＧＢの３セル分）
飛びにドレイン配線パターン群を上側の端子部ＣＮ１〜
ＣＮ３と下側の端子部ＣＮ１〜ＣＮ３とに振分けるよう
にしてもよい。

【０１３９】図１８は、そのように隣り合った画素同志
のドレイン配線パターンを上側の端子部ＣＮ２と下側の
端子部ＣＮ２とに振分ける場合の一例を示す図である。
図１８は、プレート基板Ｐ上の表示画素領域の最上部と
最下部とに形成される端子部ＣＮ２内の配線パターンと
ドレイン配線との接続配置を模式的に表したものであ
り、表示画面上も最も上に位置する１つの画素をＰｘ
（ｎ，１）とすると、その１画素Ｐｘ（ｎ，１）を含む
垂直方向（Ｙ方向）の全画素の各セル（ＲＧＢの３セ
ル）を駆動するドレイン配線ＤＳＲ（ｎ），ＤＳＧ
（ｎ），ＤＳＢ（ｎ）は、上側の端子部ＣＮ２内に形成
される接続端子部ＣｎＰに接続される。

【０１４０】画素Ｐｘ（ｎ，１）の１つ右隣の画素Ｐｘ
（ｎ＋１，１）を含む垂直方向の全画素の各セル（ＲＧ
Ｂの３セル）を駆動するドレイン配線ＤＳＲ（ｎ＋
１），ＤＳＧ（ｎ＋１），ＤＳＢ（ｎ＋１）は、下側の
端子部ＣＮ２内に形成される接続端子部ＣｎＰに接続さ
れる。このように、水平方向の１画素毎にドレイン配線
の接続を上側の端子部ＣＮ２と下側の端子部ＣＮ２とに
振分けることで、接続端子部ＣｎＰ内の配線パターンの
ピッチを緩和することができる。

【０１４１】ところで、４０インチ以上の壁掛けテレビ
等の大型ディプレー装置を作る場合、水平走査線方向に
複数回継ぎ露光すべき集合パターン領域は、マスク基板
上で必ずしも共通にできるとは限らない。これは露光装
置に搭載できるマスク基板の最大寸法に制限があるとと
もに、露光装置の投影視野の非走査方向（Ｘ方向）に関
する最大寸法に制限があるからである。その場合、マス
ク基板上に形成すべき１層分の集合パターン領域を２〜
３種類に分けて２枚以上のマスク基板上に別々に形成し
ておけばよい。

【０１４２】図１９は、そのような大型ディスプレーを
プレート基板上に形成する際のマスクパターン分割法の
一例を示すものであり、ここでは横長のワイド画面を形
成するために左側パターン領域ＰＡＬ、右側パターン領
域ＰＡＲ、及び３つの集合パターン領域ＰＡ１´、ＰＡ
２´、ＰＡ１´の５つのマスクパターンを水平走査線方
向（Ｘ方向）に継ぎ露光する。即ち、プレート基板Ｐを
Ｙ方向に５回走査露光し、各走査露光の間にプレート基
板ＰをＸ方向にステッピング移動させる。

【０１４３】各集合パターン領域ＰＡ１´、ＰＡ２´内
に形成されるパターン構造、形状、配置、Ｘ方向寸法を
全く同じにできる場合は、先の図２のように、マスク基
板上に左側パターン領域ＰＡＬ、右側パターン領域ＰＡ
Ｒと１つの集合パターン領域ＰＡを形成することが可能
である。しかしながら、図１９のように２つの集合パタ
ーン領域ＰＡ１´、ＰＡ２´を共通にできない場合、例
えば集合パターン領域ＰＡ２´のＸ方向寸法を集合パタ
ーン領域ＰＡ１´の寸法よりも小さくするような分割の
場合もある。

【０１４４】この場合、例えば１枚目のマスク基板には
左側パターン領域ＰＡＬ、右側パターン領域ＰＡＲ、集
合パターン領域ＰＡ２´の３つのパターン領域が形成さ
れ、２枚目のマスク基板には集合パターン領域ＰＡ１´
のみが形成され、或る層を露光する際に、これら２枚の
マスク基板を交換して継ぎ露光される。また、集合パタ
ーン領域ＰＡ１´のように、同じパターンの走査露光を
繰り返す場合、表示画素部でのパターン分割の単位は、
先にも説明したように基本的に端子部の大きさ（１つの
接続端子部ＣｎＰが受け持つドレイン配線の最大本数分
の幅Ｘｐｃ）の整数倍のＸ方向寸法で切り出すことにな
る。図１９では２端子部ブロックづつの分割となり、端
子部ＣＮ１´と端子部ＣＮ３´とがＸ方向に接合される
と、端子部ＣＮ２´と全く同じ大きさで、同一構造の配
線パターンが形成される。

【０１４５】但し、端子部ＣＮ２´やＣＮ６´は元々分
割されていないため、分割される端子部ＣＮ１´，ＣＮ
３´の形状や長さと必ずしも一致させる必要はなく、単
独の端子部ＣＮ２´，ＣＮ６´のＸ方向寸法（ドレイン
配線の本数に対応）と、端子部ＣＮ１´と端子部ＣＮ３
´の接合で形成される端子部のＸ方向寸法とが異なって
いても良い。図１９の場合、端子部ＣＮ２´の幅Ｘｐｃ
と端子部ＣＮ６´の幅Ｘｐｃ´とは、Ｘｐｃ＞Ｘｐｃ´
の関係になっている。

【０１４６】さらに分割される端子部ＣＮ１´，ＣＮ３
´は何処の継ぎ部においても互いに幾何学的に合同であ
る必要がある。なお、左側パターン領域ＰＡＬ（又は右
側パターン領域ＰＡＲ）に付随したゲート配線用の端子
部の形状には制約は無く、ピッチも違っていて構わな
い。図１９では、同じ形状、配線パターン構造でなけれ
ばならない端子部は同じ符号で示してあるが、左側パタ
ーン領域ＰＡＬに含まれる端子部ＣＮ４´は端子部ＣＮ
１´と接合できれば良く、必ずしも端子部ＣＮ３´と同
じ形状、寸法である必要はない。同様に、右側パターン
領域ＰＡＲに含まれる端子部ＣＮ５´も端子部ＣＮ３´
と接合できれば良く、必ずしも端子部ＣＮ１´と同じ形
状、寸法である必要はない。

【０１４７】また、マスク基板上或いはプレート基板上
の端子部近辺、又は端子部パターン領域内には、露光装
置で利用するアライメントマーク、後工程用に供するマ
ーク、或いはＴＥＧ（テストエレメントグループ）パタ
ーンを入れることが可能である。これらのマークやパタ
ーンは画素領域以外の任意の位置に設定出来る。ところ
で、図１９のようなプレート基板を製造する際に、露光
装置のマスクステージが投影系ＰＬに対して非走査方向
（Ｘ方向）に大きく移動できない場合であって、３回の
継ぎ露光で転写すべき２つの集合パターン領域ＰＡ１´
と１つの集合パターン領域ＰＡ２´とが共通の寸法、パ
ターン配置である場合、１つの集合パターン領域のＸ方
向寸法と２つの端子部パターン領域ＰＡＬ，ＰＡＲの各
々のＸ方向寸法との合計寸法が、露光装置の投影視野
（図１，２中のＥｘＳや図２１，２２中のＩＡ１〜ＩＡ
５の合計）のＸ方向の最大範囲より小さい値である必要
がある。

【０１４８】一例として、ＨＤＴＶ用の表示パネルとし
て、水平画素数１９２０で垂直画素数１０８０のディス
プレイを設計、製造する場合を図２０を参照して説明す
る。横長方向が１９２０画素とすると、ＲＧＢの３色の
カラーストライプ配列の場合、全部で１９２０×３＝５
７６０本のドレイン配線を受け持つ端子部が必要にな
る。端子部のタブとの接続配線は通常ドライバーＩＣ
（図１５中の回路ＩＣ１に相当）の出力端子数単位で分
割される。

【０１４９】先の図１９では表示画面の上下の両側にド
レイン用端子配線を引き出す場合（先の図１８参照）を
示したが、図２０では表示画面の下側の端子部ＣＮ１´
〜ＣＮ４´にだけドレイン用端子配線を引き出すととも
に、表示画面の左側だけにゲート用端子配線を引き出す
端子部ＣＮ５´を配置する場合で説明する。また、この
種のドライバーＩＣとして３８４本（１２８画素×３）
の出力を有するものが使われているので、ここでもその
ドライバーＩＣを用いるものとすると、この場合、丁度
１５個（５７６０÷３８４）のドライバーＩＣで水平走
査線方向の全部のドレイン配線を受け持つことができ
る。

【０１５０】表示画面が４０インチでアスペクト比１
６：９のディスプレイの場合、１画素内のセル単位の水
平走査線方向のピッチを１５４μｍとすると、表示画面
の長辺は８８７．０４（５７６０×０．１５４）ｍｍと
なり、正確には４０．０７インチのディスプレーとな
る。このため、長辺寸法をドライバーＩＣの個数１５で
均等割りした場合、１つの端子部ＣＮ２´のＸ方向ピッ
チ（又は幅）は５９．１３６ｍｍとなる。

【０１５１】先の図１９のように、表示画素部をＰＡ１
´，ＰＡ２´，ＰＡ１´の順に３回の繰り返しで走査露
光する場合、左右端の端子部の一部（例えばＣＮ４´と
ＣＮ５´）を除くと１４個の端子部が最大である。しか
しこの数は３で割り切れない為、３で割り切れる整数と
して１２個の端子部が設定される。これを３回の走査露
光でプレート基板上に転写するので、１回の走査露光時
に表示画素部としてのパターン領域ＰＡ´とともに同時
に転写できる端子部は、図２０に示すようにマスク基板
上で分割されて継ぎ露光により端子部ＣＮ２´と同じ形
状寸法となる端子部ＣＮ１´とＣＮ３´の一対と、マス
ク基板上で分割されていない３個の端子部ＣＮ２´との
計４個となる。

【０１５２】図２０において、各パターン領域ＰＡ´の
各Ｘ方向寸法を同一にすると、１つのパターン領域ＰＡ
´のＸ方向寸法は４個の端子部ＣＮ２´がＸ方向に並ぶ
寸法であるから、４×５９．１３６＝２３６．５４４ｍ
ｍとなる。残りは、端子部ＣＮ２´の単位で３個分とな
るが、図２０では、その３個分を左側パターン領域ＰＡ
Ｌ´とともに露光される１つの端子部ＣＮ３´と、右側
パターン領域ＰＡＲ´とともに露光される１つの端子部
ＣＮ１´と２つの端子部ＣＮ２´とに分けて配置する。

【０１５３】ここでも一対の端子部ＣＮ１´と端子部Ｃ
Ｎ３´は継ぎ露光によって端子部ＣＮ２´と同一の形状
寸法（合同）になるため、継ぎ目の幅（ＳＡ１，ＳＡ
２）を零と仮定した場合、端子部ＣＮ１´、ＣＮ３´の
各々のＸ方向寸法をＸｎ１，Ｘｎ３とすると、Ｘｎ１＋
Ｘｎ３＝５９．１３６ｍｍとなる。また表示画面の左側
に配置されるゲート配線用の端子部ＣＮ５´のＸ方向幅
αを１０ｍｍとすると、継ぎ目の幅を零と仮定して、左
側パターン領域ＰＡＬ´のＸ方向寸法は（Ｘｎ３＋α）
ｍｍとなり、右側パターン領域ＰＡＲ´のＸ方向寸法は
（Ｘｎ１＋１１８．２７２）ｍｍとなる。

【０１５４】従って、表示画面の右側にゲート配線用の
端子部が無い構成の場合、継ぎ目の幅を零と仮定して、
最低限１枚のマスク基板上に必要とされるパターン描画
領域の合計Ｘ方向寸法は、ＰＡ´（２３６．５４４ｍ
ｍ）＋ＰＡＬ´（Ｘｎ３＋αｍｍ）＋ＰＡＲ´（Ｘｎ１
＋１１８．２７２ｍｍ）＝４２３．９５２ｍｍとなる。
また表示画面の右側にゲート配線用の端子部を設ける場
合は、右側パターン領域ＰＡＲ´のＸ方向寸法がαｍｍ
だけ増大するので、マスク基板上のパターン描画領域の
合計Ｘ方向寸法は４３３．９５２ｍｍとなる。

【０１５５】これらのＸ方向寸法４２３．９５２ｍｍ又
は４３３．９５２ｍｍが、使用する露光装置のＸ方向の
総露光視野（ＥｘＳ、又はＩＡ１〜ＩＡ５）の幅以下で
あれば、マスク基板をマスクステージ上で非走査方向
（Ｘ方向）にずらして載せ換えたり、マスクステージ自
体を非走査方向にも大きく移動させたりする必要がなく
走査露光ができる。但し、上記寸法４２３．９５２ｍｍ
又は４３３．９５２ｍｍは継ぎ目の幅を零と仮定したも
のであり、実際は継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２の幅と継ぎ部
の数とを考慮して、それよりも大きな寸法となる。

【０１５６】逆に、上記のＸ方向寸法４２３．９５２ｍ
ｍ又は４３３．９５２ｍｍが、露光装置の１回の走査露
光時に投影可能な総露光視野の幅より大きいときは、表
示画素部のパターン領域ＰＡ´の走査露光回数を増やす
ことで対応する。例えば図２０ではパターン領域ＰＡ´
を３回の走査露光で形成したが、４回の走査露光で形成
するようにすると、パターン領域ＰＡ´の幅は端子部Ｃ
Ｎ２´の３個分のＸ方向寸法をカバーする１７７．４０
８ｍｍとなる。

【０１５７】このため１枚のマスク基板上に必要とされ
るパターン描画領域の合計Ｘ方向寸法は、ＰＡ´（１７
７．４０８ｍｍ）＋ＰＡＬ´（Ｘｎ３＋αｍｍ）＋ＰＡ
Ｒ´（Ｘｎ１＋１１８．２７２ｍｍ）＝３６４．８１６
ｍｍ、又はＰＡ´＋ＰＡＬ´＋ＰＡＲ´（Ｘｎ１＋１１
８．２７２＋αｍｍ）＝３７４．８１６ｍｍとなる。但
し、実際にはパターン領域ＰＡ´の左右に形成される継
ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２、左側パターン領域ＰＡＬ´の右
端に形成される継ぎ領域ＳＡ１、及び右側パターン領域
ＰＡＲ´の右端に形成される継ぎ領域ＳＡ２の計４個が
必要となり、その分のＸ方向寸法が上記寸法３６４．８
１６ｍｍ又は３７４．８１６ｍｍに加算される。

【０１５８】このように本発明では、端子部ＣＮ２´の
Ｘ方向ピッチ（幅）、端子ブロックの数、及び露光装置
の総露光視野（ＥｘＳ，ＩＡ１〜ＩＡ５）のＸ方向寸法
に基づいて走査露光の回数や１回の走査露光時に投影さ
れるマスク基板上のパターン領域のＸ方向幅を変えて露
光することを１つの特徴としている。以上のような端子
部の配線パターン構造は、図２中に示したプレート基板
Ｐ上の両側部に形成される端子部ＣＮ４，ＣＮ５，ＣＮ
６でもほぼ同様に作られるが、各端子部ＣＮ４，ＣＮ
５，ＣＮ６内には図６で示したゲート配線ＧＬ（ｍ−
１），ＧＬ（ｍ），ＧＬ（ｍ＋１）…が所定の本数（例
えば２５６本）毎にまとめられ、タブとの接続端子部
（ＣｎＰ）としての配線パターン群が形成される。

【０１５９】次に、本発明の実施に好適な他の露光装置
の構成について、図２１、図２２を参照して簡単に説明
する。図２１は露光装置の概略構成を示す図であり、図
２２は図２１の露光装置における投影視野の配置、形状
とマスクパターンとの関係を模式的に表した図である。
図２１の露光装置は、例えば米国特許第５，７２９，３
３１号公報に開示されているように、ダイソン型の等倍
結像系ＰＬ１，ＰＬ２の１対を光学的にタンデムにつな
げて等倍の正立像を投影する投影光学系ユニットＰＵと
とし、このユニットＰＵの５セット（ＰＵ１〜ＰＵ５）
を各投影視野がＸＹ面内で千鳥足状の配置になるように
組み合わせた投影系を有している。

【０１６０】図２１において、露光用光源からの照明光
は５本のファイバー５０Ａ，５０Ｂ，…で導かれて各投
影光学系ユニットＰＵ１，ＰＵ２，…毎に設けられる５
個の照明光学系５２Ａ，５２Ｂ，…に入射し、各照明光
学系５２Ａ，５２Ｂ，…からの照明光はマスク基板Ｍに
照射される。マスク基板Ｍは、走査露光方向であるＹ方
向に大きなストロークで移動するとともに、それと直交
したＸ方向とθ回転とに微動可能なマスクステージ５４
に吸着保持される。そのマスクステージ５４は、複数の
リニアモータ５６やボイスコイル型モータ等によって駆
動され、干渉計５８によって逐次計測されるマスクステ
ージ５４の座標位置やヨーイング量に応じて走査露光時
のマスクステージ５４の移動位置や速度がサーボ制御さ
れる。

【０１６１】照明光学系５２Ａ，５２Ｂ…の各々によっ
て照射されたマスク基板Ｍ上の一部のパターンから生じ
る結像光束は、それぞれ投影光学系ユニットＰＵ１〜Ｐ
Ｕ５を介してプレート基板Ｐ上に投影露光される。プレ
ート基板Ｐは、定盤６６の上表面をガイド面とする複数
のエアベアリングパッド６５Ａ，６５Ｂ…で支持される
２次元移動ステージ６４上に吸着保持される。

【０１６２】この２次元移動ステージ６４のＹ方向の移
動は可動ガイド部材７０に設けられたリニアモータによ
って行われ、２次元移動ステージ６４のＸ方向の移動は
定盤６６に設けられたリニアモータ７４によって行われ
る。このときリニアモータ７４によるＸ方向の推力は、
定盤６６上にＸ方向に延設された直線ガイド部材６８に
沿って１次元移動するエアベアリングパッド７２Ａを介
して可動ガイド部材７０に伝わる。

【０１６３】また、可動ガイド部材７０の自重はエアベ
アリングパッド７２Ａの他にエアベアリングパッド７２
Ｂによって定盤６６上に支えられ、２次元移動ステージ
６４の内側には可動ガイド部材７０の側面（ＹＺ面と平
行な面）に形成されたガイド面に対峙するエアベアリン
グパッドが設けられ、２次元移動ステージ６４の自重は
エアベアリングパッド６５Ａ，６５Ｂ…によって定盤６
６上に支持される。さらに定盤６６の下部には、装置全
体の傾斜や床振動の伝播を低減するためのアクティブな
防振マウント６７Ａ，６７Ｂ…が設けられている。

【０１６４】このような２次元移動ステージ６４の構造
は、例えば特開昭６１−２０９８３１号公報や特開平８
−２３３９６４号公報に詳細に開示されているので、こ
こではそれ以上の詳細説明を省略するが、この図２１の
装置も先の図３に示した露光装置と同様に、走査露光時
にはマスクステージ５４と２次元移動ステージ６４とを
Ｙ方向に同期移動させる制御系を備えている。この制御
系は、２次元移動ステージ６４の座標位置や微小回転誤
差量（ヨーイング）を計測する干渉計６３からの計測情
報と、マスクステージ５４の座標位置や微小回転誤差量
（又はヨーイング）を計測する干渉計５８からの計測情
報とに基づいて、最適な同期精度が得られるように各リ
ニアモータをサーボ制御する。

【０１６５】ところで、５個の投影光学系ユニットＰＵ
１〜ＰＵ５の各々の構造は、基本的には同一であり、そ
のうち１つの投影光学系ユニットＰＵ１の構成を代表し
て説明すると、最初のダイソン型の等倍結像系系ＰＬ１
はプリズムミラーＭｒ１、レンズ系Ｌｅ、凹面ミラーＭ
ｒ２、及びプリズムミラーＭｒ３によって構成され、プ
リズムミラーＭｒ３の射出側にマスク基板Ｍのパターン
面と共役な中間結像面が形成される。この中間結像面に
作られる中間像は等倍ではあるが倒立像（反転像）であ
るため、２段目の同一構成の等倍結像系ＰＬ２でリレー
結像することによってプレート基板Ｐ上に等倍の正立像
が結像される。

【０１６６】さらに、５個の投影光学系ユニットＰＵ１
〜ＰＵ５の各々の中間結像面の位置には、各ユニットＰ
Ｕ１〜ＰＵ５の投影視野の大きさや形状を独立に変更可
能な可動ブラインド６０Ａ，６０Ｂ…が設けられ、各可
動ブラインド６０Ａ，６０Ｂ…の調整は個別の駆動ユニ
ット６２Ａ，６２Ｂ…によって制御される。この可動ブ
ラインドは先の図３中に示した可動ブラインド部材ＡＰ
と同等の機能を有する。

【０１６７】図２２に示すように、投影光学系ユニット
ＰＵ１〜ＰＵ５の各々の投影視野ＩＡ１〜ＩＡ５はいず
れも台形であり、それぞれ台形の斜辺部領域ＯＥＡでオ
ーバーラップするように千鳥足状に配置される。このよ
うな投影光学系ユニットＰＵ１〜ＰＵ５の構成と投影視
野の関係については、例えば米国特許第５，６２５，４
３６号公報、米国特許第５，６０２，６２０号公報等に
開示されている。そこには、各投影視野ＩＡ１〜ＩＡ５
間の倍率誤差の調整、像の微小位置誤差の調整、像の相
対的な微小回転誤差の調整等を行うための機構や手法も
示されており、本実施例の図２１の露光装置にもそのよ
うな調整機構が設けられているものとする。

【０１６８】そして本実施例の露光装置では、図２２の
ように各投影視野ＩＡ１〜ＩＡ５毎に可動ブラインド６
０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ，６０Ｄ，６０Ｄが設けられ、最
も右側に位置する投影視野ＩＡ１に対して設けられた矩
形の可動ブラインド６０Ａと、最も左側に位置する投影
視野ＩＡ５に対して設けられた矩形の可動ブラインド６
０Ｅは、主にＸ方向に移動するように構成され、その他
の投影視野ＩＡ２，ＩＡ３，ＩＡ４に対して設けられた
矩形の可動ブラインド６０Ｂ，６０Ｃ，６０Ｄは主にＹ
方向に移動するように構成される。

【０１６９】これにより、例えばマスク基板Ｍ上の集合
パターン領域ＰＡを走査露光するときは、図２２のよう
に可動ブラインド６０Ａによって投影視野ＩＡ１の一部
を遮蔽するとともに、可動ブラインド６０Ｅによって投
影視野ＩＡ５の一部を遮蔽して、マスク基板Ｍ上の右側
パターン領域ＰＡＲと左側パターン領域ＰＡＬの各投影
像がプレート基板Ｐ上に投影されないようにする。

【０１７０】逆に、マスク基板Ｍ上の右側パターン領域
ＰＡＲを走査露光する際は、可動ブラインド６０Ｂ，６
０Ｃ，６０Ｄ，６０Ｅによって投影視野ＩＡ２，ＩＡ
３，ＩＡ４，ＩＡ５の全てを遮蔽し、投影視野ＩＡ１内
の右側パターン領域ＰＡＲの幅相当分（即ち図２２中の
投影視野ＩＡ１の右側）だけを有効とするように可動ブ
ラインド６０Ａを調整する。マスク基板Ｍ上の左側パタ
ーン領域ＰＡＬを走査露光する際も同様にして、投影視
野ＩＡ１，ＩＡ２，ＩＡ３，ＩＡ４の全てを遮蔽した上
で投影視野ＩＡ５内の左側パターン領域ＰＡＬの幅相当
分（即ち図２２中の投影視野ＩＡ５の左側）だけを有効
とするように可動ブラインド６０Ｅを調整する。

【０１７１】以上の図２１、図２２に示すような構成の
露光装置を用いると、先の図３に示したミラープロジェ
クション型露光装置と比べて、非常に大きな凹面ミラー
を必要としないので投影系の構造体としてのサイズをコ
ンパクトにすることができるとともに、複数の投影光学
系ユニットＰＵ１〜ＰＵ５を並べて互いに独立した投影
視野ＩＡ１〜ＩＡ５によって投影露光を行なうため、複
数の投影光学系ユニットＰＵ１〜ＰＵ５間での製造誤差
が小さくなるように調整すれば、各投影視野ＩＡ１〜Ｉ
Ａ５のディストーションが揃うことになり、その結果、
プレート基板上の位置に応じて大きく変化するようなデ
ィストーション誤差が抑えられると言った利点がある。

【０１７２】また、複数の投影光学系ユニットＰＵ１〜
ＰＵ５毎に照明光学系５２Ａ，５２Ｂ…を設けるように
したので、個々の投影光学系ユニットＰＵ１〜ＰＵ５毎
の照明光強度や照度ムラを調整する自由度が増し、これ
によってさらに照度ムラの微調整が可能となり、プレー
ト基板上の位置による露光量の管理が容易になると言っ
た利点もある。

【０１７３】図２３は、図２１の露光装置を用いた場合
に好適なマスク基板Ｍ上のパターン配置の変形例を示
し、先の図２に示したパターン配置と比べて、マスク基
板上のパターン形成領域（特に非走査方向であるＸ方向
の寸法）を小さくすることを特徴としている。図２３に
おいて、マスク基板Ｍ上の集合パターン領域ＰＡは、Ｙ
方向（走査露光方向）の両側に完結した端子部ＣＮ２を
備え、集合パターン領域ＰＡのＸ方向の両側には右側パ
ターン領域ＰＡＲ，左側パターン領域ＰＡＬが所定幅の
遮光体を挟んで配置される。

【０１７４】先の図２に示したパターン配置では、集合
パターン領域ＰＡのＸ方向の幅を出来るだけ大きくする
ために、本来完結すべき端子部パターンを端子部ＣＮ
１，ＣＮ３のようにＸ方向に分割して形成したが、本実
施例では完結した１つの端子部ＣＮ２のＸ方向の幅（図
１５のようにドライブ回路ＩＣ１で取り扱えるドレイン
配線の最大本数分の幅）に揃うように表示画素部の幅も
制限した。このため集合パターン領域ＰＡのＸ方向の幅
を図２の場合よりも小さくでき、マスク基板上のパター
ン検査の時間を短くできる。

【０１７５】但し、図２３のような集合パターン領域Ｐ
Ａを有するマスク基板を露光する場合、先の図２２と同
様に可動ブラインド６０Ａ，６０Ｅを主にＸ方向に移動
できるように構成した上で、さらに可動ブラインド６０
Ｂ，６０Ｄも主にＸ方向に移動できるように構成し、可
動ブラインド６０Ｃは主にＹ方向に移動できるように構
成する。

【０１７６】従って、マスク基板上の左側パターン領域
ＰＡＬのみを露光する場合は、図２３のように可動ブラ
インド６０Ｄ，６０ＥのＸ方向の位置を調整して投影視
野ＩＡ４，ＩＡ５を部分的に制限するとともに、他の可
動ブラインド６０Ａ〜６０Ｃを全閉する。このとき、投
影視野ＩＡ４，ＩＡ５の台形の各斜辺部領域ＯＥＡで生
じるオーバーラップ部は左側パターン領域ＰＡＬ上に位
置する。

【０１７７】なお、図２３に示したマスク基板Ｍ上の左
側パターン領域ＰＡＬや右側パターン領域ＰＡＲに形成
される各端子部ＣＮ４内の余白部や、集合パターン領域
ＰＡの上下端に形成される端子部ＣＮ２内の余白部に
は、プレート基板Ｐとのアライメントに使われる各種の
マークＡＭＭが形成されている。これらのマークのう
ち、例えば端子部ＣＮ４内の余白部に形成されたマーク
ＡＭＭは、投影視野ＩＡ１とＩＡ５の各々を形成する投
影光学系ユニットＰＵ１，ＰＵ５を通してプレート基板
上の対応したマークを検出するＴＴＭ（スルー・ザ・マ
スク）方式のアライメント顕微鏡によって検知される。

【０１７８】以上の図２３で示したマスク基板Ｍ上のパ
ターン配置では、集合パターン領域ＰＡのＹ方向の幅を
完結した端子部ＣＮ２の幅と同一に定めたが、先に図１
９で説明したように、端子部ＣＮ２が受け持つ水平走査
線方向の画素数を１２８個（３８４本のドレイン配線）
分とすると、端子部ＣＮ２の幅は約６０ｍｍ程度にな
り、５本の投影光学系ユニットＰＵ１〜ＰＵ５を用いた
効果が薄れる。なぜなら、各投影光学系ユニットＰＵ１
〜ＰＵ５の投影視野ＩＡ１〜ＩＡ５のＸ方向の寸法（台
形の上底長さ）を６０ｍｍ程度にできるからである。

【０１７９】換言すれば、図２３のようなマスク基板の
場合は、投影系として図２１、２２のように５個の投影
光学系ユニットを使うのではなく、もっと少ない本数の
ユニット、極端な場合、１本の投影光学系ユニットによ
って投影系を構成できることを意味する。しかしなが
ら、この場合はおのずと走査露光の回数が増大し、４０
インチ相当のプレート基板の露光では表示画素部の全体
を１５回程度の走査露光でカバーしなければならない。

【０１８０】また、図２３に示した端子部ＣＮ２が受け
持つべき水平走査線方向の画素数を倍の２５６画素にで
きれば、即ち７６８本の出力線を有する１つのドライバ
ーＩＣが使用できるか、出力線が３８４本のドライバー
ＩＣの２個をカスケード接続して１枚のタブシートに装
着できれば、端子部ＣＮ２の幅を倍の１２０mm程度にす
ることができるので、図２１、２２に示した５個の投影
光学系ユニットを２又は３個程度に削減でき、投影系を
コンパクトにしつつ、走査露光の回数を１５回の半分程
度にまで低減することができる。

【０１８１】次に、図２４を参照して他の表示デバイス
の形態と、その製造方法について簡単に説明する。図２
４に示したプレート基板Ｐ上の表示デバイスでは、その
周辺領域に形成される端子部領域相当に、各種のドライ
バー用のＩＣ回路がリソグラフィ工程で作り込まれてお
り、外部回路とは、図２４中の左下部に示した接続配線
部ＣｎＰ５，ＣｎＰ６、右下部に示した接続配線部Ｃｎ
Ｐ７、及び下部に水平方向に並べた接続配線部ＣｎＰ１
〜ＣｎＰ４の各々によって接続される。

【０１８２】４つの接続配線部ＣｎＰ１〜ＣｎＰ４の各
々は、専用のドライバーＩＣ回路ＩＣ１の入力端子に接
続され、各ドライバーＩＣ回路ＩＣ１の出力端子は受け
持つべき水平走査線方向の画素数に対応した複数本のド
レイン配線に接続されている。また、表示画面の左側に
配置されるゲート配線用の3個のドライバーＩＣ回路Ｉ
Ｃ５は、デコーダ部やシフトレジスタ部で構成され、垂
直方向（Ｙ方向）に規則的に並んだゲート配線を適当な
本数分でまとめて受け持つように接続される。

【０１８３】さらに、3個のゲート配線用のドライバー
ＩＣ回路ＩＣ５同志はＹ方向に延びた配線群によってカ
スケード又はパラレルに接続されるが、これらの配線群
には共通となる電源ライン、アースライン、クロック信
号ライン等が含まれ、外部回路とは接続配線部ＣｎＰ５
で接続される。同様に、表示画面の下側に配置される４
個のドライバーＩＣ回路ＩＣ１同志も、Ｘ方向に延びた
配線群（電源ライン、アースライン、クロック信号ライ
ン等を含む）によってカスケード又はパラレルに接続さ
れ、外部回路とは接続配線部ＣｎＰ６又はＣｎＰ７で接
続される。

【０１８４】この図２４に示した表示デバイスの場合、
１枚又は複数枚のマスク基板上に形成されるパターン領
域は、左側の端子部パターン領域ＰＡＬ´、右側の端子
部パターン領域ＰＡＲ´、画素部を含む集合パターン領
域ＰＡ１´，ＰＡ２´，ＰＡ３´，ＰＡ４´の各々に対
応したものとなる。本実施例の場合、４つの集合パター
ン領域ＰＡ１´，ＰＡ２´，ＰＡ３´，ＰＡ４´は同一
のパターン構造であり、マスク基板上の１つの集合パタ
ーン領域ＰＡを、図１又は図２で説明したようにプレー
ト基板Ｐ上に繰り返し継ぎ露光することで形成されるも
のとする。

【０１８５】そして図２４に示すように、表示画面の下
側に配置されるドライバーＩＣ回路ＩＣ１をＸ方向に接
続する各配線群は、継ぎ部ＪＡ，ＪＢ，ＪＣとともに形
成される接続部ＪＫ１，ＪＡ２，ＪＢ２，ＪＣ２によっ
て相互に結線されるが、このような表示画面以外での配
線パターンの継ぎに関しては、先の図１中の円ＡＬ，Ａ
Ｒ内に示したように、コントラスト差を考慮する必要が
ないため、継ぎ領域内に形成する配線パターンをランダ
ムな入れ子の関係のパターン要素に分割するまでもな
く、単なる直線状の継ぎ目にしておくだけでもよい。

【０１８６】また図２４では、集合パターン領域ＰＡ１
´〜ＰＡ４´を共通のマスクパターンとしたので、例え
ば、集合パターン領域ＰＡ２´と付随して形成されて、
接続部ＪＡ２中の継ぎ目の右側に位置した配線パターン
群と、接続部ＪＢ２中の継ぎ目の左側に位置した配線パ
ターン群との各々の先端包絡線は、互いに相補的な関係
（単なる直線状も含む）になっている。さらに継ぎ目の
左右に位置した配線パターン群同士は１〜数μｍ程度で
重畳するようにパターニングされている。

【０１８７】以上の図２４のように、プレート基板Ｐ上
の表示画面領域の周辺に画素駆動用のドライバーＩＣを
リソグラフィ工程で一緒に作り込む場合は、プレート基
板として低温ポリシリ処理されたものを使うことにな
り、画素駆動用のトランジスタも含めてドライバーＩＣ
内のトランジスタは、アモルファス・シリコン（ａ−Ｓ
ｉ）のプロセスではなくポリ・シリコンのプロセスで作
られることになる。

【０１８８】次に、本発明で使用されるマスク基板のパ
ターン検査の方法と検査装置の構成について図２５、図
２６を参照して簡単に説明する。ここではマスク基板Ｍ
として先の図２３と同じものを対象とし、パターン検査
としては継ぎ部でのパターンを継ぎ露光したときに正し
く継がれるか否か、正しいピッチで継がれるか否か、或
いは設計上で同一のパターン部分は同一に作られている
か否か等を事前に検査するモードで説明する。

【０１８９】まず検査の方法としては、図２５に示すよ
うに、図２３と同じマスク基板Ｍ上に形成された継ぎ領
域ＳＡ１，ＳＡ２内の各パターンを、検査装置の対物レ
ンズＯＢ１，ＯＢ２，ＯＢ３，ＯＢ４の各々を介して拡
大し、その各拡大像をＣＣＤ等の撮像素子で光電変換
し、マスク基板上の所定範囲（例えば０．３〜１ｍｍ
角）内に存在するパターンの２値画像を生成し、それら
の２値画像のうち継ぎ合わせるべき領域ＳＡ１，ＳＡ２
内の同一の継ぎ部分で得られた画像同士をコンピュータ
処理上で継ぎ合わせ、継ぎ合わされた２値画像を設計パ
ターン情報（ＣＡＤ情報等）と比較検査したり、或いは
継ぎ合わされた２値画像中に大きな継ぎ誤差（例えば存
在すべき分割パターン要素の欠落、位置ずれ等）がある
か無いかを検査する。

【０１９０】図２５において、左側の端子部パターン領
域ＰＡＬの継ぎ領域ＳＡ２を観察する対物レンズＯＢ１
の光軸位置と、集合パターン領域ＰＡの左側の継ぎ領域
ＳＡ１を観察する対物レンズＯＢ２の光軸位置とは、Ｙ
方向にΔＳｙだけ偏移しているが、これは、端子部パタ
ーン領域ＰＡＬと集合パターン領域ＰＡとの間の遮光体
のＸ方向幅が対物レンズの鏡筒径に比べて小さくなるこ
とによって、対物レンズ鏡筒が空間的に干渉するのを避
けるためである。

【０１９１】先にも述べたように、マスク基板上での継
ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２のＸ方向の幅は５〜３０ｍｍ程度
であるため、検査の精細度に応じて各対物レンズＯＢ１
〜ＯＢ４のによる拡大倍率を切替えられる構成にしてお
くとともに、各対物レンズを介してＣＣＤによって撮像
された画像をコンピュータ処理上で継ぎ合わせる際、予
め求めておいて各対物レンズの光軸位置の間隔誤差をデ
ータ上で補正する機能（所謂ベースライン管理）をして
おく必要もある。

【０１９２】図２６は、そのような検査方法を実現する
パターン検査装置の概略的な構成を示し、図２５に示し
たマスク基板Ｍはパターン面を上側にして２次元移動ス
テージＳＴ上に吸着され、そのステージＳＴはリニアモ
ータによる送り機構、又はボールネジと回転モータによ
る送り機構等を含む駆動制御系２２０によってＸＹ面内
で２次元移動する。ステージＳＴの移動座標位置や微小
回転偏差等は、ステージＳＴに設けられた直交移動鏡に
複数本のレーザビームを投射する多軸干渉計ユニット２
２２によって逐次計測される。

【０１９３】一方、マスク基板Ｍの上方には図２５で示
した対物レンズＯＢ１〜ＯＢ４が配置され、各対物レン
ズで拡大されたマスク基板上の局所的なパターンの像が
それぞれＣＣＤ撮像素子２１０Ａ，２１０Ｂ，２１０
Ｃ，２１０Ｄによって検知される。また、各対物レンズ
ＯＢ１〜ＯＢ４の光軸ＡｘＯ間の相対間隔は、対物レン
ズＯＢ１，ＯＢ２を含む左側の対物ユニット２１６と、
対物レンズＯＢ３，ＯＢ４を含む右側の対物ユニット２
１６との各々に対して適当な駆動ユニット２１８を設け
ることで調整可能となっている。

【０１９４】さらに、駆動ユニット２１８は左右の対物
ユニット２１６内に設けられた各対物レンズの光軸Ａｘ
Ｏ間の間隔を調整するような構成を有し、図２５に示し
た左側の端子部パターン領域ＰＡＬの継ぎ領域ＳＡ２と
集合パターン領域ＰＡの左側の継ぎ領域ＳＡ１との間隔
寸法、及び右側の端子部パターン領域ＰＡＲの継ぎ領域
ＳＡ１と集合パターン領域ＰＡの右側の継ぎ領域ＳＡ２
との間隔寸法に応じて対物レンズＯＢ１，ＯＢ２の各検
出視野の位置関係や対物レンズＯＢ３，ＯＢ４間の各検
出視野の位置関係が調整される。

【０１９５】これらの光軸間距離の調整は、検査すべき
継ぎ領域ＳＡ１，ＳＡ２の配置関係に応じて対物レンズ
ＯＢ１〜ＯＢ４と対応したＣＣＤ撮像素子２１０Ａ〜２
１０Ｄとの各ユニットを物理的にＸＹ方向に大きく配置
変更しなければならないときに適用され、各対物レンズ
の観察視野の寸法に比べて十分に小さな位置調整分につ
いては、ＣＣＤ撮像素子による画像取り込み範囲のシフ
トや対物レンズの光路中に配置された平行平板ガラスの
傾斜によって対応することができる。

【０１９６】さて、各ＣＣＤ撮像素子２１０Ａ〜２１０
Ｄから出力される画像信号は、各々対応する画像２値化
回路２１２Ａ，２１２Ｂ，２１２Ｃ，２１２Ｄによって
所定のスライスレベルで２値化されたデジタル画像（白
黒画像）に変換され、そのうち２値化回路２１２Ａ，２
１２Ｄからのデジタル画像情報はバイパス可能な反転回
路２１４Ａ，２１４Ｄを介して検査用コンピュータを含
む画像検査ユニット２０６に送られ、２値化回路２１２
Ｂ，２１２Ｃの各々からのデジタル画像情報はそのまま
画像検査ユニット２０６に送られる。

【０１９７】画像検査ユニット２０６は、これらの画像
情報、多軸干渉計２２２から出力されるステージＳＴの
位置座標や微小回転偏差の情報、及び対物レンズの各光
軸ＡｘＯ間の距離（ΔＳｙ）等に基づいて、継ぎ領域Ｓ
Ａ１，ＳＡ２内の各パターンが正しい配置で接合される
か否か自動的に判定していく。この際、ステージＳＴは
Ｙ方向に一定速度で連続移動され、その移動量がＣＣＤ
撮像素子の撮像の範囲に応じたマスク基板上での寸法に
一致する毎に、画像検査ユニット２０６は各ＣＣＤ撮像
素子２１０Ａ〜２１０Ｄから得られるデジタル画像情報
を順次記憶していき、対物レンズの各光軸ＡｘＯ間の距
離に応じて時間的にずれて記憶されたデジタル画像情報
に基づいて検査が行われる。

【０１９８】こうして検査された結果はメインコンピュ
ータを含む主制御系２００に送られ、表示装置（端末デ
ィスプレー）２０２によってオペレータが判断し易い形
態で表示される。その主制御系２００は、検査装置全体
の動作を統括的に制御するものであり、キーボード２０
４等の入力装置によりオペレータから指示される各種の
検査条件、マスク基板上のパターン配置情報、マスクパ
ターンの描画誤差、或いは各種の調整オフセットを含む
パラメータ群（その１つは図２５中のΔＳｙ）に従って
ステージＳＴの駆動制御系２２０や対物ユニット２１６
の駆動ユニット２１６等の動作、画像検査ユニット２０
６での検査モードを制御する。

【０１９９】図２７は、継ぎ領域内に形成されるドレイ
ン／ソース配線パターンの接続状態の良否を検査する場
合のデジタル画像処理の一例を示し、このようなドレイ
ン／ソース配線パターンは先の図１１に示した分割パタ
ーン要素Ｅｐ３を想定している。そして図２７中の２次
元的なマトリックスはＣＣＤ撮像素子で撮像されたデジ
タル画像の１画素ＣｄＰを表し、各画素ＣｄＰはデジタ
ルメモリ内に論理値“０¨と“１¨のいずれかを取る１
ビット単位で記憶される。

【０２００】図２７中において、上側の分割パターン要
素Ｅｐ３は例えば継ぎ領域ＳＡ１内に形成され、下側の
分割パターン要素Ｅｐ３は継ぎ領域ＳＡ２内に形成され
たものであり、図２６中の画像検査ユニット２０６内の
メモリ上では論理値“０¨又は“１¨の２次元デジタル
画像として一時的に合成される。ドレイン／ソース配線
パターンの分割パターン要素Ｅｐ３は、本来、破線で示
したパターンＥｐ３´のようにＹ方向にΔｙｐだけ重畳
して切れることなく連続するものであり、図２７のよう
に継ぎ部で途切れてしまっている場合はマスク製造時の
欠陥と判断される。

【０２０１】また、先の図１０で説明した分割パターン
要素Ｅｐ２が形成されたマスク基板を検査する場合は、
表示画素領域中のセルの配列ピッチで各分割パターン要
素Ｅｐ２が配置されるため、欠陥検査としては合成され
たデジタル画像中に分割パターン要素Ｅｐ２が設計上の
一定ピッチで配列されているか否かを判定するアルゴリ
ズムを使えばよい。

【０２０２】以上のような継ぎ部での良否判定以外に、
図２６の装置ではマスク基板上の異なる位置に形成され
た同じパターン構造同士を比較し、相違部分の有無を判
定するアルゴリズムも実施可能である。例えば、対物レ
ンズＯＢ１によって撮像されるパターン領域ＰＡＬの継
ぎ領域ＳＡ２と、対物レンズＯＢ３によって撮像される
パターン領域ＰＡの継ぎ領域ＳＡ２とは、本質的に全く
同じパターン構造（形状、配置）で設計されているた
め、それらの継ぎ領域内のパターン同士を比較した場
合、欠陥が無ければ相違部分は生じない。

【０２０３】そこで、例えば対物レンズＯＢ１と２値化
回路２１２Ａで撮像されたデジタル画像情報の論理値
“０¨、“１¨を反転回路２１４Ａによって全て反転し
た反転２値画像情報と、対物レンズＯＢ３と２値化回路
２１２Ｃで撮像されたデジタル画像情報とを、画像検査
ユニット２０６で位置的に対応する画素ＣｄＰ同志の論
理値のエクスクルーシブ・オア（EX-OR）を順次演算す
るモードで比較検査する。このような検査により、比較
すべき画像情報内に欠陥（差異）部分が無ければ全ての
画素ＣｄＰの論理値が“１¨になり、欠陥部分では論理
値“０¨となる。

【０２０４】以上のように、図２５〜２７に示した検査
方法、検査装置によれば、マスク基板を移動させながら
複数の対物レンズを用いて検査すべき継ぎ領域内のパタ
ーンのデジタル画像を取り込んでいくので、検査時間が
短縮されるとともに、多様な検査モードを実行できると
言った効果が得られる。以上、本発明の各実施例を説明
したが、マスク基板上に形成される各種のパターン領域
ＰＡ，ＰＡＬ，ＰＡＲ等は、マスク基板の寸法や露光装
置のステージの移動ストローク等による制約範囲内で自
由に配置することができ、例えば図２や図２４に示した
マスク基板Ｍの場合、集合パターン領域ＰＡの形成位置
に対して端子部パターン領域ＰＡＬ，ＰＡＲの形成位置
をＹ方向（走査方向）に一定量だけシフトさせておいて
もよい。

【０２０５】また本発明による露光方法を実施するため
の露光装置は、投影型の走査露光装置に限られるもので
はなく、マスク基板とプレート基板（感応性基板）とを
一定のギャップで対向させるプロキシミティ方式の露光
装置でもよく、その場合、通常のプロキシミティ露光装
置と異なり、継ぎ露光のためにマスク基板とプレート基
板とを相対的にＸＹ方向に移動させるステージ機構やス
ライダー機構を設ける必要がある。

【０２０６】

【発明の効果】本発明によれば、プレート基板上に形成
すべきデバイスの寸法が大型であっても、マスク基板上
に形成されるパターン領域のサイズをコンパクトにする
ことができ、また繰り返し部分を有するパターンの場合
は、繰り返しの周期単位で切り出された部分的なパター
ンをマスク基板上に形成しておくだけなので、複数回の
継ぎ露光によって簡単に大型のデバイスパターンをプレ
ート基板上に形成することができる。

【０２０７】また、大型の表示デバイスを製造する場合
には、マスク基板上に形成されるパターン領域の継ぎ方
向に対峙した周辺領域の両方に、継ぎ目を目立たなくす
るようなパターン構造（相補的な入れ子関係の配列や配
置）を設けたので、そのマスク基板上のパターン領域を
プレート基板上に複数回繰り返して継ぎ露光することが
できるといった効果が得られる。

【０２０８】さらに本発明の実施例によれば、継ぎ露光
されるマスクパターンの継ぎ目での包絡線を直線状、波
線状、三角波状又はランダムな折れ線状にしたり、或い
は一定の継ぎ幅内で分割パターン要素を飛び石状にラン
ダムな入れ子関係で配列したぼかし方式にしたりする手
法を、重ね合わせ露光される異なる層間での継ぎ部で使
い分けるので、表示デバイスの表示画面上で継ぎ部の両
側にコントラスト差が生じてしまう場合でも、継ぎ目と
して視認される可能性を極めて低減できると言った効果
もある。

【０２０９】そして本発明のようなマスクパターンの構
造とすることにより、露光装置や露光方法の種類を問わ
ず、４０インチ以上の大型ディスプレー装置をタクトタ
イムの増大を抑えて簡単に製造することができる。特に
走査型の露光装置を用いた場合は、ディスプレー装置の
表示画面の垂直走査線方向（短辺方向）を走査方向と
し、水平走査線方向（長辺方向）をステッピング方向と
するようにプレートステージを移動制御するため、走査
露光時の重要な精度バジェットである同期精度を維持し
続けるためのマスクステージとプレートステージの各移
動ストロークが少なくて済み、露光装置の大型化も緩和
されるといった利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図 １】 本発明の実施例によるマスクパターンの配
置、形状と継ぎ露光のやり方を説明する原理図である。

【図 ２】 本発明の代表的な実施例によるマスク基板
上のパターン配置とプレート基板上に形成される表示デ
バイスとの実用的な関係を示す図である。

【図 ３】 図２のマスク基板を用いるのに好適な走査
型投影露光装置の概略的な構成を示す図である。

【図 ４】 ＴＦＴ型の液晶表示デバイスの表示画素部
の一部を拡大した平面的な構造を示す図である。

【図 ５】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図４中に示した
液晶表示デバイスの表示画素部のＫ１−Ｋ１´部分とＫ
２−Ｋ２´部分の断面構造を拡大して示す図である。

【図 ６】 図４、図５に示した液晶表示デバイスの表
示画素部の等価的な電気回路を説明する回路図である。

【図 ７】 液晶表示デバイスを製造するために必要と
される代表的な層を露光するマスク基板上のパターンの
形状や配置を説明する図である。

【図 ８】 ２つのマスクパターンを継ぎ露光する際
に、マスク基板上に形成される継ぎ部のパターンをラン
ダムな飛び石状に分割する手法を説明する図である。

【図 ９】 液晶表示デバイスのゲート配線層を形成す
るためのマスク基板上の継ぎ領域でのパターン配置や形
状を示す図である。

【図１０】 液晶表示デバイスのアモルファス・シリコ
ン（ａ−Ｓｉ）層を形成するためのマスク基板上の継ぎ
領域でのパターン配置や形状を示す図である。

【図１１】 液晶表示デバイスのソース／ドレイン配線
層を形成するためのマスク基板上の継ぎ領域でのパター
ン配置や形状を示す図。

【図１２】 液晶表示デバイスの表示セル（ＩＴＯ膜）
層を形成するためのマスク基板上の継ぎ領域でのパター
ン配置や形状を示す図である。

【図１３】 ランダムな飛び石状のパターン分割／合成
法により継ぎ部を形成する際の継ぎ幅と継ぐべき表示部
のコントラスト差（階調差）との関係を模式的に説明す
るグラフである。

【図１４】 マスク基板上に形成される継ぎ領域でのパ
ターン分割の手法の他の形態を説明する図である。

【図１５】 液晶表示デバイスのプレート基板周辺の端
子部に接続されるタブシート基板の構成を説明する図で
ある。

【図１６】 継ぎ露光されるマスクパターンのうち、継
ぎ部の右側に位置する端子部内の配線構造を模式的に示
す図である。

【図１７】 継ぎ露光されるマスクパターンのうち、継
ぎ部の左側に位置する端子部内の配線構造を模式的に示
す図である。

【図１８】 液晶表示デバイスの各表示セルを駆動する
ドレイン配線を表示領域の上側と下側の各端子部に振り
分けて配置する場合の配線構造を示す図である。

【図１９】 大型ディスプレー装置用の表示デバイスを
製造するための継ぎ露光の別の形態を説明する図であ
る。

【図２０】 アスペクト比が１６：９の４０インチ相当
のＨＤＴＶ用の表示デバイスを製造するための継ぎ露光
の形態を説明する図である。

【図２１】 走査型の投影露光装置の他の形態による構
造を概略的に説明する図である。

【図２２】 図２１の露光装置における露光視野の平面
的な配置を説明する図である。

【図２３】 図２１の露光装置に装着されるマスク基板
のパターン配置の一例を説明する図である。

【図２４】 表示領域の周辺部に表示画素駆動用のドラ
イバー回路を一体的に形成する場合の継ぎ露光のやり方
と配線の継ぎ方を説明する図である。

【図２５】 図２３に示したマスク基板上に形成された
パターンを検査するための検査状態を模式的に説明する
図である。

【図２６】 図２５のマスク基板を検査するための検査
装置の概略的な構成を説明する図である。

【図２７】 図２６の検査装置によって継ぎ精度が検査
されるパターンの状態を説明する図である。

【符号の説明】

Ｍ，Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４… マスク基板 Ｐ… プレート基板 ＰＡ，ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３… マスク基板上の集合
パターン領域 ＳＡ１，ＳＡ２… マスク基板上の継ぎ領域 ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，ＪＤ… プレート基板上の継ぎ部 ＨＬ… 表示画面上の水平走査線 ＣＮ１〜ＣＮ６… 端子部領域 ＥｘＳ… ミラープロジェクション露光装置の投影視野 ＩＡ１〜ＩＡ５ マルチレンズ方式の露光装置の投影視
野 Ｐｘｒ１，Ｐｘｇ１，Ｐｘｂ１，Ｐｘｒ２，Ｐｘｇ２，
Ｐｘｂ２… 画素セル ４０… タブシート基板 ＩＣ１，ＩＣ２，ＩＣ３，ＩＣ５… ドライバーＩＣ回
路

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項 １】 マスク基板上の回路パターン領域が回
   路デバイス形成用のプレート基板上で相互に継いで転写
   されるようにマスク基板とプレート基板との相対位置関
   係を変化させて露光する回路デバイスの製造方法におい
   て、 前記マスク基板上の回路パターン領域の周辺領域のう
   ち、前記相対位置関係が変化される方向に対峙した一対
   の継ぎ領域の各々に形成されるパターン同志の形状また
   は配置を互いに相補的な入れ子関係にし、前記相対位置
   関係を変化させた露光によって前記マスク基板上の一対
   の継ぎ領域の両方または一方を、前記プレート基板上の
   既に転写されている回路パターン領域周辺の同様の継ぎ
   領域と入れ子状態で接合させて転写することを特徴とす
   る回路デバイス製造方法。
2. 【請求項 ２】 前記一対の継ぎ領域内には、前記相対
   位置関係を変化させる方向に関して所定間隔で繰り返し
   形成された微細パターン構造を含むこと特徴とする請求
   項１に記載の方法。
3. 【請求項 ３】 前記一対の継ぎ領域の各々に形成され
   るパターン同志の形状或いは配置を、互いに相補的なラ
   ンダムな入れ子関係にしたことを特徴とする請求項２に
   記載の方法。
4. 【請求項 ４】 前記互いに相補的なランダムな入れ子
   関係にする最小単位を、前記所定間隔で繰り返し形成さ
   れる微細パターン構造にしたことを特徴とする請求項３
   に記載の方法。
5. 【請求項 ５】 前記回路デバイスは表示装置の表示画
   素部であり、前記互いに相補的なランダムな入れ子関係
   となる最小単位の微細パターン構造が、前記表示装置の
   画素を基準として設定されることを特徴とする請求項４
   に記載の方法。
6. 【請求項 ６】 前記表示画素部の各画素が、カラー表
   示用の赤緑青の３色に対応した３個の画素セルを含み、
   前記互いに相補的なランダムな入れ子関係となる最小単
   位の微細パターン構造を前記画素セル単位に設定したこ
   とを特徴とする請求項５に記載の方法。
7. 【請求項 ７】 前記表示画素部の各画素が、カラー表
   示用の赤緑青の３色に対応した３個の画素セルを含み、
   前記互いに相補的なランダムな入れ子関係となる最小単
   位の微細パターン構造を前記画素セル単位で分割した分
   割パターン要素とし、該分割パターン要素を前記相対位
   置関係の変化させる方向に関してランダムな飛び石状に
   配列しつつ、前記一対の継ぎ領域間で相補的な入れ子関
   係の配列にしたことを特徴とする請求項５に記載の方
   法。
8. 【請求項 ８】 前記一対の継ぎ領域の各々の前記相対
   位置関係を変化させる方向に関する幅を、前記プレート
   基板上に継ぎ露光で形成される隣り合った２つの表示領
   域間のコントラスト差に応じて設定したことを特徴とす
   る請求項７に記載の方法。
9. 【請求項 ９】 マスク基板上に形成された回路パター
   ンをプレート基板上に継ぎ露光することにより、プレー
   ト基板上に大きな２次元表示デバイスを形成する方法に
   おいて、 前記プレート基板上に形成される表示デバイス用の回路
   パターンが相互に位置合せされた複数の層の積層構造で
   あり、第Ｎ層形成用のマスク基板上の回路パターンをプ
   レート基板上に継ぎ露光する際に生じる継ぎ目の形状、
   或いは継ぎ領域内に露光されるマスク基板上の回路パタ
   ーンの配列状態を、第（Ｎ−１）層または第（Ｎ＋１）
   層形成用のマスク基板上の回路パターンをプレート基板
   上に継ぎ露光する際に生じる継ぎ目の形状、或いは継ぎ
   領域内に露光されるマスク基板上の回路パターンの配列
   状態と異ならせたことを特徴とする表示デバイス製造方
   法。
10. 【請求項１０】 前記継ぎ領域は、単一または複数のマ
    スク基板上に形成された同じ回路パターン同志、或いは
    異なる回路パターン同志を前記プレート基板上に継ぎ露
    光する際、継ぐべき回路パターンの周辺領域同志を所定
    幅でオーバーラッブさせる領域であり、前記マスク基板
    上の前記継ぎ領域内に露光される回路パターンの外縁を
    結ぶ包絡線を、前記第Ｎ層形成用のマスク基板上では連
    続した周期的な波形とし、前記第（Ｎ−１）層または第
    （Ｎ＋１）層形成用のマスク基板上ではランダムな折れ
    線とすることにより、継ぎ目の形状を層間で異ならせた
    ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. 【請求項１１】 前記周期的な波形、又はランダムな折
    れ線に形成される前記回路パターン外縁の包絡線の振幅
    を、前記継ぎ領域内でオーバーラップが行われる所定幅
    と等しくしたことを特徴とする請求項１０に記載の方
    法。
12. 【請求項１２】 前記継ぎ領域は、単一または複数のマ
    スク基板上に形成された同じ回路パターン同志、或いは
    異なる回路パターン同志を前記プレート基板上に継ぎ露
    光する際、継ぐべき回路パターンの周辺領域同志を所定
    幅でオーバーラッブさせる領域であり、前記継ぎ領域内
    に存在すべき回路パターンを２次元的に複数のパターン
    要素に分割し、該分割されたパターン要素を継ぎ露光す
    べきマスク基板上の回路パターンの各周辺領域にランダ
    ムに振り分けて形成しておくことにより、前記継ぎ領域
    内に露光されるマスク基板上の回路パターンの配列状態
    を層間で異ならせたことを特徴とする請求項９に記載の
    方法。
13. 【請求項１３】 マスク基板上の長方形のパターン領域
    をプレート基板上に相互に接合して順次投影露光するこ
    とにより、プレート基板上に大きな２次元表示デバイス
    を形成する方法において、 マスク基板上の長方形パターン領域の長手方向に関して
    マスク基板と前記プレート基板とを投影系に対して移動
    させることで前記長方形パターン領域の第１の像を前記
    プレート基板上に走査露光し、前記長方形パターン領域
    の短手方向に関してマスク基板と前記プレート基板との
    相対位置を変更させて、前記プレート基板上に新たに走
    査露光されるべき長方形パターン領域の第２の像が前記
    第１の像と継ぎ合わされるように位置付けることによ
    り、前記プレート基板上に形成される表示領域が前記走
    査移動の方向と直交した方向を水平走査線とする長方形
    に形成されることを特徴とする表示デバイス製造方法。
14. 【請求項１４】 前記２次元表示デバイスは表示画素毎
    の個別の駆動信号を与えるマトリックス状の駆動信号線
    を有し、マスク基板上に形成される前記長方形パターン
    領域は、その長手方向の少なくとも一方の外周部に前記
    駆動信号線を所定本数毎にまとめるための端子領域の複
    数個を含み、該端子領域の少なくとも１つは、前記継ぎ
    合わせ露光によって投影される第１の像と第２の像に対
    応した各長方形パターン領域に分割して形成されること
    を特徴とする請求項１３に記載の方法。
15. 【請求項１５】 前記長方形パターン領域の短手方向の
    寸法を前記端子領域の幅のほぼ整数倍としたことを特徴
    とする請求項１４に記載の方法。
16. 【請求項１６】 前記投影系は、走査露光の方向と直交
    した非走査方向の全露光範囲が前記長方形パターン領域
    の短手方向の寸法を包含するように、複数の投影光学系
    を前記非走査方向に隣接配置して構成され、前記複数の
    投影光学系の各視野のうち、特定の視野を前記長方形パ
    ターン領域の短手方向の寸法に応じて制限して走査露光
    することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
17. 【請求項１７】 前記投影系は、走査露光の方向と直交
    した非走査方向の全露光範囲が前記長方形パターン領域
    の短手方向の寸法を包含するような円弧スリット状の視
    野を有し、該円弧スリット状の視野を前記長方形パター
    ン領域の短手方向の寸法に応じて制限して走査露光する
    ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
18. 【請求項１８】 マスク基板上に形成される表示デバイ
    ス用の回路パターンをプレート基板上に継ぎ露光して製
    造される大型のディスプレー装置において、 表示画面のサイズは３０インチ以上の横長の長方形であ
    り、前記表示画面は、横方向に分割された複数の領域毎
    に走査露光装置によって前記回路パターンをプレート基
    板上に継ぎ露光することで形成され、前記分割された各
    領域の長手方向は前記表示画面の垂直走査線の方向であ
    って、且つ前記走査露光装置による前記プレート基板の
    走査移動の方向に設定され、前記分割された各領域の短
    手方向は前記表示画面の水平走査線の方向であって、且
    つ前記走査露光装置の非走査方向に関する投影視野の最
    大範囲よりも小さく設定されていることを特徴とする大
    型ディスプレー装置。
19. 【請求項１９】 前記走査露光装置として、走査露光時
    にマスク基板を前記分割された各領域の長手方向の寸法
    以上の距離に渡って等速移動するとともに、その等速移
    動の方向と直交した非走査方向の微動とマスク基板の面
    と垂直な軸の回りの微小回転とが可能なマスクステージ
    と、前記プレート基板を保持して前記表示画面の垂直走
    査線に対応した方向に等速移動可能であるとともに、前
    記表示画面の水平走査線に対応した方向にステップ移動
    可能なプレートステージとを備えた走査露光装置を用い
    て製造されることを特徴とする請求項１８に記載の大型
    ディスプレー装置。