JP2569441B2

JP2569441B2 - 露光方法

Info

Publication number: JP2569441B2
Application number: JP62044022A
Authority: JP
Inventors: 一明鈴木; 博之鈴木; 進小沢
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1987-02-26
Filing date: 1987-02-26
Publication date: 1997-01-08
Anticipated expiration: 2012-01-08
Also published as: JPS63211623A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は半導体素子の製造工程中のフォトリソグラフ
ィ工程の露光方法に関し、特に半導体ウェル上に作り込
む回路パターン領域を複数の部分領域に分割し、各部分
領域毎に対応する新たな回路パターン部分を重ね合わせ
露光する方法、所謂画面合成（あるいは画面継ぎ）方式
の露光方法に関する。

（従来の技術）近年、フォトリソグラフィ工程ではレチクルのパター
ンをウェハに露光する装置として縮小（又は等倍）投影
型露光装置が多用されるようになってきた。この種の装
置はレチクルのパターンを投影レンズを介してレジスト
の塗布されたウェハ上に露光するものである。ただし１
回の露光で投影できる領域はウェハ全面より小さいた
め、通常ウェハを一定ピツチづつ歩進（ステッピング）
させては露光することを繰り返すステップアンドリピー
ト方式を採用している。

ところで、このような装置における投影レンズは露光
のための照明光の波長、投影レンズの開口数（N.A.）等
によって解像し得る最小線幅が決まってしまう。照明光
の波長は短かければ短かいほど解像力が向上し、開口数
は大きければ大きいほど解像力が向上する。しかし実用
的にはそのいずれにも限度がある。そこで１つの考え方
として、投影露光できる領域が小さくして投影倍率（縮
小率）を大きくすることによって解像力をかせぐ方法が
ある。これは大きな投影領域を確保しつつより大きなN.
A.の投影レンズを設計、製造することが難しいことに起
因している。

例えば1/10縮小で投影領域が10mm×10mm、N.A.が0.35
の投影レンズによって投影領域の全面で解像力１μｍが
達成できている場合、このレンズをN.A.のみを大きくし
て高解像力にする設計、製造は極めて難しい。しかし、
投影領域を絞って例えば5mm×5mmにしてN.A.を大きくす
ることは比較的容易に設計、製造できる。この場合、N.
A.を0.5にすることも可能であり、こうした投影レンズ
によれば投影領域内の全面（5mm×5mm）で安定してサブ
ミクロンの解像力が得られる。実験によれば全面で0.8
μｍ程度の解像力が得られ、ベストな条件では0.6μｍ
にも及ぶ解像力が得られている。もちろん照明波長は従
来と同じｇ線（436nm）である。このようにサブミクロ
ンの解像力が安定して得られることは、縮小投影露光装
置、所謂ステッパーが生産ラインで本格的に使用され始
めた頃には予想もされていなかったことである。

さて、このように高解像力の投影レンズが得られたと
しても、その小さな投影領域のために、ウェハ上に作り
込む回路パターン（製品として１チップ分に相当するパ
ターン）の大きさに制限が生じてしまう。そこでこの制
限をなくすため画面合成、又は画面継ぎとよばれる手法
が考えられている。第２図（ａ）は画面合成による露光
方法の一例を示す斜視図であり、ここでは４つの回路パ
ターン部分Ａ′、Ｂ′、Ｃ′、Ｄ′の夫々が形成された
４枚のレチクルR₁、R₂、R₃、R₄を使うものとする。露光
されるウェハＷ上には１つのチップとして切り出される
回路パターン領域（以下チップ領域とする）DCがスクラ
イブラインを挟んでマトリックス状に形成されるものと
する。１つのチップ領域DCは第２図（ｂ）に示すように
４つに分割され、各部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの夫々はレ
チクルR₁〜R₄の各パターン領域Ａ′、Ｂ′、Ｃ′、Ｄ′
の夫々と対応している。チップ領域DC内の領域Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄの夫々は相互に継ぎ部CLで電気的に接続されるよ
うにパターニングされている。この継ぎ部CLは例えばア
ルミニウムによる配線層を作る場合に形成される。

さて、第２図（ａ）に示すように、例えばレチクルR₂
のパターン領域Ｂ′を投影レンズPLの視野内の所定位置
にセットし、ステップアンドリピート方式でウェハＷを
矢印e₂のようにＸ、Ｙ方向に移動させて、各チップ領域
DC内の領域Ｂに関して順次レチクルR₂（パターンＢ′）
と位置合わせて露光していく。ウェハＷの全面にパター
ンＢ′を露光したら、矢印e₁のようにしてレチクルR₂を
R₃（パターンＣ′）に交換する。そして同様にステップ
アンドリピート方式によりウェハＷの各チップ領域DC内
の領域Ｃに関して順次レチクルR₃（パターンＣ′）と位
置合わせして露光を行なう。以下同様にレチクルR₁（パ
ターンＡ′）、レチクルR₄（パターンＤ′）の露光を行
ない、１枚のウェハＷに対する露光工程が終了する。

（発明が解決しようとする問題点）上記画面合成（又は画面継ぎ）による露光は従来のス
テップアンドリピート法の特徴をそのまま応用したもの
であるが、従来と異なるのは、ウェハ上に１回の露光で
焼き付けられるパターン像と、その隣りに１回で焼き付
けられるパターン像とのＸ、Ｙ方向の合わせを極めて厳
密に管理しなければならないことである。それは継ぎ部
CLにおいて合わせ誤差が生じると、結果的に配線等の断
線といった欠陥が継ぎ部CL内のすべてで発生することに
なり、そのチップ領域DCを救済することが不可能に近く
なるからである。

そこでレチクルのパターン像とウェハ上の被露光領域
とを正確にアライメント（位置合わせ）するため、従来
より知られたアライメント方法のうち、レチクルとウェ
ハの各々に形成されたアライメントマークを直接検出し
て、その両マークの位置ずれがなくなるようにレチクル
又はウェハの一方を微動させるTTR（スルーザレチク
ル）又はTTL（スルーザレンズ）方式のダイ・バイ・ダ
イ（以下D/Dと呼ぶ）アライメント法を採用することが
考えられる。このTTR・D/Dアライメント法とはレチクル
の回路パターン領域の周辺（スクライブライン上等）に
設けられたマークと、ウェハ上の対応する領域の周辺
（スクライブライン上等）に設けられたマークの投影レ
ンズによるレチクル側への逆投影像との重ね合わせを観
察又は自動検出し、所望の重ね合わせ状態が達成された
時点でただちに露光を行なう方式のことである。この方
式の利点はアライメントが達成されたときのレチクルと
ウェハとの相対的な位置そのものが露光位置になってい
る点である。このようなアライメント方式が可能な露光
装置では、上記アライメントのためのアライメント顕微
鏡、ないしはアライメント光学系がレチクルの上方に配
置されている。通常その配置はレチクルの回路パターン
領域の周辺の２、３ケ所に定められ、２ケ所のものにお
いてはパターン領域を挟んだその２ケ所を同時に検出し
てTTR.D/Dアライメントを行なうことになる。

ところが第２図（ｂ）に示すような画面合成を考える
と、TTR・D/Dアライメント方式のためアライメントマー
クの配置、又はアライメント光学系の配置に問題が生じ
る。すなわち第２図（ａ）のようなレチクルR₁、R₂、
R₃、R₄において、アライメントマークの配置できない部
分が互いに異なってくることである。例えばチップ領域
DC中の領域Ａについては図中左辺と下辺とにマークを設
けることはできず、領域Ｃについては図中右辺と上辺と
にマークを設けることはできない。このことはアライメ
ント光学系の配置が予め定められている同一の露光装置
で、パターンＡ′をもつレチクルR₁とパターンＣ′をも
つレチクルR₂とを共通に使用できない、すなわちD/Dア
ライメントできないことになってしまう。そこで従来技
術ではないが、本来２つでよいアライメント光学系を複
数組各辺に配置して必要に応じて切り替えて利用するこ
とが考えられる。しかしこれではアライメント光学系の
数が多くなり過ぎて装置構成、特にアライメント光学系
の光路の組み方が複雑になり、系としての安定性が問題
になろう。さらにチップ領域DC内の領域に応じてマーク
配置もちがうので、マーク形成時のマークの相対的な位
置誤差がそのまま各領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの継ぎ精度を左
右することになろう。

また継ぎ部CL内に配線パターンの禁止領域を設定し、
そこにアライメントマークを形成するならば、上記問題
点は解決し得るが、通常その禁止領域はマーク形状によ
るが50μｍ×100μｍ以上を必要とし、マークの移し替
えを行なうとすれば、さらにその回数倍だけ面積は増大
することになる。このことは継ぎ部CL、しいては回路パ
ターン内部の設計に大きな制限を加えることになり好ま
しいことではない。

また従来のように重ね合わせ精度を重視したアライメ
ントによる露光シーケンスにおいては、チップ領域DC内
の領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各々において、全く独立にアラ
イメント（例えばTTL・D/Dアライメント）が行なわれる
ために、継ぎ精度を考慮すると必ずしも最適なアライメ
ント及び露光シーケンスとは言えなかった。

（問題点を解決するための手段）そこで本発明では、そのような画面合成（又は画面継
ぎ）による露光において、基本的にウェハ上の１つの回
路パターン領域（チップ領域）に対する露光について
は、そのチップ領域内で分割された複数の領域のうち少
なくとも１つの領域に付随した１つのアライメントマー
クを検出し、このマーク位置に基づいてチップ領域内の
各分割領域とそれに対応したレチクル（マスク）パター
ン部分の夫々とを位置合わせするようにする。

（作用）本発明によれば１つのチップ領域を構成する複数の分
割領域の夫々に対して露光直前にアライメントすること
は必ずしも必要ではなく、それでいて、１つのチップ領
域内で継ぎ合わされるパターン同志は、その継ぎの精度
がどこにおいても事前（露光前）に考慮されるような露
光シーケンスが採用される。これにより、継ぎ精度の向
上した画面合成露光が達成でき、チップの生産歩留りを
向上させることができる。

（実施例）次に本発明の実施例による露光方法を説明するが、そ
の前にこの方法を実施するのに好適な投影型露光装置の
概略的な構成を第１図に基づいて説明する。

第１図に示すように、本実施例の装置は例えば第２図
（ａ）と同様の４枚のレチクルR₁、R₂、R₃、R₄を用いる
ものとする。第１図においてレチクルR₁は露光装置のレ
チクルステージRSに真空吸着され、他のレチクルは所定
のレチクル収納部（以下ライブラリーと呼ぶ）に納めら
れている。レチクルの交換はレチクルオートローダ部１
によって自動的に行なわれる。レチクルステージRSはレ
チクルを保持して水平面内で２次元（回転も含む）的に
微動可能であり、レチクルを装置の基準、例えば投影レ
ンズPLの光軸AXに対して位置決めするために使われる。
さて投影レンズPLの下にはウェハＷを載置して２次元的
に移動するウェハステージ２が設けられ、モータ３によ
って駆動される。このウェハステージ２は後述するアラ
イメントのための微動とステップアンドリピート方式の
露光の際のステッピング移動とに兼用して使われる。ウ
ェハステージ２の端部にはレーザ光波干渉式測長器（以
下単に干渉計とする）４からのレーザ光束を垂直に反射
する移動鏡が設けられ、干渉計４はウェハステージ２の
位置を計測する。尚、第１図ではモータ３、干渉計４と
も１組しか図示していないが、他方の軸方向のためにさ
らにもう１組が設けられていることは言うまでもない。
このウェハステージ２の移動自体はステージコントロー
ラ５によって制御される。ステージコントローラ５は干
渉計４からの位置情報（現在位置）と目標位置の情報と
に基づいてモータ３を最適駆動する。

さて、本実施例の装置では４つのアライメント系が設
けられている。１つはレチクルのみを装置に対してアラ
イメントするためのレチクルアライメント系10、１つは
レチクルマークとウェハ上の被露光領域に付随したマー
クとを同時に検出して、レチクルとウェハＷとを直接ア
ライメントするためのTTRアライメント系12、１つはレ
チクルを介することなく投影レンズPLを介してウェハＷ
上のマークを検出してウェハＷを装置（特に光軸AX）に
対してアライメントするためのTTLウェハアライメント
系14、そしてもう１つは投影レンズPLとは無関係にウェ
ハＷ上のマークを検出して、ウェハＷを装置に対してア
ライメントするためのオフ・アクシス（Off−Axis）方
式のウェハアライメント系16である。この４つのうち、
特に本実施例で利用するのはウェハアライメント系14、
16及びTTRアライメント系12の３つである。

シーケンスコントローラ20は所定のレチクルが装置セ
ットされるようにレチクル交換の指示をレチクルオート
ローダ部１に出力するとともに、モードセレクタ21には
画面合成上のどの分割領域に関して露光を行なうかの指
示を出力する。モードセレクタ21はその指示に基づいて
予め定められた複数のアライメントモードのうちの１つ
を選択し、そのアライメントモードで必要とするウェハ
Ｗ上のアライメントマークの設計上の座標位置情報がア
ライメントマーク設計座標部（記憶装置）22から選び出
されるような指示を出力する。またモードセレクタ21は
アライメントデータ取込部23にも所定の指示を出力し
て、どのアライメント系（ここでは特にウェハアライメ
ント系14、16のいずれか一方とする）を使ってマーク位
置情報（これをアライメントデータとも呼ぶ）を取り込
むかを選択する。データ取込部23は選ばれたアライメン
ト系からのマーク検出情報と干渉計４からのウェハＷの
位置情報とに基づいてアライメントデータを作成してい
く。座標演算部24はデータ取込部23で作成されたアライ
メントデータに基づいて露光すべきウェハＷ上の分割領
域がレチクルのパターン投影像と重なり合うようなウェ
ハステージ２（ウェハＷ）の位置、すなわち露光位置を
算出する。この座標演算部24にはウェハＷ上の露光すべ
き分割領域の全てのショット配列マップ（ウェハ上のチ
ップ配列を基準としたマップ）が予め記憶されており、
そのマップも必要に応じて参照される。

またアライメントのシーケンス（露光位置の決定のた
めのアライメント動作、及び演算アルゴリズム等）はモ
ードセレクタ21からの指示に従って決定される。

切替スイッチ部25はマーク設計座標部22からのマーク
位置情報と座標演算部24からの露光位置情報とのいずれ
か一方をステージコントロール５に送り出すように切替
えるものである。切替スイッチ部25は第１図に示した状
態でデータ取込部23がアライメントデータを作成し、切
り替えた状態ではステップアンドリピート方式の画面合
成による露光が行なわれる。

尚、第１図に示した各種アライメント系のうちウェハ
アライメント系14、16はウェハＷ上にアライメントマー
ク程度のレーザスポット光を照射し、そのマークの段差
エッジからの散乱光や回折光を光電検出する方式が望ま
しい。さらにそのレーザスポット光をウェハＷ上のレジ
ストを感光させない（又は感度させにくい）波長にする
ことも望ましい。

またTTRアライメント系12もレーザスポット光をレチ
クル及びウェハ上に形成するとともに、そのスポット光
がアライメントマークを横切るように走査し、同様に各
マークからの散乱光、回折光を光電検出する方式がよ
い。このTTRアライメント系12はレチクルのマークとウ
ェハとマークとの位置ずれを直接検出するもの（あくま
でレチクルとウェハの相対的ずれ検出）であるため、ウ
ェハＷ上のマーク位置のみを知るにはレチクルのマーク
に対してTTRアライメント系12で検出し得る所定の範囲
内にウェハＷのマークを位置させ、そのウェハＷの位置
を干渉計４で検出しておき、レチクルマークとウェハマ
ークとの相対的なずれ量をTTRアライメント系12で求め
れば、ウェハＷのマークの位置を特定することができ
る。

次に本発明の第１の実施例としての露光方法について
説明する。この第１実施例では２つの異なるパターンを
画面合成により継ぎ合わせて１つのチップ領域を重ね合
わせ露光していくものとする。従って第１図に示したレ
チクルのうちレチクルR₁、R₂が使われる。第３図は第１
実施例によるウェハＷへのファーストプリント（第１層
の焼き付け）時の動作を示すフローチャート図である。
尚、レチクルR₁、R₂の夫々に形成される回路パターン部
分と各種アライメントマークとの配置は特に図示しない
が、以後説明するようなウェハＷ上に形成されるパター
ンやマークの配置と相似と考えてよい。ただしレチクル
アライメント系10によって検出されるレチクルアライメ
ント用のマークは各レチクルとも共通の位置に設けてお
いた方がよい。以下第３図の各ステップについて説明す
る。

まずレジストの塗布されたウェハをローディングして
ウェハステージ24上に所定のプリアライメント（機械
的）精度で載置する（ステップ100）。そしてレチクルR
₁（パターンＡ′を有する）をシーケンスコントローラ2
0の指令に応答したレチクルオートローダ部１の動作に
より、レチクルステージRSにローディングして保持する
（ステップ102）。次にレチクルアライメント系10を用
いて、レチクルR₁を装置の基準位置（例えば光軸AX）に
対して精密に位置決めする（ステップ104）。このレチ
クルのアライメントは２次元の各方向（ｘ、ｙ）の位置
決め以外に回転（ローテーション）についても厳密に修
正する。このレチクルローテーションの修正、すなわち
ウェハステージ２のｘ方向、ｙ方向の各移動軸に関して
レチクルを回転することなくアライメントする方法とし
ては、例えば特開昭56−102823号公報に開示されている
技術がそのまま利用できる。

次にシーケンスコントローラ20からの指令に応答し
て、このレチクルR₁を用いた露光がパターンＡ′のファ
ーストプリントであることがモードセレクタ21に設定さ
れ、モードセレクタ21は座標演算部24にパターンＡ′が
配列マップに従ってウェハ全面に露光されるようなウェ
ハステージ２の位置、すなわちショット位置を出力する
ように働きかける（ステップ106）。この際切替スイッ
チ部25は第１図中の位置から切り替えられて、露光動作
に備える。そしてステージコントローラ５は座標演算部
24からの各ショット位置を目標位置として次々に入力し
て、ステップアンドリピート方式でレチクルR₁のパター
ンＡ′をウェハ上に焼き付けていく（ステップ108）。
こうしてウェハ上には第４図に示すようにチップ領域の
うちの領域Ａのみがマトリックス状に整列して露光され
る。この際、本実施例ではレチクルR₁には領域Ａに接す
るスクライブライン上の２ケ所にｙ方向用のアライメン
トマークSyとｘ方向用のアライメントマークSxとが形成
されるように、マークパターンが設けられているものと
する。１枚のウェハに対するパターンＡ′の露光が終了
すると、レチクル交換を行なうか否かが判断される（ス
テップ110）。ここでは次のレチクルR₂のパターンＢ′
を露光しなければならないので、レチクルR₁がアンロー
ドされ、レチクルR₂がローディングされる。（ステップ
112）。そして以後同様にパターンＢ′の露光がステッ
プアンドリピート方式により実行される。ただしこの２
枚目のレチクルに対してはステップ106のモードセレク
トにより、パターンＢ′のファーストプリントであると
設定され、パターンＢ′のショット位置（設計値）はパ
ターンＡ′のショット位置（設計値）に対して一定ピツ
チ分だけオフセットしている。また本実施例では２枚目
のレチクルR₂にはウェハ上に焼き込むべきアライメント
マークがないものとする。以上のようにしてウェハ全面
にパターンＢ′が露光されると、第４図に示すようにチ
ップ領域のうちの領域Ｂが先に露光された領域Ａと所定
の位置関係（第１層で画面継ぎを行なう場合は継ぎ精度
を保証する範囲の位置誤差）で形成される。

次にステップ110でレチクル交換が必要か否かが判断
される。ここでは２枚のレチクルをすでに使用している
ため、新たなウェハに対する露光を行なうか否かが判断
される（ステップ114）。新たなウェハを露光する場合
はステップ100〜110が同様に繰り返し実行される。

さて、これによってウェハ上にはファーストプリント
されたチップ領域（領域Ａ、Ｂ）が形成されるが、この
第１層から配線の継ぎを行なう場合、領域Ａ、Ｂの継ぎ
部CLは例えば第５図に示すように形成される。領域Ａ内
のパターンと関連した配線パターンLaと領域Ｂ内のパタ
ーンと関連した配線パターンLbとは互いにｙ方向につい
て精密に位置合わせされ、ｘ方向についてはわずかに重
なり合う部分Dabが生じるように位置決めして露光され
る。配線パターンLaはレチクルR₁に、配線パターンLbは
レチクルR₂に各々形成されたものである。

次にファーストプリントの処されたウェハに対して第
２層以降の重ね焼き（以後セカンドプリントと呼ぶ）を
行なうシーケンスについて説明する。

このセカンドプリントにおいては、ウェハ上の各領域
Ａ、Ｂの各々に対して新たな回路パターン部分を精密に
位置合わせ（重ね合わせ）して露光することもさること
ながら、領域Ａに対する新たなショットと領域Ｂに対す
る新たなショットとの相互の配置関係、すなわち継ぎ精
度も重視しなければならない。それは多くの場合、セカ
ンドプリントのいずれかの層において第５図に示すよう
な継ぎ部CLの形成（露光）が行なわれるからである。そ
こでまず継ぎ精度を重視した場合とそうでない場合につ
いて第６図を参照して説明する。

第６図は１つのチップ領域における領域Ａ、Ｂの設計
上のショット配列PA₀、PB₀と例えばファーストプリント
で実際に形成されたショット配列SA₁、SB₁との位置関係
を示すものであり、Ca₀、Cb₀は設計ショット配列PA₀、P
B₀の各中心点、Ca₁、Cb₁は実ショット配列SA₁、SB₁（破
線）の各中心点である。第６図において実ショット配列
SA₁、SB₁は夫々設計ショット配列PA₀、PB₀に対して最も
ずれた最悪ケースを想定し、誇張して図示してある。実
際の設計位置からのずれ量は例えば±0.05μｍ以下であ
る。これはウェハステージ２の位置決め（ステッピン
グ）精度にも依存するが、例えば0.01μｍの計測分解能
を有する干渉計４を用いれば、総合的には容易に±0.05
μｍ以上の精度を保証し得るものである。ただし、第６
図からも明らかなように、実ショット配列SA₁（第１層
のパターン領域）と実ショット配列SB₁（第１層のパタ
ーン領域）との相互の配置についてみると、相対的なず
れが大きいことがわかる。本実施例では、このようなフ
ァーストプリント（ウェハ上に何らパターン、マークが
ない状態でのプリント）時に画面合成露光を行なった場
合の画面間の継ぎ誤差を解決することを主目的としては
いないので、この問題の解決については詳述しないが、
その継ぎ誤差の要因の多くは、レチクル交換時のレチク
ルアライメント誤差（特に再現性）、レンズディストー
ション、及びステッピング精度である。なぜならば、ウ
ェハ自体（すなわちウェハステージ２）の位置は画面合
成による露光動作中は同一の座標系（座標値）によって
例えば0.01μｍの精度で管理されているからである。従
って、例えばレチクルR₁による露光時に、レチクルR₁の
レチクルアライメントマークの投影位置（XR₁、YR₁）を
ウェハステージ２上に設けられた基準マークを用いて計
測して記憶しておき、レチクルR₂に交換したときは同様
にレチクルR₂のレチクルアライメントマークの投影位置
（XR₂、YR₂）を計測し、レチクルR₂の露光時には（XR₁
−XR₂、YR₁−YR₂）だけウェハのステッピング位置を補
正すれば容易に実ショット配列SA₁、SB₁相互の位置を正
確に揃えることができる。その他、本件発明と同一の出
願人による先の出願、特願昭60−207276号に示した方
法、又は特開昭59−74625号に開示された方法等も同様
に利用することができる。さらにレチクルアライメント
マークとウェハステージ２の基準マークとを積極的にTT
Rアライメント系12で同時検出するようにし、基準マー
クは常に所定位置に固定したまま、それにレチクルアラ
イメントマークが位置合わせされるようにTTRアライメ
ント系12からのマーク検出信号に基づいてレチクルステ
ージRSを駆動させるようなレチクルアライメントシーケ
ンス（第３図中のステップ104）を実行しても同様であ
る。

さて、第６図の説明に戻るが、実ショット配列SA₁、S
B₁が形成されたウェハに対して、画面合成により重ね合
わせ露光を行なう場合、本実施例では実ショット配列SA
₁（領域Ａ）に付随してアライメントマークSx、Syが形
成されているため、領域Ａに対して重ね合わせる新たな
パターンA₂′の像は、ウェハアライメント系14、16等に
よるアライメントによりほぼ正確に実ショット配列SA₁
と重ね合わせて露光できる。同様にもし実ショット配列
SB₁にもアライメントマークが付随して形成され、この
マークを検出してウェハアライメントするとすれば、新
たなパターンB₂′の像も実ショット配列SB₁と重ね合わ
せ露光できる。これは従来の重ね合わせ重視の考え方で
あるが、そうすると必然的に継ぎ誤差が大きくなること
は第６図からも明らかであろう。

そこで本実施例では、実ショット配列SA₁のアライメ
ントマークSx、Syを検出して、その中心点Ca₁を特定
し、この中心点Ca₁に対して設計上のピツチだけずらし
た点Cb₂を求め、これが重ね合わせるべき新たなパター
ンB₂′の像の中心点となるようにパターンB₂′のショッ
ト配列SB₂を位置決めして露光するようにした。仮りに
実ショット領域SA₁に対して重ね合わせる新たなパター
ンA₂′のショット配列SA₂が正確に重ね合わされている
ものとすると、ショット配列SB₂とSA₂との継ぎ精度は最
もよくなり、これが継ぎ精度重視の考え方である。この
方法を実行するためのシーケンスを第７図のフローチャ
ート図を参照して説明する。基本的なシーケンスは第３
図に示したものと何ら変わることはなく、ステップ10
6、108のみが第７図に示すように変更される。またレチ
クルR₁には新たなパターンA₂′が形成され、レチクルR₂
には新たなパターンB₂′が形成されているものとする。

第７図において、先のステップ106はステップ116に変
更され、モードセレクタ21はシーケンスコントローラ20
からセカンドプリントの画面合成露光である旨の指令を
受ける。モードセレクタ21はアライメントデータ取込部
23にどのアライメント系を使用するかを宣言し、データ
取込部23はそれに応答して所定の状態に設定される。さ
らにモードセレクタ21はアライメントマーク設計座標部
22、座標演算部24にもウェハアライメントを行なうこと
を宣言する。同時にモードセレクタ21は２枚のレチクル
R₁、R₂を使って画面合成露光するためのシーケンス（す
なわち第３図と第７図とを組み合わせたもの）を選択す
る。

さて、第３図のシーケンスと同様にレチクルアライメ
ント、及びウェハ上の特定位置にあるマークを使ってウ
ェハグローバルアライメント等が終了し、ステップ116
が実行された後、第３図中のステップ108の代りに以下
のステップ120〜125が実行される。まずレチクルアライ
メントされたレチクルがR₁とR₂（パターンA₂′とパター
ンB₂′）のいずれであるかが判断される（ステップ12
0）。ここでレチクルR₁と判断されると、ウェハアライ
メント系14、16又はTTRアライメント系12を用いて重ね
合わせ露光する１つのチップ領域中の領域Ａに付随した
マークSx、Syの位置を計測し、その座標値を記憶する
（ステップ121）、本実施例ではTTLウェハアライメント
系14によりマーク位置検出を行なうものとする。このた
め、まず切替スイッチ部25は第１図中の位置にセットさ
れ、アライメントマーク設計座標部22からは重ね合わせ
露光する１つの領域ＡのマークSx、Syがウェハアライメ
ント系14で検出されるような設計上のマーク位置情報が
ステージコントローラ５に出力される。これによりウェ
ハステージ２が移動して、TTLウェハアライメント系14
を介してデータ取込部23にはマークSx、Syの各位置（Ｘ
方向とＹ方向）が取り込まれる。これにより第６図に示
したような下層（実ショット配列SA₁）のパターン領域
Ａの中心点Ca₁が座標演算部24を介して座標値（XA、Y
A）として特定され、この座標値（又はマーク位置その
もの）が装置内の所定の記憶装置にチップの配列マップ
と対応して記憶される。

次に切替スイッチ部25が座標演算部24側に切りかわ
り、検出された座標値（XA、YA）と新たなパターンA₂′
の像中心、すなわちショットの中心点とが正確に一致す
るようにウェハステージ２の位置決め、すなわちショッ
トの位置決めが行なわれる（ステップ122）。そしてそ
のチップ内の領域Ａに対して露光が行なわれ（ステップ
123）、次のチップに向けてステッピングするか否かが
判断される（ステップ124）。以上のステップ120〜124
の動作は、パターンA₂′のウェハ全面への重ね合わせ露
光が完了するまで同様に繰り返される。

尚、上記ステップ121においては、ウェハのグローバ
ルアライメントが完了した時点で、設計上存在すべきマ
ークSx、Syの位置がチップの配列設計マップより求める
ことができるので、計測したマークSx、Syの位置と設計
上の位置との差分、すなわち第６図中の中心点Ca₀とCa₁
のずれ量のみを記憶するようにしてもよい。

次に、チップ領域の領域Ｂについて新たなパターン
B₂′を重ね合わせ露光する場合は、第７図に示すように
ステップ120でレチクルR₁でないと判断されるので、先
のレチクルR₁の露光動作中に順次記憶された座標値（X
A、YA）又は中心点Ca₀、Ca₁のずれ量が、パターンB₂′
を露光すべきチップの配列マップに基づいて記憶装置か
ら読み出され、パターンB₂′の像の露光すべき位置、す
なわちショット位置が座標演算部24で算出される（ステ
ップ125）。その後、先の場合と同様にステップ122、12
3、124が実行され、ウェハ上のすべてのチップ領域の領
域Ｂ（実ショット配列SB₁）に対して重ね合わせ露光が
行なわれる。このステップ125は領域Ａ、Ｂの設計上の
間隔、すなわち各中心点のｘ、ｙ方向の差（XCa₀−XC
b₀、YCa₀−YCb₀）と座標値（XA、YA）との和、又は差を
演算することになる。

以上本発明の第１の実施例においては、２つのショッ
ト間の継ぎ合わせを重視するため、チップ内で分割され
た各領域内についての重ね合わせ精度はそれ程厳しくな
いが、継ぎ部分の合わせ精度が逆に厳しい場合、例えば
ボンディングパッド部や内部配線、及び継ぎ用の配線を
作り込む配線層の工程では極めて効率的に、高精度の露
光が達成される。また画面合成する最初のショット（領
域Ａに対する露光パターン）のみに関してウェハ上の対
応する位置とのアライメントを行ない、他のショット
（領域Ｂに対する露光パターン）に関してはアライメン
ト（マーク検出）動作が不要であるため、スループット
の低下もさけられる。

また第１の実施例では第５図に示すような継ぎ合わせ
を行なうので、継ぎ精度はｘ方向よりもｙ方向に関して
厳しくなる。例えば配線パターンLa、Lbがともに同じ太
さであるとすると、ｙ方向の継ぎ誤差はすべて継ぎ部分
Dabのｙ方向の幅を小さくする方向に影響してしまう。
そこで第７図のステップ121では、チップ領域の領域Ａ
に付随したマークSx、Syのうち、マークSyのみの位置計
測を行ない、領域Ｂに対する重ね合わせ露光の際は、パ
ターンB₂′のショット位置を、ｙ方向に関しては計測し
たマークSyの位置に基づいて決定し、ｘ方向に関しては
チップの設計上の配列マップに基づく設計値で規定する
方式にしてもよい。この場合、ｘ方向に関しては継ぎ精
度が悪化するが、マーク位置計測の時間が半分になって
スループットが向上し、記憶装置の容量も半分で済むこ
とになる。

次に本発明の第２の実施例を説明するが、基本的には
第１実施例と同じく２つのショットを合成して１つのチ
ップパターンとする方式である。ただし第２実施例では
画面合成で重ね合わせ露光されるウェハ上の２つの領域
Ａ、Ｂ（例えば実ショット領域SA₁、SB₁）の夫々にアラ
イメントマークが所定の位置関係を形成され、これに応
じたアライメントシーケンス及び各種演算を採用する点
で第１実施例と異なる。

第８図は、例えばファーストプリントによってウェハ
上に形成された１つのチップ領域の配列を示し、分割さ
れた２つの領域Ａ、Ｂの夫々には回路パターン部と付随
してアライメントマークSx、Syが形成される。領域Ａに
ついては第４図に示したのと同じ配置でマークSxa、Sya
が設けられ、領域Ｂについてはスクライブライン上に位
置するようにマークSxb、Sybが設けられる。このような
チップ領域の配列で領域Ａに対して新たなパターンA₂′
を重ね合わせ露光する場合、まずマークSxa、Syaとマー
クSxb、Sybの両方の位置をウェハアライメント系14、16
等で検出し、領域Ａ、Ｂの夫々の実ショット配列SA₁、S
B₁の各中心点Ca₁、Cb₁が座標系内でどのような相対誤差
をもって配置しているかを調べる。

そして領域Ａに対するパターンA₂′のショット位置
を、隣りの実ショット配列SB₁内で要求される重ね合わ
せ精度、継ぎ精度、及び実ショット配列SA₁自体で要求
される重ね合わせ精度を考慮して、継ぎ精度が低下しな
いように決定する。このためパターンA₂′のショット中
心は必らずしも実ショット配列SA₁の中心点Ca₁と一致せ
ず、配列SA₁とパターンA₂′との所望の重ね合わせ精度
を満足する範囲内でずれることがある。また領域Ｂに対
するパターンB₂′のショット位置の決定についてもマー
クSxa、Sya、Sxb、Sybの夫々を参照して同様に実行され
る。

本実施例では各領域Ａ、Ｂの重ね合わせ露光にあたっ
てアライメントマークの計測時間、及び演算処理時間が
増えるものの、第１実施例にくらべてチップ領域内の平
均的な重ね合わせ精度を低下させることなく継ぎ精度を
向上させることができる。さらに本実施例では領域Ａ、
Ｂのうち重ね合わせ精度の厳しい方がどちらであって
も、良好な精度を保って重ね合わせができるとともに、
第１実施例のように領域Ａ、Ｂへのセカンドプリントの
順番には制限がない。また第１実施例のように記憶装置
の容量が大きくなくて済むという利点がある。ただし、
領域Ａ、Ｂのうち初めにセカンドプリントする方のアラ
イメントの際に、マークSxa、Sya、Sxb、Sybの夫々の位
置を検出し、次にセカンドプリントする方のショット位
置までも予め演算により求めておく場合は、それなりの
容量を持った記憶装置が必要となる。

さて第９図は本発明の第３の実施例によるマーク位置
を説明する平面図で、先の第１実施例、第２実施例と同
様に２つのショットを合成して１つのチップ領域に対す
る重ね合わせ露光を行なうものとする。この実施例で領
域Ａの左上隅には十字状のマークAMaが形成され、領域
Ｂの左上隅には十字状のマークAMbが形成される。これ
らマークは例えばファーストプリント時に実ショット配
列SA₁、SB₁を形成するときに同時に、すなわちファース
トプリント用の各レチクル内に付随して設けられたマー
クパターンを回路パターンと同時に露光して形成され
る。このマークAMa、AMbの間隔MDは設計上予め定められ
た値であり、各中心点Ca₁、Cb₁の間隔と一致したもので
ある。そして本実施例ではこれらマークAMa、AMbを第１
図中のTTRアライメント系12で検出してレチクルと各実
ショット配列SA₁、SB₁との直接的なアライメントを行な
うものとする。

まず、領域Ａに対して新たなパターンA₂′を重ね合わ
せ露光する場合、そのパターンA₂′を持つレチクルR₁′
にはマークAMaと整列すべきマークRAaが形成されている
ものとする。レチクルR₁′が装置に対してアライメント
された後、チップの設計上の配列マップに基づいて、レ
チクルR₁′のマークRAaと実ショット配列SA₁のマークAM
aとがほぼ位置合せされるようにウェハ（ウェハステー
ジ２）を移動させる。そしてTTRアライメント系12によ
ってマークRAaとマークAMaとをアライメントし、レチク
ルR₁′のパターン中心と領域Ａの中心点Ca₁とが一致す
るようなウェハの座標値（本実施例では以後、領域Ａへ
のショット位置とする）を求める。従来のTTR・D/Dアラ
イメント法ではそのショット位置でただちに露光が行な
われるが、本実施例でも継ぎ精度の向上を計るため、先
の第２実施例と同様に隣接する実ショット配列SB₁のマ
ークAMbを参照するものとする。この場合、領域Ａに重
ね合わせ露光されるレチクルR₁′のマークRAaと実ショ
ット配列SB₁のマークAMbとがTTRアライメント系12によ
って同時検出されることになる。この様子は第10図に示
すように、領域Ａへのショット位置に対してウェハをｘ
方向に精密に間隔MDだけ移動させて、マークRAaとマー
クAMbとを整列させればよい。第10図において、光軸AX
を中心とする円Ifは投影レンズPLのイメージフィールド
であり、新たなパターンA₂′（レチクルR₂′）の中心点
は光軸AXと一致しているものとする。また本実施例でマ
ークRAaはマークAMb、AMaを囲む単純な正方形の窓と
し、この窓のエッジをマークとして扱う。さて、間隔MD
だけ精密にウェハを移動させたとき、もし実ショット配
列SA₁とSB₁との継ぎ精度が設計値通りであれば、マーク
RAaとマークAMbとは正確に整列していることになる。そ
こでマークRAaとマークAMbとの位置ずれ（アライメント
誤差）を求めて実ショット配列SA₁とSB₁の継ぎ合わせの
状態を推定し、新たなパターンA₂′を先に検出した領域
へのショット位置でそのまま露光するのか、それとも継
ぎ精度、重ね合わせ精度を考慮してショット位置をわず
かにずらした位置で露光するかを演算により求める。こ
の演算は先の第２実施例と同様に扱えるので、これ以上
の説明は省略する。

以上本実施例では画面合成すべきウェハ上の実ショッ
ト配列SA₁、SB₁の各々共通位置（左上隅）にマークが設
けられているので、２つのショットに対して共通のTTR
アライメント系12によってアライメントできる。また継
ぎ部分近傍にマークが形成されることになるが、それも
継ぎ部分の端に位置するため、継ぎ配線等のロケーショ
ン設計に対する制限も少ない。尚、本実施例のような十
字状のアライメントマーク及びその配置は第１実施例に
も同様に適用し得る。

また上記第１実施例、第２実施例、第３実施例はとも
に２つのショットの合成としたが、３つのショットによ
る合成、又は第２図に示すような４つのショットの合成
の場合についても全く同様に応用できることは言うまで
もない。さらに上記各実施例の方法を適宜組み合わせて
もよいことは言うまでもない。

次に、本発明の第４の実施例を第11図を参照して説明
するが、この実施例は画面合成すべきショット（分割さ
れた領域）が２次元的に配置する場合に、特に良好な継
ぎ精度を得ることを可能とするものである。

第11図（ａ）は４つの分割された実ショット配列S
A₁、SB₁、SC₁、SD₁の各々に新たなパターンA₂′、
B₂′、C₂′、D₂′を重ね合わせ露光する際、第１実施例
と同様の方法により実ショット配列SA₁に付随したアア
ライメントマークAMaのみを参照して、パターンA₂′の
ショット位置はマークAMaの位置を基準にし、パターンB
₂′、C₂′、D₂′の各ショットの位置は設計値（チップ
配列マップ）で管理していくものである。この場合、ウ
ェハ上の１つのチップ領域を形成するために、パターン
A₂′、B₂′、C₂′、D₂′の夫々を有する４枚のレチクル
が用意される。この第11図（ａ）の場合、マークAMaは
実ショット配列SA₁のみの左上隅に形成されているた
め、各実ショット配列SA₁、SB₁、SC₁、SD₁間の継ぎ部分
はマーク領域によって規制されることがない。また第11
図（ａ）の方式では実ショット配列SA₁についてのアラ
イメント及びパターンA₂′の重ね合わせ露光が完了した
後は、他の実ショット配列SB₁、SC₁、SD₁のうち、どれ
から露光を行なってもよく、また合成する各ショット間
はどこでも同一の継ぎ精度が得られる。

またこの実施例においては、パターンA₂′を実ショッ
ト配列SA₁に重ね合わせ露光する際は、当然マークAMaを
検出してアライメントするが、パターンB₂′の実ショッ
ト配列SB₁への重ね合わせ露光、パターンC₂′の実ショ
ット配列SC₁への重ね合わせ露光、及びパターンD₂′の
実ショット配列SD₁への重ね合わせ露光の各々の動作時
にも、マークAMaを検出するアライメント動作を加えて
も同様の効果が得られる。

第11図（ｂ）は先の第２実施例を２次元に拡張したも
のであり、画面合成されるウェハ上の４つの実ショット
配列SA₁、SB₁、SC₁、SD₁の夫々には、左上隅に十字状の
アライメントマークAMa、AMb、AMc、AMdが形成されてい
る。本実施例では、例えば実ショット配列SA₁に対して
新たなパターンA₂′を重ね合わせ露光する際、実ショッ
ト配列SA₁のｘ方向に隣接した実ショット配列SB₁のマー
クAMbの位置と、ｙ方向に隣接した実ショット配列SD₁の
マークAMdの位置との２つを参照して、パターンA₂′の
実ショット配列SA₁に対するショット位置を決定するよ
うにした。もちろんマークAMaの位置も参照して、パタ
ーンA₂′のショット位置を決定すれば、実ショット配列
SA₁内での重ね合わせ精度と継ぎ精度とを適当にバラン
スさせることもできる。他の実ショット配列SB₁、SC₁、
SD₁の夫々に対する露光時の位置合わせについても、全
く同様に第11図（ｂ）中に矢印で示すように相互にアラ
イメントマークが参照される。

第11図（ｃ）は上記第11図（ａ）、（ｂ）に示した各
方式を混用したものであり、ここでは実ショット配列SA
₁、SB₁、SC₁の３つの領域の夫々にマークAMa、AMc、AMd
が設けられ、実ショット配列SD₁には特に参照すべきマ
ークが形成されていないものとする。ここで、実ショッ
ト配列SA₁に対するパターンA₂′の重ね合わせ、実ショ
ット配列SB₁に対するパターンB₂′の重ね合わせ、及び
実ショット配列SC₁に対するC₂′の重ね合わせはともに
実ショット配列SA₁のマークAMaの位置のみを参照し、各
ショット位置が設計値で管理されて露光される。これは
第11図（ａ）の方式と同じである。次に実ショット配列
SD₁に対するパターンD₂′の重ね合わせにあっては、第1
1図（ｂ）と同様に、隣接した実ショット配列SB₁、SC₁
の各マークAMb、AMcの２つを参照して、パターンD₂′の
ショット位置を決定する。もちろんパターンD₂′のショ
ット位置決定にあたって、マークAMa（実ショット配列S
A₁）からの設計上の距離も参照するとよい。

以上第11図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各方式において
は、先の各実施例と同様にTTRアライメント系12、TTLウ
ェハアライメント系14、及びオフ・アクシス方式のウェ
ハアライメント系16のいずれか１つ、又はそれらの組み
合わせによって適宜アライメントマークの検出が行なわ
れる。この第４実施例によれば、重ね合わせ露光しよう
とするウェハ上の１つの分割領域に、ｘ方向、ｙ方向の
夫々に関して隣接した２つの分割領域の各マークを参照
するため、特に下地のパターン（実ショット配列SA₁、S
B₁、SC₁、SD₁）の設計位置からの配列誤差がランダムな
場合に継ぎ精度の向上、スループット確保の点で効果的
である。

次に本発明の第５の実施例について第12図を参照して
説明する。この実施例は、３×３でマトリックス状に配
列した９つの分割領域に対して画面合成の露光を行なう
もので、ウェハ上には実ショット配列SA₁、SB₁、SC₁、S
D₁、SE₁、SF₁、SG₁、SH₁、SI₁の夫々が形成されてい
る。ここで例えば中心の実ショット配列SE₁に対して新
たなパターンE₂′を重ね合わせ露光する場合を考えてみ
る。この場合、パターンE₂′のショット位置を決定する
ために参照される隣接領域のマークは最大４つの場合が
考えられる。すなわち、実ショット配列SE₁のｙ方向に
隣り合うショット配列SB₁、SH₁の各マークAMb、AMhとｘ
方向に隣り合うショット配列SD₁、SF₁の各マークAMd、A
Mfとである。もちろんショット配列SE₁自身のマークAMe
も参照するとすれば、合計５つのマークを検出すること
になる。この第12図の場合、ｘ方向に関するパターン
E₂′のショット位置はマークAMdとAMfとのｘ方向の検出
位置に対する中間位置から求め、ｙ方向に関するショッ
ト位置はマークAMbとAMhとのｙ方向の検出位置に対する
中間位置から求めるようにしてもよい。その他本実施例
においても、先の第１実施例、第２実施例、第３実施例
を適宜組み合わせることができるのは明らかである。

以上、本発明の各実施例を説明したが、上記各実施例
の継ぎ合わせ露光方法は、いずれも第１図中のシーケン
スコントローラ20及びモードセレクタ21等に予めプログ
ラム等により記憶されており、画面合成するショットの
数や１つのチップ領域内でのショット位置に応じて適宜
どのアライメントモードを使用するか等をオペレータが
指示するのみで、他は全て自動的に実行される。

また各実施例ではファーストプリントによりウェハ上
に形成された複数の実ショット配列は、第３図、第４図
に示したように画面合成により露光されるとしたが、ウ
ェハ上に形成される各チップ領域は他のイメージフィー
ルドの大きい露光装置で一括に通常のステップアンドリ
ピート法で露光してしまっても同様である。

また露光すべき基板は半導体ウェハ以外に、液晶表示
板等の大きな面積に対するパターニングにおいても同様
に画面合成の方法が適用できる。

（発明の効果）以上本発明によれば、画面合成すべき複数の露光ショ
ット（新たなパターン像）間の継ぎ合わせが、大きなチ
ップ領域内の部分的な重ね合わせ精度を大きく低下させ
ることなく、所望の継ぎ精度で達成され得る。さらに本
発明はマスクとウェハとを接近させた状態で、ステップ
アンドリピート（又はステップアンドスキャン）方式に
よりマスクパターンをウェハ上に順次露光していく露光
装置、例えばＸ線露光装置等においても全く同様に適用
することができ、製造された半導体素子、又は電子部品
（大面積の液晶表示板等）等の生産歩留りを低下させる
ことがないといった利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例による方法を適用するのに好適
な露光装置の構成を示す図、第２図（ａ），（ｂ）は従
来の画面合成露光法を説明する図、第３図は画面合成に
よるファーストプリント時のシーケンスを表わすフロー
チャート図、第４図は本発明の第１実施例が適用される
ファーストプリント完了時のウェハ上のパターン配列を
示す平面図、第５図は継ぎ合わせの一例を示す平面図、
第６図は継ぎ合わせ重視とそうでない場合とを比較する
パターン配列を示す平面図、第７図は第１実施例による
画面合成の重ね合わせ露光時のシーケンスを表わすフロ
ーチャート図、第８図は本発明の第２実施例による画面
合成法に適用されるマーク配置を示す平面図、第９図は
第３実施例による画面合成法に適用されるマーク配置を
示す平面図、第10図は第３実施例におけるアライメント
時の様子を示す平面図、第11図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
は第４実施例による画面合成の方法を説明する平面図、
第12図は第５実施例による画面合成の方法を説明する平
面図である。〔主要部分の符号の説明〕 R₁、R₂、R₃、R₄……レチクル、Ｗ……ウェハ、SA₁、S
B₁、SC₁、SD₁、SE₁、SF₁、SH₁、SI₁……ウェハ上の画面
合成すべきパターン領域（実ショット配列）、Sx、Sy、
Sxa、Sxb、Sya、Syb、AMa、AMb、AMc、AMd、AMe、AMf、
AMh……ウェハ上のアライメントマーク、RAa……レチク
ル上のアライメントマーク、CL……継ぎ部分、PL……投
影レンズ、２……ウェハステージ、４……干渉計、12…
…TTRアライメント系、14……TTLウェハアライメント
系、16……ウェハアライメント系、20……シーケンスコ
ントローラ、21……モードセレクタ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上の複数の領域の夫々に回路パターン
が形成され、該回路パターン領域の夫々に新たな回路パ
ターンを重ね合わせて露光する際、前記基板上の回路パ
ターン領域の夫々を複数の部分領域に分割して、該部分
領域単位で前記新たな回路パターンを重ね合わせ露光す
る方法において、前記基板上に前記回路パターン領域を形成する際、１つ
の回路パターン領域内の複数の部分領域のうちの少なく
とも１つの部分領域に関して所定の位置関係で少なくと
も１つのアライメントマークを設ける工程と；前記基板上の前記基板上の回路パターン領域内の各部分
領域の夫々に対応して分割された新たな回路パターン部
分を有するマスクを用意する工程と；該マスクに形成された新たな回路パターン部分の夫々を
前記基板上の１つの回路パターン領域内の各部分領域の
夫々に順次重ね合わせ露光するに先立って、前記少なく
とも１つのアライメントマークを検出し、該アライメン
トマークの位置に基づいて前記各部分領域の露光位置を
算出し、該露光位置を用いて前記新たな回路パターン部
分の夫々と前記基板上の対応する部分領域の夫々との位
置合わせを行う工程とを含むことを特徴とする露光方
法。
【請求項２】前記基板上の１つの回路パターン領域内の
部分領域の夫々に前記アライメントマークを形成し、重
ね合わせ露光すべき１つの部分領域に着目したとき、こ
の部分領域と第１方向に隣り合った少なくとも１つの部
分領域に付随した前記アライメントマークと、前記着目
した部分領域と前記第１方向と交差する方向に関して隣
り合った少なくとも１つの部分領域に付随した前記アラ
イメントマークとを検出して、前記着目した部分領域
と、それに対応した新たな回路パターン部分との位置合
わせを行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】前記各部分領域の夫々に対応して分割され
た新たな回路パターンは複数のマスクに各々形成されて
おり、該複数のマスクの内の第１のマスクを位置決め
し、該第１のマスクに形成された第１の回路パターンの
像を対応する第１の部分領域に形成した後、第１のマス
クに代えて前記複数のマスクの内の第２のマスクを位置
決めし、該第２のマスクに形成された第２の回路パター
ンの像を対応する第２の部分領域に形成する時に、前記
位置合わせを行う工程は、前記基板を載置する基板ステージ上に設けられた基準マ
ークを用いて前記第１の回路パターンの像の位置と、前
記第２の回路パターンの像の位置との差を求める工程
と；前記差に基づいて前記第２の部分領域の位置を補正する
工程を含むことを特徴とする請求項第１項記載の方法。