JP3198310B2 - 露光方法及び装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば１枚又は複数枚
のレチクルにそれぞれ形成されたパターンの像を感光基
板上に順次つなぎ合わせて露光する露光方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子又は薄膜磁気
ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フ
ォトマスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称す
る）のパターン像を投影光学系を介して感光基板上に投
影する投影露光装置（ステッパー、アライナー等）が使
用されている。斯かる投影露光装置において、図８
（ａ）に示すように、投影光学系の最大露光フィールド
１は円形の露光領域１であるため、実際に１回の露光で
感光基板上に露光できるチップパターンの大きさは、最
大露光フィールド１に内接する矩形のショット領域２に
収まる大きさである。

【０００３】そのため、感光基板上にそのショット領域
２の面積より大きいチップパターンを露光する際には、
１枚又は複数枚のレチクルにそれぞれ形成されたパター
ンの像を感光基板上に順次つなぎ合わせて露光する必要
がある。図８（ｂ）はそのようにつなぎ合わせて露光す
る際の従来の露光順序を示し、この図８（ｂ）におい
て、先ず感光基板としての感光材が塗布されたウエハ上
の第１のショット領域Ｓ１に第１のレチクルのパターン
像が露光される。その後、ウエハが載置されたウエハス
テージを駆動して、第１のショット領域Ｓ１に隣接する
第２のショット領域Ｓ２を投影光学系の露光フィールド
内に設定した状態で、第２のショット領域Ｓ２上にその
第１のレチクルのパターン像又は交換された第２のレチ
クルのパターン像が投影される。

【０００４】そして、ステップ・アンド・リピート方式
により順次、前のショット領域に隣接する第３のショッ
ト領域Ｓ３、第４のショット領域Ｓ４、‥‥、第７のシ
ョット領域Ｓ７にそれぞれレチクルのパターン像を露光
することにより、ウエハ上の３行×３列のショット領域
Ｓ１〜Ｓ７よりなる露光領域に、全体として１個の大面
積のチップパターンの像が露光されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
に於いては、多数のショット領域のパターン像をつなぎ
合わせる（継ぐ）ことにより、１個の大きなチップパタ
ーン像が露光されているため、各ショット領域間の継ぎ
部（接続領域）での隣接するパターン像の重ね合わせ精
度（継ぎ精度）を高精度に維持する必要がある。しかし
ながら、従来は第２のショット領域以降のショット領域
への露光を行う際に、ステッピング精度及び回転精度を
上げることによって継ぎ部の重ね合わせ精度を向上させ
る以外に方法がなかった。そのため、十分なステッピン
グ精度及び回転精度が得られない場合、各ショット領域
間の継ぎ部の重ね合わせ精度が悪化し、つなぎ合わせて
露光する方式で製造された大面積のチップが、１チップ
として正常に動作しない虞があった。

【０００６】例えば図８（ｃ）は、図８（ｂ）のショッ
ト領域Ｓ６及びＳ７の境界領域Ａを拡大したものであ
り、図８（ｃ）において、ショット領域Ｓ６上の回路パ
ターン像３とショット領域Ｓ７上の回路パターン像４と
は幅ΔＬの領域で重なり、斜線を施した領域が継ぎ部５
となっている。そして、ショット領域Ｓ６に対するショ
ット領域Ｓ７の相対的なステッピング位置決め誤差及び
回転誤差に起因して、ショット領域Ｓ６とＳ７との間に
は直交する２方向への位置決め誤差Δｘ及びΔｙが発生
している。これらの誤差Δｘ及びΔｙが許容値を超える
と、継ぎ部５が少なくなり過ぎて、チップとしての動作
が不良になる。

【０００７】このように継ぎ部での不良を回避する為に
は、各ショット領域間での継ぎ部の面積を大きくする方
法も考えられるが、継ぎ部の面積を大きくすると、回路
パターンの微細化ができないという不都合がある。本発
明は斯かる点に鑑み、１枚又は複数枚のレチクルにそれ
ぞれ形成されたパターンの像を感光基板上に順次つなぎ
合わせて露光するつなぎ合わせ方式の投影露光装置にお
いて、隣接するショット領域間の継ぎ部での重ね合わせ
精度を向上して、最終的に得られる大面積の素子の歩留
まりを向上させることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による第１の露光
方法は、例えば図１に示す如く、１枚又は複数枚のマス
クにそれぞれ形成されたパターンの像を感光基板上に順
次つなぎ合わせて転写することにより、それら１枚又は
複数枚のマスクの個々のパターンの像よりも広い面積の
パターン像をその感光基板上に形成する露光方法におい
て、転写用のパターン及び位置合わせ用のマークが形成
された第１マスクを用いて、転写用のパターンの像（１
６ＰＡ）及び位置合わせ用のマークの像（２１ＰＡ，２
２ＰＡ）をその感光基板上の第１領域（Ｓ１）に転写
し、次にその感光基板上の第１領域（Ｓ１）に隣接する
第２領域（Ｓ２）に、その転写用のパターンの像（１６
ＰＡ）につなぎ合わせてその第１マスク又はこの第１マ
スクとは異なる第２マスクのパターンの像を転写する際
に、位置合わせ用のマークの像（２１ＰＡ，２２ＰＡ）
を検出し、この検出結果に基づいて第２領域（Ｓ２）に
転写すべきパターンが形成されたマスクとその感光基板
との位置合わせを行うものである。

【０００９】この場合、第２領域（Ｓ２）にその第１マ
スク又は第２マスクのパターンの像を転写する際に、位
置合わせ用のマークの像（２１ＰＡ，２２ＰＡ）に２重
露光を行い、それら既に露光されている位置合わせ用の
マークの像（２１ＰＡ，２２ＰＡ）を消去することが望
ましい。また、例えば図５に示すように、転写対象とす
るマスク上に少なくとも３個の位置合わせ用のマークを
形成し、その感光基板上のその第１領域（Ｓ１）と異な
る第３領域（Ｓ２〜Ｓ４）の露光を行う際に、第３領域
（Ｓ２〜Ｓ４）の隣接領域に転写されたそれら少なくと
も３個の位置合わせ用のマークの像から選択した位置合
わせ用のマークの像を検出し、この検出結果に基づいて
その第３領域に転写すべきパターンが形成されたマスク
とその感光基板との位置合わせを行うことが望ましい。
次に、本発明による第２の露光方法は、感光基板上で一
部が重なる複数の領域にそれぞれパターンを転写する露
光方法において、その複数の領域の１つに対するそのパ
ターンの転写時に形成された潜像パターンを検出し、そ
の１つの領域に対して一部が重ねられる別の領域にパタ
ーンを転写するために、前記検出結果に基づいてその１
つの領域に対するその別の領域の位置関係を決定するも
のである。 また、本発明による第３の露光方法は、感光
基板上の第１領域にパターンを転写する第１露光動作
と、その第１領域と一部が重なる第２領域にパターンを
転写する第２露光動作とを有する露光方法において、そ
の第１露光動作時にその感光基板上に形成された潜像パ
ターンをその第２露光動作前に検出し、この検出結果に
基づく補正を行ってからその第２露光動作を実行するも
のである。 次に、本発明による第４の露光方法は、感光
基板上で一部が重なる複数の領域にそれぞれパターンを
転写する露光方法において、その複数の領域の１つにパ
ターンを転写する前に、その感光基板に形成された潜像
パターンを検出し、その１つの領域の一部が重ねられる
別の領域に対してその１つの領域が所定の許容範囲内で
位置決め誤差を持つように、その検出結果に基づいてそ
の位置関係を決定するものである。 また、本発明による
第５の露光方法は、感光基板上で一部が重なる複数の領
域にそれぞれパターンを転写する露光方法において、そ
の複数の領域の１つにパターンを転写する前に、その感
光基板に形成された潜像パターンを検出し、その複数の
領域間で位置決め誤差がそれぞれ許容値以内となるよう
に、その検出結果に基づいて決定され、その１つの領域
の一部が重ねられる別の領域に対するその１つの領域の
位置関係にオフセットを与えるものである。 次に、本発
明による露光装置は、その潜像パターンを検出するパタ
ーン検出系を備え、本発明の第４又は第５の露光方法を
用いて決定した位置関係に基づいてその別の領域を静止
露光、又は走査露光するものである。

【００１０】

【作用】斯かる本発明によれば、既に露光された潜像パ
ターンとしての位置合わせ用のマークの像（２１ＰＡ，
２２ＰＡ）の位置を検出し、この検出結果に基づいて第
２のショット領域（Ｓ２）に転写されるパターンが形成
されたマスクとその感光基板との位置合わせ（アライメ
ント）を行うので、第１のショット領域（Ｓ１）と第２
のショット領域（Ｓ２）との間の継ぎ部の位置合わせ精
度を向上できる。

【００１１】更に、第２のショット領域（Ｓ２）への露
光の際に、第１のショット領域（Ｓ１）への露光により
生じた潜像パターンとしての位置合わせ用のマークの像
（２１ＰＡ，２２ＰＡ）を２重露光により消去する場合
には、感光基板上に位置合わせ用のマークの像が残らな
い。従って、つなぎ合わせ方式の露光後の現像により大
面積のチップパターンを感光基板上に形成した後に、更
に重ねてつなぎ合わせ方式で大面積のチップパターン像
を露光する際に、前の露光工程で位置合わせ用のマーク
像を露光した位置と同じ位置上に再び位置合わせ用のマ
ーク像を露光できる。従って、感光基板上に大面積のチ
ップパターンを複数層に亘って形成する場合に、各層の
露光の際にそれぞれ同じ領域をアライメント用のマーク
の潜像パターン領域として利用することができるように
なり、感光基板上の露光領域を有効に活用できる。

【００１２】また、図５に示すように、マトリクス状に
配列された多数のショット領域上にそれぞれマスクのパ
ターン像をつなぎ合わせて露光する際には、つなぎ合わ
せの方向が２方向になり、マスク上に１個又は２個の位
置合わせ用のマークを設けただけでは必ずしも十分でな
い。そこで、転写対象とするマスク上に少なくとも３個
の位置合わせ用のマークを形成し、その感光基板上の第
１のショット領域（Ｓ１）以降の第３のショット領域
（Ｓ２〜Ｓ４）への露光を行う際に、第３のショット領
域が第１のショット領域（Ｓ１）の上部に隣接するショ
ット領域（Ｓ２）である場合には、それらの境界部の２
個の位置合わせ用のマーク像（３５ＰＡ，３７ＰＡ）を
用いてアライメントを行う。

【００１３】そして、第３のショット領域が第１のショ
ット領域（Ｓ１）の右端部に隣接するショット領域（Ｓ
３）である場合には、それらの境界部の２個の位置合わ
せ用のマーク像（３６ＰＡ，３３ＰＡ）を用いてアライ
メントを行い、第３のショット領域が第１のショット領
域（Ｓ１）の斜め上方に位置するショット領域（Ｓ４）
である場合には、例えば対角線方向の２個の位置合わせ
用のマーク像（３６ＰＢ，３６ＰＣ）を用いてアライメ
ントを行う。これにより、マトリクス状に配列されたシ
ョット領域間のそれぞれの継ぎ部での重ね合わせ精度を
向上できる。

【００１４】また、転写対象とするマスク上に少なくと
も３個の位置合わせ用のマークを形成した場合には、例
えば図５（ｃ）に示すように、第１のショット領域（Ｓ
１）への露光で形成された潜像パターンとしての位置合
わせ用のマーク像（３６ＰＡ）上に、第２のショット領
域（Ｓ２）への露光により潜像パターンとしての位置合
わせ用のマーク像（３３ＰＢ）が重ねて形成される。こ
のように合成された潜像パターンは両ショット領域（Ｓ
１，Ｓ２）に露光されたパターン像の平均的な位置を示
すので、この合成された潜像パターンを用いてアライメ
ントを行って、第３のショット領域等への露光を行うこ
とにより、継ぎ部での重ね合わせ精度の向上が期待でき
る。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の一実施例につき図１〜図３を
参照して説明する。図２は本例の露光方法が適用される
投影露光装置を示し、この図２において、照明光学系６
から射出された露光光ＩＬが、ダイクロイックミラー７
を透過してレチクル８のパターン形成領域を照明する。
図示省略するも、レチクル８は２次元平面内で平行移動
及び微小回転が可能なレチクルステージ上に保持されて
いる。

【００１６】露光光ＩＬのもとで、レチクル８のパター
ン像が投影光学系９を介してフォトレジストが塗布され
たウエハ１０上に結像投影される。また、ウエハ１０は
ウエハステージ１１上に保持され、ウエハステージ１１
は、投影光学系９の光軸に垂直な２次元平面内でウエハ
１０を位置決めするＸＹステージ、投影光学系９の光軸
に平行なＺ方向にウエハ１０を位置決めするＺステー
ジ、及びウエハ１０を微小回転させるステージ等より構
成されている。

【００１７】ウエハステージ１１の上端には移動鏡１２
が固定され、レーザー干渉計１３からのレーザービーム
が移動鏡１２で反射されている。また、投影光学系９の
光軸に垂直な２次元平面内の直交座標系をＸ軸及びＹ軸
として、移動鏡１２はＸ軸に垂直な平面鏡及びＹ軸に垂
直な平面鏡から構成されている。そして、レーザー干渉
計１３は、Ｘ軸に沿ってレーザービームを移動鏡１２に
照射する２軸のＸ軸用のレーザー干渉計と、Ｙ軸に沿っ
てレーザービームを移動鏡１２に照射するＹ軸用のレー
ザー干渉計とより構成されている。従って、Ｘ軸用の一
方のレーザー干渉計及びＹ軸用のレーザー干渉計によ
り、ウエハステージ１１のＸ座標及びＹ座標が計測さ
れ、２個のＸ軸用のレーザー干渉計の計測値の差により
ウエハステージ１１の回転量（これをθ方向の変位とい
う）が計測される。

【００１８】そのレーザー干渉計１３により計測された
ウエハステージ１１のＸ座標、Ｙ座標及びθ方向の変位
が制御装置１４に供給され、制御装置１４は駆動装置１
５を介してウエハステージ１１の動作を制御する。

【００１９】図３は本例のレチクル８をウエハ１０側へ
投影して形成されるレチクル像８Ｐを示し、この図３に
おいて、レチクル８のパターン形成領域と共役な領域に
は輪郭が矩形の回路パターン像１６Ｐが投影されてい
る。また、回路パターン像１６ＰのＹ方向に平行な一方
の辺の外側に２個の窓部の像１７Ｐ及び１８Ｐが投影さ
れ、回路パターン像１６ＰのＹ方向に平行な他方の辺の
内側に２個のアライメントマークの像２１Ｐ及び２２Ｐ
が投影されている。一方のアライメントマークの像２１
Ｐは、Ｙ方向に所定ピッチで配列された格子状のマーク
像１９Ａ及びＸ方向に所定ピッチで配列された格子状の
マーク像２０Ａから構成され、他方のアライメントマー
クの像２２Ｐも、マーク像１９Ａと同一のマーク像１９
Ｂ及びマーク像２０Ａと同一のマーク像２０Ｂから構成
されている。即ち、アライメントマークの像２１Ｐ及び
２２Ｐは、それぞれＸ方向及びＹ方向の位置が検出でき
るような形状である。

【００２０】図１に戻り、ウエハ１０上の窓部の像１７
Ｐ及び１８Ｐに共役なレチクル８上の領域には、矩形の
開口パターンよりなる窓部１７及び１８が形成され、こ
れら窓部１７及び１８をそれぞれ囲む検出領域２３及び
２４にアライメント用の検出光が照射される。検出領域
２３及び２４に共役な投影光学系９の露光フィールド内
の領域が、図３の検出領域２３Ｐ及び２４Ｐである。図
１において、ダイクロイックミラー７の側方に２個のア
ライメント装置２５及び２６が配置され、レチクル８と
ウエハ１０とのアライメントを行うときには、アライメ
ント装置２５及び２６からそれぞれ露光光ＩＬとは異な
る波長帯で、且つウエハ１０に塗布されたフォトレジス
トを感光させない検出光ＡＬ１及びＡＬ２が射出され
る。

【００２１】但し、検出光ＡＬ１及びＡＬ２として、フ
ォトレジストに対する感光性のある光を使用することも
可能である。このようにフォトレジストに対する感光性
のある光を検出光ＡＬ１及びＡＬ２として使用する際に
は、検出光ＡＬ１，ＡＬ２をウエハ１０上に照射してい
る時間であるアライメント時間をできるだけ短くして、
後述のように潜像パターンとしてのアライメントマーク
の像が変化しないようにする。

【００２２】一方のアライメント装置２５から射出され
た検出光ＡＬ１は、ダイクロイックミラー７で反射され
てレチクル８上の検出領域２３内の窓部１７に照射さ
れ、窓部１７を通過した検出光ＡＬ１は、投影光学系９
を介してウエハ１０上のそれまでの工程で露光されたア
ライメントマークの潜像上に照射される。この潜像で回
折又は反射された検出光ＡＬ１が、投影光学系９、レチ
クル８の窓部１７及びダイクロイックミラー７を経て再
びアライメント装置２５に戻って、ウエハ１０上のアラ
イメントマークの潜像を再結像する。この再結像された
像と、レチクル８の窓部１７の像のエッジとの関係か
ら、レチクル８の窓部１７とウエハ１０上のアライメン
トマークの潜像との相対的な位置関係を検出することが
できる。

【００２３】同様に、他方のアライメント装置２６から
射出された検出光ＡＬ２は、ダイクロイックミラー７で
反射されて、レチクル８上の検出領域２４内の窓部１８
及び投影光学系９を介してウエハ１０上の別のアライメ
ントマークの潜像上に照射される。この潜像で回折又は
反射された検出光ＡＬ２が、投影光学系９、レチクル８
の窓部１８及びダイクロイックミラー７を経て再びアラ
イメント装置２６に戻る。アライメント装置２６は、再
結像された潜像とレチクル８の窓部１８の像のエッジと
の関係から、レチクル８の窓部１８とウエハ１０上の別
のアライメントマークの潜像との相対的な位置関係を検
出する。

【００２４】アライメント装置２５及び２６で検出され
た位置関係の情報が制御装置１４に供給され、制御装置
１４はそれらの位置関係の情報及び露光データに基づい
てレチクル８とウエハ１０上のこれから露光されるショ
ット領域との位置合わせ（アライメント）を行う。その
後、レチクル８のパターン像がウエハ１０上のそのショ
ット領域に露光される。なお、アライメント装置２５及
び２６としては、例えば２光束のレーザービームを用い
てウエハ１０上の潜像パターンを検出する２光束干渉方
式のアライメント装置等をも使用することができる。

【００２５】次に、本例で１枚又は複数枚のレチクルの
パターン像をウエハ１０上につなぎ合わせて露光して、
大面積のチップパターン像を露光する際の動作の一例に
つき説明する。図１は本例でつなぎ合わせて露光してい
く際のショット領域の様子を示し、先ず図１（ａ）に示
すように、ウエハ１０上の第１のショット領域Ｓ１に図
２のレチクル８の回路パターン像１６ＰＡを露光する。
この際、窓部の像１７ＰＡ及び１８ＰＡと、アライメン
トマークの像２１ＰＡ及び２２ＰＡとが同時に露光され
る。その後、必要に応じて図２のレチクル８を次に露光
するレチクルと交換した後、図１（ｂ）に示すように、
ウエハ１０上の第２のショット領域Ｓ２を−Ｙ方向に移
動して、図２の投影光学系９の露光フィールド内に設定
する。この移動は、従来例と同様に設計上の各ショット
領域の配列座標に基づいて行われる。

【００２６】この状態で、ウエハ１０上の検出領域２３
Ｐ及び２４Ｐにそれぞれ図２のアライメント装置２５及
び２６から検出光を照射する。そして、潜像パターンよ
りなるアライメントマークの像２１ＰＡ及び２２ＰＡ
と、これから露光するレチクルの窓部（図２の窓部１７
及び１８に対応する）との相対的な位置関係を検出し、
この相対的な位置関係の情報を図２の制御装置１４へ供
給する。制御装置１４はその相対的な位置関係から、第
１のショット領域Ｓ１に既に露光された回路パターン像
１６ＰＡとこれから露光されるレチクルの回路パターン
像との位置ずれ量を算出する。その後、制御装置１４
は、その位置ずれ量が最小になるようにウエハステージ
１１及び／又はレチクルステージ（不図示）を駆動し
て、これから露光されるレチクルとウエハ１０との相対
的な位置関係を補正する。

【００２７】その後、図１（ｃ）に示すように、第２の
ショット領域Ｓ２上にレチクルの回路パターン像１６Ｐ
Ｂを露光する。第１のショット領域Ｓ１と第２のショッ
ト領域Ｓ２との境界部にはＹ方向に所定幅の継ぎ部（接
続領域）が形成される。このときに、回路パターン像１
６ＰＢと共に露光される窓部の像が第１のショット領域
Ｓ１上のアライメントマークの像２１ＰＡ及び２２ＰＡ
上に重ねて露光され、それらの像２１ＰＡ及び２２ＰＡ
を囲む矩形の領域がそれぞれ消去領域２７Ａ及び２８Ａ
となる。これら消去領域２７Ａ及び２８Ａにはアライメ
ントマーク像又は回路パターン像等の潜像は形成されて
いない。また、回路パターン像１６ＰＢの上辺の内側に
は新たなアライメントマークの像２１ＰＢ及び２２ＰＢ
が露光される。

【００２８】その後、必要に応じて再びレチクルを次に
露光するレチクルと交換した後、図１（ｄ）に示すよう
に、ウエハ１０上の第３のショット領域Ｓ３を−Ｙ方向
に移動して、図２の投影光学系９の露光フィールド内に
設定する。この状態で、ウエハ１０上の検出領域２３Ｐ
及び２４Ｐにそれぞれ図２のアライメント装置２５及び
２６から検出光を照射し、潜像パターンよりなるアライ
メントマークの像２１ＰＢ及び２２ＰＢと、これから露
光するレチクルの窓部との相対的な位置関係を検出し、
この相対的な位置関係の情報を図２の制御装置１４へ供
給する。制御装置１４は、回路パターン像１６ＰＢとこ
れから露光されるレチクルの回路パターン像とのその位
置ずれ量が最小になるようにウエハステージ１１及び／
又はレチクルステージ（不図示）を駆動して、これから
露光されるレチクルとウエハ１０との相対的な位置関係
を補正する。

【００２９】その後、図１（ｅ）に示すように、第３の
ショット領域Ｓ３上にレチクルの回路パターン像１６Ｐ
Ｃを露光する。このときにも、回路パターン像１６ＰＣ
と共に露光される窓部の像が第２のショット領域Ｓ２上
のアライメントマークの像２１ＰＢ及び２２ＰＢ上に重
ねて露光され、それらの像２１ＰＢ及び２２ＰＢを囲む
矩形の領域がそれぞれ消去領域２７Ｂ及び２８Ｂとな
る。

【００３０】このように、１枚又は複数枚のレチクルに
それぞれ形成されたパターンの像を、ウエハ上に順次Ｙ
方向に一列につなぎ合わせて露光することにより、図１
（ｅ）に示すように、３個の回路パターン像１６ＰＡ，
１６ＰＢ，１６ＰＣよりなるＹ方向に長い大面積のチッ
プパターン像が露光される。この場合、例えば第２のシ
ョット領域Ｓ２上に回路パターン像を露光するときに
は、第１のショット領域Ｓ１上に形成されている潜像パ
ターンよりなるアライメントマークの像を検出すること
により、第１のショット領域Ｓ１上に露光されている回
路パターン像とこれから露光する回路パターン像との位
置関係を補正するようにしているので、各ショット領域
間の継ぎ部での重ね合わせ精度が向上している。

【００３１】更に、図１（ｅ）に示すように、露光が終
了した時点で、第１のショット領域Ｓ１及び第２のショ
ット領域Ｓ２上のアライメントマークの像は全て消去さ
れている。従って、図１（ｅ）のチップパターン像を現
像等してから、その上に重ねてつなぎ合わせ方式で大面
積のチップパターン像を露光する際に、それら消去領域
（２７Ｂ，２８Ｂ等）上に再びアライメントマークの像
を露光して相対的な位置関係を補正することができる。
これにより、ウエハ１０上の露光領域を有効に活用で
き、チップパターン内の無駄な領域を削減できる。

【００３２】次に、本発明の他の実施例につき図４〜図
７を参照して説明する。本例は、Ｘ方向及びＹ方向に２
次元的にレチクルのパターン像をつなぎ合わせて露光す
ることにより、大面積のチップパターン像をウエハ上に
露光するものである。図４は本例のレチクル２９（不図
示）をウエハ側へ投影して形成されるレチクル像２９Ｐ
を示し、この図４において、本例のレチクルのパターン
形成領域と共役な領域には輪郭が矩形の回路パターン像
３０Ｐが投影されている。また、回路パターン像３０Ｐ
のＹ方向に平行な一方の辺の外側に２個の窓部の像３１
Ｐ及び３２Ｐが投影されている。この場合、右側の窓部
の像３２ＰはＹ方向に短く、窓部の像３２Ｐの外側に、
Ｙ方向に所定ピッチで配列された格子状のマーク像１９
Ｃ及びＸ方向に所定ピッチで配列された格子状のマーク
像２０Ｃからなるアライメントマークの像３３Ｐが投影
されている。

【００３３】また、回路パターン像３０ＰのＹ方向に平
行な他方の辺の内側に２個のアライメントマークの像３
５Ｐ及び３７Ｐが投影され、アライメントマークの像３
５Ｐ及び３７Ｐは、それぞれＹ方向に所定ピッチで配列
された格子状のマーク像１９Ｄ及び１９Ｅと、Ｘ方向に
所定ピッチで配列された格子状のマーク像２０Ｄ及び２
０Ｅとより構成されている。更に、一方のアライメント
マークの像３５Ｐの内側にはＹ方向の幅が狭い窓部の像
３４Ｐが投影され、他方のアライメントマークの像３７
Ｐの内側には、マーク像１９Ｅと同一のマーク像１９Ｆ
及びマーク像２０Ｅと同一のマーク像２０Ｆからなるア
ライメントマークの像３６Ｐが投影されている。

【００３４】また、本例では図２のアライメント装置２
５，２６と同一のアライメント装置が３個配置されてい
る。そして、図４のレチクル像２９Ｐが投影光学系の露
光フィールドの中央に配置されているものとすると、第
１の窓部の像３１Ｐを囲む検出領域３８Ｐ内に第１のア
ライメント装置からの検出光が照射され、第２の窓部の
像３２Ｐを囲む検出領域３９Ｐ内に第２のアライメント
装置からの検出光が照射され、第３の窓部の像３４Ｐを
囲む検出領域４０Ｐ内に第３のアライメント装置からの
検出光が照射される。本例ではそれら３個の検出領域３
８Ｐ〜４０Ｐから選択された２個の検出領域内にそれぞ
れ形成されている潜像パターンとしてのアライメントマ
ークの像と、対応するレチクルの窓部のエッジとの相対
的な位置関係がアライメント装置により検出される。

【００３５】次に、本例で１枚又は複数枚のレチクルの
パターン像をウエハ上に２次元的につなぎ合わせて露光
して、大面積のチップパターン像を露光する際の動作の
一例につき説明する。図５は本例でつなぎ合わせて露光
していく際のショット領域の様子を示し、先ず図５
（ａ）に示すように、ウエハ上の第１のショット領域Ｓ
１に図４のレチクル像の回路パターン像３０ＰＡを露光
する。この際、窓部の像３１ＰＡ，３２ＰＡ，３４ＰＡ
と、アライメントマークの像３３ＰＡ，３５ＰＡ，３６
ＰＡ，３７ＰＡとが同時に露光される。その後、必要に
応じてレチクルを次に露光するレチクルと交換した後、
図５（ｂ）に示すように、ウエハ上の第２のショット領
域Ｓ２を−Ｙ方向に移動して、投影光学系の露光フィー
ルド内に設定する。この移動は、従来例と同様に設計上
の各ショット領域の配列座標に基づいて行われる。

【００３６】この状態で、投影光学系の露光フィールド
内の下側の２個の検出領域３８Ｐ及び３９Ｐにそれぞれ
対応するアライメント装置から検出光を照射する。そし
て、潜像パターンよりなるアライメントマークの像３５
ＰＡ及び３７ＰＡと、これから露光するレチクルの窓部
（図２の窓部１７及び１８に対応する）との相対的な位
置関係を検出し、この相対的な位置関係の情報を制御装
置（図２の制御装置１４に対応する）へ供給する。制御
装置はその相対的な位置関係から、第１のショット領域
Ｓ１に既に露光された回路パターン像３０ＰＡとこれか
ら露光されるレチクルの回路パターン像との位置ずれ量
を算出し、その位置ずれ量が最小になるようにウエハス
テージ及び／又はレチクルステージを駆動して、これか
ら露光されるレチクルとウエハとの相対的な位置関係を
補正する。

【００３７】その後、図５（ｃ）に示すように、第２の
ショット領域Ｓ２上にレチクルの回路パターン像３０Ｐ
Ｂを露光する。第１のショット領域Ｓ１と第２のショッ
ト領域Ｓ２との境界部にはＹ方向に所定幅の継ぎ部（接
続領域）が形成される。このときに、回路パターン像３
０ＰＢと共に露光される窓部の像が第１のショット領域
Ｓ１への露光の際に形成されたアライメントマークの像
３５ＰＡ及び３７ＰＡ上に重ねて露光され、それらの像
３５ＰＡ及び３７ＰＡを囲む矩形の領域がそれぞれ消去
領域４１Ａ及び４２Ａとなる。また、回路パターン像３
０ＰＢの右上部の外側には新たなアライメントマークの
像３６ＰＢ及び３７ＰＢが露光され、第１のショット領
域Ｓ１への露光の際に形成されたアライメントマークの
像３６ＰＡ上に、重ねてアライメントマークの像３３Ｐ
Ｂが露光される。

【００３８】図６（ａ）はそれら重ねて露光された潜像
パターンよりなるアライメントマークの像３６ＰＡ及び
３３ＰＢを示し、これらを合成して得られるパターン
は、図６（ｂ）に示す合成潜像パターン４３及び４４と
なる。合成潜像パターン４３はＸ方向に所定ピッチのパ
ターンであり、合成潜像パターン４４はＹ方向に所定ピ
ッチの潜像パターンである。そして、アライメントマー
クの像３６ＰＡ及び３３ＰＢのＸ方向の中心座標をＸＡ
及びＸＢとすると、合成潜像パターン４３のＸ方向の中
心座標ＸＣは（ＸＡ＋ＸＢ）／２となる。また、アライ
メントマークの像３６ＰＡ及び３３ＰＢのＹ方向の中心
座標をＹＡ及びＹＢとすると、合成潜像パターン４４の
Ｙ方向の中心座標ＹＣは（ＹＡ＋ＹＢ）／２となる。

【００３９】即ち、合成潜像パターン４３及び４４の位
置は、第１のショット領域Ｓ１への露光で形成されたア
ライメントマークの像３６ＰＡの位置と、第２のショッ
ト領域Ｓ２への露光で形成されたアライメントマークの
像３３ＰＢの位置との平均的な位置である。従って、後
述のように、アライメントマークの像３６ＰＡ及び３３
ＰＢの合成潜像パターンと対応するレチクルの窓部のエ
ッジとの相対的な位置関係をアライメント装置で検出す
ることにより、第１のショット領域Ｓ１へ露光された回
路パターン像の位置と、第２のショット領域Ｓ２へ露光
された回路パターン像の位置との平均化された位置を検
出することができる。

【００４０】その後、必要に応じてレチクルを次に露光
するレチクルと交換した後、図５（ｄ）に示すように、
ウエハをＹ方向及び−Ｘ方向に移動させて、第１のショ
ット領域Ｓ１の右辺に接する第３のショット領域Ｓ３を
投影光学系の露光フィールド内に設定する。

【００４１】この状態で、投影光学系の露光フィールド
内の左側の２個の検出領域３８Ｐ及び３９Ｐにそれぞれ
対応するアライメント装置から検出光を照射する。そし
て、検出領域３８Ｐ内の潜像パターンとしてのアライメ
ントマークの像３３ＰＡと、これから露光するレチクル
の窓部との相対的な位置関係を検出する。並行して、検
出領域４０Ｐ内のアライメントマークの像３６ＰＡ及び
３３ＰＢよりなる合成潜像パターンと、対応するレチク
ルの窓部との相対的な位置関係を検出する。これらの相
対的な位置関係から、ショット領域Ｓ１及びＳ２に既に
露光された回路パターン像３０ＰＡ及び３０ＰＢとこれ
から露光されるレチクルの回路パターン像との位置ずれ
量を算出し、その位置ずれ量が最小になるようにウエハ
ステージ及び／又はレチクルステージを駆動して、これ
から露光されるレチクルとウエハとの相対的な位置関係
を補正する。

【００４２】この後、図５（ｅ）に示すように、第３の
ショット領域Ｓ３上にレチクルの回路パターン像３０Ｐ
Ｃを露光する。第１のショット領域Ｓ１と第３のショッ
ト領域Ｓ２との境界部にはＸ方向に所定幅の継ぎ部が形
成される。このときに、回路パターン像３０ＰＣと共に
露光される窓部の像が、既に露光されているアライメン
トマークの像３３ＰＡ及び３６ＰＡ，３３ＰＢ上に重ね
て露光され、それらの像を囲む矩形の領域がそれぞれ消
去領域４１Ｂ及び４１Ｃとなる。また、回路パターン像
３０ＰＣの右上部の外側には新たなアライメントマーク
の像３６ＰＣ及び３７ＰＣが露光される。

【００４３】その後、必要に応じてレチクルを次に露光
するレチクルと交換した後、図５（ｆ）に示すように、
ウエハを−Ｙ方向に移動させて、第２のショット領域Ｓ
２の右辺及び第３のショット領域Ｓ３の上辺に接する第
４のショット領域Ｓ４を投影光学系の露光フィールド内
に設定する。

【００４４】この状態で、投影光学系の露光フィールド
内の対角線方向の２個の検出領域３９Ｐ及び４０Ｐにそ
れぞれ対応するアライメント装置から検出光を照射す
る。そして、検出領域３９Ｐ内の潜像パターンとしての
アライメントマークの像３７ＰＣと、これから露光する
レチクルの窓部との相対的な位置関係を検出する。並行
して、検出領域４０Ｐ内の潜像パターンとしてのアライ
メントマークの像３６ＰＢと、対応するレチクルの窓部
との相対的な位置関係を検出する。これらの相対的な位
置関係から、ショット領域Ｓ２及びＳ３に既に露光され
た回路パターン像３０ＰＢ及び３０ＰＣとこれから露光
されるレチクルの回路パターン像との位置ずれ量を算出
し、その位置ずれ量が最小になるようにウエハステージ
及び／又はレチクルステージを駆動して、これから露光
されるレチクルとウエハとの相対的な位置関係を補正す
る。

【００４５】この後、図５（ｇ）に示すように、第４の
ショット領域Ｓ４上にレチクルの回路パターン像３０Ｐ
Ｄを露光する。ショット領域Ｓ２，Ｓ３と第４のショッ
ト領域Ｓ４との境界部にはそれぞれ所定幅の継ぎ部が形
成される。このときに、回路パターン像３０ＰＤと共に
露光される窓部の像が、既に露光されているアライメン
トマークの像３６ＰＢ及び３７ＰＣ上に重ねて露光さ
れ、それらの像３６ＰＢ及び３７ＰＣを囲む矩形の領域
がそれぞれ消去領域４１Ｄ及び４２Ｂとなる。

【００４６】このように本例では、１枚又は複数枚のレ
チクルにそれぞれ形成されたパターンの像を、ウエハ上
に順次Ｘ方向及びＹ方向につなぎ合わせて露光すること
により、図５（ｇ）に示すように、４個の回路パターン
像３０ＰＡ〜３０ＰＤよりなる大面積のチップパターン
像が露光される。この場合にも、第２のショット領域Ｓ
２以降のショット領域へ回路パターン像を露光するとき
には、隣接するショット領域への露光により既に形成さ
れている潜像パターンとしてのアライメントマークの像
を検出して、既に露光されている回路パターン像とこれ
から露光する回路パターン像との位置関係を補正するよ
うにしているので、各ショット領域間の継ぎ部での重ね
合わせ精度が向上している。

【００４７】更に、図５（ｇ）に示すように、露光が終
了した時点で、アライメントに使用したアライメントマ
ークの像は全て消去されている。従って、図５（ｇ）の
チップパターン像を現像等してから、その上に重ねてつ
なぎ合わせ方式で大面積のチップパターン像を露光する
際に、それら消去領域上に再びアライメントマークの像
を露光して相対的な位置関係を補正することができる。

【００４８】また、図５の露光方法を一般化すると、容
易にＮ行×Ｍ列（Ｎ，Ｍは２以上の整数）に配列された
ショット領域上につなぎ合わせ方式で高い重ね合わせ精
度で大面積のチップパターン像を露光できる。図７
（ａ）は３行×３列に配列されたショット領域Ｓ１〜Ｓ
９を示し、これら９個のショット領域Ｓ１〜Ｓ９上につ
なぎ合わせ方式で露光を行う際には、先ずＹ方向の一列
のショット領域Ｓ１〜Ｓ３上に順次レチクルの回路パタ
ーンを露光する。この際には、投影光学系の露光フィー
ルド内の上辺の２個の検出領域３８Ｐ及び３９Ｐ内の潜
像パターンよりなるアライメントマークの像の位置を検
出することにより、アライメントが行われる。

【００４９】次に、２列目への露光を行う際には、第１
のショット領域Ｓ１の右辺に接する第４のショット領域
Ｓ４から露光を行い、順次Ｙ方向に連なるショットＳ５
及びＳ６に露光を行う。この場合、第４のショット領域
Ｓ４への露光を行う際には、投影光学系の露光フィール
ド内の左辺の２個の検出領域３８Ｐ及び４０Ｐ内の潜像
パターンよりなるアライメントマークの像の位置を検出
することにより、アライメントが行われる。また、ショ
ット領域Ｓ５及びＳ６への露光を行う際には、それぞれ
投影光学系の露光フィールド内の対角線方向の２個の検
出領域３９Ｐ及び４０Ｐ内の潜像パターンよりなるアラ
イメントマークの像の位置を検出することにより、アラ
イメントが行われる。同様に、３列目への露光を行う際
には、第４のショット領域Ｓ４の右辺に接する第７のシ
ョット領域Ｓ７から露光を行い、順次Ｙ方向に連なるシ
ョットＳ８及びＳ９に露光を行う。

【００５０】以上をまとめるため、図７（ｂ）に示すよ
うに、投影光学系の最大露光フィールド１内の中央にこ
れから露光されるパターン像が回路パターン像３０Ｐで
あるとする。このとき、１列目のショット領域への露光
を行う際に使用されるアライメントマーク像（潜像パタ
ーン）は、回路パターン像３０Ｐの下辺の２個の検出領
域３８Ｐ及び３９Ｐ内のそれぞれの窓部の像３１Ｐ及び
３２Ｐ内にある。また、ｎ列目（２≦ｎ≦Ｎ）の最初の
ショット領域への露光を行う際に使用されるアライメン
トマーク像は、回路パターン像３０Ｐの左辺の２個の検
出領域３８Ｐ及び４０Ｐ内のそれぞれの窓部の像３１Ｐ
及び３４Ｐ内にある。そして、ｎ列目の２番目以降のシ
ョット領域への露光を行う際に使用されるアライメント
マーク像は、回路パターン像３０Ｐの対角線方向の２個
の検出領域３９Ｐ及び４０Ｐ内のそれぞれの窓部の像３
２Ｐ及び３４Ｐ内にある。

【００５１】このように、ショット領域の配列に応じて
３個の検出領域３８Ｐ〜４０Ｐ内から選択された２個の
検出領域内の潜像パターンよりなるアライメントマーク
像の位置を検出することにより、有効なアライメントマ
ーク像の露光及び使用済みのアライメントマーク像の消
去を効率的に行うことができる。なお、上述実施例では
ウエハ上の潜像パターンとしてのアライメントマーク像
を投影光学系及びレチクルを介して検出しているが、ア
ライメント方式はそのような方式に限定されるものでな
い。即ち、レチクルを介さないＴＴＬ（スルー・ザ・レ
ンズ）方式でウエハ上のアライメントマーク像を検出す
る場合にも、本発明は同様に適用される。また、アライ
メントマークとしてはＸ方向用とＹ方向用とに分離され
ているマークを考えたが、Ｘ軸及びＹ軸に対して傾斜し
たマークを用いてＸ方向及びＹ方向の位置ずれを調べて
も良い。

【００５２】更に、上述実施例では投影光学系の露光フ
ィールド内の２箇所をアライメント用の検出領域として
いたが、アライメント用の検出領域を露光フィールド内
の１箇所にしてもよい。このように検出されるアライメ
ントマーク像が１個の場合には、Ｘ方向及びＹ方向のオ
フセットのみ又は一軸方向の位置ずれ量のみを検出する
ことになるが、それでも従来のように既に露光されたパ
ターン像との位置ずれ量をモニターしない場合に比べれ
ば、各ショット領域間の継ぎ部での重ね合わせ精度は向
上する。また、つなぎ合わせ方式で露光を行う際には、
各ショット領域間の継ぎ部での歪曲（ディストーショ
ン）の差が問題になる。そこで、アライメント時に、そ
れらディストーションの状態を最良に継ぎ合わせる様に
アライメント位置にオフセットを与えることも当然可能
である。

【００５３】また、これに関連して、例えば図７のよう
に３行×３列のショット領域へつなぎ合わせ方式で露光
を行う際には、それまでに露光された隣接するショット
領域の回路パターン像との位置関係だけではなく、全体
のチップパターン像の平均的な歪み等が小さくなること
をも考慮して、各レチクルとウエハとのアライメントを
行うことが望ましい。具体的には、全ての隣接ショット
領域間の継ぎ部での位置決め誤差（つなぎ誤差）を零に
するようにつなぎ合わせ方式で露光を行っていくと、例
えば最後のショットではつなぎ誤差を所定の許容値以下
にすることが難しくなり得る。そこで前ショットまでの
つなぎ誤差を考慮し、つなぎ誤差の許容値の範囲内で故
意につなぎ誤差を生じさせて露光を行うようにする。こ
れにより、全ての継ぎ部でのつなぎ誤差を許容値以内に
収めることができる。

【００５４】また、上述実施例では図６に示すように、
アライメントマークの像を重ね合わせて合成潜像パター
ンを形成している。このように２つのマーク像の合成に
より平均化効果を得る手法は、潜像パターンを使用する
場合に限られるものでなく、通常のアライメント技術に
おいても平均化効果を光学的に高めるものとして応用で
きる。更に、上述実施例はステップ・アンド・リピート
方式の投影露光装置を用いているが、レチクルとウエハ
とを相対的に走査しながらレチクルのパターンをウエハ
上に露光するスキャン型の露光装置においても、アライ
メントマークの配置を変えることによって同様に本発明
が適用される。

【００５５】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。

【００５６】

【発明の効果】本発明の第１の露光方法によれば、１枚
又は複数枚のレチクルにそれぞれ形成されたパターンの
像を感光基板上に順次つなぎ合わせて転写する際に、そ
れまでの露光により投影された潜像としての位置合わせ
用のマーク像を検出して位置合わせを行うようにしてい
るので、隣接する領域間の継ぎ部での重ね合わせ精度を
向上して、最終的に得られる大面積の素子の歩留まりを
向上させることができる利点がある。また、本発明の第
２〜第５の露光方法、及び露光装置によれば、感光基板
上で一部が重なる複数の領域に対するパターンを転写す
る際に、潜像パターンに基づいて位置関係を決定、又は
補正しているため、各領域でのパターンの位置精度が向
上する。そして、継ぎ部にパターンが含まれる場合に
は、その継ぎ部での重ね合わせ精度が向上する。

【００５７】また、第２領域に第１マスク又は第２マス
クのパターンの像を露光する際に、第１領域上の位置合
わせ用のマークの像の上に２重露光を行い、その第１領
域上のその位置合わせ用のマークの像を消去する場合に
は、その消去された領域に再び位置合わせ用のマークの
像を投影することができるので、感光基板上の露光領域
を有効に活用できる。

【００５８】また、転写対象とするマスク上に少なくと
も３個の位置合わせ用のマークを形成し、感光基板上の
第１領域以降の第３領域への露光を行う際に、この第３
領域の隣接領域に転写されたそれら少なくとも３個の位
置合わせ用のマークの像から選択した位置合わせ用のマ
ークの像を検出し、この検出結果に基づいてその第３領
域に転写すべきパターンが形成されたマスクとその感光
基板との位置合わせを行うことにより、感光基板上に２
次元的に高い重ね合わせ精度で多数のパターン像をつな
ぎ合わせて露光することができる。

【００５９】また、それぞれ潜像パターンよりなるアラ
イメントマーク像を重ね合わせた合成パターンをアライ
メントに利用できるので、平均化効果によりパターンの
位置精度をより向上させることができ、隣接するショッ
ト領域間に継ぎ部がある場合には、その継ぎ部の重ね合
わせ精度をより向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の露光工程の説明に供給する
図である。

【図２】その実施例の露光方法が適用される投影露光装
置の一例を示す構成図である。

【図３】その実施例で使用されるレチクルのウエハ上へ
の投影像を示す平面図である。

【図４】本発明の他の実施例で使用されるレチクルのウ
エハ上への投影像を示す平面図である。

【図５】他の実施例における露光工程の説明に供する図
である。

【図６】（ａ）は２個のアライメントマークの像を重ね
て示す拡大平面図、（ｂ）は図６（ａ）の２個のアライ
メントマークの像を１個の合成潜像パターンとして示す
拡大平面図である。

【図７】（ａ）は３行×３列のショット領域へつなぎ合
わせ方式で露光を行う際の説明に供する９個のショット
領域の平面図、（ｂ）は投影光学系の露光フィールド内
の検出領域を示す平面図である。

【図８】（ａ）は投影光学系の露光フィールドを示す平
面図、（ｂ）は従来のつなぎ合わせによる露光方法の手
順の説明に供する９個のショット領域の平面図、（ｃ）
はショット領域間の継ぎ部における重ね合わせ誤差の説
明図である。

【符号の説明】

Ｓ１〜Ｓ３ ショット領域 ８ レチクル ９ 投影光学系 １０ ウエハ ２５，２６ アライメント装置 １６Ｐ 回路パターン像 １７Ｐ，１８Ｐ 窓部の像 ２１Ｐ，２２Ｐ アライメントマークの像 ２３Ｐ，２４Ｐ 検出領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−211623（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−212957（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−29176（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−147729（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−252016（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−82407（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−227432（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １枚又は複数枚のマスクにそれぞれ形成
   されたパターンの像を感光基板上に順次つなぎ合わせて
   転写することにより、前記各パターンの像よりも広い面
   積のパターン像を前記感光基板上に形成する露光方法に
   おいて、 転写用のパターン及び位置合わせ用のマークが形成され
   た第１マスクを用いて、前記転写用のパターン及び位置
   合わせ用のマークの像を前記感光基板上の第１領域に転
   写し、 前記感光基板上の前記第１領域に隣接する第２領域に、
   前記転写用のパターンの像につなぎ合わせて前記第１マ
   スク又は該第１マスクとは異なる第２マスクのパターン
   の像を転写する際に、前記位置合わせ用のマークの像を
   検出し、該検出結果に基づいて前記第２領域に転写すべ
   きパターンが形成されたマスクと前記感光基板との位置
   合わせを行うことを特徴とする露光方法。
2. 【請求項２】 前記第２領域に前記第１マスク又は第２
   マスクのパターンの像を転写する際に、前記位置合わせ
   用のマークの像に２重露光を行い、前記第１領域の露光
   時に形成された前記位置合わせ用のマークの像を消去す
   ることを特徴とする請求項１記載の露光方法。
3. 【請求項３】 転写対象とするマスク上に少なくとも３
   個の位置合わせ用のマークを形成し、 前記感光基板上の前記第１領域と異なる第３領域の露光
   を行う際には、該第３領域の隣接領域に転写された前記
   少なくとも３個の位置合わせ用のマークの像から選択し
   た位置合わせ用のマークの像を検出し、該検出結果に基
   づいて前記第３領域に転写すべきパターンが形成された
   マスクと前記感光基板との位置合わせを行うことを特徴
   とする請求項１記載の露光方法。
4. 【請求項４】 感光基板上で一部が重なる複数の領域に
   それぞれパターンを転写する露光方法において、 前記複数の領域の１つに対する前記パターンの転写時に
   形成された潜像パターンを検出し、前記１つの領域に対
   して一部が重ねられる別の領域にパターンを転写するた
   めに、前記検出結果に基づいて前記１つの領域に対する
   前記別の領域の位置関係を決定することを特徴とする露
   光方法。
5. 【請求項５】 前記複数の領域のうち、前記１つの領域
   以外に対する前記パターンの転写時に形成された別の潜
   像パターンを更に検出することを特徴とする請求項４記
   載の露光方法。
6. 【請求項６】 前記複数の領域にそれぞれパターンを転
   写するために、前記各領域を静止露光、又は走査露光す
   ることを特徴とする請求項４又は５記載の露光方法。
7. 【請求項７】 感光基板上の第１領域にパターンを転写
   する第１露光動作と、前記第１領域と一部が重なる第２
   領域にパターンを転写する第２露光動作とを有する露光
   方法において、 前記第１露光動作時に前記感光基板上に形成された潜像
   パターンを前記第２露光動作前に検出し、該検出結果に
   基づく補正を行ってから前記第２露光動作を実行するこ
   とを特徴する露光方法。
8. 【請求項８】 前記第２露光動作時に前記潜像パターン
   を消去することを特徴とする請求項７記載の露光方法。
9. 【請求項９】 感光基板上で一部が重なる複数の領域に
   それぞれパターンを転写する露光方法において、 前記複数の領域の１つにパターンを転写する前に、前記
   感光基板に形成された潜像パターンを検出し、前記１つ
   の領域の一部が重ねられる別の領域に対して前記１つの
   領域が所定の許容範囲内で位置決め誤差を持つように、
   前記検出結果に基づいてその位置関係を決定することを
   特徴とする露光方法。
10. 【請求項１０】 感光基板上で一部が重なる複数の領域
    にそれぞれパターンを転写する露光方法において、 前記複数の領域の１つにパターンを転写する前に、前記
    感光基板に形成された潜像パターンを検出し、前記複数
    の領域間で位置決め誤差がそれぞれ許容値以内となるよ
    うに、前記検出結果に基づいて決定され、前記１つの領
    域の一部が重ねられる別の領域に対する前記１つの領域
    の位置関係にオフセットを与えることを特徴とする露光
    方法。
11. 【請求項１１】 前記潜像パターンを検出するパターン
    検出系を備え、請求項９又は１０記載の露光方法を用い
    て決定した位置関係に基づいて前記別の領域を静止露
    光、又は走査露光することを特徴とする露光装置。