JP5180624B2 - 帯状ワークの露光方法および露光装置 - Google Patents
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Description
間欠搬送される帯状ワーク(W)上に露光マスク(7)への露光動作により互いに隣り合う回路パターン(P)を形成させる露光方法において、
初回の回路パターン(P)の露光時に、露光マスク(7)を固定保持するマスク保持枠(62)に設けられた、帯状ワーク(W)の側端位置を検出するエッジセンサ(63)の第1の出力(y1)を記憶し、
2回目の露光の前に、帯状ワーク(W)を所定の搬送距離(D)だけ搬送した後、初回の
回路パターン(P)の端部に露光された露光マーク(M1)と、露光マスク(7)の端部に設けられた撮像窓(73)と、の位置合わせを行い、前記エッジセンサ(63)の第2の出力(y2)を記憶し、
前記第1の出力(y1)と、前記第2の出力(y2)から、帯状ワーク(W)の中心線(CL2)に対する露光マスク(7)の中心線(CL1)の傾きを計算し、求められた傾きに基づいて露光マスク(7)の角度を、露光マスク(7)の中心線(CL1)と帯状ワーク(W)の中心線(CL2)が平行になるように補正し、2回目の回路パターン(P)の露光を行う帯状ワークの露光方法である。
初回の露光の前に、露光マスク(7)の中心線(CL1)と帯状ワーク(W)の中心線(CL2)を同一直線上に配置したときのエッジセンサ(63)の基準出力(y0)を記憶し、
2回目の露光の前に、エッジセンサ(63)の前記基準出力(y0)と前記第1の出力(y1)と前記第2の出力(y2)から帯状ワーク(W)の中心線(CL2)に対する露光マスク(7)の中心線(CL1)の位置ずれを計算し、求められた位置ずれに基づいて露光マスク(7)の位置を、露光マスク(7)の中心線(7)と帯状ワークの中心線(CL2)が重なるように補正し2回目の回路パターン(P)の露光を行う帯状ワークの露
光方法である。
2回目の露光の前に、帯状ワーク(W)を所定の搬送距離(D)だけ搬送した後、初回の回路パターン(P)の端部に露光された露光マーク(M1)と、露光マスク(7)の端部に設けられた撮像窓(73)と、の位置合わせを行い、エッジセンサ(63)の第2の出力(y2)を記憶し、2回目の回路パターン(P)の露光を行い、2回目の露光の、帯状ワーク(W)の中心線(CL2)に対する露光マスク(7)の中心線(CL1)の傾き
を前記第1の出力(y1)と前記第2の出力(y2)から求め、2回目の露光の際に行われた露光動作をN回行うとともに各露光時の露光マスク(7)の傾きをN回分記憶し、N回分の帯状ワーク(W)の中心線(CL2)に対する露光マスク(7)の中心線(CL1)の傾きの平均値を求め、
N+1回目の露光の前に、求められた傾きの平均値に基づいて露光マスク(7)の角度を補正しN+1回目の回路パターン(P)の露光を行う帯状ワークの露光方法である。
露光マスク(7)に帯状ワーク(W)の1ピッチ分の搬送距離(D)に等しい間隔で、帯状ワーク(W)の露光領域に露光マーク(M1)を露光するマークパターン窓(72)と撮像窓(73)を設け、撮像窓(73)に撮像される露光マーク(M1)の位置に基づいて露光マスク(7)を位置合わせする手段と、
露光マスク(7)を固定保持するマスク保持枠(62)に設けられた帯状ワーク(W)の側端の位置を検出するエッジセンサ(63)の出力に基づいて露光マスク(7)と帯状ワーク(W)の位置ずれを計算し露光マスク(7)を、露光マスク(7)の中心線(7)と帯状ワーク(W)の中心線が平行になるように、位置合わせする手段を備えた帯状ワークの露光装置である。
エッジセンサ63などを備える。XYθステージ61は、駆動部611によりXYθ各方
向に駆動可能とされる。図2に示すように、マスク保持枠62は、ネジ留めまたは係止等
の固定手段により露光マスク7を着脱自在に固定保持する。マスク保持枠62には、ブラ
ケット64を介してエッジセンサ63が取り付けられている。図3に示すように、エッジ
センサ63は、帯状ワークWと露光マスク7の側端の位置を検出するために、帯状ワーク
Wの側端に配置されている。エッジセンサ63の出力は、帯状ワークWの側端の位置に応
じて可変される。なお、エッジセンサ63は帯状ワークWの側端2箇所の位置情報を検出
可能なように、帯状ワークWの搬送方向X1に沿ってマスク保持枠62における両端2箇
所に取り付けられている。2箇所に取り付けられたエッジセンサ63の出力の平均値は、
露光マスク7の搬送方向X1に対する中心位置におけるエッジセンサ63の出力値として
用いる。
先ず、帯状ワークWおよび露光マスク7をセットした時のエッジセンサ63の出力を露光装置1の設計値から求める。このとき、帯状ワークWの中心線CL2と、露光マスク7の中心線CL1が一直線上に並んだ状態とする。このときのエッジセンサ63の出力をy0とする。y0は、本発明の基準出力に対応する。
紫外線ランプ51は光を照射する。この光は、図5(A)に示すように、回路パターン窓71およびマークパターン窓72から出て、第1露光領域R1に回路パターンPと露光マークM1を露光する。このとき、露光マスク7の中心線CL1と第1露光領域R1の中心線は同一の線となるので、第1露光領域R1の中心線もCL1と表記する。なお、露光マークM1は、露光マスク7に形成されたマークパターン窓72により、露光されるマークである。露光される場所は、帯状ワークWの搬送方向X1に対して送り出し側(図5(A)の左側)となる。露光の結果、2つの露光マークM1が帯状ワークWに形成される。このときの、帯状ワークWと第1露光領域R1の位置関係を図6(A)に示す。第1露光領域R1の中心線CL1と帯状ワークWの中心線CL2は位置ずれしている。位置ずれは、マスクステージ機構6のマスク保持枠62と帯状ワークWの手動による位置合わせが起因となり発生している。なお、この時点で第1露光領域R1は露光マスク7を介した光により露光されるが、このとき形成された回路パターンPは無効(製品化されない)なものとして処理される。
エッジセンサ63は、ステップS2のときの帯状ワークWの側端を検出し、それらの位置情報y1を制御装置10に送る。y1は本発明の第1の出力に対応する。制御装置10は、2つのエッジセンサ63から送られた位置情報y1の平均処理を行い、この平均値とステップS1で設定したy0(露光マスク7の中心線CL1と帯状ワークWの中心線が一直線上に並んだときのエッジセンサ63の設計出力値)との差から、第1距離Y1を求める。第1距離Y1は、帯状ワークWの中心線CL2と第1露光領域R1の中心線CL1との距離となる。図7の右側に第1露光領域R1の中心線CL1と帯状ワークWの中心線CL2とが第1距離Y1離れている場合の位置関係を示す。第1距離Y1は第1露光領域R1の中心線CL1上で第1露光領域のR1の中心位置から、Y方向(帯状ワークWの側端方向)に伸ばした線が帯状ワークWの中心線CL2と交差する点までの長さとなる。
図5(B)に示すように、帯状ワークWを1ピッチ搬送する。この搬送は次のようにして行う。即ち、先ず、グリップフィード機構4の固定グリップ部41を開にすると共に、可動グリップ部42を閉にし、吸着ステージ31の吸引状態を解除し、昇降ローラ32を上昇させる。次いで、グリップフィード機構4における駆動モータ43を駆動させることにより、可動グリップ部42を搬送開始位置Aから搬送終端位置Bに移動させ、帯状ワークWを1ピッチ分の搬送距離Dだけ搬送方向X1に移動させる。そうすると、露光マスク7の撮像窓73が第1の露光領域R1に露光された露光マークM1の上部にくるようになる。露光マスク7の中心線CL1と帯状ワークWの中心線CL2は露光マスク7をステップS1のときに手動で位置合わせしているため、帯状ワークWが搬送距離Dだけ搬送方向X1移動しても、露光マークM1の中心と撮像窓73の中心は一致しない。図6(B)に搬送方向X1に移動後の露光マスク7と第1露光領域R1の位置関係を示す。
図5(C)に示すように、撮像カメラ8は、1回目の露光で形成された露光マークM1を撮像窓73越しに撮像し、その画像データを制御装置10に送る。制御装置10は、撮像カメラ8から送られた画像データに基づいて、撮像窓73の中心位置と露光マークM1の中心位置のずれ量(中心位置間のずれ量)を求める。
制御装置10は、上記ずれ量に基づいて、撮像窓73の中心位置と露光マークM1の中心位置とが一致するように、XYθステージ61を駆動制御し、露光マスク7の位置合わせを行う。露光マスク7には撮像窓73が2箇所設けられており、また露光マークM1は、2箇所に付されているので両者の中心を位置合わせすることにより、第1露光領域R1の中心線CL1と露光マスク7の中心線CL1が一直線上に並ぶことになる。図6(C)に一直線上に並んだ状態を示す。
エッジセンサ63は、このときの帯状ワークWの側端を検出し、それらの位置情報y2を制御装置10に送る。y2は本発明の第2の出力に対応する。制御装置10は、2つのエッジセンサ63から送られた位置情報y2の平均処理を行い、この平均値とステップS1で設定したy0(露光マスク7の中心線CL1と帯状ワークWの中心線CL2が一直線上に並んだときのエッジセンサ63の設計出力値)との差から、第2距離Y2を求める。第2距離Y2は、帯状ワークWの中心線CL2と露光マスク7の中心線CL1との距離となる。図7の左側に露光マスク7の中心線CL1と帯状ワークWの中心線CL2とが第2距離Y2離れている場合の位置関係を示す。第2距離Y2は露光マスク7の中心線CL1上で露光マスク7の中心位置から、Y方向に伸ばした線の帯状ワークWの中心線CL2と交差する点までの長さとなる。
制御装置10は、ステップS3で求めた第1距離Y1、ステップS7で求めた第2距離Y2、及び帯状ワークWの1ピッチ分の搬送距離Dに基づき、次の計算式(1)により角度θ2を求める。角度θ2は、帯状ワークWの中心線CL2と第1露光領域R1および露光マスク7の中心線CL1から構成される傾き角となる。図7に角度θ2を示す。図7および図8では説明をわかりやすくするため、傾き角θ2を大きく表記している。
〔ステップS9〕
制御装置10は、XYθステージ61を駆動制御し、図6(D)に示すように、露光マスク7の位置補正を行う。図6(D)の露光マスク7と第1露光領域R1との位置関係を図8に示す。制御量は、露光マスク7を、Y方向に「−Y2」移動し、θ方向に「−θ2」の角度だけ回転させる。露光マスク7を「−θ2」の角度だけ回転させることにより、露光マスク7の中心線CL1と帯状ワークWの中心線CL2とが平行になる。さらに、露光マスク7を「−Y2」の距離だけ移動させることにより、露光マスク7の中心線CL1と帯状ワークWの中心線CL2とが重なる。
初期位置合わせの処理終了後に、帯状ワークWを1ピッチ分の搬送距離Dだけ移動させてからは、図9に示すように、帯状ワークWに露光された露光マークM1の中心と撮像窓73の中心の位置合わせを行い、順次露光を行っていく。
2 ワーク送出し機構
3 ワークステージ機構
4 グリップフィード機構
5 光照射機構
6 マスクステージ機構
7 露光マスク
8 撮像カメラ
9 ワーク巻取り機構
D 搬送距離
P 回路パターン
W 帯状ワーク
10 制御装置
21 巻取体回転駆動部
22 案内ローラ
23 吸引箱
24 送りローラ
31 吸着ステージ
32 昇降ローラ
41 固定グリップ部
43 駆動モータ
43 駆動手段
44 機枠
45 レール
51 紫外線ランプ
52 光学系
53 ケース
54 集光鏡
55 反射鏡
61 XYθステージ
62 マスク保持枠
63 エッジセンサ
64 ブラケット
71 回路パターン窓
72 マークパターン窓
73 撮像窓
91 案内ローラ
92 吸引箱
93 送りローラ
M1 露光マーク
M2 露光マーク
R1 第1露光領域
X1 搬送方向
Y1 第1距離
Y2 第2距離
y1 位置情報
y2 位置情報
231 ダクト
232 吸引ポンプ
611 駆動部
921 ダクト
922 吸引ポンプ
CL1 露光マスクの中心線
CL2 帯状ワークの中心線
Claims (4)
- 間欠搬送される帯状ワーク(W)上に露光マスク(7)への露光動作により互いに隣り合う回路パターン(P)を形成させる露光方法において、
初回の回路パターン(P)の露光時に、露光マスク(7)を固定保持するマスク保持枠(62)に設けられた、帯状ワーク(W)の側端位置を検出するエッジセンサ(63)の第1の出力(y1)を記憶し、
2回目の露光の前に、帯状ワーク(W)を所定の搬送距離(D)だけ搬送した後、初回の回路パターン(P)の端部に露光された露光マーク(M1)と、露光マスク(7)の端部に設けられた撮像窓(73)と、の位置合わせを行い、前記エッジセンサ(63)の第2の出力(y2)を記憶し、
前記第1の出力(y1)と、前記第2の出力(y2)から、帯状ワーク(W)の中心線(CL2)に対する露光マスク(7)の中心線(CL1)の傾きを計算し、求められた傾きに基づいて露光マスク(7)の角度を、露光マスク(7)の中心線(CL1)と帯状ワーク(W)の中心線(CL2)が平行になるように補正し、2回目の回路パターン(P)の露光を行う帯状ワークの露光方法。 - 請求項1に記載の帯状ワークの露光方法において、
初回の露光の前に、露光マスク(7)の中心線(CL1)と帯状ワーク(W)の中心線(CL2)を同一直線上に配置したときのエッジセンサ(63)の基準出力(y0)を記憶し、
2回目の露光の前に、エッジセンサ(63)の前記基準出力(y0)と前記第1の出力(y1)と前記第2の出力(y2)から帯状ワーク(W)の中心線(CL2)に対する露光マスク(7)の中心線(CL1)の位置ずれを計算し、求められた位置ずれに基づいて露光マスク(7)の位置を、露光マスク(7)の中心線(7)と帯状ワークの中心線(CL2)が重なるように補正し2回目の回路パターン(P)の露光を行う帯状ワークの露
光方法。 - 請求項1または2に記載の帯状ワークの露光方法において、
2回目の露光の前に、帯状ワーク(W)を所定の搬送距離(D)だけ搬送した後、初回の回路パターン(P)の端部に露光された露光マーク(M1)と、露光マスク(7)の端部に設けられた撮像窓(73)と、の位置合わせを行い、エッジセンサ(63)の第2の出力(y2)を記憶し、2回目の回路パターン(P)の露光を行い、2回目の露光の、帯状ワーク(W)の中心線(CL2)に対する露光マスク(7)の中心線(CL1)の傾き
を前記第1の出力(y1)と前記第2の出力(y2)から求め、2回目の露光の際に行われた露光動作をN回行うとともに各露光時の露光マスク(7)の傾きをN回分記憶し、N回分の帯状ワーク(W)の中心線(CL2)に対する露光マスク(7)の中心線(CL1)の傾きの平均値を求め、
N+1回目の露光の前に、求められた傾きの平均値に基づいて露光マスク(7)の角度を補正しN+1回目の回路パターン(P)の露光を行う帯状ワークの露光方法。 - 間欠搬送される帯状ワーク(W)上に露光マスク(7)への露光動作により互いに隣り合う回路パターン(P)を形成させる露光装置において、
露光マスク(7)に帯状ワーク(W)の1ピッチ分の搬送距離(D)に等しい間隔で、帯状ワーク(W)の露光領域に露光マーク(M1)を露光するマークパターン窓(72)と撮像窓(73)を設け、撮像窓(73)に撮像される露光マーク(M1)の位置に基づいて露光マスク(7)を位置合わせする手段と、
露光マスク(7)を固定保持するマスク保持枠(62)に設けられた帯状ワーク(W)の側端の位置を検出するエッジセンサ(63)の出力に基づいて露光マスク(7)と帯状ワーク(W)の位置ずれを計算し露光マスク(7)を、露光マスク(7)の中心線(7)と帯状ワーク(W)の中心線が平行になるように、位置合わせする手段を備えた帯状ワークの露光装置。
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JP2001060008A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 露光方法およびこれを用いた電子部品の製造方法 |
JP2002134397A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Sony Corp | フォトマスク、半導体装置、半導体チップパターンの露光方法、チップアライメント精度検査装置 |
JP3741013B2 (ja) * | 2001-09-17 | 2006-02-01 | ウシオ電機株式会社 | 蛇行修正機構を備えた帯状ワークの露光装置 |
JP2005326550A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Sanee Giken Kk | 露光装置 |
JP5144992B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2013-02-13 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
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