JPS6042827A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS6042827A JPS6042827A JP58149554A JP14955483A JPS6042827A JP S6042827 A JPS6042827 A JP S6042827A JP 58149554 A JP58149554 A JP 58149554A JP 14955483 A JP14955483 A JP 14955483A JP S6042827 A JPS6042827 A JP S6042827A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- photomask
- wafer
- light
- exposure
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
不発明は半導体装置（二おける回路パターンの露光方法
に関する。
に関する。
露光方法には従来、フォトマスクとウェーハを接近もし
くは接着してウェーハ全体を−Ｌｔに露）１：する方法
があった。しかしながらこの方法によれば、接石時のフ
ォトマスク及びウェーハの反りによりまた、フォトマス
ク自身の位置Ｖ４度の不十分さにより回路パターンの束
ね合わせ精度が１μｍ′μｍ−できなかった。史（二按
着時にレジストのはかｎ等が生じ、フォトマスクが汚几
て頻繁に父換せねはならなかった。一方上記の欠点を補
う方式として、１乃至数案子分の回路パターンを小ｉ［
！ｉｌ向に屈折光学系を用いてウェ、−ハ上へ結１収し
てウェー へ全体を逐次露光していく方式があった。し
かしながら、この方法Ｃ二おいては結像できる解ｆ験力
は１μｍ程良であり、光学系が高価であり、更に解像力
をあげるためより波長の短い遠紫外線を用いて結党する
場合、光学系が作れないという問題があった。
くは接着してウェーハ全体を−Ｌｔに露）１：する方法
があった。しかしながらこの方法によれば、接石時のフ
ォトマスク及びウェーハの反りによりまた、フォトマス
ク自身の位置Ｖ４度の不十分さにより回路パターンの束
ね合わせ精度が１μｍ′μｍ−できなかった。史（二按
着時にレジストのはかｎ等が生じ、フォトマスクが汚几
て頻繁に父換せねはならなかった。一方上記の欠点を補
う方式として、１乃至数案子分の回路パターンを小ｉ［
！ｉｌ向に屈折光学系を用いてウェ、−ハ上へ結１収し
てウェー へ全体を逐次露光していく方式があった。し
かしながら、この方法Ｃ二おいては結像できる解ｆ験力
は１μｍ程良であり、光学系が高価であり、更に解像力
をあげるためより波長の短い遠紫外線を用いて結党する
場合、光学系が作れないという問題があった。
本発明はこれらの点に鑑みなされたもので、重ね合わせ
精度ｌ高め１μｍ以下の解像力か得られ、パターンの欠
陥を低減せしめた蘇光方法を提供するものである。
精度ｌ高め１μｍ以下の解像力か得られ、パターンの欠
陥を低減せしめた蘇光方法を提供するものである。
本発明の骨子は、数素子乃至系子の一部の回路パターン
を有したフォトマスクをウェーハと接近もしくは接着し
て比較的小画面の露光を行い、ウェーハのステップアン
ドリピートによりウェーハ全体ヲ嵐光して行くことにあ
る。更に解像力と。
を有したフォトマスクをウェーハと接近もしくは接着し
て比較的小画面の露光を行い、ウェーハのステップアン
ドリピートによりウェーハ全体ヲ嵐光して行くことにあ
る。更に解像力と。
総光時間を短編して処理能力を向上させるため照射光源
として、不活性ガスのハロゲン化物のガスを用いたエキ
シマレーザーのパルス光を用いる。
として、不活性ガスのハロゲン化物のガスを用いたエキ
シマレーザーのパルス光を用いる。
又、フォトマスクとウェーハの接着時に有機物から成る
通常のフォトレジストを用いるとレジスト表面に粘着性
があり、脆いためフォトマスクとウェーハがくっついて
しまったり、レジストがはがれてフォトマスクな汚染し
路光パターンに欠陥を生じせしめるため、無機物からな
るレジストを用いるのが好ましい。そして更に、この様
な状況の中においても付着していく可能性のある異物を
露光のあいまＣ：除去し、常にフォトマスクを清浄゛に
保ちながら一×光していくものである。
通常のフォトレジストを用いるとレジスト表面に粘着性
があり、脆いためフォトマスクとウェーハがくっついて
しまったり、レジストがはがれてフォトマスクな汚染し
路光パターンに欠陥を生じせしめるため、無機物からな
るレジストを用いるのが好ましい。そして更に、この様
な状況の中においても付着していく可能性のある異物を
露光のあいまＣ：除去し、常にフォトマスクを清浄゛に
保ちながら一×光していくものである。
本発明により、高い重ね合わせ精良と篩い解像力を達成
することができた。
することができた。
以下本発明を実施例を用いながら詳細ｉ二説明する。
（実施例１）
弗１図１よ、本発明の露光方法において用いた露光辰直
の構成概略図である。Ｘ、Ｙステージ１゜２はＸ軸干渉
１１゛５、Ｙ軸干渉針６とそｎぞ几の駆動テーポモータ
３．４で±００５μｍ以上の位置決め精度でステッピン
グさｎる。Ｘステージｌの上にウェーハ７が真窒吸薯さ
オＬ、フォトマスクを下部に設置したマスクホルダーｓ
８が８にされている。光源９かし平行兄嫁ｔホルダー都
８に照射し線光を行うウェーッ１の７ライメントはアラ
イメン）Ｍ＊＆ｉｔ ｏ 、 ｔ ｔで行い。いわゆる
オフアクジス方式を採用している。位置決めの後、第一
ショットめ≦ニウエーハは駆動さ几ホルダー８が下降し
ショット路光を行つ之後ホルダーは上昇しつ工−ハが次
の位置Ｃニステップさオｔ、この逐次露光６二よりウェ
ーハ全体が露光される。
の構成概略図である。Ｘ、Ｙステージ１゜２はＸ軸干渉
１１゛５、Ｙ軸干渉針６とそｎぞ几の駆動テーポモータ
３．４で±００５μｍ以上の位置決め精度でステッピン
グさｎる。Ｘステージｌの上にウェーハ７が真窒吸薯さ
オＬ、フォトマスクを下部に設置したマスクホルダーｓ
８が８にされている。光源９かし平行兄嫁ｔホルダー都
８に照射し線光を行うウェーッ１の７ライメントはアラ
イメン）Ｍ＊＆ｉｔ ｏ 、 ｔ ｔで行い。いわゆる
オフアクジス方式を採用している。位置決めの後、第一
ショットめ≦ニウエーハは駆動さ几ホルダー８が下降し
ショット路光を行つ之後ホルダーは上昇しつ工−ハが次
の位置Ｃニステップさオｔ、この逐次露光６二よりウェ
ーハ全体が露光される。
第２１２！、ｌはホルダー都及び光源都の構成図で、フ
ォトマスク１２がマスクホルダー１４にｖ、看されてお
りこｎと一体−二なったピストン１５はシリンダー１６
（ハ）を上下する。シリンダー及びピストンはＸ、Ｙス
テージ干渉唱゛の参照ミラーと一体となっておりこれら
の機械的なドリフトはステージ位置決めに即刻フィード
バックするようになっている。ステージ移動時はフォト
マスクは３μｍウェー八から離間されており位置決めの
後エアゲージ１４を用いてウェーハ上に下降して精度よ
く接触させる。ＡｒＦのエキシマレーザ管１９からの光
はビームエキスベンダー１８で拡けられコリメータ１７
で平行光２０にされフォトマスク上を照射する。照射後
再びフォトマスクは３μｍ上昇し、ステージが移動して
逐次露光を行った。
ォトマスク１２がマスクホルダー１４にｖ、看されてお
りこｎと一体−二なったピストン１５はシリンダー１６
（ハ）を上下する。シリンダー及びピストンはＸ、Ｙス
テージ干渉唱゛の参照ミラーと一体となっておりこれら
の機械的なドリフトはステージ位置決めに即刻フィード
バックするようになっている。ステージ移動時はフォト
マスクは３μｍウェー八から離間されており位置決めの
後エアゲージ１４を用いてウェーハ上に下降して精度よ
く接触させる。ＡｒＦのエキシマレーザ管１９からの光
はビームエキスベンダー１８で拡けられコリメータ１７
で平行光２０にされフォトマスク上を照射する。照射後
再びフォトマスクは３μｍ上昇し、ステージが移動して
逐次露光を行った。
（実施例２）
’４１４例１の露光においてレジストなＡｇ、８ｅ −
１１００）ｔト８ｅ Ｇｅ ８ ： １２０００＾厚さ
から成るＢｙｅ Ｇｅカルコゲナイドガラス無機レジス
トを用いることによってレジストパターンの欠陥発生を
従来の有機ポジレジストに比べｌ／１００にすることが
できた。
１１００）ｔト８ｅ Ｇｅ ８ ： １２０００＾厚さ
から成るＢｙｅ Ｇｅカルコゲナイドガラス無機レジス
トを用いることによってレジストパターンの欠陥発生を
従来の有機ポジレジストに比べｌ／１００にすることが
できた。
更に、無機レジストの感光層が５ｏｏＸと薄いため、理
想的な接触露光ができ０．２μｍ幅のパターンを精度よ
ぐ得ることができた。
想的な接触露光ができ０．２μｍ幅のパターンを精度よ
ぐ得ることができた。
以上詳述したごとく本発明によｎば１μｍ以下のサブミ
クロンパターンを精度よく転写することが可能となった
。
クロンパターンを精度よく転写することが可能となった
。
第１図及び第２因は本発明において用いた蕗光装置の各
々斜視図及び断面図である。 Ｌ、２・・・ＸＹステージ、３．４・・・駆動サーボモ
ータ、５．６・・・干渉側、 ７・・・ウーエーハ、８
・・・マスクホルダ一部、９・・・照明系、１０．１１
・・・アライメント系、 １２・・・フォトマスク、【３・・・マスクホルダー、
■４・・・エアゲージノズル、１５・・・ホルダーピス
トン１６・・・ホルダ一部シリンダー、 １７・・・コリメータ、 １Ｂ・・・ビームエキスパンダー、 １９・・・光詠、 ２０・・・平行光。 （７３１７）弁理士側近憲佑 （ほか１名） 第１図 第２図
々斜視図及び断面図である。 Ｌ、２・・・ＸＹステージ、３．４・・・駆動サーボモ
ータ、５．６・・・干渉側、 ７・・・ウーエーハ、８
・・・マスクホルダ一部、９・・・照明系、１０．１１
・・・アライメント系、 １２・・・フォトマスク、【３・・・マスクホルダー、
■４・・・エアゲージノズル、１５・・・ホルダーピス
トン１６・・・ホルダ一部シリンダー、 １７・・・コリメータ、 １Ｂ・・・ビームエキスパンダー、 １９・・・光詠、 ２０・・・平行光。 （７３１７）弁理士側近憲佑 （ほか１名） 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１半導体ウェーハ上の惨布された光及び放射線感彫
レジスト上に半導体ｌ乃至数案子分もしくはその一部の
回路パターンを有したフォトマスクを所望の位置で接近
もしくは接触せしめて、上方より光もしくは放射線を照
射して該レジストに回路パターンを転写露光し、次に一
定址該半導体つ工−ハをステップさせ再び前記露光を行
い、これを多数回繰り返してウェーハ全体に素子パター
ンを配列していくことを特徴とする。露光方法。 （２）波長４００ ｎｒｎ前後の紫外線もしくは波長２
００〜３００ ｎｍの遠紫外線光を用いることを特徴と
する特計誼求の範囲第１項記載の露光方法。 （３）不活性ガスのハロゲン化物、例えばＡｒＦ ＊Ｋ
ｒＦ 、 ＸｅＦ、ＸｅＣｚ等を用イタエキｉｙ ？
レ−ｆ −から得られる遠案外もしくは紫外のパルス光
を用いることを特徴とする特ｉＦＦ 請求の範囲第２項
記載のに元方法。 （４）放射線感応レジストに無械レジストを用いること
を特徴とする特ｄＦ請求の範囲第１項記載の露光方法。 （５） フォトマスクをｉｉｔ浄シーシながら逐次露光
を行っていくこと全特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149554A JPS6042827A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149554A JPS6042827A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042827A true JPS6042827A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15477696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149554A Pending JPS6042827A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042827A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6970228B1 (en) | 1999-07-16 | 2005-11-29 | Nikon Corporation | Exposure method and system |
| CN113939101A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-01-14 | 江西鹰高科技有限公司 | 一种缺陷pcb板的修补装置及方法 |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP58149554A patent/JPS6042827A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6970228B1 (en) | 1999-07-16 | 2005-11-29 | Nikon Corporation | Exposure method and system |
| CN113939101A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-01-14 | 江西鹰高科技有限公司 | 一种缺陷pcb板的修补装置及方法 |
| CN113939101B (zh) * | 2021-11-11 | 2023-05-12 | 江西鹰高科技有限公司 | 一种缺陷pcb板的修补装置及方法 |
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