JPH04116657A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH04116657A JPH04116657A JP2237589A JP23758990A JPH04116657A JP H04116657 A JPH04116657 A JP H04116657A JP 2237589 A JP2237589 A JP 2237589A JP 23758990 A JP23758990 A JP 23758990A JP H04116657 A JPH04116657 A JP H04116657A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子、ＩＣ，ＬＳＩ等の製造に用い
られるフォトマスク及びその製造方法に関するものであ
る。
られるフォトマスク及びその製造方法に関するものであ
る。
従来のフォトマスクの構造として、ＱＺ（フォトマスク
基板） ／Ｃｒ、 ＱＺ／Ｍｏ Ｓ ｉ ｘ 、 ＱＺ
／Ｃｒ／Ｃｒｏｗ 、ＱＺ／ＭｏＳ ｉｘ ／ＭｏＳ
ｉｘ Ｏｖ ｔ ＱＺ／ＣｒＣｈ ／Ｃｒ／Ｃｒｏｗ
、ＱＺ／ＭｏＳ ｉ Ｏｘ ／ＭｏＳ ｉ、 ／ＭｏＳ
１ｓ０７等があった。第４図（ａ）は上記ＱＺ／Ｍｏ
Ｓｉ工１図（ｂ）はＱＺ／ＭｏＳ ｉｘ ／ＭｏＳ Ｌ
Ｏｙ 、図（Ｃ）はＱＺ／ＭｏＳ ｉＯｘ ／ＭｏＳ
ｉ、／ＭｏＳ ｉｘ Ｏ７構造のフォトマスクの断面
図である。上記マスク構造における金属ＭｏＳ Ｌ 、
Ｍｏ５Ｌ ＯｖにかえてＣｒ ＋ Ｃｒ Ｏｘとして
も同様の構造である。
基板） ／Ｃｒ、 ＱＺ／Ｍｏ Ｓ ｉ ｘ 、 ＱＺ
／Ｃｒ／Ｃｒｏｗ 、ＱＺ／ＭｏＳ ｉｘ ／ＭｏＳ
ｉｘ Ｏｖ ｔ ＱＺ／ＣｒＣｈ ／Ｃｒ／Ｃｒｏｗ
、ＱＺ／ＭｏＳ ｉ Ｏｘ ／ＭｏＳ ｉ、 ／ＭｏＳ
１ｓ０７等があった。第４図（ａ）は上記ＱＺ／Ｍｏ
Ｓｉ工１図（ｂ）はＱＺ／ＭｏＳ ｉｘ ／ＭｏＳ Ｌ
Ｏｙ 、図（Ｃ）はＱＺ／ＭｏＳ ｉＯｘ ／ＭｏＳ
ｉ、／ＭｏＳ ｉｘ Ｏ７構造のフォトマスクの断面
図である。上記マスク構造における金属ＭｏＳ Ｌ 、
Ｍｏ５Ｌ ＯｖにかえてＣｒ ＋ Ｃｒ Ｏｘとして
も同様の構造である。
各酸化膜は通常、光転写時の反射防止膜として用いられ
る。
る。
次に、第４固唾）のものを例にとってその製造方法を説
明する。
明する。
第５図において１は石英からなるマスク基板（ＱＺ）、
３は遮光膜となるＭｏＳｉ、膜、４はレジストパターン
、５は異物、６は集束イオンビーム、７はデポジション
ガス、８は堆積カーボン、９はＧａ含有層（スティン層
）、１２は処理後の段差、１３は黒欠陥、１４は白欠陥
である。
３は遮光膜となるＭｏＳｉ、膜、４はレジストパターン
、５は異物、６は集束イオンビーム、７はデポジション
ガス、８は堆積カーボン、９はＧａ含有層（スティン層
）、１２は処理後の段差、１３は黒欠陥、１４は白欠陥
である。
まず図（ａ）に示されるように、基板１上にＭｏＳｉ、
膜３をＭｏＳｉ、ターゲットを用いてスパッタリング法
で成膜する。
膜３をＭｏＳｉ、ターゲットを用いてスパッタリング法
で成膜する。
次１： 図（ｂ）のように所望のマスクパターン形状に
レジスト４をパターニングする。レジスト４としては、
ＥＢＲ−９（ポジ型）、ＣＭＳ（ネガ型）等を５０００
人程度塗布し、電子ビーム露光装置を用いて描画した後
、所定の現像液で現像する。
レジスト４をパターニングする。レジスト４としては、
ＥＢＲ−９（ポジ型）、ＣＭＳ（ネガ型）等を５０００
人程度塗布し、電子ビーム露光装置を用いて描画した後
、所定の現像液で現像する。
なお、５は上記図（ａ）、 （ｂ）の工程で付着した異
物であり、また右側のレジストパターン４はレジスト４
中に異物又は気泡か混入していたため欠けた状態となっ
ている。
物であり、また右側のレジストパターン４はレジスト４
中に異物又は気泡か混入していたため欠けた状態となっ
ている。
次に図（Ｃ）に示されるように、ＣＦ、プラズマを用い
た反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）法によって、レジ
ストパターン４をマスクとして用いＭｏｓ Ｌ膜３をエ
ツチングする。ここで、異物５はエツチングされないの
で、Ｍｏ５ｊｒの層に転写される。
た反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）法によって、レジ
ストパターン４をマスクとして用いＭｏｓ Ｌ膜３をエ
ツチングする。ここで、異物５はエツチングされないの
で、Ｍｏ５ｊｒの層に転写される。
そして図（Ｃ）に示すように、酸素プラズマ中でレジス
ト４を除去した後、欠陥検査装置によってパターン欠陥
を検査する。このとき、異物５による黒欠陥１３と、レ
ジスト４欠けによる白欠陥１４とが検出される。
ト４を除去した後、欠陥検査装置によってパターン欠陥
を検査する。このとき、異物５による黒欠陥１３と、レ
ジスト４欠けによる白欠陥１４とが検出される。
以上のようにして生じた欠陥を修正するのに、検査デー
タに応じて、黒欠陥１３．白欠陥１４共に集束イオンビ
ーム（ＦＩＢ）６を両欠陥領域に照射する。上記ＦＩＢ
６としては３０ｋｅＶ程度のＧａ＋ビーム（約３００ｐ
Ａ）を用いる。
タに応じて、黒欠陥１３．白欠陥１４共に集束イオンビ
ーム（ＦＩＢ）６を両欠陥領域に照射する。上記ＦＩＢ
６としては３０ｋｅＶ程度のＧａ＋ビーム（約３００ｐ
Ａ）を用いる。
まず黒欠陥１３の場合、ＦＩＢ６を欠陥領域に照射して
、スパッタエツチングして除去される。
、スパッタエツチングして除去される。
この場合、ＦＩＢ６を欠陥１３付近に照射し発生した２
次元電子や２次電子や２次イオンを取り込んでイメージ
ングしてから修正を行なか、修正領域の指定は欠陥を完
全に包含して形で行なわれ、したがって、欠陥以外の部
分にもＧａイオンか照射され、基板１に侵入（注入）、
または基板】かエツチングされることとなる。欠陥領域
がスパッタエツチングされるのに伴って残留ＭｏＳｉ、
３の面積に応じて照射領域がせばめられる工夫がしであ
るが、Ｇａイオンが注入され基板ｌがエツチングされる
ことは完全に回避できない。
次元電子や２次電子や２次イオンを取り込んでイメージ
ングしてから修正を行なか、修正領域の指定は欠陥を完
全に包含して形で行なわれ、したがって、欠陥以外の部
分にもＧａイオンか照射され、基板１に侵入（注入）、
または基板】かエツチングされることとなる。欠陥領域
がスパッタエツチングされるのに伴って残留ＭｏＳｉ、
３の面積に応じて照射領域がせばめられる工夫がしであ
るが、Ｇａイオンが注入され基板ｌがエツチングされる
ことは完全に回避できない。
一方、白欠陥１４の修正の場合には、欠陥イメージング
後、デポジションガス７を導入しっつＦＩＢ６を照射し
てカーボン膜８を堆積させる。このデポジションガス７
としては、芳香族炭化水素ガスを用いる。またカーボン
膜８には、照射されたＧａイオンが含有するが、カーボ
ン膜８はＭ。
後、デポジションガス７を導入しっつＦＩＢ６を照射し
てカーボン膜８を堆積させる。このデポジションガス７
としては、芳香族炭化水素ガスを用いる。またカーボン
膜８には、照射されたＧａイオンが含有するが、カーボ
ン膜８はＭ。
Ｓ ｉＩ膜３及び基板ｌとの密着性もよく光の遮断特性
が良好なものである。
が良好なものである。
図げ）は修正後の断面図であり、Ｇａを含むスティン層
９は、黒欠陥１３の下方に相当するＱＺ基板１に段差と
ともに分布しており、このＧａはＱＺ基板１に数百人程
度注入されている。また上記段差も１００〜２００人程
度の深さ塗布生する。
９は、黒欠陥１３の下方に相当するＱＺ基板１に段差と
ともに分布しており、このＧａはＱＺ基板１に数百人程
度注入されている。また上記段差も１００〜２００人程
度の深さ塗布生する。
そして図（額に示すように、Ｇａミスティン９除去のた
めの後処理を行い、欠陥のないマスクを完成させる。こ
の後処理には、Ｎａ０Ｈ（１Ｎ）によるウェットエツチ
ング処理を用いる。なお、ＭｏＳｉ、３に代えてＣｒを
用いる場合は、ＣＦ４プラズマを用いて同処理を行なう
ことかできるかいずれの場合も、図（ｇ）に示すような
段差１２残存することとなる。また条件によっては、僅
かなからＧａステ４２層９が残ることもある。
めの後処理を行い、欠陥のないマスクを完成させる。こ
の後処理には、Ｎａ０Ｈ（１Ｎ）によるウェットエツチ
ング処理を用いる。なお、ＭｏＳｉ、３に代えてＣｒを
用いる場合は、ＣＦ４プラズマを用いて同処理を行なう
ことかできるかいずれの場合も、図（ｇ）に示すような
段差１２残存することとなる。また条件によっては、僅
かなからＧａステ４２層９が残ることもある。
また第６図は上記第４図（ｂ）、 （Ｃ）の場合におけ
るフォトマスクの製造工程断面図を示し、第６図（ａ）
。
るフォトマスクの製造工程断面図を示し、第６図（ａ）
。
（ｂ）は第４図（ｂ）の構造のものに対応している。こ
の場合、基板１上のＭｏＳｉ、膜３上にＭｏ５ｉＯ工膜
ＩＯかスパッタ成膜されており、Ｍｏ５ｉＯ工膜１０は
Ｍ ｏ Ｓ １ ｘ膜３とほぼ同じ条件でエツチングさ
れるので製造フロー及び完成後の段差。
の場合、基板１上のＭｏＳｉ、膜３上にＭｏ５ｉＯ工膜
ＩＯかスパッタ成膜されており、Ｍｏ５ｉＯ工膜１０は
Ｍ ｏ Ｓ １ ｘ膜３とほぼ同じ条件でエツチングさ
れるので製造フロー及び完成後の段差。
Ｇａスティン残留１２も第５図と同じようにして起こる
ものである。
ものである。
また第６図（ｂ）、 （Ｃ）は第４図（Ｃ）の構造のも
のに対応している。この場合、ＭｏＳ ｉｘ膜３の下に
Ｍｏ５ｉｏ、膜１１かスパッタ成膜されている。
のに対応している。この場合、ＭｏＳ ｉｘ膜３の下に
Ｍｏ５ｉｏ、膜１１かスパッタ成膜されている。
この場合、ＭｏＳｉ、膜３エツチング時にＭ。
Ｓ１０．膜１０．１１もエツチングされるが、黒欠陥１
３のためＭｏＳｉ、膜３パターン直下にＭＯ８ｉｏｘ膜
１１の一部か存在し、黒欠陥１３のＦＩＢ６による修正
時にＧａスティン９かこのＭｏＳ ｉ Ｏｘ膜１１に生
じる。後処理によって、このＧａスティン９を除去する
とＭｏ５ｉＯ，膜１１も除去されるので後処理すること
かできない。
３のためＭｏＳｉ、膜３パターン直下にＭＯ８ｉｏｘ膜
１１の一部か存在し、黒欠陥１３のＦＩＢ６による修正
時にＧａスティン９かこのＭｏＳ ｉ Ｏｘ膜１１に生
じる。後処理によって、このＧａスティン９を除去する
とＭｏ５ｉＯ，膜１１も除去されるので後処理すること
かできない。
したがって、Ｍ ｏ Ｓ ｉＯｘ膜１１内のＧａスティ
ン９及び基板１の段差１２が残ることとなる。
ン９及び基板１の段差１２が残ることとなる。
従来のフォトマスク及びその製造方法は、以上のように
構成されているので、マスクパターンのエツチング時に
、パターン以外の領域ではマスク基板（ＱＺ）か露出す
ることとなるため、マスクの黒欠陥パターンを修正する
際、ＦＩＢ照射時のイオン（Ｇａ）か欠陥周辺部のマス
ク基板中に侵入し、この基板中に進入したイオンか光転
写時の光の透過を低下させるという問題点かあった。ま
た、後処理によって上記イオン含有層を取り除くことも
てきるが、イオン含有層が優先的に除去され基板に段差
か発生し、この段差が光転写工程によってウェハ上に転
写されるという問題点があった。上記のような問題点は
、パターンの微細化にともなって露光波長が短くなるほ
ど著しシく大きな影響を生じるものである。
構成されているので、マスクパターンのエツチング時に
、パターン以外の領域ではマスク基板（ＱＺ）か露出す
ることとなるため、マスクの黒欠陥パターンを修正する
際、ＦＩＢ照射時のイオン（Ｇａ）か欠陥周辺部のマス
ク基板中に侵入し、この基板中に進入したイオンか光転
写時の光の透過を低下させるという問題点かあった。ま
た、後処理によって上記イオン含有層を取り除くことも
てきるが、イオン含有層が優先的に除去され基板に段差
か発生し、この段差が光転写工程によってウェハ上に転
写されるという問題点があった。上記のような問題点は
、パターンの微細化にともなって露光波長が短くなるほ
ど著しシく大きな影響を生じるものである。
さらに、後処理の条件、例えばＭｏＳｉ／Ｍ。
ＳｉＯ，／ＱＺをＣＦ、プラズマで後処理するよな場合
には、マスクパターン自体かエツチングされてしまうと
いう問題点かあった。
には、マスクパターン自体かエツチングされてしまうと
いう問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、マスクの黒欠陥パターン修正時に起こるイオ
ンの基板への侵入や基板の段差による光転写時の光透過
率の低下を妨げることのできるフォトマスクの構造及び
構造方法を提供することを目的とする。
たもので、マスクの黒欠陥パターン修正時に起こるイオ
ンの基板への侵入や基板の段差による光転写時の光透過
率の低下を妨げることのできるフォトマスクの構造及び
構造方法を提供することを目的とする。
この発明に係るフォトマスクの構造は、マスク基板上に
所定の第１のエッチャントによりパターニングしてなる
遮光膜を備えたフォトマスクにおいて、上記マスク基板
と遮光膜との間に設けられ、上記エッチャントに対し耐
エツチング性を有し、上記遮光膜を溶かさない第２のエ
ッチャントによってエツチング可能な金属酸化膜を設け
たちのである。
所定の第１のエッチャントによりパターニングしてなる
遮光膜を備えたフォトマスクにおいて、上記マスク基板
と遮光膜との間に設けられ、上記エッチャントに対し耐
エツチング性を有し、上記遮光膜を溶かさない第２のエ
ッチャントによってエツチング可能な金属酸化膜を設け
たちのである。
またこのようなマスク構造を製造する際、 マスク基板
上に金属酸化膜を全面に形成し、該金属酸化膜上全面に
遮光膜を形成し、該遮光膜」二にレジストパターンを形
成した後、上記遮光膜をのみを第１のエッチャントによ
りパターニングし、さらに上記レジストパターンを除去
した後、黒欠陥部である遮光膜残渣をエネルギービーム
の照射によって除去し、上記金属酸化膜を上記遮光膜を
マスクとして第２のエッチャントにより選択的に除去す
るようにしたものである。
上に金属酸化膜を全面に形成し、該金属酸化膜上全面に
遮光膜を形成し、該遮光膜」二にレジストパターンを形
成した後、上記遮光膜をのみを第１のエッチャントによ
りパターニングし、さらに上記レジストパターンを除去
した後、黒欠陥部である遮光膜残渣をエネルギービーム
の照射によって除去し、上記金属酸化膜を上記遮光膜を
マスクとして第２のエッチャントにより選択的に除去す
るようにしたものである。
この発明においては、マスク基板上に所定の第１のエッ
チャントによりパターニングしてなる遮光膜を備えたフ
ォトマスクにおいて、上記マスク基板と遮光膜との間に
設けられ、上記エッチャントに対し耐エツチング性を有
し、上記遮光膜を溶かさない第２のエッチャントによっ
てエツチング可能な金属酸化膜を設け、第１のエッチャ
ントによって遮光膜を形成した後、金属酸化膜が基板上
全面に残った状態でエネルギービームを照射してパター
ン欠陥を修正し、その後第２のエッチャントによって金
属酸化膜を選択的に除去するようにしたので、マスクの
黒欠陥パターン修正時にイオンが基板への侵入すること
がなく、また基板に段差が生じ、光転写時の光透過率の
低下か起こることがない。
チャントによりパターニングしてなる遮光膜を備えたフ
ォトマスクにおいて、上記マスク基板と遮光膜との間に
設けられ、上記エッチャントに対し耐エツチング性を有
し、上記遮光膜を溶かさない第２のエッチャントによっ
てエツチング可能な金属酸化膜を設け、第１のエッチャ
ントによって遮光膜を形成した後、金属酸化膜が基板上
全面に残った状態でエネルギービームを照射してパター
ン欠陥を修正し、その後第２のエッチャントによって金
属酸化膜を選択的に除去するようにしたので、マスクの
黒欠陥パターン修正時にイオンが基板への侵入すること
がなく、また基板に段差が生じ、光転写時の光透過率の
低下か起こることがない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例によるフォトマスクその製造方法
によるフォトマスクの断面図であり、第４図ないし第６
図と同一符号は同一または相当部分を示し、２はＣｒｅ
ｗ（金属酸化膜）である。このＣｒＯｘ２は、ＣＣ１４
プラズマ（第２のエッチャント）ではエツチングされる
か、ＣＦ４プラズマ（第１のエッチャント）ではエツチ
ングされない。一方、Ｍｏ５ｔｘ（遮光膜）はＣＦ４プ
ラズマではエツチングされるか、ＣＣｌ４＋０２プラズ
マではエツチングされない。
図は本発明の一実施例によるフォトマスクその製造方法
によるフォトマスクの断面図であり、第４図ないし第６
図と同一符号は同一または相当部分を示し、２はＣｒｅ
ｗ（金属酸化膜）である。このＣｒＯｘ２は、ＣＣ１４
プラズマ（第２のエッチャント）ではエツチングされる
か、ＣＦ４プラズマ（第１のエッチャント）ではエツチ
ングされない。一方、Ｍｏ５ｔｘ（遮光膜）はＣＦ４プ
ラズマではエツチングされるか、ＣＣｌ４＋０２プラズ
マではエツチングされない。
次に第２図を用いて第１図のフォトマスクの製造方法を
説明する。
説明する。
図（ａ）においてＱＺ基板１上にＣｒ Ｏｘ ２． Ｍ
。
。
Ｓｉ３をそれぞれ厚さ２００〜３００人、１０００人前
後で順次成膜する。このときＣｒＯｘ２は例えば反応性
の真空蒸着法スパッタリング法を用いて成膜し、ＭｏＳ
ｉ３はＭｏＳｉアをターゲットとして用いたスパッタリ
ング法等で成膜する。
後で順次成膜する。このときＣｒＯｘ２は例えば反応性
の真空蒸着法スパッタリング法を用いて成膜し、ＭｏＳ
ｉ３はＭｏＳｉアをターゲットとして用いたスパッタリ
ング法等で成膜する。
次に図（ｂ）に示すように、所望のパターン形状にレジ
スト４をパターニングする。レジストとしてはＥＢＲ−
９（ポジ）、ＣＭＳ（ネガ）等を５０００人程度塗布し
、電子ビーム露光装置を用いて描画した後、所定の現像
液で現像する。なお５は（ａ）、 （ｂ）の工程で付着
した異物であり、また右側のレジストパターン４はレジ
スト中に異物か混入していたために欠けた状態となって
いる。
スト４をパターニングする。レジストとしてはＥＢＲ−
９（ポジ）、ＣＭＳ（ネガ）等を５０００人程度塗布し
、電子ビーム露光装置を用いて描画した後、所定の現像
液で現像する。なお５は（ａ）、 （ｂ）の工程で付着
した異物であり、また右側のレジストパターン４はレジ
スト中に異物か混入していたために欠けた状態となって
いる。
次いで図（Ｃ）に示すように、ＣＦ４プラズマを用いた
反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）法によってレジスト
パターン４をマスクとしてエツチングを行なう。なお、
異物５はエツチングされないのでＭｏ Ｓ ｉｘ ３の
層に転写される。
反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）法によってレジスト
パターン４をマスクとしてエツチングを行なう。なお、
異物５はエツチングされないのでＭｏ Ｓ ｉｘ ３の
層に転写される。
次に図（ｄ）に示すように、酸素プラズマ中でレジスト
を除去した後、欠陥検査装置によってパターン欠陥を検
査する。この場合、異物５による黒欠陥１３とレジスト
欠けによる白欠陥１４が検出される。
を除去した後、欠陥検査装置によってパターン欠陥を検
査する。この場合、異物５による黒欠陥１３とレジスト
欠けによる白欠陥１４が検出される。
次に図（ｅ）に示すように上記欠陥を検査データに応じ
て、黒欠陥１３．白欠陥１４ともに集束イオンビーム（
ＦＩＢ）６を照射することによって修正する。このＦＩ
Ｂ６としては３０ｋｅＶ程度のＧａ”ビーム（約３００
ｐＡ）を用いる。黒欠陥１３の場合は（ＦＩＢ）６を該
欠陥領域に照射してスパッタエツチングして除去される
が、欠陥の周辺部のＣｒＯｘ２層がわずかにエツチング
されると同時にＧａイオンか侵入し、図に示すようなＧ
ａスティン９を形成する。
て、黒欠陥１３．白欠陥１４ともに集束イオンビーム（
ＦＩＢ）６を照射することによって修正する。このＦＩ
Ｂ６としては３０ｋｅＶ程度のＧａ”ビーム（約３００
ｐＡ）を用いる。黒欠陥１３の場合は（ＦＩＢ）６を該
欠陥領域に照射してスパッタエツチングして除去される
が、欠陥の周辺部のＣｒＯｘ２層がわずかにエツチング
されると同時にＧａイオンか侵入し、図に示すようなＧ
ａスティン９を形成する。
一方、白欠陥１４の場合、ＦＩＢ６をデポジションガス
７とともに照射してカーボン膜８を堆積させる。ここて
デポジションガス７としては芳香族炭化水素ガスを用い
る。この場合膜８はＧａ含有のカーボン膜として堆積さ
れる。この膜８はＭｏＳｉア膜３及び基板１との密着性
も良く、光のしゃ断時性は良好である。
７とともに照射してカーボン膜８を堆積させる。ここて
デポジションガス７としては芳香族炭化水素ガスを用い
る。この場合膜８はＧａ含有のカーボン膜として堆積さ
れる。この膜８はＭｏＳｉア膜３及び基板１との密着性
も良く、光のしゃ断時性は良好である。
図げ）は修正後の断面図であり、Ｇａステ４２層９は段
差とともに、黒欠陥１３下方相当のＣｒＯ工膜工匠２布
しているが、このＣｒ Ｏｘ膜２は２００人〜３００人
であるから、ＧａイオンはＱＺ基板ｌにほとんど侵入す
ることはない。
差とともに、黒欠陥１３下方相当のＣｒＯ工膜工匠２布
しているが、このＣｒ Ｏｘ膜２は２００人〜３００人
であるから、ＧａイオンはＱＺ基板ｌにほとんど侵入す
ることはない。
さらに図（ｇ）に示すように、ＭｏＳｉ工膜３及び膜８
下方領域以外の不要な部分のＣｒＯ工膜工匠２ツチング
除去する。このエツチングは（ＣＣＩ！４＋０１ ）プ
ラズマを用いたＲＩＥによって行なう。このエツチング
によって、Ｇａステ４２層９はＣｒＯｘ膜２ごと除去さ
れる。また、カーボン膜８はこの（ＣＣＩ！４＋ｏ□）
プラズマを用いた短時間のＲＩＥではほとんどエツチン
グされない。
下方領域以外の不要な部分のＣｒＯ工膜工匠２ツチング
除去する。このエツチングは（ＣＣＩ！４＋０１ ）プ
ラズマを用いたＲＩＥによって行なう。このエツチング
によって、Ｇａステ４２層９はＣｒＯｘ膜２ごと除去さ
れる。また、カーボン膜８はこの（ＣＣＩ！４＋ｏ□）
プラズマを用いた短時間のＲＩＥではほとんどエツチン
グされない。
以上のようにして欠陥のないマスクが作成される。
このように本実施例によれば、マスク基板１上に第１の
エッチャント（ＣＦ４プラズマ）によりバターニングし
てなる遮光膜であるＭｏＳｉｘ３を備えたフォトマスク
において、上記マスク基板１とＭｏＳｉｘ３との間に設
けられ、上記第１のエッチャントに対し耐エツチング性
を有し、上記Ｍｏ５ｉｒ３を溶かさない第２のエッチャ
ント（ｃｃ！！、 十ｏ、プラズマ）によってエツチン
グ可能な金属酸化膜（Ｃｒ Ｏｘ膜２）を設け、ＣＦ。
エッチャント（ＣＦ４プラズマ）によりバターニングし
てなる遮光膜であるＭｏＳｉｘ３を備えたフォトマスク
において、上記マスク基板１とＭｏＳｉｘ３との間に設
けられ、上記第１のエッチャントに対し耐エツチング性
を有し、上記Ｍｏ５ｉｒ３を溶かさない第２のエッチャ
ント（ｃｃ！！、 十ｏ、プラズマ）によってエツチン
グ可能な金属酸化膜（Ｃｒ Ｏｘ膜２）を設け、ＣＦ。
プラズマによってＭ ｏ Ｓ ｉ ｘからなる遮光膜を
形成した後、ＣｒＯｘ膜２が基板１上全面に残った状態
で収束イオンビーム６を照射して黒、白欠陥１３．１４
を修正し、その後（ＣＣ１，＋０２）プラズマによって
Ｃｒ Ｏｘ膜２を選択的に除去するようにしたので、黒
欠陥パターン１３修正時にＧａイオンはＣｒＯｘ膜２て
ブロックされ基板１への侵入することがなく、また基板
１に段差１２が生じず、光転写時の光透過率の低下が起
こることかない。
形成した後、ＣｒＯｘ膜２が基板１上全面に残った状態
で収束イオンビーム６を照射して黒、白欠陥１３．１４
を修正し、その後（ＣＣ１，＋０２）プラズマによって
Ｃｒ Ｏｘ膜２を選択的に除去するようにしたので、黒
欠陥パターン１３修正時にＧａイオンはＣｒＯｘ膜２て
ブロックされ基板１への侵入することがなく、また基板
１に段差１２が生じず、光転写時の光透過率の低下が起
こることかない。
また基板１上に形成したＣｒＯｘ膜２は欠陥検査時の検
査光に対しては透明であり、検査に支障をきたすことか
ない。
査光に対しては透明であり、検査に支障をきたすことか
ない。
なお、上記実施例ではＱ Ｚ ／ Ｃｒ Ｏｘ ／ Ｍ
ｏ Ｓｉｘ構造のフォトマスクについて述へたか、Ｑ
Ｚ様の効果を奏する。
ｏ Ｓｉｘ構造のフォトマスクについて述へたか、Ｑ
Ｚ様の効果を奏する。
また金属Ｍ ｏ Ｓ ｉ ｘをＣｒに、金属酸化膜Ｃｒ
０ＸをＭｏＳｉｘ○アに替えても同様の結果か得られる
。
０ＸをＭｏＳｉｘ○アに替えても同様の結果か得られる
。
またＭ ｏ Ｓ ｉ ｘ及びＭｏＳｉｘ○アのかわりに
ＴａＳｉｘ○ア等の遷移金属シリサイドを用いても同様
の結果を得ることができる。
ＴａＳｉｘ○ア等の遷移金属シリサイドを用いても同様
の結果を得ることができる。
さらに、ＣｒまたはＣｒｏｗのエツチングにＣＣＩ！
＜ ＋０２によるＲＩＥを用いたが、これに替えて、エ
ツチング液として（（ＮＨ，） ２Ｃｅ （ＮＣＬ ）
ｇ＋Ｈｃ ｌ Ｏ４）水溶液によるウェットエツチング
を用いてもよい。
＜ ＋０２によるＲＩＥを用いたが、これに替えて、エ
ツチング液として（（ＮＨ，） ２Ｃｅ （ＮＣＬ ）
ｇ＋Ｈｃ ｌ Ｏ４）水溶液によるウェットエツチング
を用いてもよい。
以上のようにこの発明に係るフォトマスク及びその製造
方法よれば、マスク基板上に所定の第１のエッチャント
によりパターニングしてなる遮光膜を備えたフォトマス
クにおいて、上記マスク基板と遮光膜との間に設けられ
、上記エッチャントに対し耐エツチング性を有し、上記
遮光膜を溶かさない第２のエッチャントによってエツチ
ング可能な金属酸化膜を設け、第１のエッチャントによ
って遮光膜を形成した後、金属酸化膜が基板」二全面に
残った状態でエネルギービームを照射してパターン欠陥
を修正し、その後第２のエッチャントによって金属酸化
膜を選択的に除去するようにしたので、マスクの黒欠陥
パターン修正時のイオンの基板への侵入によるスティン
層や基板段差のないフォトマスクを得ることかできると
いう効果がある。
方法よれば、マスク基板上に所定の第１のエッチャント
によりパターニングしてなる遮光膜を備えたフォトマス
クにおいて、上記マスク基板と遮光膜との間に設けられ
、上記エッチャントに対し耐エツチング性を有し、上記
遮光膜を溶かさない第２のエッチャントによってエツチ
ング可能な金属酸化膜を設け、第１のエッチャントによ
って遮光膜を形成した後、金属酸化膜が基板」二全面に
残った状態でエネルギービームを照射してパターン欠陥
を修正し、その後第２のエッチャントによって金属酸化
膜を選択的に除去するようにしたので、マスクの黒欠陥
パターン修正時のイオンの基板への侵入によるスティン
層や基板段差のないフォトマスクを得ることかできると
いう効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるフォトマスク構造の
断面図、第２図はこの発明の一実施例によるフォトマス
クの各製造工程断面図、第３図はこの発明の他の実施例
によるフォトマスクの構造断面図、第４図は従来のフォ
トマスク構造の断面図、第５図は従来のフォトマスクの
各製造工程断面図、第６図は従来の他のフォトマスク構
造の断面図である。 １はフォトマスク基板、２はＣｒＯｘ膜（金属酸化膜）
、３はＭｏ５ｉ（遮光膜）、４はレジストパターン、５
は異物、６は集束イオンビーム（エネルギービーム）、
７はデポジションガス（芳香族炭化水素）、８は堆積カ
ーボン、９はＧａ含有層（Ｇａスティン）、１２は後処
理後の段差残留スティン、１３は黒欠陥、１４は白欠陥
である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
断面図、第２図はこの発明の一実施例によるフォトマス
クの各製造工程断面図、第３図はこの発明の他の実施例
によるフォトマスクの構造断面図、第４図は従来のフォ
トマスク構造の断面図、第５図は従来のフォトマスクの
各製造工程断面図、第６図は従来の他のフォトマスク構
造の断面図である。 １はフォトマスク基板、２はＣｒＯｘ膜（金属酸化膜）
、３はＭｏ５ｉ（遮光膜）、４はレジストパターン、５
は異物、６は集束イオンビーム（エネルギービーム）、
７はデポジションガス（芳香族炭化水素）、８は堆積カ
ーボン、９はＧａ含有層（Ｇａスティン）、１２は後処
理後の段差残留スティン、１３は黒欠陥、１４は白欠陥
である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）マスク基板上に所定の第１のエッチャントにより
パターニングしてなる遮光膜を備えたフォトマスクにお
いて、 上記マスク基板と遮光膜との間に設けられ、上記エッチ
ャントに対し耐エッチング性を有し、上記遮光膜を溶か
さない第２のエッチャントによってエッチング可能な金
属酸化膜を備えたことを特徴とするフォトマスク。 - （２）マスク基板上に遮光膜をパターニングしてフォト
マスクを製造する方法において、 マスク基板上に金属酸化膜を全面に形成する工程と、 該金属酸化膜上全面に遮光膜を形成する工程と、該遮光
膜上にレジストパターンを形成する工程と、 上記遮光膜をのみを第１のエッチャントによりパターニ
ングする工程と、 上記レジストパターンを除去した後、黒欠陥部である遮
光膜残渣をエネルギービームの照射によって除去する工
程と、 上記金属酸化膜を上記遮光膜をマスクとして第２のエッ
チャントにより選択的に除去する工程とを含むことを特
徴とするフォトマスクの製造方法。 - （３）請求項２記載のフォトマスクの製造方法において
、 遮光膜残渣の除去の際、遮光膜の白欠陥部にデポジショ
ンガスの導入とともにエネルギービームの照射を行ない
遮光膜の修復を行なうことを特徴とするフォトマスクの
製造方法。 - （４）請求項２記載のフォトマスクの製造方法において
、 上記エネルギービームはイオンビームであり、上記金属
酸化膜は、その膜厚を上記イオンビームが基板に到達し
ない厚さに設定したものであることを特徴とするフォト
マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23758990A JP2539945B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23758990A JP2539945B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | フォトマスクの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116657A true JPH04116657A (ja) | 1992-04-17 |
| JP2539945B2 JP2539945B2 (ja) | 1996-10-02 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23758990A Expired - Fee Related JP2539945B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | フォトマスクの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2539945B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005539273A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | フォトリソグラフィ用マスクの修正 |
| JP2006516052A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-06-15 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 炭素層を有する透過マスクを用いてウエハ上にフォトレジストをパターンニングする方法 |
| JP2007241135A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | レベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP2007241137A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP2015161834A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51948A (en) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Hotomasukuno seizohoho |
| JPS56119127A (en) * | 1980-02-25 | 1981-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | Photomask manufacture |
| JPS62174765A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-07-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスクリペア装置 |
| JPS6462645A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Method and device for correcting pattern |
| JPH01129256A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Seiko Instr & Electron Ltd | パターン膜修正方法 |
| JPH01216529A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH02961A (ja) * | 1988-06-07 | 1990-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク製造方法 |
| JPH02205683A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビーム式加工装置 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP23758990A patent/JP2539945B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2007241135A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | レベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP2007241137A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP2015161834A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
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| JP2539945B2 (ja) | 1996-10-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |