JP2007241135A - レベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 露光光に対して透明な基板に掘り込み部を設け、透過する光の位相を制御したレベンソン型位相シフトマスクにおいて、前記基板掘り込み部に隣接する部分又は基板周辺部に設けられた遮光膜が、フッ素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスにおいてエッチング可能な材料からなる膜Aを含むことを特徴とするレベンソン型位相シフトマスク。
【選択図】 図3
Description
前記第2のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の開口部を通して前記透明基板をエッチングする工程、及び前記第2のレジストパターンを除去する工程を具備することを特徴とする。
MoSiを主体とする第1の膜12は、レベンソンマスクの遮光膜を構成するものである。そのため、その膜厚は、30〜80nmであるのが好ましい。膜厚が薄すぎる場合には、レベンソンマスクの遮光膜を構成するに十分な遮光性を得ることができず、厚すぎる場合には、高精度の加工が困難となり、また膜応力による基板の反りの原因となる場合がある。
MoSiを主体とする第1の膜42は、Crを含む第2の膜43とともにレベンソンマスクの遮光膜を構成するものである。そのため、その膜厚は、20〜60nmであるのが好ましい。膜厚が薄すぎる場合には、レベンソンマスクの遮光膜を構成するに十分な遮光性を得ることができず、厚すぎる場合には、高精度の加工が困難となり、また膜応力による基板の反りの原因となる場合がある。
圧力:1.5Pa
放電電力:500W
塩素系ガスとしてはCl2とO2の混合ガスが使用され、必要に応じてHeなどの不活性ガスを混合することもできる。また、フッ素系ガスとしてはCF4が使用され、CF4以外に、C2F6やSF6を挙げることができ、必要に応じてHeなどの不活性ガスを混合することもできる。
図7(a)〜(h)は、図1に示すマスクブランクを用いて、図3(a)に示すレベンソンマスクを製造するプロセスを工程順に示す断面図である。
まず、石英基板71上に、第1の膜として膜厚48nmのMoSiON/MoSi傾斜膜72、及び第2の膜として膜厚10nmのCr膜73を、スパッタリングにより順次成膜して、マスクブランクを作製した。
圧力:0.25Pa
放電電力:1000W
また、Cr膜73は、Crをターゲットとして用いたスパッタリングにより成膜した。スパッタリング条件は、次の通りである。
圧力:0.25Pa
放電電力:300W
次に、作製されたマスクブランクに、膜厚200nmのポジ型レジストを塗布し、描画・現像し、図7(a)に示すように、第1のレジストパターン74を形成した。この時、レベンソンマスクのπ部に対応する部分には、片側40nmのスペースバイアスを設けた。
図8(a)〜(i)は、図2に示すマスクブランクを用いて、図3(b)に示すレベンソンマスクを製造するプロセスを工程順に示す断面図である。
まず、石英基板81上に、第1の膜として膜厚10nmのCrN膜82、第2の膜として膜厚68nmのMoSiON/MoSi傾斜膜83、及び第3の膜として膜厚10nmのCr膜84を、例えば、スパッタリングにより順次成膜して、マスクブランクを作製した。
圧力:0.25Pa
放電電力:300W
MoSiON/MoSi傾斜膜83及びCr膜84のスパッタリング条件は、図7を参照して説明した実施形態におけるMoSiON/MoSi傾斜膜72及びCr膜73のスパッタリング条件と同様である。
図9(a)〜(h)は、図4に示すマスクブランクを用いて、図6(a)に示すレベンソンマスクを製造するプロセスを工程順に示す断面図である。
まず、石英基板91上に、第1の膜として膜厚30nmのMoSi膜92、及び第2の膜として膜厚18nmのCrO膜93を、スパッタリングにより順次成膜して、マスクブランクを作製した。
圧力:0.25Pa
放電電力:1000W
また、CrO膜93は、酸素を含むガスを流してCrをターゲットとして用いたスパッタリングにより成膜した。スパッタリング条件は、次の通りである。
圧力:0.25Pa
放電電力:300W
次に、作製されたマスクブランクに、膜厚200nmのポジ型レジストを塗布し、描画・現像し、図9(a)に示すように、第1のレジストパターン94を形成した。この時、レベンソンマスクのπ部に対応する部分には、片側40nmのスペースバイアスを設けた。
図10(a)〜(i)は、図5に示すマスクブランクを用いて、図6(b)に示すレベンソンマスクを製造するプロセスを工程順に示す断面図である。
まず、石英基板101上に、第1の膜として膜厚10nmのCrN膜102、第2の膜として膜厚48nmのMoSi膜103、及び第3の膜として膜厚18nmのCrO膜104を、スパッタリングにより順次成膜して、マスクブランクを作製した。
圧力:0.25Pa
放電電力:300W
MoSi膜103及びCrO膜104のスパッタリング条件は、図9を参照して説明した実施形態におけるMoSi膜92及びCrO膜93のスパッタリング条件と同様である。
Claims (28)
- 露光光に対して透明な基板に掘り込み部を設け、透過する光の位相を制御したレベンソン型位相シフトマスクにおいて、前記基板掘り込み部に隣接する部分又は基板周辺部に設けられた遮光膜が、フッ素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスにおいてエッチング可能な材料からなる膜Aを含むことを特徴とするレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記遮光膜が、前記膜Aと、フッ素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスにおいて前記膜Aよりもエッチング速度の遅い膜Bを少なくとも有し、前記フッ素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスとは異なるエッチング条件でエッチングしたときのエッチング速度が、前記膜Bの方が膜Aよりも速いことを特徴とする請求項1に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記フッ素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスとは異なるエッチング条件が、塩素系ガスを主体とするエッチングガスを用いるエッチングであることを特徴とする請求項2に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記膜Aが、フッ素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスにおいてエッチング可能であるとともに、塩素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスに対し耐性を有し、前記膜Bが、フッ素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスに耐性を有し、塩素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスにおいてエッチング可能であることを特徴とする請求項3に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記膜Aが、Mo及び/又はSiを主な材料とする膜からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記Mo及び/又はSiを主な材料とする膜が、MoSi又はMoSi化合物を主な材料とする膜であることを特徴とする請求項5に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記膜Aが、MoSi又はMoSi化合物を主な材料とする膜からなり、前記膜Bが、Cr又はCr化合物を主な材料とする膜からなることを特徴とする請求項5に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記化合物が、酸化物、窒化物又は酸窒化物であることを特徴とする請求項6又は7に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記遮光膜が、MoSiを主体とする第1の膜、及びCrを含む第2の膜が順次積層されていることを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記遮光膜が、Crを含む第1の膜、MoSiを主体とする第2の膜、及びCrを含む第3の膜が順次積層されていることを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 請求項9に記載のCrを含む第2の膜及び請求項10に記載のCrを含む第3の膜は、CrO、CrN若しくはCrONの単層膜、又はこれらの複数層膜若しくは傾斜膜であり、2nm〜30nmの膜厚を有することを特徴とする請求項9又は10に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記Crを含む第1の膜は、Cr,CrN、CrO、若しくはCrONの単層膜、又はこれらの複数層膜若しくは傾斜膜であり、2nm〜20nmの膜厚を有することを特徴とする請求項10に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記MoSiを主体とする第1の膜及び前記MoSiを主体とする第2の膜は、20nm〜60nmの膜厚を有することを特徴とする請求項9又は10に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 請求項9に記載の第1の膜及び第2の膜のトータルの露光光に対する光学濃度、及び請求項10に記載の第1の膜、第2の膜及び第3の膜のトータルの露光光に対する光学濃度は3.0〜4.0であり、表面反射率は30%以下であることを特徴とする請求項9又は10に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記遮光膜は、Crを含む第1の膜及びMoSiを主体とする第2の膜が順次積層されていることを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記遮光膜は、MoSiを主体とする膜のみで構成されていることを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記MoSiを主体とする第2の膜及び前記MoSiを主体とする第1の膜は、MoSi、MoSiN、MoSiO、若しくはMoSiONの単層膜、又はこれらの複数層膜若しくは傾斜膜であり、30nm〜80nmの膜厚を有することを特徴とする請求項15又は16に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 前記Crを含む第1の膜は、Cr、CrO、CrN、若しくはCrONの単層膜、又はこれらの複数層膜若しくは傾斜膜であり、2nm〜20nmの膜厚を有することを特徴とする請求項15に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 請求項15に記載の第1の膜及び第2の膜のトータルの露光光に対する光学濃度、及び請求項16に記載の第1の膜の露光光に対する光学濃度は3.0〜4.0であり、表面反射率は20%以下であることを特徴とする請求項12又は13に記載のレベンソン型位相シフトマスク。
- 請求項1〜19のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスクを製造する方法であって、前記基板掘り込み部に隣接する部分又は基板周辺部に設けられた遮光膜を加工する工程は、塩素系ガスを主体として用いるエッチングプロセス及びフッ素系ガスを主体として用いるエッチングプロセスの両方を含むことを特徴とするレベンソン型位相シフトマスクの製造方法。
- 請求項1〜19のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスクを製造する方法であって、前記基板掘り込み部に隣接する部分又は基板周辺部に設けられた遮光膜を加工する工程で、塩素系ガスを主体として用いるエッチングプロセス及びフッ素系ガスを主体として用いるエッチングプロセスを交互に使用することを特徴とするレベンソン型位相シフトマスクの製造方法。
- 表面に前記膜Bを有するマスクブランクを用いるか、又は前記基板表面に前記膜Bと同様のエッチング特性を有する膜Cを形成する工程を具備することを特徴とする請求項20又は21に記載のレベンソン型位相シフトマスクの製造方法。
- 前記膜Cを除去する工程を具備することを特徴とする請求項22に記載のレベンソン型位相シフトマスクの製造方法。
- 請求項9、11、13、及び14のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記マスクブランクの前記第2の膜上に第1のレジストパターンを形成する工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の膜をパターニングする工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第1の膜をパターニングし、第1の開口部及び第2の開口部を有する遮光膜パターンを形成する工程、
前記第1のレジストパターンを除去する工程、
前記第2の膜上に、前記第1の開口部を覆い、前記第2の開口部を覆わないように、第2のレジストパターンを形成する工程、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の開口部を通して前記透明基板をエッチングする工程、及び
前記第2のレジストパターンを除去する工程
を具備することを特徴とするレベンソンマスクの製造方法。 - 請求項10〜14のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記第3の膜上に第1のレジストパターン形成する工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第3の膜をパターニングする工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の膜をパターニングする工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第1の膜をパターニングし、前記第1の膜、第2の膜及び第3の膜のパターンからなる、第1の開口部及び第2の開口部を有する遮光膜パターンを形成する工程、
前記第1のレジストパターンを除去する工程、
前記第3の膜上に、前記第1の開口部を覆い、前記第2の開口部を覆わないように、第2のレジストパターンを形成する工程、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の開口部を通して前記透明基板をエッチングする工程、及び
前記第2のレジストパターンを除去する工程
を具備することを特徴とするレベンソン型位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項15、17、18、及び19のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記第2の膜上にCrを主な材料とする膜厚2〜30nmmの第3の膜を形成する工程、
前記第3の膜上に第1のレジストパターン形成する工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第3の膜をパターニングする工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の膜をパターニングする工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第1の膜をパターニングし、前記第1の膜及び第2の膜のパターンからなる、第1の開口部及び第2の開口部を有する遮光膜パターンを形成する工程、
前記第1のレジストパターンを除去する工程、
前記第3の膜上に、前記第1の開口部を覆い、前記第2の開口部を覆わないように、第2のレジストパターンを形成する工程、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の開口部を通して前記透明基板をエッチングする工程、
前記第2のレジストパターンを除去する工程、及び
前記第3の膜を除去する工程
を具備することを特徴とするレベンソン型位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項16、17、及び19のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記第1の膜上にCrを主な材料とする膜厚2〜30nmmの第2の膜を形成する工程、
前記第2の膜上に第1のレジストパターンを形成する工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の膜をパターニングする工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第1の膜をパターニングし、第1の開口部及び第2の開口部を有する遮光膜パターンを形成する工程、
前記第1のレジストパターンを除去する工程、
前記第2の膜上に、前記第1の開口部を覆い、前記第2の開口部を覆わないように、第2のレジストパターンを形成する工程、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の開口部を通して前記透明基板をエッチングする工程、
前記第2のレジストパターンを除去する工程、及び
前記第2の膜を除去する工程
を具備することを特徴とするレベンソンマスクの製造方法。 - 請求項15、17、18、及び19のいずれかに記載のレベンソン型位相シフトマスクを製造する方法であって、
前記第2の膜上にCrを主な材料とする膜厚2〜30nmmの第3の膜を形成する工程、
前記第3の膜上に第1のレジストパターン形成する工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第3の膜をパターニングする工程、
前記第1のレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の膜をパターニングし、前記第1の膜及び第2の膜のパターンからなる、第1の開口部及び第2の開口部を有する遮光膜パターンを形成する工程、
前記第1のレジストパターンを除去する工程、
前記第3の膜上に、前記第1の開口部を覆い、前記第2の開口部を覆わないように、第2のレジストパターンを形成する工程、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第1の膜をパターニングする工程、
フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記第2の開口部を通して前記透明基板をエッチングする工程、
前記第2のレジストパターンを除去する工程、及び
前記第3の膜と、表面に露出した前記第1の膜を除去する工程
を具備することを特徴とするレベンソン型位相シフトマスクの製造方法。
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