JP2006516052A - 炭素層を有する透過マスクを用いてウエハ上にフォトレジストをパターンニングする方法 - Google Patents
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Abstract
Description
当業者は図面中の要素が簡略さと明確さとを目的に図示され、必ずしも等尺に描かれていないことを理解する。例えば、図面中の数個の要素の寸法は、本発明の実施形態のより深い理解を補助するために、他の要素に関して誇張されている場合がある。
い。従って、バッファ層は、ほぼアモルファスカーボンから構成されることが好ましく、少量の他の材料を含有しても、又はしなくても良い。
とを意図される光と不要な干渉が発生し得る。このことは望ましくなく、また所望のパターンの端部においてフォトレジストの露光が不完全になり得る。反射は相殺され得るが、バッファ層105の厚さを注意深く選択かつ制御する必要があるものと想定される。
これら隣接領域は、除去することが望ましい不要な不透明材料を含み得る。それ故、明細書と図面とは限定的なものではなく説明として考慮されるべきであり、全変更物は本発明の範囲内に包含されるものとする。
Claims (6)
- 透明基板と、
パターン化された吸収層と、
前記透明基板と、パターン化された吸収層との間に配置されたバッファ層と、同バッファ層は、パターン化された吸収層から転写されたパターンを有することと、
を備える光リソグラフィー用マスク。 - 前記バッファ層は、少なくとも水素を含有しない請求項1に記載のマスク。
- 光学放射を用いてウエハ上のフォトレジストをパターンニングする方法であって、
透明基板と、吸収層と、前記透明基板と吸収層との間に配置されたバッファ層とを有するマスクを形成する工程と、
前記吸収層をエッチングする工程と、
前記吸収層をエッチングした後、バッファ層をエッチングする工程と、
前記バッファ層をエッチングした後、前記マスクで半導体ウエハ上のフォトレジスト層をパターンニングする工程とを含み、
前記パターンニングの工程は、マスクの透明基板に光学放射を通過させる工程を含む方法。 - 前記吸収層のエッチング後、バッファ層をエッチングするに先だって、マスクの吸収層を検査する工程を含む請求項3に記載の方法。
- 前記検査工程の後、吸収層を変更して、パターンを有し、かつ変更したパターン化された吸収層を形成する工程を含み、
前記バッファ層をエッチングする工程は、前記パターンをバッファ層内に転写する工程を含む請求項4に記載の方法。 - 光学放射を用いてウエハ上のフォトレジストをパターンニングする方法であって、
炭素を含有する材料を透明基板上にスパッタリングしてバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に吸収層を形成する工程と、
前記吸収層をエッチングして、パターン化された吸収層を形成する工程と、
前記パターン化された吸収層を検査する工程と、
前記検査工程の後、パターン化された吸収層を変更して、パターンを有し、かつ変更したパターンされた化吸収層を形成する工程と、
前記パターンをバッファ層内に転写する工程と、
前記転写工程の後、前記マスクで半導体ウエハ上のフォトレジスト層をパターンニングする工程と、同パターンニングの工程は、マスクの透明基板に光学放射を通過させる工程を含む方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010009001A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | S & S Tech Co Ltd | ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2317382B1 (en) * | 2002-04-11 | 2016-10-26 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask |
DE10354112B4 (de) * | 2003-11-19 | 2008-07-31 | Qimonda Ag | Verfahren und Anordnung zur Reparatur von Speicherchips mittels Mikro-Lithographie-Verfahren |
KR100759680B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2007-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치의 제조방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02961A (ja) * | 1988-06-07 | 1990-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク製造方法 |
JPH04116657A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの製造方法 |
JPH0950117A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Sony Corp | フォトマスクおよびこれを用いた露光方法 |
JPH0968790A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Nec Corp | フォトマスク |
WO2001002908A1 (fr) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un dispositif de circuit integre a semiconducteur, masque optique utilise a cet effet, son procede de fabrication, et ebauches de masque utilisees a cet effet |
JP2002214777A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-07-31 | Jsr Corp | 反射防止膜形成組成物 |
JP2005529362A (ja) * | 2002-06-10 | 2005-09-29 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスクおよび欠陥の修復方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5035787A (en) * | 1987-07-22 | 1991-07-30 | Microbeam, Inc. | Method for repairing semiconductor masks and reticles |
TW284911B (ja) * | 1992-08-18 | 1996-09-01 | At & T Corp | |
US6596465B1 (en) * | 1999-10-08 | 2003-07-22 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component |
US6346352B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-02-12 | International Business Machines Corporation | Quartz defect removal utilizing gallium staining and femtosecond ablation |
US6479195B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Intel Corporation | Mask absorber for extreme ultraviolet lithography |
US6830851B2 (en) * | 2001-06-30 | 2004-12-14 | Intel Corporation | Photolithographic mask fabrication |
-
2003
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-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02961A (ja) * | 1988-06-07 | 1990-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク製造方法 |
JPH04116657A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの製造方法 |
JPH0950117A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Sony Corp | フォトマスクおよびこれを用いた露光方法 |
JPH0968790A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Nec Corp | フォトマスク |
WO2001002908A1 (fr) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un dispositif de circuit integre a semiconducteur, masque optique utilise a cet effet, son procede de fabrication, et ebauches de masque utilisees a cet effet |
JP2002214777A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-07-31 | Jsr Corp | 反射防止膜形成組成物 |
JP2005529362A (ja) * | 2002-06-10 | 2005-09-29 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスクおよび欠陥の修復方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010009001A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | S & S Tech Co Ltd | ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6939650B2 (en) | 2005-09-06 |
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EP1588221A2 (en) | 2005-10-26 |
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