JP2005529362A - フォトマスクおよび欠陥の修復方法 - Google Patents
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Abstract
フォトマスクおよびその上の欠陥を修復する方法が開示される。このフォトマスクは、好ましくは、基板と、バッファ層と、この基板と非透過層との間に配設されたバッファ層を含む非透過層とを備える。この方法は、この非透過層中にパターンを形成するステップを含む。このパターン付きの非透過層中に1つまたは複数の欠陥が確認された場合に、このバッファ層が、このパターン付きの非透過層中の欠陥が修復される際にこの基板が損傷されるのを防ぐ。
Description
本発明は、一般に、リソグラフィの分野に関し、より詳細にはフォトマスクおよびその欠陥の修復方法に関する。
今日一般的に、フォトリソグラフィには、ウェハ上の極めて小さい寸法の半導体デバイスをうまく結像するために短波長露光が必要とされる。遠紫外線(DUV)またはそれ未満、たとえば200ナノメートル未満の帯域の波長では、フォトマスク・アセンブリを作製するために一般的に使用される材料および技法が、ますます重要になっている。
フォトマスクの典型的な製作方法は、回路パターンをレジスト層内に結像させるステップと、レジスト層を現像するステップと、このレジスト層および不透明層または半透過層の覆われていない任意の領域をエッチングするステップと、このレジスト層のエッチングされない部分を除去するステップとを含む。このプロセス中、この不透明層または半透過層の一部分がこのような材料を含まない区域中の基板上に残る場合は、欠陥が生じることがある。これらの欠陥は余分な材料を除去することによって修復することができるが、基板がこの修復プロセスの際に損傷を受けることがある。
従来は、フォトマスクを修復するために少なくとも2つの技法が使用されてきた。集束ガリウム・イオン・ビーム・フォトマスク修復技術は、この欠陥修復プロセスの終点を決定するために、一般的には、イオン検出を利用する。この終点を決定するために、この欠陥の下の基板をサンプリングしてガリウム・イオンの存在を検出する。基板のサンプリングは、基板中にガリウム・イオンが存在するまでは終点を指し示さないので、望まないガリウムの汚染または基板の穿孔あるいはその両方が終点の前に生じることがある。ガリウムの汚れは400nm未満の波長でエネルギを次第に吸収する。基板に伴われるどんな損傷も、イオン・ビームの線量の低下、および/またはイオン・ビーム修復プロセスの完了後の後処理によって緩和することができる。しかし、線量の低下はフォトマスクによって投影された像の全体的な品質を阻害し終点の精度を低下させることがある。さらに、後処理は局所的な位相誤差をもたらすことがある。集束Gaイオン・ビーム(たとえば、セイコー−SIR3000Xなど)を使用する修復技法は、透明基板を歪ませるかもしれないという欠点を有することもある。
他の修復技法では、レーザ蒸着または切断を使用して欠陥を除去することができる。レーザ修復技法では、くぼみを基板中に生じさせることができ、それによって、基板の光学的性質(optical characteristic)および関連するフォトマスクを改変することができる。レーザ修復技法の終点は、しばしば、欠陥の除去に伴うイオンの有無によって決定される。基板に配設された非透過性材料性を修復する場合の終点は、非透過性材料性および基板が一般的なイオンを有する場合、しばしば、もっと決定することが困難である。一般的なイオンが非透過層および関連する基板を形成するために使用される材料中に存在すると、石英穴状の損傷が基板中にしばしば生じる。
約400ナノメートルを超える露光波長を使用するリソグラフィ装置では、基板損傷はしばしば問題にならない。しかし、約400ナノメートル未満の露光波長を使用するリソグラフィ装置では、基板損傷がこのような露光波長の吸収を生じさせ、それによって、関連するフォトマスクの透過に関する諸特性を低下させることがある。
以前に、窒化TiSi系材料を使用してハーフ・トーン型位相シフト・フォトマスク・ブランク(embedded,attenuated phase shift photomask blanks)および関連するフォトマスクを形成した。このような材料は、時々、窒化ケイ素窒化チタン(SiNTiN)と呼ばれる。窒化ケイ素(Si3N4)は、半導体産業で頻繁に使用される誘電材料である。
本発明の教示によれば、フォトマスク上の欠陥を修復することに伴う不利な点および問題点が、ほぼ低減され、あるいはなくされた。一実施形態では、修復プロセスの際に付随する基板が損傷を受けるのを防ぐバッファ層付きのフォトマスクを形成することができる。このバッファ層は、付随する基板に対する静電放電(ESD)損傷も防ぐことができる。本発明の別の実施形態は、基板上に形成されたバッファ層および非透過層を有し、バッファ層が非透過層と基板の間に配設されたフォトマスク上の欠陥を修復する方法を含むことができる。パターンを非透過層中に形成することができる。パターン付きの非透過層中で1つまたは複数の欠陥が確認された場合、この欠陥は、修復プロセスの際に基板をバッファ層で損傷から保護しながら、パターン付きの非透過層中で修復することができる。
本発明のさらに別の実施形態は、ペリクルフレームおよびペリクル構造に取り付けられたペリクル膜によって部分的に画定されたフォトマスクペリクルアセンブリ(photomask pellicle assembly)を有するフォトマスク・アセンブリを含むことができる。このフォトマスク・アセンブリは、ペリクル膜と反対側でペリクルアセンブリに結合したフォトマスクを備えることもできる。バッファ層を使用して、非透過層中のどんな欠陥を修復する際にも、基板を損傷から保護することができる。この非透過層を修復した後で、バッファ層の非透過層中に形成されたパターンに対応する部分をエッチングして基板に隣接する部分を露出させることができる。非透過層のエッチングされた部分およびバッファ層の対応するエッチングされた部分によって、得られるパターン付きの層を部分的に画定することができる。
本発明の教示によれば、付随する基板の少なくとも一部分上に配設されたバッファ層付きのフォトマスクを形成することができる。バッファ層を、電磁エネルギの透過、部分的透過、吸収および/または反射を行う様々な材料から形成することができる。このフォトマスクは、さらに、バッファ層上に形成された非透過層を含むこともできる。この非透過層は、電磁エネルギの吸収、部分的透過および/または反射を行う様々な材料から形成することができる。様々なリソグラフィ技法を使用して非透過層中にパターンを形成することができる。このバッファ層は、パターン付きの非透過層に関連する修復プロセスの際に基板が損傷するのを防ぐ働きをすることが好ましい。
本発明のいくつかの実施形態の技術的な利点は、修復プロセスの際にフォトマスクの基板が損傷するのを防ぐバッファ層が含まれ得ることである。フォトマスク製作プロセスの際に欠陥が非透過層中に形成されることがあり修復しなければならない。この修復プロセスの際に修復ビームを使用してこのような欠陥を除去することができる。バッファ層は好ましくは非透過層と基板の間に位置するので、修復プロセスからのどんな損傷も、一般的には、基板ではなくバッファ層のみに影響を及ぼす。
本発明のいくつかの実施形態の別の技術的利点は、製作プロセスの際に静電放電(ESD)損傷を低下させるバッファ層が含まれ得ることである。従来は、酸化膜材料をバッファ材料として使用してきた。というのは、酸化膜材料は、一般的には、付随する非透過層のエッチングの際に無傷のままだからである。しかし、多くの酸化膜材料は帯電した非透過層と付随する基板の間に誘電材料をもたらすことによってESD損傷のリスクを増加させる絶縁体として働くこともある。したがって、本発明では、導電材料を使用してバッファ層を形成することによってESD損傷のリスクを低下させる。
本発明のいくつかの実施形態のさらに別の技術的利点は、集束イオン・ビーム(FIB)装置を使用して非透過層に対するどんな損傷も修復することによって修復プロセスの正確な終点を検出可能にするバッファ層を含むことができる。このバッファ層は、非透過層を形成するために使用される材料と異なる材料から形成することができる。イオン・ビーム修復プロセスの際に、付随する修復ツールは、非透過層中のイオン・ビームに関連するイオン濃度をモニタすることができる。非透過層中でイオン・ビームに伴うイオンがないとき、修復プロセスの終点を決定することができる。というのは、イオン濃度は、欠陥が除去されイオン・ビームがバッファ層の表面に到達するとき、変化するからである。
本発明の他の態様では、単一イオン・ビーム堆積技法または二重イオン・ビーム堆積技法を使用して、ハーフ・トーン型位相シフト・フォトマスク・ブランクの少なくとも400ナノメータ(nm)未満の選択されたリソグラフィ波長で約180°の位相シフトを作り出すことのできる部分を製作するステップを含むこともできる。用途によっては、位相シフトは±5°変わることがある。
本発明の様々な実施形態では、これらの技術的な利点の全てまたはいくつかが存在することができ、あるいは何も存在しないこともある。以下の図、説明、および添付の特許請求の範囲から他の技術的利点も当業者には容易に明白になるであろう。
本発明およびその利点のより完全で完璧な理解が、添付の図面に関してなされた以下の説明を参照することによって得られる。図面では、同じ参照番号は同様のフィーチャを指す。
本発明およびその利点の好ましい実施形態は、図1ないし図3Bを参照することによって理解できよう。図では、同じ参照番号で同様の部分および対応する部分を示す。
図1に、ペリクルアセンブリ14と結合したフォトマスク12を備えるフォトマスク・アセンブリ10の断面図を示す。基板16とパターン付きの層18は、互いに協働してフォトマスク12を形成する。フォトマスク12は別名マスクまたはレチクルとしても知られる。フォトマスク12は、様々な寸法を有し、それだけには限定されないが、円形、長方形、または正方形を含む形状を有する。フォトマスク12は、それだけには限定されないが、半導体ウェハ(明確に図示せず)上に回路パターンを投影し結像するために使用できる、ワンタイム・マスター、5インチ(12.7cm)レチクル、6インチ(15.2cm)レチクル、9インチ(22.9cm)レチクル、または他の任意の適切な寸法のレチクルを含む様々なフォトマスク・タイプでもよい。さらに、フォトマスク12は、二元マスク、位相シフト・マスク、近接効果補正(OPC)マスク、またはリソグラフィ装置で使用するのに適する他の任意のタイプのマスクでもよい。フォトマスク・アセンブリ10をリソグラフィ装置中に載置するとき、パターン付きの層18によって部分的に画定される回路イメージを、基板16を介して半導体ウェハの表面に投影することができる。
用途によっては、基板16は水晶、人工水晶、溶融石英、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化カルシウム(CaF2)、他の任意の適切な材料などの透明材料でよく、それらは、波長約10ナノメートル(nm)以上約450nm以下の入射光の少なくとも約75%を透過させる。代替実施形態では、基板16はシリコンや他の適切な材料などの反射材料でよく、それらは、波長約10nm以上約450nm以下の入射光の約50%超を反射する。
いくつかの実施形態では、パターン付きの層18は、クロム、窒化クロム、金属オキシカルボナイトライド(M−O−C−N)などの金属材料でよい。M−O−C−Nの金属は、クロム、コバルト、鉄、亜鉛、モリブデン、ニオブ、タンタル、チタン、タングステン、アルミニウム、マグネシウム、シリコン、および他の任意の適切な材料からなる群から選択され、それらは紫外(UV)、遠紫外(DUV)、真空紫外(VUV)、極紫外(EUV)帯域の電磁エネルギの吸収および/または反射を行う。代替実施形態では、パターン付きの層18はモリブデンシリサイド(MoSi)などの部分透過性材料でよく、その透過率は、UV、DUV、VUV、およびEUV帯域中で約1%〜約30%である。
他の諸実施形態では、パターン付きの層18は、少なくとも1つのバッファ層上に形成された少なくとも1層の非透過層を含むことができる。この非透過層とバッファ層は、パターン付きの層18に関して上記で説明した透過に関する特性のどれをも有することができる。このバッファ層が、非透過層に関する欠陥修復プロセスの際に基板16に対して損傷が発生するのを防ぐことが好ましい。
フレーム20とペリクル膜22は、互いに協働してペリクルアセンブリ14を形成する。このペリクル膜22は、ニトロセルロース、セルロースアセテート、イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー製のテフロン(登録商標)、旭ガラス製のサイトップ、他の適切なUV、DUV、VUV、EUV被膜などのアモルファス・フルオロポリマーなどの材料で形成された薄膜でよい。ペリクル膜22は、スピン・コーティングなどの従来の技法で調製することができる。フレーム20は、一般的には、陽極酸化アルミニウムで形成される。あるいは、フレーム20は、ステンレス鋼、プラスチック、または他の適切な材料でも形成される。
ペリクル膜22は、ほこり粒子をフォトマスク12から決まった距離だけ確実に離すことによってフォトマスク12をほこり粒子から保護する。これはリソグラフィ装置では特に重要であり得る。リソグラフィ・プロセスの際にフォトマスク・アセンブリ10を、リソグラフィ装置内の放射エネルギ源によって作り出される電磁エネルギに曝す。この電磁エネルギは、水銀アーク灯のI線とG線のほぼ間の波長、DUV光、VUV光、EUV光などの様々な波長の入射光を含むことができる。動作中、ペリクル膜22は、入射電磁エネルギの大部分を通過させ得るように設計されることが好ましい。ペリクル膜22上に集まるほこり粒子は、フォトマスク・アセンブリ10を使用して処理されるウェハの表面上で焦点ぼけを起こし易く、したがって、ウェハ(明確に図示せず)上で露出された像は明瞭でなければならない。
フォトマスク12は、基板16の表面上に配設された、バッファ材料の層、非透過性材料の層、およびレジスト材料の層を含むフォトマスク・ブランクから製作することができる。図2Aに一例を示す。いくつかの用途では、バッファ層および非透過層は、複数の材料層から形成することができる。バッファ材料、非透過性材料、およびレジスト材料のそれぞれの層は物理気相成長(PVD)、化学気相成長(CVD)、イオン・ビーム堆積(IBD)、デュアル・イオン・ビーム堆積(DIBD)、または他の任意の適切な堆積技法を使用して、基板16の一表面上に堆積することができる。
フォトマスク12は、様々なリソグラフィ法を使用してフォトマスク・ブランクから形成することができる。典型的なリソグラフィ法では、パターン付きの層18用のデータを含むマスク・パターン・ファイル(明確に図示せず)を回路設計パターン(明確に図示せず)から作り出すことができる。レーザ、電子ビーム、X線リソグラフィ・ツール、または他の適切な電磁エネルギ源を使用して、パターン付きの層18用の所望のパターンをフォトマスク・ブランクのレジスト層内に結像させることができる。たとえば、レーザ・リソグラフィ・ツールは、約364ナノメートル(nm)の波長の光を放出するアルゴン・イオン・レーザを使用することができる。他の諸実施形態では、レーザ・リソグラフィ・ツールは、約150nm〜約300nmの波長で発光するレーザを使用することもできる。
後で、図2Aないし図2Dに関してより詳細に説明するように、結像されたパターン(明確に図示せず)をレジスト層上に結像させることもできる。このレジスト層および付随する非透過層をエッチングして対応するエッチングされたパターン18の少なくとも一部分を作り出すことができる。パターン付きの層18中に生じ得る1つまたは複数の欠陥(明確に図示せず)を、本発明の教示に従って基板16を損傷せずに修復することができる。
図2Aないし図2Dに、フォトマスク・ブランク12aおよび関連するフォトマスク12の断面図を示す。図2Aに、フォトマスク12に関連するパターン付きの層18を形成する前のフォトマスク・ブランク12aを示す。図2Bないし図2Dに、本発明の教示による、パターン付きの非透過層32中の欠陥修復に関するいくつかのステップの例を示す。
フォトマスク12は、それだけには限らないが、渋谷レベンソン型PSM(alternating PSM)、減衰位相PSM、およびマルチトーンPSMを含む位相シフト・マスク(phase shift mask)(PSM)であり得る。いくつかの応用分野では、ハーフ・トーン型位相シフト・フォトマスク・ブランク(embedded,attenuated phase shift photomask blank)12aからフォトマスク12を形成することができる。用途によっては、フォトマスク・ブランク12aは、一般的に、修復バッファ/エッチング制御/静電放電(ESD)低下層30を備えるハーフ・トーン型位相シフト・フォトマスク・ブランクとして記述できる。しかし、本発明は、位相シフト・フォトマスクに限定されるものではない。
図2Aに、バッファ層30、非透過層32、レジスト層60が基板16の一表面上に形成された後のフォトマスク・ブランク12aを示す。基板16は、水晶、人工水晶、溶融石英などの透明材料、またはシリコンなどの反射材料から形成することができる。様々なリソグラフィ製作技法を使用して層30、32、および60を備えるフォトマスク・ブランク12aを形成することができる。
フォトマスク・ブランク12a上に層30、32または60あるいはそれらの組合せを製作するために使用される材料は、フォトマスク・ブランク12aが半透明媒質の光学特性(optical property)を満足させて所望の透過率および位相シフト特性をもたらす限り、均質でも、勾配付きでも、また多層でもよい。フォトマスク・ブランク12aの構造は、一般的には、400nm未満の波長を使用するリソグラフィ法に用いられる。たとえば、いくつかのリソグラフィ法では、波長248nm、193nm、157nm、100nm、および50nmの電磁エネルギを使用する。
バッファ層30は、非透過層32に関する修復プロセスの際に基板16が損傷されないように保護層として働くことができる。バッファ層30は、非透過層32のパターン形成に伴うエッチング・プロセスの際にエッチ・ストップとして働くこともできる。バッファ層30を形成するために使用する材料を選択して非透過層32の位相と透過率の均一性を高めることができる。さらに、フォトマスク・ブランク12a、フォトマスク12、またはフォトマスク・アセンブリ10、あるいはそれらの組合せを製作する際に、バッファ層30を少なくとも一部導電材料から形成して基板16上への静電放電(ESD)の影響を低下させることもできる。
バッファ層30は、基板16と非透過層32の両方に対する乾式エッチング選択性をもたらすどんな材料からも形成することができる。バッファ層30を形成するために使用される材料は、フォトマスク12の全体的な光学的性質を妨げず、好ましくは向上させる光学特性を有することが好ましい。バッファ層30の厚さは、フォトマスク12の製作の際に使用されるそれぞれのフォトマスク修復技術に応じて2〜3オングストロームから2〜3ナノメートルの間で変わり得る。バッファ層30のこの厚さは、好ましくは、基板16のどんな歪みも最小にするか妨げる厚さに選択する。
用途によっては、バッファ層30は、「ダイアモンドライクカーボン」(diamond like carbon)(DLC)などのカーボン・タイプ材料で形成することが好ましい。というのは、ハーフ・トーン型位相シフト・フォトマスクの製作に関連するほとんどの商用の乾式エッチング・プロセスは、DLC材料を決してエッチングしないからである。したがって、DLC材料は、一般的に、ハーフ・トーン型位相シフト・フォトマスクを形成するために使用される材料に対して良好な乾式エッチング選択性を有する。第2エッチング・プロセスでは、DLC材料は、基板16に対して良好な選択性を有することが好ましい。DLC材料は、クリティカルな寸法(500nm未満)より小さくなるにつれて、しばしば、非常に良好な電気特性を有する。
硬いカーボン被膜または層は、ときどきダイアモンドライクカーボン(DLC)被膜または層と記述される。DLC材料は、一般的に、ダイアモンド構造と、それだけには限らないが、硬い非結晶カーボン、硬いアモルファス・カーボン、アモルファス・カーボン、およびiカーボンを含むグラファイト構造との混合物として記述される。幅広い様々なDLC材料は、フォトマスク・ブランク12a上への1つまたは複数の層30の形成に使用するために市販されている。しかし、本発明はDLC材料から形成されたバッファ層に限定されない。
フォトマスク・ブランク12aの層30および32は、一般的に、均質な構造または傾斜構造のどちらかの傾向をもつMa−SixOyNz(MはIV、V、またはVI族からの金属)や、少なくともそれぞれの1層を有するM1OaNb/M2OcNdの多層などの材料から形成することができる。M1はアルミまたはシリコンでよく、「a」は0以上1以下であり、「b」は0以上1−a以下であり、M2はIV、V、またはVI族からの金属である。
層30および層32は、上記の材料の組合せでよく、そうすると、層32は非透過層として働き、層30は基板16用のバッファとして働くようになる。
あるいは、層30および32は、一般的には、MをIV、V、またはVI族から選択された金属としてMSixOyNzの均一もしくは勾配の付いた構造、またはM1OaNb/M2OcNdの多層構造でよい。上式でM1はアルミニウム(Al)またはシリコン(Si)のどちらかであり、M2はIV、V、またはVI族からの金属であり、「a」は0以上1以下であり、「b」は0以上1−a以下である。この多層構造は、上記の材料の組合せでよく、それによって少なくとも一方の層32が露光波長に対して非透過性であり、他方の層30がバッファ層として働き関連する基板を保護するようになる。得られる構造は、400ナノメートル未満のリソグラフィ装置中で、選択された露光波長で180°の位相シフトを発生させることができる。
バッファ層30は、層32中の欠陥の修復用のエッチ・ストップをもたらす非透過層32の形成に使用される材料以外の材料から形成することができる。修復ツールは、欠陥を伴う非透過性材料からのイオンの除去について、または欠陥の下に配設されたバッファ層材料からのイオンの有無について、修復部位を監視することができる。停止条件が実現すると、修復が終了したとみなされる。たとえば、FIB修復ツールは、SiNTiN材料から形成される非透過層に伴う欠陥からのSiイオンについて監視することができる。バッファ層30がないと、SiNTiNの欠陥と部分的にシリコン(Si)で形成された基板とのイオン発生量の差が、一般的に、小さすぎて正確に終点を決定できない。DLC材料製のバッファ層30からのSi発生では、ほぼSiイオンを発生しない。したがって、非透過層32に伴う欠陥を除去するステップの終点は、基板16からの二次Siイオンの発生を遮断しあるいは防ぐバッファ層30によって、より正確に決定することができる。
バッファ層30および非透過層32は、同時に熱処理をかけながら、PVD、CVD、IBD、または他の任意の適切な堆積技法によって堆積させることができる。一実施形態では、単一イオン・ビーム堆積(IBD)法を使用して1つまたは複数のバッファ層30および1つまたは複数の非透過層32を堆積させることができる。得られるフォトマスク・ブランクは、400ナノメートル未満の選択されたリソグラフィ波長で180°の位相シフトが発生可能なハーフ・トーン型位相シフト・フォトマスク・ブランクであり得る。この方法は、一群のガスからのイオンによる1つまたは複数の標的のイオン・ビーム・スパッタによって、少なくとも1層のバッファ層30、少なくとも1層の非透過層32、またはそれらの組合せを堆積させるステップを含むことができる。
単一IBD法では、プラズマ放電が離れたチャンバ(イオン「銃」すなわちイオン源)中に閉じ込められ、イオンが、電位を銃の「出口」(明確には図示せず)の直列グリッド上に印加することによって引き出され加速される。このIBD法は、基板16上の堆積表面でよりクリーンな(付着粒子がより少ない)プロセスをもたらすこともできる。というのは、荷電粒子を捕捉し、基板16まで運ぶプラズマは、一般的に、バッファ層30または非透過層32のどちらにも近接しないからである。さらに、このIBD法は、一般的に、より低い全ガス圧で動作し、その結果、化学汚染のレベルが低減される。このIBD法は、堆積フラックス、反応性ガス・イオン・フラックス(電流)、およびエネルギを別々に制御する能力も有する。
単一IBD法の際に(通常、電子源によって中和された)イオンの高エネルギ・ビームを、堆積銃(明確には図示せず)から標的ホルダ上に位置する標的材料へと向けることができる。この標的材料は、一般的には、衝撃イオンが、この特定の材料のスパッタ閾値エネルギ、約50eV、を超えるエネルギを有するときスパッタされる。この堆積銃からのイオンは、He、Ne、Ar、Kr、Xeなどの不活性ガス源からのものでよいが、O2、N2、CO2、F2、CH3、またはそれらの組合せなどの反応性ガスを使用することもできる。これらのイオンが不活性ガス源からのもののときは、標的材料を、バッファ層30上に非透過層32としてまたは基板16上にバッファ層30として、スパッタし堆積させることができる。これらのイオンが反応性ガス源によって発生されるときは、イオンは標的材料と結合することができる。化学結合の生成物を、バッファ層30上に非透過層32としてまたは基板16上にバッファ層30として、スパッタし堆積させることができる。
二重IBD法では、第2すなわち「補助」銃(明確には図示せず)からのイオンは、一般的に、バッファ層30または基板16の表面に向けられた電子源によって中和される。第1銃すなわち堆積銃からのイオン・ビームを、単一IBD法と同じく基板16またはバッファ層30に向けることもできる。補助銃からのイオンは、O2、N2、CO2、F2、N2O、H2O、NH3、CF4、CHF3、CH4、C2H2、またはそれらの任意の組合せなどの反応性ガス源からくるものでよい。この補助銃からのイオンのエネルギは、通常、堆積銃からのイオンのエネルギより低い。補助銃は、それぞれバッファ層30または基板16の表面で堆積銃からスパッタされた原子と反応して非透過層32またはバッファ層30を形成する低エネルギ・イオンの調整可能なフラックスをもたらす。二重イオン・ビーム堆積(DIBD)法では、材料標的、基板16、ならびに関連する堆積銃および補助銃(明確には図示せず)の間の角度を調節して被膜の均一性および被膜応力を最適化することができる。
二重IBD法の一例は、堆積銃を使用して、一群のガスからのイオンによる一次標的のイオン・ビーム・スパッタによって、光透過性材料性の少なくとも1層および光吸収材料の少なくとも1層またはそれらの組合せを基板16上に堆積させるステップを含む。補助銃は、一群のガスからの二次イオン・ビームによって、光透過性材料性の少なくとも1層および光吸収材料の少なくとも1層またはそれらの組合せの一部分も基板16上に堆積させることができる。層は、補助銃からのガス・イオンおよび基板上の一次標的から堆積させた材料から直接に、あるいはその組合せのどちらかによって形成することができる。
400ナノメートル未満の選択されたリソグラフィ波長で180°の位相シフトを発生可能なハーフ・トーン型位相シフト・フォトマスク・ブランクを調製するための二重IBD法の別の例は、
一群のガスからのイオンによる1つまたは複数の標的のイオン・ビーム・スパッタによって、光透過性材料性の少なくとも1層および光吸収材料の少なくとも1層またはそれらの組合せを基板16上に堆積させるステップと、
N2、O2、CO2、N2O、H2O、NH3、CF4、CHF3、F2、CH4、およびC2H2からなる群から選択された少なくとも1種のガスである反応性ガスからのイオンを含む補助源からの二次イオン・ビームを基板16に衝突させるステップとを含む。
一群のガスからのイオンによる1つまたは複数の標的のイオン・ビーム・スパッタによって、光透過性材料性の少なくとも1層および光吸収材料の少なくとも1層またはそれらの組合せを基板16上に堆積させるステップと、
N2、O2、CO2、N2O、H2O、NH3、CF4、CHF3、F2、CH4、およびC2H2からなる群から選択された少なくとも1種のガスである反応性ガスからのイオンを含む補助源からの二次イオン・ビームを基板16に衝突させるステップとを含む。
図2Aに示すようにフォトマスク・ブランク12aを形成した後で、様々なリソグラフィ技法を使用して回路設計パターンをレジスト層60上に結像させることができる。次いで、レジスト層60を現像し、レジスト層60の露出区域および非透過層32のそれに隣接する部分をエッチングして非透過層32中に対応するパターンを形成することができる。図2Bに示すように、レジスト層60の現像されない部分を除去することができる。パターン形成プロセスの際に非透過層32中に形成され得るどんな欠陥も、本発明の教示に従って修復することができる。
非透過層32は、図2Bに示すような1つまたは複数の欠陥34を含むことがあり、この欠陥は、非透過層32をパターン形成するステップに伴う1つまたは複数のエッチング・プロセスの際に除去されない。それぞれの欠陥34は、修復ビーム36を使用して除去または修復することができる。修復ビーム36は、集束イオン・ビーム(FIB)でよく、FIBはバッファ層30中でのイオン検出を使用して修復プロセスの終点を決定する。材料を蒸発させあるいは融除するレーザ(明確には図示せず)、または他の任意の適切な技法を使用して、欠陥34を除去することによって非透過層32を修復することもできる。
図2Cに示すように、修復ビーム36は、バッファ層30の、欠陥34の直下の部分を損傷させることがある。図示した実施形態では、修復ビーム34がバッファ層30中に損傷部分38を作り出す。損傷部分38はガリウム汚染物および/またはFIBビーム36によって作り出された点蝕であり得る。損傷部分38は、レーザによって作り出されるくぼみまたは関連する修復法によって作り出される他の任意のタイプの損傷であり得る。
図2Dに示すように、非透過層32から欠陥34を除去すると、非透過層32の覆われない区域またはパターン形成されない区域中の基板16からバッファ層30の一部分を除去して基板16の隣接する部分を露出させることができる。一実施形態では、非透過層32のパターン形成に関連する1つまたは複数のエッチング法とは異なる乾式エッチング法で、バッファ層30の一部分を除去することができる。得られるフォトマスク12は、基板16と1つまたは複数のバッファ層30によって部分的に画定されるパターン付きの層18を含み、1つまたは複数の非透過層32は図20に示す。
図3Aおよび3BにFIB法による修復の前後のフォトマスク12の断面図を示す。図3Aに示すように、フォトマスク12は、非透過層32と基板16の間に形成されたバッファ層30を含む。一実施形態では、波長約10nm以上約450nm以下の電磁エネルギに曝されたとき、SiNTiNベース材料または適切な透過特性または反射特性をもつ他の任意の適切な材料から非透過層32を形成することができる。バッファ層30は、フォトマスク12の光学的性質を変えず、非透過層32と基板16に対して適切な乾式エッチング選択性をもつダイアモンドライクカーボン(DLC)材料または任意の他の材料から形成することができる。用途によっては、バッファ層30は、非透過層32中の任意の欠陥を除去するために使用されるそれぞれの修復法に応じて約100オングストローム(Å)以上3ナノメートル(nm)以下の厚さを有する。
一実施形態では、バッファ層30を厚さ約150オングストロームのDLC材料で作製できる。非透過層32は、厚さ約630オングストロームのSiNTiNベース材料から形成できる。このような材料の組合せによって、約193ナノメートルの露光波長で、約6パーセントの透過率および約180°±5°の位相シフトを有するフォトマスク12を作製することができる。
集束イオン・ビーム(FIB)40を修復ツール(明確には図示せず)に使用して欠陥34を除去することができる。ガリウム汚染から基板16を保護するために、バッファ層30を使用することができる。バッファ層30の必要な厚さは、層30を形成するために使用する材料および関連するFIB法に応じて変わり得る。層30の厚さは、FIB40の加速電圧およびピクセル当たりの全線量に比例することがある。
修復プロセス中、FIB40が欠陥34を除去する際にシリコン・イオン42が発生することがある。図3Bに示すように、欠陥34が完全に除去されたとき、シリコン・イオン42は存在しないことがある。修復ツール(明確には図示せず)で、シリコン・イオン42の濃度を監視して修復プロセスの終点を決定することができる。シリコン・イオン42がなくなると、修復ツールは欠陥34が完全に除去されたと判断することができる。したがって、バッファ層30によって、FIB40により生じる可能性のある基板16への損傷を最小にするために修復プロセスの終点を決定する技法が提供される。さらに、バッファ層30は、修復プロセスの際に基板16を保護する。というのは、FIB40が基板16の代わりにバッファ層30を損傷させるからである。たとえば、バッファ層30中の欠陥48を参照されたい。
光学特性
DLC
n(193)=1.757 k(193)=0.318
SiNTiN
n(193)=2.356 k(193)=0.5
次式
位相=(2π/λ)×厚さ×(n材料−1)
を使用して、
Ts≒(1−R)2exp(−4πksds/λ)
DLC
n(193)=1.757 k(193)=0.318
SiNTiN
n(193)=2.356 k(193)=0.5
次式
位相=(2π/λ)×厚さ×(n材料−1)
を使用して、
Ts≒(1−R)2exp(−4πksds/λ)
本発明を詳細に説明してきたが、様々な変更形態、置換形態、代替形態が本発明の精神および範疇から逸脱することなく成し得ることを理解すべきである。
Claims (30)
- フォトマスクに伴う基板の一表面上にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上に非透過層を形成するステップと、
前記非透過層中に、前記バッファ層を前記基板と前記非透過層の間に配設したパターンを形成するステップと、
前記パターン付きの非透過層中の1つまたは複数の欠陥を同定するステップと、
前記バッファ層で修復ステップの際に基板を損傷から保護しながら、前記パターン付きの非透過層中の欠陥の少なくとも1つを修復するステップとを含む、フォトマスク上の欠陥の修復方法。 - 前記バッファ層の前記非透過層中にパターンを形成するステップによって覆われない部分をエッチングするステップと、前記バッファ層の覆われない部分をエッチングするステップによって前記非透過層中に形成されたものとほぼ同じパターンを前記バッファ層中に形成するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 炭素化合物からバッファ層を形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ダイアモンドライクカーボン材料(DLC)からバッファ層を形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記バッファ層を、約100オングストローム以上3ナノメートル以下の厚さに形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記非透過層を多層構造で形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記非透過層を傾斜構造で形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記非透過層を窒化ケイ素および窒化チタンから形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記非透過層前記フォトマスク中にパターンを形成するステップが、
バッファ層から反対の前記非透過層上にレジスト層を形成するステップと、
前記非透過層上に形成された前記レジスト層中にパターンを結像するステップと、
前記レジスト層の前記結像されたパターンに対応する領域を現像するステップと、
前記非透過層中にパターンを形成するように前記レジスト層の前記現像された領域をエッチングするステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記バッファ層で前記修復ステップの終点を制御するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記非透過層を、吸収材料、反射材料、不透明材料、および部分透過性材料からなる群から選択された材料から、少なくとも部分的に形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ペリクルフレームおよびそれに取り付けられたペリクル膜によって部分的に画定されたペリクルアセンブリと、
前記ペリクル膜と反対側で前記ペリクルアセンブリに結合したフォトマスクであって、
非透過層中に形成されたパターンおよびバッファ層中に形成された対応するパターンによって部分的に画定されたパターン付きの層を有するフォトマスクとを含み、
前記バッファ層が、前記非透過層と基板の一表面の間に配設され、
前記バッファ層が、前記パターン付きの非透過層中の1つまたは複数の欠陥を修復するステップの際に基板が損傷するのを防ぐ働きをし、
前記バッファ層の覆われない部分が、前記基板の前記パターン付きの非透過層に対応する部分を露出させるために除去される、フォトマスク・アセンブリ。 - 前記バッファ層が炭素化合物を含む、請求項12に記載のアセンブリ。
- 前記バッファ層がダイアモンドライクカーボン(DLC)を含む、請求項12に記載のアセンブリ。
- 約100オングストローム以上3ナノメートル以下の厚さの前記バッファ層をさらに含む、請求項12に記載のアセンブリ。
- 前記吸収層が多層構造を含む、請求項12に記載のアセンブリ。
- 前記非透過層の組成が傾斜している、請求項12に記載のアセンブリ。
- 前記非透過層が窒化ケイ素および窒化チタンを含む、請求項12に記載のアセンブリ。
- 前記修復ステップの終点を制御する働きをする前記バッファ層をさらに含む、請求項12に記載のアセンブリ。
- リソグフラフィ装置の露光波長を透過させる働きをする前記バッファ層をさらに含む、請求項12に記載のアセンブリ。
- 基板と、
前記基板の少なくとも一部分上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された非透過層とを含む、フォトマスクであって、
前記バッファ層が、前記非透過層に関連する修復プロセスの際に基板が損傷されるのを防ぐ働きをする、フォトマスク。 - 前記バッファ層が炭素化合物を含む、請求項21に記載のフォトマスク。
- 前記バッファ層がダイアモンドライクカーボン(DLC)を含む、請求項21に記載のフォトマスク。
- 約100オングストローム以上3ナノメートル以下の厚さの前記バッファ層をさらに含む、請求項21に記載のフォトマスク。
- 前記非透過層が多層構造を含む、請求項21に記載のフォトマスク。
- 前記非透過層の組成が傾斜している、請求項21に記載のフォトマスク。
- 前記非透過層が窒化ケイ素および窒化チタンを含む、請求項21に記載のフォトマスク。
- 前記修復プロセスの終点を制御する働きをする前記バッファ層をさらに含む、請求項21に記載のフォトマスク。
- 400ナノメートル未満のリソグラフィ波長で約108°の位相シフトを発生させることが可能なハーフ・トーン型位相シフト・フォトマスク・ブランクの製作方法であって、
第1群のガスからのイオンにより一次標的をスパッタするための第1イオン・ビームを使用して、第1プロセスによりエッチングできる光透過性材料の少なくとも1層と第2プロセスによりエッチングできる非透過性材料性の少なくとも1層とを基板上に堆積させるステップと、
第2群のガスの補助源からの二次的なイオン・ビームにより、前記光透過性材料性の少なくとも1層、前記非透過性材料性の少なくとも1層、またはそれらの組合せを、前記基板上に堆積させるステップと、
前記補助源からのガス・イオンおよび前記第1イオン・ビームによるガス・イオンを使用して、前記基板上に堆積されたそれぞれの層を形成するステップとを含む、方法。 - 第1群のガスからのイオンによる前記標的の前記第1のイオン・ビーム・スパッタリングによって、前記光透過性材料性の少なくとも1層、前記非透過性材料性の少なくとも1層、またはそれらの組合せを、基板上に堆積させるステップと、
反応性ガスからのイオンを含む前記補助源からの前記二次イオン・ビームを前記基板に衝突させるステップとをさらに含み、前記反応性ガスがN2、O2、CO2、N2O、H2O、NH3、CF4、CHF3、F2、CH4、およびC2H2からなる群から選択された少なくとも1種のガスを含む、請求項29に記載の方法。
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