JP2539945B2 - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体素子,IC,LSI等の製造に用いられ
るフォトマスクの製造方法に関するものである。
るフォトマスクの製造方法に関するものである。
従来のフォトマスクの構造として、QZ（フォトマスク
基板）/Cr,QZ/MoSix,QZ/Cr/CrOX,QZ/MoSiX/MoSixOY,QZ/
CrOY/Cr/CrOX,QZ/MoSiOx/MoSix/MoSixOY等があった。第
４図（ａ）は上記QZ/MoSix,図（ｂ）はQZ/MoSiX/MoSixO
Y,図（ｃ）はQZ/MoSiOx/MoSix/MoSixOY構造のフォトマ
スクの断面図である。上記マスク構造における金属MoSi
x,MoSixOYにかえてCr,CrOXとしても同様の構造である。
基板）/Cr,QZ/MoSix,QZ/Cr/CrOX,QZ/MoSiX/MoSixOY,QZ/
CrOY/Cr/CrOX,QZ/MoSiOx/MoSix/MoSixOY等があった。第
４図（ａ）は上記QZ/MoSix,図（ｂ）はQZ/MoSiX/MoSixO
Y,図（ｃ）はQZ/MoSiOx/MoSix/MoSixOY構造のフォトマ
スクの断面図である。上記マスク構造における金属MoSi
x,MoSixOYにかえてCr,CrOXとしても同様の構造である。
各酸化膜は通常、光転写時の反射防止膜として用いら
れる。
れる。
次に、第４図（ａ）のものを例にとってその製造方法
を説明する。
を説明する。
第５図において１は石英からなるマスク基板（QZ）、
３は遮光膜となるMoSix膜、４はレジストパターン、５
は異物、６は集束イオンビーム、７はデポジションガ
ス、８は堆積カーボン、９はGa含有層（ステイン層）、
12は処理後の段差、13は黒欠陥、14は白欠陥である。
３は遮光膜となるMoSix膜、４はレジストパターン、５
は異物、６は集束イオンビーム、７はデポジションガ
ス、８は堆積カーボン、９はGa含有層（ステイン層）、
12は処理後の段差、13は黒欠陥、14は白欠陥である。
まず図（ａ）に示されるように、基板１上にMoSix膜
３をMoSixターゲットを用いてスパッタリング法で成膜
する。
３をMoSixターゲットを用いてスパッタリング法で成膜
する。
次に図（ｂ）のように所望のマスクパターン形状にレ
ジスト４をパターニングする。レジスト４としては、EB
R−９（ポジ型）、CMS（ネガ型）等を5000Å程度塗布
し、電子ビーム露光装置を用いて描画した後、所定の現
像液で現像する。なお、５は上記図（ａ），（ｂ）の工
程で付着した異物であり、また右側のレジストパターン
４はレジスト４中に異物又は気泡が混入していたため欠
けた状態となっている。
ジスト４をパターニングする。レジスト４としては、EB
R−９（ポジ型）、CMS（ネガ型）等を5000Å程度塗布
し、電子ビーム露光装置を用いて描画した後、所定の現
像液で現像する。なお、５は上記図（ａ），（ｂ）の工
程で付着した異物であり、また右側のレジストパターン
４はレジスト４中に異物又は気泡が混入していたため欠
けた状態となっている。
次に図（ｃ）に示されるように、CF4プラズマを用い
た反応性イオンエッチング（RIE）法によって、レジス
トパターン４をマスクとして用いMoSix膜３をエッチン
グする。ここで、異物５はエッチングされないので、Mo
SiXの層に転写される。
た反応性イオンエッチング（RIE）法によって、レジス
トパターン４をマスクとして用いMoSix膜３をエッチン
グする。ここで、異物５はエッチングされないので、Mo
SiXの層に転写される。
そして図（ｃ）に示すように、酸素プラズマ中でレジ
スト４を除去した後、欠陥検査装置によってパターン欠
陥を検査する。このとき、異物５による黒欠陥13と、レ
ジスト４欠けによる白欠陥14とが検出される。
スト４を除去した後、欠陥検査装置によってパターン欠
陥を検査する。このとき、異物５による黒欠陥13と、レ
ジスト４欠けによる白欠陥14とが検出される。
以上のようにして生じた欠陥を修正するのに、検査デ
ータに応じて、黒欠陥13,白欠陥14共に集束イオンビー
ム（FIB）６を両欠陥領域に照射する。上記FIB6として
は30KeV程度のGa+ビーム（約300pA）を用いる。
ータに応じて、黒欠陥13,白欠陥14共に集束イオンビー
ム（FIB）６を両欠陥領域に照射する。上記FIB6として
は30KeV程度のGa+ビーム（約300pA）を用いる。
まず黒欠陥13の場合、FIB6を欠陥領域に照射して、ス
パッタエッチングして除去される。この場合、FIB6を欠
陥13付近に照射し発生した２次元電子や２次電子や２次
イオンを取り込んでイメージングしてから修正を行な
が、修正領域の指定は欠陥を完全に包含して形で行なわ
れ、したがって、欠陥以外の部分にもGaイオンが照射さ
れ、基板１に侵入（注入）、または基板１がエッチング
されることとなる。欠陥領域がスパッタエッチングされ
るのに伴って残留MoSix3の面積に応じて照射領域がせば
められる工夫がしてあるが、Gaイオンが注入され基板１
がエッチングされることは完全に回避できない。
パッタエッチングして除去される。この場合、FIB6を欠
陥13付近に照射し発生した２次元電子や２次電子や２次
イオンを取り込んでイメージングしてから修正を行な
が、修正領域の指定は欠陥を完全に包含して形で行なわ
れ、したがって、欠陥以外の部分にもGaイオンが照射さ
れ、基板１に侵入（注入）、または基板１がエッチング
されることとなる。欠陥領域がスパッタエッチングされ
るのに伴って残留MoSix3の面積に応じて照射領域がせば
められる工夫がしてあるが、Gaイオンが注入され基板１
がエッチングされることは完全に回避できない。
一方、白欠陥14の修正の場合には、欠陥イメージング
後、デポジションガス７を導入しつつFIB6を照射してカ
ーボン膜８を堆積させる。このデポジションガス７とし
ては、芳香族炭化水素ガスを用いる。またカーボン膜８
には、照射されたGaイオンが含有するが、カーボン膜８
はMoSix膜３及び基板１との密着性もよく光の遮断特性
が良好なものである。
後、デポジションガス７を導入しつつFIB6を照射してカ
ーボン膜８を堆積させる。このデポジションガス７とし
ては、芳香族炭化水素ガスを用いる。またカーボン膜８
には、照射されたGaイオンが含有するが、カーボン膜８
はMoSix膜３及び基板１との密着性もよく光の遮断特性
が良好なものである。
図（ｆ）は修正後の断面図であり、Gaを含むステイン
層９は、黒欠陥13の下方に相当するQZ基板１に段差とと
もに分布しており、このGaはQZ基板１に数百Å程度注入
されている。また上記段差も100〜200Å程度の深さで発
生する。
層９は、黒欠陥13の下方に相当するQZ基板１に段差とと
もに分布しており、このGaはQZ基板１に数百Å程度注入
されている。また上記段差も100〜200Å程度の深さで発
生する。
そして図（ｇ）に示すように、Gaステイン層９除去の
ための後処理を行い、欠陥のないマスクを完成させる。
この後処理には、NaOH（1N）によるウェットエッチング
処理を用いる。なお、MoSix3に代えてCrを用いる場合
は、CF4プラズマを用いて同処理を行なうことができる
がいずれの場合も、図（ｇ）に示すような段差12残存す
ることとなる。また条件によっては、僅かながらGaステ
イン層９が残ることもある。
ための後処理を行い、欠陥のないマスクを完成させる。
この後処理には、NaOH（1N）によるウェットエッチング
処理を用いる。なお、MoSix3に代えてCrを用いる場合
は、CF4プラズマを用いて同処理を行なうことができる
がいずれの場合も、図（ｇ）に示すような段差12残存す
ることとなる。また条件によっては、僅かながらGaステ
イン層９が残ることもある。
また第６図は上記第４図（ｂ），（ｃ）の場合におけ
るフォトマスクの製造工程断面図を示す、第６図
（ａ），（ｂ）は第４図（ｂ）の構造のものに対応して
いる。この場合、基板１上のMoSix膜３上にMoSiOx膜10
がスパッタ成膜されており、MoSiOx膜10はMoSix膜３と
ほぼ同じ条件でエッチングされるので製造フロー及び完
成後の段差,Gaステイン残留12も第５図と同じようにし
て起こるものである。
るフォトマスクの製造工程断面図を示す、第６図
（ａ），（ｂ）は第４図（ｂ）の構造のものに対応して
いる。この場合、基板１上のMoSix膜３上にMoSiOx膜10
がスパッタ成膜されており、MoSiOx膜10はMoSix膜３と
ほぼ同じ条件でエッチングされるので製造フロー及び完
成後の段差,Gaステイン残留12も第５図と同じようにし
て起こるものである。
また第６図（ｂ），（ｃ）は第４図（ｃ）の構造のも
のに対応している。この場合、MoSix膜３の下にMoSiOx
膜11がスパッタ成膜されている。
のに対応している。この場合、MoSix膜３の下にMoSiOx
膜11がスパッタ成膜されている。
この場合、MoSix膜３エッチング時にMoSiOx膜10,11も
エッチングされるが、黒欠陥13のためMoSix膜３パター
ン直下にMoSiOx膜11の一部が存在し、黒欠陥13のFIB6に
よる修正時にGaステイン９がこのMoSiOx膜11に生じる。
後処理によって、このGaステイン９を除去するとMoSiOx
膜11も除去されるので後処理することができるない。し
たがって、MoSiOx膜11内のGaステイン９及び基板１の段
差12が残ることとなる。
エッチングされるが、黒欠陥13のためMoSix膜３パター
ン直下にMoSiOx膜11の一部が存在し、黒欠陥13のFIB6に
よる修正時にGaステイン９がこのMoSiOx膜11に生じる。
後処理によって、このGaステイン９を除去するとMoSiOx
膜11も除去されるので後処理することができるない。し
たがって、MoSiOx膜11内のGaステイン９及び基板１の段
差12が残ることとなる。
従来のフォトマスク及びその製造方法は、以上のよう
に構成されているので、マスクパターンのエッチング時
に、パターン以外の領域ではマスク基板（QZ）が露出す
ることとなるため、マスクの黒欠陥パターンを修正する
際、FIB照射時のイオン（Ga）が欠陥周辺部のマスク基
板中に侵入し、この基板中に進入したイオンが光転写時
の光の透過を低下させるという問題点があった。また、
後処理によって上記イオン含有層を取り除くこともでき
るが、イオン含有層が優先的に除去され基板に段差が発
生し、この段差が光転写工程によってウエハ上に転写さ
れるという問題点があった。上記のような問題点は、パ
ターンの微細化にともなって露光波長が短くなるほど著
しく大きな影響を生じるものである。
に構成されているので、マスクパターンのエッチング時
に、パターン以外の領域ではマスク基板（QZ）が露出す
ることとなるため、マスクの黒欠陥パターンを修正する
際、FIB照射時のイオン（Ga）が欠陥周辺部のマスク基
板中に侵入し、この基板中に進入したイオンが光転写時
の光の透過を低下させるという問題点があった。また、
後処理によって上記イオン含有層を取り除くこともでき
るが、イオン含有層が優先的に除去され基板に段差が発
生し、この段差が光転写工程によってウエハ上に転写さ
れるという問題点があった。上記のような問題点は、パ
ターンの微細化にともなって露光波長が短くなるほど著
しく大きな影響を生じるものである。
さらに、後処理の条件、例えばMoSi/MoSiOX/QZをCF4
プラズマで後処理するよな場合には、マスクパターン自
体がエッチングされてしまうという問題点があった。
プラズマで後処理するよな場合には、マスクパターン自
体がエッチングされてしまうという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、マスクの黒欠陥パターン修正時に起こるイ
オンの基板への侵入や基板の段差による光転写時の光透
過率の低下を妨げることのできるフォトマスクの構造及
び構造方法を提供することを目的とする。
れたもので、マスクの黒欠陥パターン修正時に起こるイ
オンの基板への侵入や基板の段差による光転写時の光透
過率の低下を妨げることのできるフォトマスクの構造及
び構造方法を提供することを目的とする。
この発明に係るフォトマスクの製造方法は、マスク基
板上に金属酸化膜を全面に形成し、該金属酸化膜上全面
に遮光膜を形成し、該遮光膜上にレジストパターンを形
成した後、上記金属酸化膜をエッチングせず上記遮光膜
のみをエッチングする第１のエッチャントによりパター
ニングし、さらに上記レジストパターンを除去した後、
黒欠陥部である遮光膜残渣をエネルギービームの照射に
よって除去し、上記遮光膜をマスクとして、該遮光膜を
エッチングせず上記金属酸化膜のみをエッチングする第
２のエッチャントを用いて上記金属酸化膜を選択的に除
去するようにしたものである。
板上に金属酸化膜を全面に形成し、該金属酸化膜上全面
に遮光膜を形成し、該遮光膜上にレジストパターンを形
成した後、上記金属酸化膜をエッチングせず上記遮光膜
のみをエッチングする第１のエッチャントによりパター
ニングし、さらに上記レジストパターンを除去した後、
黒欠陥部である遮光膜残渣をエネルギービームの照射に
よって除去し、上記遮光膜をマスクとして、該遮光膜を
エッチングせず上記金属酸化膜のみをエッチングする第
２のエッチャントを用いて上記金属酸化膜を選択的に除
去するようにしたものである。
この発明においては、マスク基板上に所定の第１のエ
ッチャントによりパターニングしてなる遮光膜を備えた
フォトマスクにおいて、上記マスク基板と遮光膜との間
に設けられ、上記エッチャントに対し耐エッチング性を
有し、上記遮光膜を溶かさない第２のエッチャントによ
ってエッチング可能な金属酸化膜を設け、第１のエッチ
ャントによって遮光膜を形成した後、金属酸化膜が基板
上全面に残った状態でエネルギービームを照射してパタ
ーン欠陥を修正し、その後第２のエッチャントによって
金属酸化膜を選択的に除去するようにしたので、マスク
の黒欠陥パターン修正時にイオンが基板への侵入するこ
とがなく、また基板に段差が生じ、光転写時の光透過率
の低下が起こることがない。
ッチャントによりパターニングしてなる遮光膜を備えた
フォトマスクにおいて、上記マスク基板と遮光膜との間
に設けられ、上記エッチャントに対し耐エッチング性を
有し、上記遮光膜を溶かさない第２のエッチャントによ
ってエッチング可能な金属酸化膜を設け、第１のエッチ
ャントによって遮光膜を形成した後、金属酸化膜が基板
上全面に残った状態でエネルギービームを照射してパタ
ーン欠陥を修正し、その後第２のエッチャントによって
金属酸化膜を選択的に除去するようにしたので、マスク
の黒欠陥パターン修正時にイオンが基板への侵入するこ
とがなく、また基板に段差が生じ、光転写時の光透過率
の低下が起こることがない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図は本発明の一実施例によるフォトマスクその製造方
法によるフォトマスクの断面図であり、第４図ないし第
６図と同一符号は同一または相当部分を示し、２はCrOX
（金属酸化膜）である。このCrOX2は、CCl4プラズマ
（第２のエッチャント）ではエッチングされるが、CF4
プラズマ（第１のエッチャント）ではエッチングされな
い。一方、MoSiX（遮光膜）はCF4プラズマではエッチン
グされるが、CCl4＋O2プラズマではエッチングされな
い。
１図は本発明の一実施例によるフォトマスクその製造方
法によるフォトマスクの断面図であり、第４図ないし第
６図と同一符号は同一または相当部分を示し、２はCrOX
（金属酸化膜）である。このCrOX2は、CCl4プラズマ
（第２のエッチャント）ではエッチングされるが、CF4
プラズマ（第１のエッチャント）ではエッチングされな
い。一方、MoSiX（遮光膜）はCF4プラズマではエッチン
グされるが、CCl4＋O2プラズマではエッチングされな
い。
次に第２図を用いて第１図のフォトマスクの製造方法
を説明する。
を説明する。
図（ａ）においてQZ基板１上にCrOX2,MoSi3をそれぞ
れ厚さ200〜300Å,1000Å前後で順次成膜する。このと
きCrOX2は例えば反応性の真空蒸着法スパッタリング法
を用いて成膜し、MoSi3はMoSiXをターゲットとして用い
たスパッタリング法等で成膜する。
れ厚さ200〜300Å,1000Å前後で順次成膜する。このと
きCrOX2は例えば反応性の真空蒸着法スパッタリング法
を用いて成膜し、MoSi3はMoSiXをターゲットとして用い
たスパッタリング法等で成膜する。
次に図（ｂ）に示すように。所望のパターン形状にレ
ジスト４をパターニングする。レジストとしてはEBR−
９（ポジ）,CMS（ネガ）等を5000Å程度塗布し、電子ビ
ーム露光装置を用いて描画した後、所定の現像液で現像
する。なお５は（ａ），（ｂ）の工程で付着した異物で
あり、また右側のレジストパターン４はレジスト中に異
物が混入していたために欠けた状態となっている。
ジスト４をパターニングする。レジストとしてはEBR−
９（ポジ）,CMS（ネガ）等を5000Å程度塗布し、電子ビ
ーム露光装置を用いて描画した後、所定の現像液で現像
する。なお５は（ａ），（ｂ）の工程で付着した異物で
あり、また右側のレジストパターン４はレジスト中に異
物が混入していたために欠けた状態となっている。
次いで図（ｃ）に示すように、CF4プラズマを用いた
反応性イオンエッチング（RIE）法によってレジストパ
ターン４をマスクとしてエッチングを行なう。なお、異
物５はエッチングされないのでMoSiX3の層に転写され
る。
反応性イオンエッチング（RIE）法によってレジストパ
ターン４をマスクとしてエッチングを行なう。なお、異
物５はエッチングされないのでMoSiX3の層に転写され
る。
次に図（ｄ）に示すように、酸素プラズマ中でレジス
トを除去した後、欠陥検査装置によってパターン欠陥を
検査する。この場合、異物５による黒欠陥13とレジスト
欠けによる自欠陥14が検出される。
トを除去した後、欠陥検査装置によってパターン欠陥を
検査する。この場合、異物５による黒欠陥13とレジスト
欠けによる自欠陥14が検出される。
次に図（ｅ）に示すように上記欠陥を検査データに応
じて、黒欠陥13,白欠陥14ともに集束イオンビーム（FI
B）６を照射することによって修正する。このFIB6とし
ては30keV程度のGa+ビーム（約300pA）を用いる。黒欠
陥13の場合は（FIB）６を該欠陥領域に照射してスパッ
タエッチングして除去されるが、欠陥の周辺部のCrOX2
層がわずかにエッチングされると同時にGaイオンが侵入
し、図に示すようなGaステイン９を形成する。
じて、黒欠陥13,白欠陥14ともに集束イオンビーム（FI
B）６を照射することによって修正する。このFIB6とし
ては30keV程度のGa+ビーム（約300pA）を用いる。黒欠
陥13の場合は（FIB）６を該欠陥領域に照射してスパッ
タエッチングして除去されるが、欠陥の周辺部のCrOX2
層がわずかにエッチングされると同時にGaイオンが侵入
し、図に示すようなGaステイン９を形成する。
一方、白欠陥14の場合、FIB6をデポジションガス７と
ともに照射してカーボン膜８を堆積させる。ここでデポ
ジションガス７としては芳香族炭化水素ガスを用いる。
この場合膜８はGa含有のカーボン膜として堆積される。
この膜８はMoSiX膜３及び基板１との密着性も良く、光
のしゃ断特性は良好である。
ともに照射してカーボン膜８を堆積させる。ここでデポ
ジションガス７としては芳香族炭化水素ガスを用いる。
この場合膜８はGa含有のカーボン膜として堆積される。
この膜８はMoSiX膜３及び基板１との密着性も良く、光
のしゃ断特性は良好である。
図（ｆ）は修正後の断面図であり、Gaステイン層９は
段差とともに、黒欠陥13下方相当のCrOX膜２に分布して
いるが、このCrOX膜２は200Å〜300Åであるから、Gaイ
オンはQZ基板１にほとんど侵入することはない。
段差とともに、黒欠陥13下方相当のCrOX膜２に分布して
いるが、このCrOX膜２は200Å〜300Åであるから、Gaイ
オンはQZ基板１にほとんど侵入することはない。
さらに図（ｇ）に示すように、MoSiX膜３及び膜８下
方領域以外の不要な部分のCrOX膜２をエッチング除去す
る。このエッチングは（CCl4＋O2）プラズマを用いたRI
Eによって行なう。このエッチングによって、Gaステイ
ン層９はCrOX膜２ごと除去される。また、カーボン膜８
はこの（CCl4＋O2）プラズマを用いた短時間のRIEでは
ほとんどエッチングされない。以上のようにして欠陥の
ないマスクが作成される。
方領域以外の不要な部分のCrOX膜２をエッチング除去す
る。このエッチングは（CCl4＋O2）プラズマを用いたRI
Eによって行なう。このエッチングによって、Gaステイ
ン層９はCrOX膜２ごと除去される。また、カーボン膜８
はこの（CCl4＋O2）プラズマを用いた短時間のRIEでは
ほとんどエッチングされない。以上のようにして欠陥の
ないマスクが作成される。
このように本実施例によれば、マスク基板１上に第１
のエッチャント（CF4プラズマ）によりパターニングし
てなる遮光膜であるMoSiX3を備えたフォトマスクにおい
て、上記マスク基板１とMoSiX3との間に設けられ、上記
第１のエッチャントに対し耐エッチング性を有し、上記
MoSiX3を溶かさない第２のエッチャント（CCl4＋O2プラ
ズマ）によってエッチング可能な金属酸化膜（CrOX膜
２）を設け、CF4プラズマによってMoSiXからなる遮光膜
を形成した後、CrOX膜２が基板１上全面に残った状態で
収束イオンビーム６を照射して黒，白欠陥13,14を修正
し、その後（CCl4＋O2）プラズマによってCrOX膜２を選
択的に除去するようにしたので、黒欠陥パターン13修正
時にGaイオンはCrOX膜２でブロックされ基板１への侵入
することがなく、また基板１に段差12が生じず、光転写
時の光透過率の低下が起こることがない。
のエッチャント（CF4プラズマ）によりパターニングし
てなる遮光膜であるMoSiX3を備えたフォトマスクにおい
て、上記マスク基板１とMoSiX3との間に設けられ、上記
第１のエッチャントに対し耐エッチング性を有し、上記
MoSiX3を溶かさない第２のエッチャント（CCl4＋O2プラ
ズマ）によってエッチング可能な金属酸化膜（CrOX膜
２）を設け、CF4プラズマによってMoSiXからなる遮光膜
を形成した後、CrOX膜２が基板１上全面に残った状態で
収束イオンビーム６を照射して黒，白欠陥13,14を修正
し、その後（CCl4＋O2）プラズマによってCrOX膜２を選
択的に除去するようにしたので、黒欠陥パターン13修正
時にGaイオンはCrOX膜２でブロックされ基板１への侵入
することがなく、また基板１に段差12が生じず、光転写
時の光透過率の低下が起こることがない。
また基板１上に形成したCrOX膜２は欠陥検査時の検査
光に対しては透明であり、検査に支障をきたすことがな
い。
光に対しては透明であり、検査に支障をきたすことがな
い。
なお、上記実施例ではQZ/CrOX/MoSiX構造のフォトマ
スクについて述べたが、QZ/CrOX/MoSiX/MoSiOX構造のも
のについても第３図のように形成することができ同様の
効果を奏する。
スクについて述べたが、QZ/CrOX/MoSiX/MoSiOX構造のも
のについても第３図のように形成することができ同様の
効果を奏する。
また金属MoSiXをCrに、金属酸化膜CrOxをMoSiXOyに替
えても同様の結果が得られる。
えても同様の結果が得られる。
またMoSiX及びMoSiXOyのかわりにTaSiXOy等の遷移金
属シリサイドを用いても同様の結果を得ることができ
る。
属シリサイドを用いても同様の結果を得ることができ
る。
さらに、CrまたはCrOXのエッチングにCCl4＋O2による
RIEを用いたが、これに替えて、エッチング液として
〔（NH4）2Ce（NO3）６＋HClO4〕水溶液によるウェット
エッチングを用いてもよい。
RIEを用いたが、これに替えて、エッチング液として
〔（NH4）2Ce（NO3）６＋HClO4〕水溶液によるウェット
エッチングを用いてもよい。
以上のようにこの発明に係るフォトマスク及びその製
造方法よれば、マスク基板上に所定の第１のエッチャン
トによりパターニングしてなる遮光膜を備えたフォトマ
スクにおいて、上記マスク基板と遮光膜との間に設けら
れ、上記エッチャントに対し耐エッチング性を有し、上
記遮光膜を溶かさない第２のエッチャントによってエッ
チング可能な金属酸化膜を設け、第１のエッチャントに
よって遮光膜を形成した後、金属酸化膜が基板上全面に
残った状態でエネルギービームを照射してパターン欠陥
を修正し、その後第２のエッチャントによって金属酸化
膜を選択的に除去するようにしたので、マスクの黒欠陥
パターン修正時のイオンの基板への侵入によるステイン
層や基板段差のないフォトマスクを得ることができると
いう効果がある。
造方法よれば、マスク基板上に所定の第１のエッチャン
トによりパターニングしてなる遮光膜を備えたフォトマ
スクにおいて、上記マスク基板と遮光膜との間に設けら
れ、上記エッチャントに対し耐エッチング性を有し、上
記遮光膜を溶かさない第２のエッチャントによってエッ
チング可能な金属酸化膜を設け、第１のエッチャントに
よって遮光膜を形成した後、金属酸化膜が基板上全面に
残った状態でエネルギービームを照射してパターン欠陥
を修正し、その後第２のエッチャントによって金属酸化
膜を選択的に除去するようにしたので、マスクの黒欠陥
パターン修正時のイオンの基板への侵入によるステイン
層や基板段差のないフォトマスクを得ることができると
いう効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるフォトマスク構造の
断面図、第２図はこの発明の一実施例によるフォトマス
クの各製造工程断面図、第３図はこの発明の他の実施例
によるフォトマスクの構造断面図、第４図は従来のフォ
トマスク構造の断面図、第５図は従来のフォトマスクの
各製造工程断面図、第６図は従来の他のフォトマスク構
造の断面図である。 １はフォトマスク基板、２はCrOx膜（金属酸化膜）、３
はMoSi（遮光膜）、４はレジストパターン、５は異物、
６は集束イオンビーム（エネルギービーム）、７はデポ
ジションガス（芳香族炭化水素）、８は堆積カーボン、
９はGa含有層（Gaステイン）、12は後処理後の段差，残
留ステイン、13は黒欠陥、14は白欠陥である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
断面図、第２図はこの発明の一実施例によるフォトマス
クの各製造工程断面図、第３図はこの発明の他の実施例
によるフォトマスクの構造断面図、第４図は従来のフォ
トマスク構造の断面図、第５図は従来のフォトマスクの
各製造工程断面図、第６図は従来の他のフォトマスク構
造の断面図である。 １はフォトマスク基板、２はCrOx膜（金属酸化膜）、３
はMoSi（遮光膜）、４はレジストパターン、５は異物、
６は集束イオンビーム（エネルギービーム）、７はデポ
ジションガス（芳香族炭化水素）、８は堆積カーボン、
９はGa含有層（Gaステイン）、12は後処理後の段差，残
留ステイン、13は黒欠陥、14は白欠陥である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】マスク基板上に遮光膜をパターニングして
フォトマスクを製造する方法において、 マスク基板上に金属酸化膜を全面に形成する工程と、 該金属酸化膜上全面に遮光膜を形成する工程と、 該遮光膜上にレジストパターンを形成する工程と、 上記金属酸化膜をエッチングせず上記遮光膜のみをエッ
チングする第１のエッチャントを用いて上記遮光膜のみ
をパターニングする工程と、 上記レジストパターンを除去した後、黒欠陥部である遮
光膜残渣をエネルギービームの照射によって除去する工
程と、 上記遮光膜をエッチングせず上記金属酸化膜のみをエッ
チングする第２のエッチャントを用いて、上記遮光膜を
マスクとして、上記金属酸化膜を選択的に除去する工程
とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載のフォトマスクの製造方法に
おいて、 遮光膜残渣の除去の際、遮光膜の白欠陥部にデポジショ
ンガスの導入とともにエネルギービームの照射を行ない
遮光膜の修復を行なうことを特徴とするフォトマスクの
製造方法。 - 【請求項３】請求項１記載のフォトマスクの製造方法に
おいて、 上記エネルギービームはイオンビームであり、 上記金属酸化膜は、その膜厚を上記イオンビームが基板
に到達しない厚さに設定したものであることを特徴とす
るフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23758990A JP2539945B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23758990A JP2539945B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116657A JPH04116657A (ja) | 1992-04-17 |
| JP2539945B2 true JP2539945B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=17017562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23758990A Expired - Fee Related JP2539945B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2539945B2 (ja) |
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| JP2543680B2 (ja) * | 1985-10-02 | 1996-10-16 | セイコー電子工業株式会社 | マスクリペア装置 |
| JPS6462645A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | Method and device for correcting pattern |
| JP2610456B2 (ja) * | 1987-11-13 | 1997-05-14 | セイコー電子工業株式会社 | パターン膜修正方法 |
| JP2675044B2 (ja) * | 1988-02-25 | 1997-11-12 | 大日本印刷株式会社 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH0646298B2 (ja) * | 1988-06-07 | 1994-06-15 | 三菱電機株式会社 | フォトマスク製造方法 |
| JPH02205683A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビーム式加工装置 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP23758990A patent/JP2539945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04116657A (ja) | 1992-04-17 |
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