JPH021850A - フォトマスクの修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はフォトマスクの修正方法に関するものであり
、特に、欠損部分の生じた図計パターンを含むフォトマ
スクの修正方法に関するものである。

［従来の技術］ フォトマスクは、設計された図形データを、ステッパ　
アライナにより、ウェハ上に転写するための原版である
。このフォトマスクには、製造時における様々な要因（
たとえば、ごみの付菅等）により、設計されたパターン
以外のパターンができる可能性があり、これらは通常、
欠陥と呼ばれている。これらの欠陥は、歩留りを上げる
ために取り除くべき必要のあるものである。これらの欠
陥のうち、フォトマスク上で図計パターン以外の余分な
遮光材料が残っている場合を黒欠陥と呼んでいる。また
逆に、図計パターン上で、本来、遮光材料があるべき部
分が抜けている場合（欠損している場合）を白欠陥と呼
んでいる。黒欠陥の修正は、該黒欠陥の部分にレーザを
照射し、その部分の遮光材料を熱蒸発させて修正してい
る。白欠陥の修正は、従来、以下に述べるような複雑な
工程を経て、修正されている。

第３Ａ図は、白欠陥の生じたフォトマスクの平面図であ
る。第３Ｂ図〜第３Ｆ図は、従来の、白欠陥修正方法を
説明するための断面図である。なお、第３Ｂ図〜第３Ｆ
図に示す断面図は、第３Ａ図における■−■断面図であ
る。

第３Ａ図を参照して、１はフ第１・マスクである。

フォトマスク１の上に、図形パターン２か１１３成され
ている。図形パターン２には、白欠陥３が生じている。

次に、第３Ｂ図〜第３Ｆ図をり照して、上記白欠陥３の
修正方法を説明する。

第３Ｂ図を参照して、白欠陥３の生じた図計パターン２
を含むフォトマスク１の全面に、ポジ型レジスト４を塗
布する。次に、第３Ｃ図を参照して、白欠陥３の部分を
光５てスポット露光する。

次いで、第３Ｄ図を参照して、現象を行なって、白欠陥
３の部分のレジストを除去する。その後、第３Ｅ図を参
照して、クロム等の金属膜６を全面に蒸着する。その後
、第３Ｆ図を参照して、リフトオフ法を用いて、レジス
ト４およびレジスト４上の金属膜６を除去する。これに
より、白欠陥の修正が完了する。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の白欠陥修正方法は以上のような工程により行なわ
れていた。この方法では、なるほど、白欠陥部のみに金
属膜６が蒸着されて、白欠陥の修正が行なわれ得る。し
かしながら、この修正方法は工程か多い」二に、蒸着工
程およびリフトオフ工程に時間かかかり、全体として数
時間を要するという問題点があった。また、蒸着工程お
よびリフＩ・オフ工程はごみを多く出す工程であり、清
浄度の高い最近のクリーンルームでは、好ましいもの−
Ｃはなかった。さらに、蒸着工程において、蒸着を全面
に行なうため、塗布したレジスト膜にピンホールが存在
すると、このピンホールか原因で、新たな欠陥が生じる
という問題点かぁ−）た。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、より簡単な工程であり、かつより短時間で行
なえる、白欠陥の修正方法を提供することを目ｒ白とす
る。

［課題を解決するための手段］ この発明に係るフォトマスクの白欠陥修正方法は、欠損
部分の生じた図計パターンを含むフオＩ・マスクの上に
レジストを塗布する工程と、上記欠損部分の存在する部
分以外の部分の上記レジストを除去する工程と、上記欠
損部分の存在する部分に残った上記レジストを炭化する
工程と、を備えている。

［作用コ 以上のように、この発明に係る白欠陥修正方法は、「レ
ジスト塗布」　「レジスト除去」　「レジスト炭化」と
いう簡単な工程で行なわれるので、白欠陥修正が短時間
で行なえるようになる。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
Ａ図は白欠陥の生じた図形パターンを含むフォトマスク
の平面図である。図において、１はフォトマスクである
。フォトマスク１は図形パターン２を含んでいる。図形
パターン２には白欠陥３が生じている。

次に、第１Ｂ図〜第１Ｅ図を参照して、上記の白欠陥３
の修正方法について説明する。

第１Ｂ図を参照して、白欠陥３の生じた図形パターン２
を含むフォトマスク１の上に、全面的に、レジスト４（
ネガ型レジストであってもよいし、ポジ型レジストであ
ってもよい。）を塗布する。

次に、第１Ｃ図を参照して、レジスト４がポジ型であれ
ば、白欠陥３の部分以外の領域を光５（レジスト４がフ
ォトレジストの場合）または電子ビームあるいはイオン
ビーム（１ノジスト４が電子ビーム用レジストの場合）
で露光する。また、レジストがネガ型であれば、白欠陥
部分を、光（フォトレジストの場合）、または電子ビー
ム、イオンビーム（レジストか電子ビーム用レジストの
場合）で露光する。

次に、第１Ｄ図を参照して、現像を行なうと、白欠陥３
部分にレジスト４か残る。

その後、フォトマスク１全面に加熱処理または紫外線処
理等を施すと、レジスト４か炭化し、光学的に不透明な
膜７に変質する。これによって、白欠陥が修正される。

なお、上記実施例では、欠損部分か白欠陥である場合に
ついて説明′したが、他の種類の欠損部分であっても実
施例と同様の効果を実現する。たとえば、第２図に欠損
部分の他の態様を示す。図中、１はフォトマスクであり
、２は図形パターンである。図中、参照符号８で示す欠
陥は侵入型（ｉｎｔｒｕｓｉｏｎ）の欠陥であり、参照
符号９で示すのは破断型（ｂ　ｒ　ｅ　ａ　ｋ）の欠陥
であり、参照符号１０で示すのはパターンミスによる欠
陥である。以上のような欠損部分は、すべて、本発明に
係る修正方法によって修正され得る。

また、上記実施例では、レジストがフォトレジストの場
合は光で、レジストが電子ビーム用レジストの場合は電
子ビームまたはイオンビームで露光した場合について説
明したが、レジストが電子ビームまたはイオンビームに
感度のあるフ第１・レジストである場合、または、レジ
ストが光に感度のある電子ビーム用レジストの場合には
、フォトレジストを電子ビームまたはイオンビームて、
または電子ビーム用レジストを光で露光しても実施例と
同様の効果を実現する。

また上記実施例では、レジストにフォトレジスト、電子
ビーム用レジストを例示して説明したが、この発明はこ
れに限定されるものでなく、光、電子ビーム、イオンビ
ームに感度を持つ有機高分子材料はもちろん使用するこ
とかできる。

また、上記実施例では、レジストの炭化を加熱処理また
は紫外線処理をすることによって行なった場合について
説明したが、この発明はこれに限られるものでなく、電
子線照射、イオンビーム照射、プラズマ処理等でレジス
トを炭化させてもよい。

［発明の効果コ 以上説明したとおり、この発明によれば、「レジスト塗
布」　「レジスト除去」　「レジスト炭化」という簡単
な工程で白欠陥の修正を行なえるので、修正時間を大幅
に短縮することができるという効果を奏する。また、従
来行なっていた、厄介な工程である蒸着工程、リフトオ
フ工程をなくすことができるので、その分、製造コスト
は減少する。

また、従来の方法であると、修正時のレジスト膜にピン
ホールがある場合、蒸着により新たな黒欠陥を生成する
という事態が発生していたか、この発明に係る方法では
そのような心配はなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図、第１Ｂ図、第１Ｃ図、第１Ｄ図および第１Ｅ
図はこの発明の一実施例の工程図である。 第２図は、パターンの欠損部分の他の態様を示し醪 だ参のである。第３Ａ図、第３Ｂ図、第３Ｃ図、第３Ｄ
図、第３Ｅ図および第３Ｆ図は従来の白欠陥の修正方法
を示した図である。 図において、１はフォトマスク、２は図形パターン、３
は白欠陥、４はレジスト、５は光、７は不透明膜である
。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第２０

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 欠損部分の生じた図計パターンを含むフォトマスクの上
   にレジストを塗布する工程と、 前記欠損部分の存在する部分以外の部分の前記レジスト
   を除去する工程と、 前記欠損部分の存在する部分に残った前記レジストを炭
   化する工程と、 を備えた、フォトマスクの修正方法。