JPS63246745A - ホトマスクの作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ホトリソグラフィ工程で使用するホトマスク
の作製方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、ホトマスクの作製方法であり、基板上に選択
的に形成した段差層も覆うようにマスク材を全面に被着
した後、段差層を除去してホトマスク層を形成すること
により、白欠陥のない、良好なホトマスクが作製できる
ようにしたものである。

〔従来の技術〕

半導体装置を製造するためのホトリソグラフィ工程にお
いて使用するホトマスクは、ガラス等より成る透明基板
上にウェハへの転写時の照射エネルギー（紫外線等）を
遮蔽する物質から成る薄膜（現在は主にクロムＣｒ）を
形成したマスクブランクスに対し、レジストを塗布した
後、光、電子線等のエネルギーを用いてパターンを形成
し、この後レジストパターンをマスクにして上記薄膜を
エツチングしてホトマスク層を形成することにより作製
されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述したようなホトマスクの作製工程において、本来ホ
トマスク層として残るべき薄膜部分がエツチングされて
ピンホール、欠は等のいわゆる白欠陥が生じたり、逆に
本来除去されるべき部分の薄膜が残っていわゆる黒欠陥
が生じたりした場合には、半導体装置製造工程における
歩留りに大きな影響を及ぼすことになる。そこで、ウェ
ハ転写時に使用される装置の解像力よりも大きな欠陥が
生じた場合は、その欠陥を修正した後使用している。

一般に黒欠陥は、レーザリペア装置！（スポット状のレ
ーザ光を黒欠陥部分に照射し、その熱により不要な薄膜
を除去する装置）を使用することにより、容易に修正す
ることができる。しかし、白欠陥を修正する場合には、
（ｉ）白欠陥部分も覆う全面へのレジストの塗布、（ｉ
ｉ）欠陥部分のみの露光と現像、（ｉｉｉ　）全面への
マスク材の被着、（ｉｖ　）レジストの除去という複雑
な工程が必要となり、時間も数時間を要していた。

本発明は、上述の点に鑑みて、欠陥の生ずる虞れのない
ホトマスクの作製方法を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係るホトマスク（７）の作製方法においては、
透明基板（１）上のホトマスク層（４）を形成すべき部
分以外の部分に選択的に段差層となるレジストＪｉｉ　
（３１を形成する工程と、レジス）ｌｉｔ（３）上も含
めて全面にウェハへの転写時の照射エネルギーを遮蔽す
るマスク材（５）を被着する工程と、上層のマスク材（
５）と共にレジスト層（３）を除去してホトマスク層（
４）を形成する工程を有する。

〔作用〕

本発明によれば、マスク材（５）の被着をレジスト層（
３）のパターニングの後に行うため、白欠陥が生じるこ
となくホトマスク層（４）を良好に形成することができ
る。従って、従来の白欠陥の発生に伴う修正工程が不要
となり、この修正工程に伴って発生する黒欠陥もなくな
る。また、本製法では１種類のレジストでネガとポジの
両方の働きをさせることができるため、別々の現像等の
処理装置は不要となり、製造ラインを１本化することが
可能になる。。

〔実施例〕

第１図を参照して本発明の１実施例を説明する。

先ず第１図Ａに示すように、透明なガラス基板（１）の
上に透明導電膜（２）を形成した後、この上にポジ型の
レジスト層（３）を形成する。この透明導電膜（２）は
、レジスト層（３）を電子線描画装置を使用して描画す
る際の帯電を防止するために形成したものである。

次に第１図Ｂに示すように、電子線を照射し、その後現
像してホトマスク層（４）を形成すべき部分のレジスト
層（３）を除去することにより、それ以外の部分に選択
的にレジスト層（３）を残す。

次に第１図Ｃに示すように、全面にホトリソグラフィ工
程で使用する照射エネルギーを遮蔽する、例えばＣｒよ
り成るマスク材（５）をスパッタリングで被着する。

次に第１図りに示すように、レジストを溶解することが
できる液体中にガラス基板（１）を浸漬してレジス）　
層（３）をその上のマスク材（５）と共に除去すること
により、Ｃｒより成るホトマスク層（４）が形成された
ホトマスク（７）を得る。

上記製法によれば、従来のレジストイメージとは白黒が
反転した形のホトマスク層（４）が得られる。

次に第２図を参照して本発明の他の実施例を説明する。

先ず第２図Ａに示すように、透明なガラス基板（１）の
上にＣｒより成る薄膜（６）を上記第１図Ｃに示すマス
ク材（５）よりも逃かに薄く被着形成した後、この上に
ポジ型のレジストＮ（３）を形成する０例えば、第１図
Ｃのマスク材（５）の厚さを１０００人とした場合、こ
の薄膜（６）は１００〜２００人程度に形成する。

このＣｒの薄膜（６）は、電子線照射の際の基板（１）
の帯電を防止すると共に、後で被着する同じＣｒより成
るマスク材（５）との密着性を高めるために形成したも
のである。

次に第２図Ｂに示すように、電子線を照射し、その後現
像してホトマスク層（４）を形成すべき部分のレジスト
層（３）を除去することにより、それ以外の部分に選択
的にレジスト層（３）を残す。

次に第２図Ｃに示すように、全面にＣｒより成るマスク
材＜５）をスパッタリングで被着する。

次に第２図りに示すように、レジストを溶解する液体中
にガラス基板（１）を浸漬してレジスト層（３）をその
上のマスク材（５）と共に除去する。

次に第２図Ｅに示すように、エツチング（ドライ又はウ
ェットが可能）を施し、Ｃｒのｉ膜（６）が除去された
時点でエツチングを止めることにより、所定のパターン
を有するＣｒのホトマスク層（４）が形成されたホトマ
スク（７）が得られる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、白欠陥が発生することな（ホトマスク
を作製することが可能になる。従って、従来の白欠陥が
発生した場合の複雑で長時間を要する白欠陥修正工程が
不要となるため、ホトマスクの作製工程を大幅に簡略化
することができる。

また、１種類のレジストでネガとポジの両方の働きをさ
せることが可能である。即ち、従来法によればホトマス
ク層が形成されない部分に、本製法によれば同じタイプ
のレジストを用いてホトマスク層を形成することが可能
になる。従って、製造工程を１本化することにより、設
備投資が半分で済み、また工程管理も簡単になる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｄは実施例の工程図、第２図Ａ−Ｅは他の実
施例の工程図である。 （１）はガラス基板、（３）はレジスト層、（４）はホ
トマスク層、（５）はマスク材、（７）はホトマスクで
ある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 透明基板上のホトマスク層を形成すべき部分以外の部分
   に選択的に段差層を形成する工程と、全面にマスク材を
   被着する工程と、 上記段差層をその上のマスク材と共に除去してホトマス
   ク層を形成する工程 を有するホトマスクの作製方法。