JPS61263172A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPS61263172A JPS61263172A JP60104375A JP10437585A JPS61263172A JP S61263172 A JPS61263172 A JP S61263172A JP 60104375 A JP60104375 A JP 60104375A JP 10437585 A JP10437585 A JP 10437585A JP S61263172 A JPS61263172 A JP S61263172A
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- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
薄膜太陽電池はユニットセルを直列接続する場合が多い
、第２図はそのような太陽電池を示し、（ａ）は平面図
、（ｂ）はそのｘ−Ｘ線矢視断面図である。 ガラス仮などの透明絶縁基板ｌの上に形成された三つの
透明電極２１，２２．２３はＩ Ｔ Ｏ、Ｓｎｕｇまた
はそ゛の両者の積層膜からなり、透明導電膜を電子ビー
ム蒸着法あるいはスパンタ蒸着法により基板１上に全面
に被着した後、ホトリソグラフィ法を用いて第２図（４
）では破線で輪郭を示したようにパターン状に形成され
る。この上にｐｉｎ接合型非晶質シリコン （以下ａ−
５ｉと記す）層の三つの６１１ｍ３１゜３２．３３が形
成される。このａ−５ｔ層は、透明電極２１．２２．２
３を覆って基板ｌの全面に厚さがそれぞれ約１００人の
ｐ形層、約ｏ、ｓμｍの１層、約５００人のｎ形層の順
に被着し、ホトリソグラフィ法を用いて第２図＋ａｌで
は実線で輪郭を示したようにパターン杖に形成される。 このパターンは透明電極２１゜２２．２３のパターンと
類似しているが、若干同一方向 （図では右方向）にず
らされており、透明電極の一部を露出させる０次に同様
に金属ＩＭを蒸着法等により全面被着の後、ホトリソグ
ラフィ法を用いて金属電極４４，４１，４２．４３を形
成する。第２図（δ〕において輪郭が鎖線で示され、斜
線を引かれたこのようなパターンをＡＩ等の金属膜をり
ん酸、硝酸、混酸などの酸を用いてエツチングすること
により形成すると、発生機の水素が生じ、透明電極もエ
ツチングされてしまう問題があり、これを避けるために
ＣＩ！、 ＢＣｌ３．ＣＣｌ４のガスを用いてプラズマ
エツチングすることもある。こうして金属電極４４．４
１．４２がそれぞれ透明電極２１，２２．２３と接触す
るように形成されるので、透明電極２１．ａ −Ｓｉ層
３１゜金属電極４１からなるユニットセル１１、透明電
極２２゜ａ−５ｉ層３２．金属電極４２からなるユニッ
トセル１２、透明電極２３．ａ−５ｉ層３３．金属電極
４３からなるユニットセル１３が直列接続された薄膜太
陽電池ができ上がる。しかしこの製造方法では、透明導
電膜。 ａ−３ｉ層、金［膜のホトリソグラフィ法によりバター
ニングする際、それぞれホトレジストを塗布し乾燥する
工程をバッチ式で行わねばならない。 また液状ホトレジストを均一に塗布し、ホトマスクを用
いての露光、焼付けを行うための装置が太陽面積の大面
積化に伴い大型化し、高価になり、さらにホトマスクの
コストも高（なる。 このような問題を解決するために透明電極、ａ−Ｓｔ光
電変換碩域、金属電極のバターニングをレーザビームを
用いて行うことが提案されている。 この方法によればホトレジストの塗布、ホトマスクの使
用が不要となり、連続加工によって大面積の太陽電池を
一つの基板上に作成することが可能になる。 しかし、レーザビームによる加工は線状であるため、第
２図で符号１ｏで示されているように太陽電池をとり囲
む領域の透明源！膜、ａ−５ｉ層、金属膜を全面除去す
ることは手数がかかる。ところがこのような周辺部分で
はａ −５ｉ層に欠陥が生じやすく、両電橿間のリーク
の原因となるため、除去しないでおくことはできない、
さらに各層のレーザ加工によるバターニングの際の位置
決めのためのマーカをこのような周辺領域に形成しなけ
ればならないが、透明基板上の所定の位置に精度よく不
透明のマーカを形成するための特別な工程を必要とする
。そのため、マーカを形成しないで基板の端面合わせ方
式をとっていたが、パターンの位置合わせ精度が低く、
透明を梅と金属電極との短絡が起きて特性不良を招くこ
とがあった。
、第２図はそのような太陽電池を示し、（ａ）は平面図
、（ｂ）はそのｘ−Ｘ線矢視断面図である。 ガラス仮などの透明絶縁基板ｌの上に形成された三つの
透明電極２１，２２．２３はＩ Ｔ Ｏ、Ｓｎｕｇまた
はそ゛の両者の積層膜からなり、透明導電膜を電子ビー
ム蒸着法あるいはスパンタ蒸着法により基板１上に全面
に被着した後、ホトリソグラフィ法を用いて第２図（４
）では破線で輪郭を示したようにパターン状に形成され
る。この上にｐｉｎ接合型非晶質シリコン （以下ａ−
５ｉと記す）層の三つの６１１ｍ３１゜３２．３３が形
成される。このａ−５ｔ層は、透明電極２１．２２．２
３を覆って基板ｌの全面に厚さがそれぞれ約１００人の
ｐ形層、約ｏ、ｓμｍの１層、約５００人のｎ形層の順
に被着し、ホトリソグラフィ法を用いて第２図＋ａｌで
は実線で輪郭を示したようにパターン杖に形成される。 このパターンは透明電極２１゜２２．２３のパターンと
類似しているが、若干同一方向 （図では右方向）にず
らされており、透明電極の一部を露出させる０次に同様
に金属ＩＭを蒸着法等により全面被着の後、ホトリソグ
ラフィ法を用いて金属電極４４，４１，４２．４３を形
成する。第２図（δ〕において輪郭が鎖線で示され、斜
線を引かれたこのようなパターンをＡＩ等の金属膜をり
ん酸、硝酸、混酸などの酸を用いてエツチングすること
により形成すると、発生機の水素が生じ、透明電極もエ
ツチングされてしまう問題があり、これを避けるために
ＣＩ！、 ＢＣｌ３．ＣＣｌ４のガスを用いてプラズマ
エツチングすることもある。こうして金属電極４４．４
１．４２がそれぞれ透明電極２１，２２．２３と接触す
るように形成されるので、透明電極２１．ａ −Ｓｉ層
３１゜金属電極４１からなるユニットセル１１、透明電
極２２゜ａ−５ｉ層３２．金属電極４２からなるユニッ
トセル１２、透明電極２３．ａ−５ｉ層３３．金属電極
４３からなるユニットセル１３が直列接続された薄膜太
陽電池ができ上がる。しかしこの製造方法では、透明導
電膜。 ａ−３ｉ層、金［膜のホトリソグラフィ法によりバター
ニングする際、それぞれホトレジストを塗布し乾燥する
工程をバッチ式で行わねばならない。 また液状ホトレジストを均一に塗布し、ホトマスクを用
いての露光、焼付けを行うための装置が太陽面積の大面
積化に伴い大型化し、高価になり、さらにホトマスクの
コストも高（なる。 このような問題を解決するために透明電極、ａ−Ｓｔ光
電変換碩域、金属電極のバターニングをレーザビームを
用いて行うことが提案されている。 この方法によればホトレジストの塗布、ホトマスクの使
用が不要となり、連続加工によって大面積の太陽電池を
一つの基板上に作成することが可能になる。 しかし、レーザビームによる加工は線状であるため、第
２図で符号１ｏで示されているように太陽電池をとり囲
む領域の透明源！膜、ａ−５ｉ層、金属膜を全面除去す
ることは手数がかかる。ところがこのような周辺部分で
はａ −５ｉ層に欠陥が生じやすく、両電橿間のリーク
の原因となるため、除去しないでおくことはできない、
さらに各層のレーザ加工によるバターニングの際の位置
決めのためのマーカをこのような周辺領域に形成しなけ
ればならないが、透明基板上の所定の位置に精度よく不
透明のマーカを形成するための特別な工程を必要とする
。そのため、マーカを形成しないで基板の端面合わせ方
式をとっていたが、パターンの位置合わせ精度が低く、
透明を梅と金属電極との短絡が起きて特性不良を招くこ
とがあった。
本発明によれば、透明絶縁基板上に基板側に透明電極、
反対側に金属！橋が接触する半導体薄膜発ｉｔ領域から
なる一つまたは複数のユニットセルを形成するために、
基板上に透明導電膜を全面に被着後、その周辺部の一部
を不透明化し、レーザビームによって線状加工すること
によりその不透明化部分より内側の透明導電膜より各ユ
ニットセルに属する透明電極を分離すると共に不透明部
分を線状除去して透光性マーカを形成し、次いで半導体
薄膜をそのマーカ部を除く全面に被着後、マーカを用い
て位置合わせしてレーザビームによって線状加工するこ
とにより半導体ｙｉ膜より各ユニットセルに属する発電
領域を分離し、さらに金属膜を前記マーカ部を除く全面
に被着後、マーカを用いて位置合わせしてレーザビーム
によって線状加工することにより金属膜より各ユニット
セルに属する金属電極を分離することによって上記の目
的を達成する。
反対側に金属！橋が接触する半導体薄膜発ｉｔ領域から
なる一つまたは複数のユニットセルを形成するために、
基板上に透明導電膜を全面に被着後、その周辺部の一部
を不透明化し、レーザビームによって線状加工すること
によりその不透明化部分より内側の透明導電膜より各ユ
ニットセルに属する透明電極を分離すると共に不透明部
分を線状除去して透光性マーカを形成し、次いで半導体
薄膜をそのマーカ部を除く全面に被着後、マーカを用い
て位置合わせしてレーザビームによって線状加工するこ
とにより半導体ｙｉ膜より各ユニットセルに属する発電
領域を分離し、さらに金属膜を前記マーカ部を除く全面
に被着後、マーカを用いて位置合わせしてレーザビーム
によって線状加工することにより金属膜より各ユニット
セルに属する金属電極を分離することによって上記の目
的を達成する。
第１．第３図は本発明の一実施例を示し、第１図はでき
上がった薄膜太陽電池でｆａｒは平面図、（ト））。 （ｃｌ、 ｆｄｌはそれぞれ（ａｌのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ
線、Ｃ−Ｃ線矢視断面図、第３図（ａｌ〜（ｆｌは製造
工程を順次示す断面図である。 先ず、第３図＋ａｌに示すようにガラス基板１の上にＩ
Ｔ Ｏ、Ｓｎｏｗまたはその複合膜からなる透明導電
膜２０を全面に被着し、透明導電膜２０の二つの隅に不
透明薄膜５を形成した。不透明薄膜５はＣｒ、Ｍｏ。 Ｗ等を５００〜２０００人の厚さに蒸着して形成する。 膜厚は薄いほどよいが、光透過率が３０％以下であるこ
とが必要である。不透明部分５の寸法は、太陽電池の有
効面積を大きくするためにできるだけ小さくする方が望
ましく、基板１の縁から２〜３ａｍ程度の区域に形成す
る。不透明薄膜の代わりに透明導電膜の還元によって不
透明部分を形成してもよい、これは不透明部分の形成さ
れる領域以外を米シブレー （Ｓｈｉｐｌａｙ）社製Ａ
ＺＩＩＩなどのレジスト膜で覆い、その表面にＺｎ粉を
つけた後、還元液。 例えば米ミンエ・２チ（Ｗｉｎ Ｅｔｃｈ）社製ＡＴＯ
−Ｅｔｃｈ■を用いて還元し、Ｉｎ、Ｓｂを析出させる
ことにより形成できる。こうして通過率５％の不透明Ｉ
ｌｌが得られる０次にＷＡＧレーザ光を照射してパター
ニングした。レーザ光は、スポット径６０ｎ、照射パワ
ー４〜８Ｗ、パルス暢３００ｎｓ、シングルモード（↑
ＨＭＯＯモード）において３ＱｋＨｚで線状加工を行っ
た。加工線は第１図ｆａｒに一点ｉｆｆ線７１．７２で
示す、この結果、第３図（ｂｌに示すように第２図と同
様な透明電極２１．２２．２３のパターンが形成される
と共に、その外周に透明導１１膜領域２４，２５，２６
．２７が生ずる。領域２６に存在する不透明薄膜５には
同様なレーザ加工により十字形のマーカ６を形成した。 次に第３図（ｃｌに示すようにｐｉｎ接合を有するａ−
５ｉ層３０を形成する。ただしマーカ６を覆わないよう
に、その付近３龍平方程度の区域はメタルマスク等を用
いてａ−５ｉ層を形成しないｓ ｐ＋ Ｉ。 ｎ各層の膜厚はそれぞれ約１００人、 ０．５ｉｍ 、
５００ 人！、：した６次いでマーカ６を利用してレ
ーザパターニング装置にセットし、ＹＡＧ レーザを用
いて第１図（ａｌに実線で示す加工線７３．７４でパタ
ーニングした。 この結果第３図ｆｄｌに示すようにａ −３ｉ発電碩域
３１゜３２、３３が形成される。レーザ光は、スポット
径６〇−１照射パ’７−１〜４ Ｗ、ＴＥＭ００モード
で３０ｋ）Ｉｚであ５た。この条件の場合ａ −５ｉ層
の下の透明電極２１．２２．２３は損傷を受けず、良好
な結果が生じた。 この発電領域３１，３２．３３の周囲には欠陥の生しや
すいａ −５ｉＪｌＩｊＩ域３４，３５．３６．３７
カ分離すレル。 同様にマーカ６付近の３鶴平方程度の領域を除いて、ア
ルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロ
ムなどのいずれかからなる金属膜４０を第３図＋ｅｌの
ように形成した０次にレーザパターニング装置にマーカ
６を用いて位置合わせを行い、第１図（ａｌに破線で示
す加工ｗＡ７５．７６によってパターニングを行った。 この結果第３図（ｆｌに示すように金属電極４１，４２
．４３が得られ、また切り離された領域４４，４５，４
６．４７が生ずる。金属膜のレーザパターニングの条件
は、スポット径Ｓｏｐｍ、照射パフ−１〜３ Ｗ、ＴＥ
Ｍ００モードで３０ｋＨｚであった。 第４図のレーザパターニング装置を示し、基板ｌを支持
台８１にセットする。この場合マーカ６の下側に発光ダ
イオード８２が、上側にテレビカメラ等のセンサ８３が
配置される。従って図では見ることができないが、二つ
のマーカ６に対しそれぞれ発光ダイオード８２およびセ
ンサ８３が一組ずつ（４えられる。マーカ６は不透明部
分５の中にあって透光性であるから、支持台８１を移動
させてマーカ６の十字形パターンが発光ダイオード８２
とセンサ８３を結ぶ線上に来るようにすることにより位
置合わせすることは容易であり、自動化も可能である。 以上のような工程により第２図の場合と同様に金属電極
４４，４１．４２と透明型ｉ２１．２２．２３がそれぞ
れ電気的に接続され、太陽電池のユニットセル１１゜１
２、１３が直列接続される。こうして得られた太陽電池
において、Ｖ、ｃ＝２．６４Ｖ、 Ｊａｃ＝１５ｓ＋
Ａ／ｃ＋Ｊ。 ＦＦ−０，６６、η−８．７％の出力が得られた。 なお上記の実施例ではマーカ部６の上にマスクを用いて
上層を形成しなかったが、全面被着の後マーカに重なる
ようにレーザ加工して除去してもよい。
上がった薄膜太陽電池でｆａｒは平面図、（ト））。 （ｃｌ、 ｆｄｌはそれぞれ（ａｌのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ
線、Ｃ−Ｃ線矢視断面図、第３図（ａｌ〜（ｆｌは製造
工程を順次示す断面図である。 先ず、第３図＋ａｌに示すようにガラス基板１の上にＩ
Ｔ Ｏ、Ｓｎｏｗまたはその複合膜からなる透明導電
膜２０を全面に被着し、透明導電膜２０の二つの隅に不
透明薄膜５を形成した。不透明薄膜５はＣｒ、Ｍｏ。 Ｗ等を５００〜２０００人の厚さに蒸着して形成する。 膜厚は薄いほどよいが、光透過率が３０％以下であるこ
とが必要である。不透明部分５の寸法は、太陽電池の有
効面積を大きくするためにできるだけ小さくする方が望
ましく、基板１の縁から２〜３ａｍ程度の区域に形成す
る。不透明薄膜の代わりに透明導電膜の還元によって不
透明部分を形成してもよい、これは不透明部分の形成さ
れる領域以外を米シブレー （Ｓｈｉｐｌａｙ）社製Ａ
ＺＩＩＩなどのレジスト膜で覆い、その表面にＺｎ粉を
つけた後、還元液。 例えば米ミンエ・２チ（Ｗｉｎ Ｅｔｃｈ）社製ＡＴＯ
−Ｅｔｃｈ■を用いて還元し、Ｉｎ、Ｓｂを析出させる
ことにより形成できる。こうして通過率５％の不透明Ｉ
ｌｌが得られる０次にＷＡＧレーザ光を照射してパター
ニングした。レーザ光は、スポット径６０ｎ、照射パワ
ー４〜８Ｗ、パルス暢３００ｎｓ、シングルモード（↑
ＨＭＯＯモード）において３ＱｋＨｚで線状加工を行っ
た。加工線は第１図ｆａｒに一点ｉｆｆ線７１．７２で
示す、この結果、第３図（ｂｌに示すように第２図と同
様な透明電極２１．２２．２３のパターンが形成される
と共に、その外周に透明導１１膜領域２４，２５，２６
．２７が生ずる。領域２６に存在する不透明薄膜５には
同様なレーザ加工により十字形のマーカ６を形成した。 次に第３図（ｃｌに示すようにｐｉｎ接合を有するａ−
５ｉ層３０を形成する。ただしマーカ６を覆わないよう
に、その付近３龍平方程度の区域はメタルマスク等を用
いてａ−５ｉ層を形成しないｓ ｐ＋ Ｉ。 ｎ各層の膜厚はそれぞれ約１００人、 ０．５ｉｍ 、
５００ 人！、：した６次いでマーカ６を利用してレ
ーザパターニング装置にセットし、ＹＡＧ レーザを用
いて第１図（ａｌに実線で示す加工線７３．７４でパタ
ーニングした。 この結果第３図ｆｄｌに示すようにａ −３ｉ発電碩域
３１゜３２、３３が形成される。レーザ光は、スポット
径６〇−１照射パ’７−１〜４ Ｗ、ＴＥＭ００モード
で３０ｋ）Ｉｚであ５た。この条件の場合ａ −５ｉ層
の下の透明電極２１．２２．２３は損傷を受けず、良好
な結果が生じた。 この発電領域３１，３２．３３の周囲には欠陥の生しや
すいａ −５ｉＪｌＩｊＩ域３４，３５．３６．３７
カ分離すレル。 同様にマーカ６付近の３鶴平方程度の領域を除いて、ア
ルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロ
ムなどのいずれかからなる金属膜４０を第３図＋ｅｌの
ように形成した０次にレーザパターニング装置にマーカ
６を用いて位置合わせを行い、第１図（ａｌに破線で示
す加工ｗＡ７５．７６によってパターニングを行った。 この結果第３図（ｆｌに示すように金属電極４１，４２
．４３が得られ、また切り離された領域４４，４５，４
６．４７が生ずる。金属膜のレーザパターニングの条件
は、スポット径Ｓｏｐｍ、照射パフ−１〜３ Ｗ、ＴＥ
Ｍ００モードで３０ｋＨｚであった。 第４図のレーザパターニング装置を示し、基板ｌを支持
台８１にセットする。この場合マーカ６の下側に発光ダ
イオード８２が、上側にテレビカメラ等のセンサ８３が
配置される。従って図では見ることができないが、二つ
のマーカ６に対しそれぞれ発光ダイオード８２およびセ
ンサ８３が一組ずつ（４えられる。マーカ６は不透明部
分５の中にあって透光性であるから、支持台８１を移動
させてマーカ６の十字形パターンが発光ダイオード８２
とセンサ８３を結ぶ線上に来るようにすることにより位
置合わせすることは容易であり、自動化も可能である。 以上のような工程により第２図の場合と同様に金属電極
４４，４１．４２と透明型ｉ２１．２２．２３がそれぞ
れ電気的に接続され、太陽電池のユニットセル１１゜１
２、１３が直列接続される。こうして得られた太陽電池
において、Ｖ、ｃ＝２．６４Ｖ、 Ｊａｃ＝１５ｓ＋
Ａ／ｃ＋Ｊ。 ＦＦ−０，６６、η−８．７％の出力が得られた。 なお上記の実施例ではマーカ部６の上にマスクを用いて
上層を形成しなかったが、全面被着の後マーカに重なる
ようにレーザ加工して除去してもよい。
本発明は、レーザビームによる線状加工により、各ユニ
ットセル間の分離ならびにユニットセルと欠陥も住じや
すい周辺領域との分離を行い、さらに各層のレーザ加工
の際の位置合わせ用マーカを透明基板上の透明導電膜の
不透明化部分をレーザによって線状に除去することによ
って形成するもので、バッチ処理を必要とするホトレジ
ストの塗布、乾燥等の工程を必要とせず、連続製造が可
能になる。また、位置合わせも±１０ Ｉｌｍの精度で
行われるため、透明ｔ＃Ｉｉと金属電極の短絡が起こら
ず特性が向上する。しかも限られた数のパターニングラ
インの形成のみですむため、パターニング時間が短縮で
きるなど得られる効果は極めて大きい。
ットセル間の分離ならびにユニットセルと欠陥も住じや
すい周辺領域との分離を行い、さらに各層のレーザ加工
の際の位置合わせ用マーカを透明基板上の透明導電膜の
不透明化部分をレーザによって線状に除去することによ
って形成するもので、バッチ処理を必要とするホトレジ
ストの塗布、乾燥等の工程を必要とせず、連続製造が可
能になる。また、位置合わせも±１０ Ｉｌｍの精度で
行われるため、透明ｔ＃Ｉｉと金属電極の短絡が起こら
ず特性が向上する。しかも限られた数のパターニングラ
インの形成のみですむため、パターニング時間が短縮で
きるなど得られる効果は極めて大きい。
第１図は本発明の一実施例により製造された薄膜太陽電
池を示し、ｆａｌが平面図、 （ｂｌ、 （Ｃ１，（ｄ
ｌがそれぞれ（ａｌ （７） Ａ −Ａ線、Ｂ−Ｂ線、
Ｃ−Ｃ線矢視断面図、第２図は従来の薄膜太陽電池を示
し、ｉａ）が平面図、（ｂ）がｆａｌのＸ−Ｘ線矢視断
面図、第３圓は本発明の一実施例の工程を順次示す各ユ
ニ７）セルおよび一つのマーカ部を通る断面図、第４図
は本発明の実施例に用いられるレーデバターニング装置
の断面図である。 ｌニガラス基板、１１．１２，１３ ：ユニットセル、
２０：遇明導側１！Ｉ、 ２１，２２．２３ ： ｉｓ
明電極、３０：ａ −Ｓｉ層、３１．３２，３３ ：
ａ −Ｓｉ層発ｔＳＩ域、４０：金ｒｓ膜、４１゜４２
．４３ ：金属ｔｔ’ｉ、５：不透明薄膜、６：マー
カ、７１．７２，７３．．７４．７５．７６ Ｆレー
ザ加工線。
池を示し、ｆａｌが平面図、 （ｂｌ、 （Ｃ１，（ｄ
ｌがそれぞれ（ａｌ （７） Ａ −Ａ線、Ｂ−Ｂ線、
Ｃ−Ｃ線矢視断面図、第２図は従来の薄膜太陽電池を示
し、ｉａ）が平面図、（ｂ）がｆａｌのＸ−Ｘ線矢視断
面図、第３圓は本発明の一実施例の工程を順次示す各ユ
ニ７）セルおよび一つのマーカ部を通る断面図、第４図
は本発明の実施例に用いられるレーデバターニング装置
の断面図である。 ｌニガラス基板、１１．１２，１３ ：ユニットセル、
２０：遇明導側１！Ｉ、 ２１，２２．２３ ： ｉｓ
明電極、３０：ａ −Ｓｉ層、３１．３２，３３ ：
ａ −Ｓｉ層発ｔＳＩ域、４０：金ｒｓ膜、４１゜４２
．４３ ：金属ｔｔ’ｉ、５：不透明薄膜、６：マー
カ、７１．７２，７３．．７４．７５．７６ Ｆレー
ザ加工線。
Claims (1)
- １）透明絶縁基板上に基板側に透明電極、反対側に金属
電極が接触する半導体薄膜発電領域からなる一つまたは
複数のユニットセルを形成するために、基板上に透明導
電膜を全面に被着後、その周辺部の一部を不透明化し、
レーザビームによって線状加工することにより該不透明
化部分より内側の透明導電膜より各ユニットセルに属す
る透明電極を分離すると共に不透明部分を線状に除去し
て透光性マーカを形成し、次いで半導体薄膜を該マーカ
部を除く全面に被着後、マーカを用いて位置合わせして
レーザビームによって線状加工することにより半導体薄
膜より各ユニットセルに属する発電領域を分離し、さら
に金属膜を前記マーカ部を除く全面に被着後、マーカを
用いて位置合わせしてレーザビームによって線状加工す
ることにより金属膜より各ユニットセルに属する金属電
極を分離することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60104375A JPS61263172A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| US06/863,426 US4689874A (en) | 1985-05-16 | 1986-05-15 | Process for fabricating a thin-film solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60104375A JPS61263172A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263172A true JPS61263172A (ja) | 1986-11-21 |
| JPH0535581B2 JPH0535581B2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=14379036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60104375A Granted JPS61263172A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4689874A (ja) |
| JP (1) | JPS61263172A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261883A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| US5497181A (en) * | 1992-06-29 | 1996-03-05 | Xerox Corporation | Dynamic control of individual spot exposure in an optical output device |
| JP2006041322A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Kaneka Corp | 光電変換装置の製造方法 |
| WO2010079770A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池モジュール |
Families Citing this family (18)
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| US4978601A (en) * | 1989-10-30 | 1990-12-18 | International Lead Zinc Research Organization, Inc. | Lead alloy battery grids by laser treatment |
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Family Cites Families (1)
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-
1985
- 1985-05-16 JP JP60104375A patent/JPS61263172A/ja active Granted
-
1986
- 1986-05-15 US US06/863,426 patent/US4689874A/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2010161315A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0535581B2 (ja) | 1993-05-26 |
| US4689874A (en) | 1987-09-01 |
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