JPS63275167A - 密着イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
密着イメ−ジセンサの製造方法Info
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- JPS63275167A JPS63275167A JP62111825A JP11182587A JPS63275167A JP S63275167 A JPS63275167 A JP S63275167A JP 62111825 A JP62111825 A JP 62111825A JP 11182587 A JP11182587 A JP 11182587A JP S63275167 A JPS63275167 A JP S63275167A
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- Japan
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はファクシミリ、ＯＣＲ，イメージスキャナなど
の読取部として用いられる長尺の密着イメージセンサの
製造方法に関するものである。
の読取部として用いられる長尺の密着イメージセンサの
製造方法に関するものである。
従来、この種の密着イメージセンサは、透明絶縁基板上
に不透明導電膜よりなる個別電極配線とアモルファスシ
リコン（以下ａ−８ｉと略す）よりなる感光層と透明導
電膜よりなる共通電極とを順に積層した構造を有してお
り、感光層として用いるａ−３ｉが高抵抗であるため素
子分離を行っていなかった。
に不透明導電膜よりなる個別電極配線とアモルファスシ
リコン（以下ａ−８ｉと略す）よりなる感光層と透明導
電膜よりなる共通電極とを順に積層した構造を有してお
り、感光層として用いるａ−３ｉが高抵抗であるため素
子分離を行っていなかった。
前述したように素子分離を行なわないと素子間にリーク
電流が流れる。リーク電流（ＩＬ ）と信号電流（Ｉｃ
）の比（Ｉ ｔ ／ Ｉ ｃ ）は素子密度８素子／龍
だと約５０％、１６素子／ ｍｍだと約９０％、２４素
子／ ｍｍだと約１５０％にも達する（高山他：第４６
回応用物理系会講演予稿集１ ｐ−ｘ−１５）。このよ
うに素子密度が上がると信号電流に対するリーク電流の
比が増加する。そのため″イメージセンサとしてのＳ／
Ｎ比が低下してしまう。したがってリーク電流を無くす
ために素子分離を行なわなければならない。ところが素
子分離のためのフォトリソグラフィ工程ではイメージセ
ンサが長尺なためにマスクの位置合わせ精度により特性
の不均一を生じるという欠点がある。
電流が流れる。リーク電流（ＩＬ ）と信号電流（Ｉｃ
）の比（Ｉ ｔ ／ Ｉ ｃ ）は素子密度８素子／龍
だと約５０％、１６素子／ ｍｍだと約９０％、２４素
子／ ｍｍだと約１５０％にも達する（高山他：第４６
回応用物理系会講演予稿集１ ｐ−ｘ−１５）。このよ
うに素子密度が上がると信号電流に対するリーク電流の
比が増加する。そのため″イメージセンサとしてのＳ／
Ｎ比が低下してしまう。したがってリーク電流を無くす
ために素子分離を行なわなければならない。ところが素
子分離のためのフォトリソグラフィ工程ではイメージセ
ンサが長尺なためにマスクの位置合わせ精度により特性
の不均一を生じるという欠点がある。
本発明の密着イメージセンサの製造方法は、透明絶縁基
板上に不透明導電膜よりなる個別電極配線とアモルファ
スシリコンよりなる感光層と透明導電膜よりなる共通電
極とを順に積層してなる密着イメージセンサの製造方法
において、透明絶縁基板の背面から露光することにより
、自己整合的にレジストをパターン化し、該レジストを
マスクとして素子分離を行なうことを特徴とする。
板上に不透明導電膜よりなる個別電極配線とアモルファ
スシリコンよりなる感光層と透明導電膜よりなる共通電
極とを順に積層してなる密着イメージセンサの製造方法
において、透明絶縁基板の背面から露光することにより
、自己整合的にレジストをパターン化し、該レジストを
マスクとして素子分離を行なうことを特徴とする。
前述したように、本発明では透明絶縁基板の背面から露
光することによりレジストをパターン化する工程を用い
ているので、自己整合作用のためマスクの位置合せ精度
により特性の不均一性を生じるという問題を解決できる
。
光することによりレジストをパターン化する工程を用い
ているので、自己整合作用のためマスクの位置合せ精度
により特性の不均一性を生じるという問題を解決できる
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の部分平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ断面図
、第４図は各工程のＢ−Ｂ断面図である。
第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ断面図
、第４図は各工程のＢ−Ｂ断面図である。
第４図に従って製造工程を説明するとまずガラス基板１
上に個別電極２をパターン化する（第４図（ａ〉）。次
にａ−８ｉ４をグロー放電分解により１μｍ堆積する（
第４図（ｂ））。さらに透明電極５を８０ｎｍ堆積した
後（第４図（Ｃ））、遮光膜を形成しレジスト６を塗布
する（第４図（ｄ〉）。次にガラス基板１の背面より光
７を照射しレジスト６を露光し、現象する（第４図（ｅ
〉。その後、レジスト６をマスクとして透明電極５とａ
−８ｉ４をエツチング除去し、レジストははく離して素
子が完成する（第４図（ｆ））。
上に個別電極２をパターン化する（第４図（ａ〉）。次
にａ−８ｉ４をグロー放電分解により１μｍ堆積する（
第４図（ｂ））。さらに透明電極５を８０ｎｍ堆積した
後（第４図（Ｃ））、遮光膜を形成しレジスト６を塗布
する（第４図（ｄ〉）。次にガラス基板１の背面より光
７を照射しレジスト６を露光し、現象する（第４図（ｅ
〉。その後、レジスト６をマスクとして透明電極５とａ
−８ｉ４をエツチング除去し、レジストははく離して素
子が完成する（第４図（ｆ））。
次に本発明の第２の実施例を説明する。第１の実施例と
同様にａ−８ｉまで堆積した後、ａ−８ｉ上に遮光膜と
してクロムを堆積しスリット部分をエツチング除去する
。この後第１の実施例と同様にレジストを塗布し背面露
光によりパターン化を行ない、ａ−３ｔをエツチング除
去する。その後透明電極を８０ｎｍ堆積し、レジストを
はく離して素子が完成する。この方法を用いると透明電
極をエツチング除去する工程を省略することができる。
同様にａ−８ｉまで堆積した後、ａ−８ｉ上に遮光膜と
してクロムを堆積しスリット部分をエツチング除去する
。この後第１の実施例と同様にレジストを塗布し背面露
光によりパターン化を行ない、ａ−３ｔをエツチング除
去する。その後透明電極を８０ｎｍ堆積し、レジストを
はく離して素子が完成する。この方法を用いると透明電
極をエツチング除去する工程を省略することができる。
以上説明したように本発明は、透明絶縁基板の背面から
光照射することにより個別電極がシャドウマスクとなり
自己整合的にレジストが露光される。したがって、シャ
ドウマスクの位置合わせ精度によるバラツキがないため
イメージセンサとしての特性を均一にでき、また専用の
シャドウマスクも不要であるという効果がある。
光照射することにより個別電極がシャドウマスクとなり
自己整合的にレジストが露光される。したがって、シャ
ドウマスクの位置合わせ精度によるバラツキがないため
イメージセンサとしての特性を均一にでき、また専用の
シャドウマスクも不要であるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の部分平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ線断
面図、第４図は（ａ）〜（ｆ）は各工程における第１図
の１３−Ｂ線断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・個別電極、３・・・遮光
膜、４・・・ａ−８ｉ、５・・・透明電極、６・・・レ
ジスト、７・・・光照射。
第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ線断
面図、第４図は（ａ）〜（ｆ）は各工程における第１図
の１３−Ｂ線断面図である。 １・・・ガラス基板、２・・・個別電極、３・・・遮光
膜、４・・・ａ−８ｉ、５・・・透明電極、６・・・レ
ジスト、７・・・光照射。
Claims (1)
- 透明絶縁基板上に不透明導電膜よりなる個別電極配線と
アモルファスシリコンよりなる感光層と透明導電膜より
なる共通電極とを順に積層してなる密着イメージセンサ
の製造方法において、透明絶縁基板の背面から露光する
ことにより、自己整合的にレジストをパターン化し、該
レジストをマスクとして素子分離を行なうことを特徴と
する密着イメージセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111825A JPS63275167A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 密着イメ−ジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111825A JPS63275167A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 密着イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63275167A true JPS63275167A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14571105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111825A Pending JPS63275167A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 密着イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63275167A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011114310A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置、及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59138371A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-08 | Canon Inc | フオトセンサアレイ |
| JPS60242669A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサアレイ装置 |
| JPS61198667A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサの製造方法 |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111825A patent/JPS63275167A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59138371A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-08 | Canon Inc | フオトセンサアレイ |
| JPS60242669A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光センサアレイ装置 |
| JPS61198667A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011114310A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置、及びその製造方法 |
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