JPS63289965A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63289965A JPS63289965A JP62123985A JP12398587A JPS63289965A JP S63289965 A JPS63289965 A JP S63289965A JP 62123985 A JP62123985 A JP 62123985A JP 12398587 A JP12398587 A JP 12398587A JP S63289965 A JPS63289965 A JP S63289965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor layer
- layer
- organic resin
- photosensitive organic
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、液晶等と組合せて画像表示装置を構成するた
めの薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと呼ぶ）を多数配
置した半導体装置に関するものである。
めの薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと呼ぶ）を多数配
置した半導体装置に関するものである。
（従来の技術）
第３図に従来のＴＰＴの要部構成断面図を示す。
ガラス等の絶縁基板１上にゲート電極である第１の導電
体層２が形成され、絶縁層３を介して半導体層４が形成
され、前記半導体層上にソース・ドレイン電極である第
２の導電体層５ａ、５ｂが形成された逆スタガーＴＰＴ
である。なお、半導体層に第２の導電体層５ａ、５ｂが
接する部分７ａ、 ７ｂには、第３の導電体層が設置さ
れる場合もある。
体層２が形成され、絶縁層３を介して半導体層４が形成
され、前記半導体層上にソース・ドレイン電極である第
２の導電体層５ａ、５ｂが形成された逆スタガーＴＰＴ
である。なお、半導体層に第２の導電体層５ａ、５ｂが
接する部分７ａ、 ７ｂには、第３の導電体層が設置さ
れる場合もある。
液晶画像表示装置は、上述のようなＴ Ｐ Ｔをマトリ
ックス状に配置配線した基板と透明電極を配置した基板
（図示せず）との間に液晶を挟持したものであり、ＴＰ
Ｔを構成する第２の導電体層に接続された電極と対向電
極との間に電圧を加えることにより、液晶を駆動し画像
を表示する。
ックス状に配置配線した基板と透明電極を配置した基板
（図示せず）との間に液晶を挟持したものであり、ＴＰ
Ｔを構成する第２の導電体層に接続された電極と対向電
極との間に電圧を加えることにより、液晶を駆動し画像
を表示する。
（発明が解決しようとする問題点）
上述したような従来の構造のＴＰＴを用いた。１＆板、
すなわち第２の導電体層５ａ、５ｂにより、ソース・ド
レイン電極が形成され配線された基板を用いて液晶画像
表示装置が構成された場合、その液晶画像表示装置を組
み立てる工程において、導電物質からなる異物が混入し
、第２の導電体層であるソース電極５ａまたは５ｂと対
向電極とを短絡状態にせしめ、ソース電極に印加される
テレビ信号が対向電極に流れて、液晶画像表示装置の画
面の輝度むらを生じさせるという不良を発生しやすかっ
た。さらに、この構成においては、ソース・ドレイン電
極がむき出しであるため、腐蝕等も発生しやすいという
欠点があった。
すなわち第２の導電体層５ａ、５ｂにより、ソース・ド
レイン電極が形成され配線された基板を用いて液晶画像
表示装置が構成された場合、その液晶画像表示装置を組
み立てる工程において、導電物質からなる異物が混入し
、第２の導電体層であるソース電極５ａまたは５ｂと対
向電極とを短絡状態にせしめ、ソース電極に印加される
テレビ信号が対向電極に流れて、液晶画像表示装置の画
面の輝度むらを生じさせるという不良を発生しやすかっ
た。さらに、この構成においては、ソース・ドレイン電
極がむき出しであるため、腐蝕等も発生しやすいという
欠点があった。
本発明はかかる問題に鑑みなされたもので、第２の導電
体層上に感光性有機樹脂を同一のフォトリソプロセスで
形成し、第２の導電体層と対向電極とが短絡状態になっ
たり腐蝕したりすることを防ぐ液晶画像表示装置を構成
するための半導体装置及びその製造方法を提供すること
を目的としている。
体層上に感光性有機樹脂を同一のフォトリソプロセスで
形成し、第２の導電体層と対向電極とが短絡状態になっ
たり腐蝕したりすることを防ぐ液晶画像表示装置を構成
するための半導体装置及びその製造方法を提供すること
を目的としている。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するため、導電物質からな
る異物が第２の導電体層と対向電極に接触しても短絡状
態にならないように、第２の導電体層上に感光性有機樹
脂よりなる絶縁体層を形成するもので、この感光性有機
樹脂と第２の導電体層のパターン形成を同一のフォトリ
ソプロセスで行なうことを特徴とする。
る異物が第２の導電体層と対向電極に接触しても短絡状
態にならないように、第２の導電体層上に感光性有機樹
脂よりなる絶縁体層を形成するもので、この感光性有機
樹脂と第２の導電体層のパターン形成を同一のフォトリ
ソプロセスで行なうことを特徴とする。
（作 用）
本発明は、上記の技術的手段により、多層溝造を有する
第２の導電体層の表面層に感光性有機樹脂よりなる絶縁
体層を形成することによって、導電物質からなる異物に
より第２の導電体層と対向電極が接触状態となっても、
表面層の絶縁体層により電気的に短絡状態になることを
防止し、輝度むらのない液晶画像表示装置を構成できる
半導体装置が得られる。また、金属表面を絶縁体層で覆
うため、この信頼性も向上すると共に、感光性有機樹脂
を用いるため、この樹脂を電極パターン形ｌ戊のフォト
リソマスクとして用いることができ、絶縁体層パターン
と電極パターン形成を同一フォトリソプロセスで行なう
ことができ、工程のｉＩ＠化にも好都合となる。
第２の導電体層の表面層に感光性有機樹脂よりなる絶縁
体層を形成することによって、導電物質からなる異物に
より第２の導電体層と対向電極が接触状態となっても、
表面層の絶縁体層により電気的に短絡状態になることを
防止し、輝度むらのない液晶画像表示装置を構成できる
半導体装置が得られる。また、金属表面を絶縁体層で覆
うため、この信頼性も向上すると共に、感光性有機樹脂
を用いるため、この樹脂を電極パターン形ｌ戊のフォト
リソマスクとして用いることができ、絶縁体層パターン
と電極パターン形成を同一フォトリソプロセスで行なう
ことができ、工程のｉＩ＠化にも好都合となる。
（実施例）
第１図に本発明の一実施例であるＴＰＴの要部構成断面
図を示す。第１図において、１１はガラス基板、１２は
Ｃｒ、 Ｍｏ、 ＡＱその他等からなるゲート電極、１
３は絶縁薄膜層である窒化シリコン絶縁膜、１４は非晶
質シリコン半導体層、１５ａ、１５ｂはアルミニウムよ
りなるソース・ドレイン電極、１６ａ。
図を示す。第１図において、１１はガラス基板、１２は
Ｃｒ、 Ｍｏ、 ＡＱその他等からなるゲート電極、１
３は絶縁薄膜層である窒化シリコン絶縁膜、１４は非晶
質シリコン半導体層、１５ａ、１５ｂはアルミニウムよ
りなるソース・ドレイン電極、１６ａ。
１６ｂは酸化アルミニウムよりなる絶縁層である。
１７ａ、１７ｂはｎ型の非晶質シリコン、耐熱性金属ま
たはシリサイド等の導電体層であり、なくても基本的機
能は変わらない。２０は基板１１と対向するガラス基板
で、カラーフィルタ層２１．導明電極２２を有し、基板
１１と基板２０間に液晶が封入されて液晶画像表示装置
が完成する。
たはシリサイド等の導電体層であり、なくても基本的機
能は変わらない。２０は基板１１と対向するガラス基板
で、カラーフィルタ層２１．導明電極２２を有し、基板
１１と基板２０間に液晶が封入されて液晶画像表示装置
が完成する。
そのＴＰＴの工程断面図を第２図に示す。第２図（ａ）
に示すように、非晶質シリコン半導体層１４が形成され
た後アルミニウム３１を全面に被着する。
に示すように、非晶質シリコン半導体層１４が形成され
た後アルミニウム３１を全面に被着する。
その後、第２図（ｂ）に示すように、アルミニウム３１
の表面に感光性有機樹脂４１であるホトレジストあるい
はポリイミドを形成する。通常の露光・現像・エツチン
グのフォトリソグラフ工程により、第２図（ｃ）が得ら
れる。一般のフォトリソグラフ工程では、エツチング後
レジスト１６ａ、１６ｂを除去するが、本発明はこの感
光性有機樹脂を積極的に利用するもので、エツチング後
膨潤した感光性有機樹脂を１５０℃〜２５０℃にて１０
分〜２時間加熱硬化せしめて、ソース・ドレイン電極１
５ａ、１５ｂとの密着力と硬度の増強をはかり、表面保
護用の絶縁体層とする。これにより、本発明による半導
体装置が完成する。
の表面に感光性有機樹脂４１であるホトレジストあるい
はポリイミドを形成する。通常の露光・現像・エツチン
グのフォトリソグラフ工程により、第２図（ｃ）が得ら
れる。一般のフォトリソグラフ工程では、エツチング後
レジスト１６ａ、１６ｂを除去するが、本発明はこの感
光性有機樹脂を積極的に利用するもので、エツチング後
膨潤した感光性有機樹脂を１５０℃〜２５０℃にて１０
分〜２時間加熱硬化せしめて、ソース・ドレイン電極１
５ａ、１５ｂとの密着力と硬度の増強をはかり、表面保
護用の絶縁体層とする。これにより、本発明による半導
体装置が完成する。
本実施例によれば、ソース・ドレイン電極である第２の
導電体層の表面層が感光性有機樹脂よりなる絶縁体層で
被覆されるために、この基板を使用して液晶画像表示装
置を構成すれば、導電物質からなる異物が混入してもソ
ース・ドレイン電極と対向電極が短絡状態になることは
なく、また、ソース電極とソース電極、ソース電極とド
レイン電極とが短絡状態になることもなく、良好な画質
の液晶画像表示装置を構成できる半導体装置が得られる
。
導電体層の表面層が感光性有機樹脂よりなる絶縁体層で
被覆されるために、この基板を使用して液晶画像表示装
置を構成すれば、導電物質からなる異物が混入してもソ
ース・ドレイン電極と対向電極が短絡状態になることは
なく、また、ソース電極とソース電極、ソース電極とド
レイン電極とが短絡状態になることもなく、良好な画質
の液晶画像表示装置を構成できる半導体装置が得られる
。
また、ソース・ドレイン電極の表面が絶縁体層で被覆さ
れるため、腐蝕等に対する信頼性の向上も得られる。こ
のような感光性有機樹脂の膜厚としては、０．２μｍ〜
２．０μｍが有効である。０．２μｍ以下では膜厚が薄
いため、異物の圧着により被膜がやぶられ短絡が発生す
る。また、膜厚が２．０μｍ以上ではその形成が困難で
あると共に、形成されたとしても応力等によりソース・
ドレイン電極１５ａ。
れるため、腐蝕等に対する信頼性の向上も得られる。こ
のような感光性有機樹脂の膜厚としては、０．２μｍ〜
２．０μｍが有効である。０．２μｍ以下では膜厚が薄
いため、異物の圧着により被膜がやぶられ短絡が発生す
る。また、膜厚が２．０μｍ以上ではその形成が困難で
あると共に、形成されたとしても応力等によりソース・
ドレイン電極１５ａ。
１５ｂが剥離しやすくなる。また、本発明による製造法
は、ソース・ドレイン電極のパターン形成をそのまま利
用する一回の露光・現像・エツチングプロセスを経るだ
けでよく、その製造プロセスを大幅に短縮できる。
は、ソース・ドレイン電極のパターン形成をそのまま利
用する一回の露光・現像・エツチングプロセスを経るだ
けでよく、その製造プロセスを大幅に短縮できる。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明は、第２の導電体層の半導体
層と接しない側の表面に感光性有機樹脂の絶縁体層を形
成することにより、第２の導電体層が他の電極と短絡状
態になることを防止できるという信頼性向上の効果を有
する。このような効果がフォトリソグラフ工程−回で実
現でき、大幅なプロセス短縮ができる。従って、本発明
による半導体装置を用いて液晶画像表示装置を構成すれ
ば、第２の導電体層が短絡状態になり、画質を劣化させ
るという不良を防止できると共に、この構造の半導体装
置の製造も容易である。
層と接しない側の表面に感光性有機樹脂の絶縁体層を形
成することにより、第２の導電体層が他の電極と短絡状
態になることを防止できるという信頼性向上の効果を有
する。このような効果がフォトリソグラフ工程−回で実
現でき、大幅なプロセス短縮ができる。従って、本発明
による半導体装置を用いて液晶画像表示装置を構成すれ
ば、第２の導電体層が短絡状態になり、画質を劣化させ
るという不良を防止できると共に、この構造の半導体装
置の製造も容易である。
第１図は本発明の一実施例における液晶表示装置の要部
構成断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は半導体装置の製造
工程断面図、第３図は従来の薄膜トランジスタの要部構
成断面図である。 １１・・・ガラス基板、 １２・・・ゲート電極、 １
３・・・絶縁薄膜層、 １４・・・半導体層、 １５ａ
。 １５ｂ・・・ソース・ドレイン電極、 ３１・・・アル
ミニウム、 ４１・・・感光性有機樹脂。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 １１− つ”う六基板 １２−ゲート１ノ坐 １３−
皇４Ｌ″／リコン紀、１矛月勇。 １７ａ、１７ｂ−ｎ ”ｌ非墨貢すリコレ第２図
構成断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は半導体装置の製造
工程断面図、第３図は従来の薄膜トランジスタの要部構
成断面図である。 １１・・・ガラス基板、 １２・・・ゲート電極、 １
３・・・絶縁薄膜層、 １４・・・半導体層、 １５ａ
。 １５ｂ・・・ソース・ドレイン電極、 ３１・・・アル
ミニウム、 ４１・・・感光性有機樹脂。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 １１− つ”う六基板 １２−ゲート１ノ坐 １３−
皇４Ｌ″／リコン紀、１矛月勇。 １７ａ、１７ｂ−ｎ ”ｌ非墨貢すリコレ第２図
Claims (1)
- 基板の一主面上に第１の導電体層が選択的に形成し、絶
縁薄膜層を介して半導体層が前記第１の導電体層と一部
重なり合うように形成し、第２の導電体層を前記半導体
層と直接または第３の導電体層を介して電気的に接続さ
れるように一部重なりを持って形成し、前記第２の導電
体層上に感光性有機樹脂を形成し、前記感光性有機樹脂
および第２の導電体層のパターン形成を同一のフォトリ
ソプロセスで行なうことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123985A JPS63289965A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123985A JPS63289965A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289965A true JPS63289965A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14874188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62123985A Pending JPS63289965A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289965A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866919A (en) * | 1996-04-16 | 1999-02-02 | Lg Electronics, Inc. | TFT array having planarized light shielding element |
| US6001539A (en) * | 1996-04-08 | 1999-12-14 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing liquid crystal display |
| US6038008A (en) * | 1996-11-29 | 2000-03-14 | Lg Electronics Inc. | Method of making LCD having roughened steps of the protection layer |
| US6100954A (en) * | 1996-03-26 | 2000-08-08 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display with planarizing organic gate insulator and organic planarization layer and method for manufacturing |
| US6211928B1 (en) | 1996-03-26 | 2001-04-03 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| US6335213B1 (en) | 1991-06-19 | 2002-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and thin film transistor and method for forming the same |
| US6372534B1 (en) | 1995-06-06 | 2002-04-16 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
| US6614493B1 (en) | 1996-11-27 | 2003-09-02 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62123985A patent/JPS63289965A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335213B1 (en) | 1991-06-19 | 2002-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and thin film transistor and method for forming the same |
| US6847064B2 (en) | 1991-06-19 | 2005-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a thin film transistor |
| US6797548B2 (en) | 1991-06-19 | 2004-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Inc. | Electro-optical device and thin film transistor and method for forming the same |
| US6756258B2 (en) | 1991-06-19 | 2004-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US6507045B2 (en) | 1995-06-06 | 2003-01-14 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US6870188B2 (en) | 1995-06-06 | 2005-03-22 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US6372534B1 (en) | 1995-06-06 | 2002-04-16 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
| US6376270B1 (en) | 1995-06-06 | 2002-04-23 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method of making an array of TFTs having an insulation layer with a low dielectric constant |
| US7745830B2 (en) | 1995-06-06 | 2010-06-29 | Lg Display Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US6515300B2 (en) | 1995-06-06 | 2003-02-04 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
| US7531838B2 (en) | 1995-06-06 | 2009-05-12 | Lg Display Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US7445948B2 (en) | 1995-06-06 | 2008-11-04 | Lg. Display Co., Ltd. | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
| US6100954A (en) * | 1996-03-26 | 2000-08-08 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display with planarizing organic gate insulator and organic planarization layer and method for manufacturing |
| US6211928B1 (en) | 1996-03-26 | 2001-04-03 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| US6001539A (en) * | 1996-04-08 | 1999-12-14 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing liquid crystal display |
| US5866919A (en) * | 1996-04-16 | 1999-02-02 | Lg Electronics, Inc. | TFT array having planarized light shielding element |
| US6614493B1 (en) | 1996-11-27 | 2003-09-02 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US6038008A (en) * | 1996-11-29 | 2000-03-14 | Lg Electronics Inc. | Method of making LCD having roughened steps of the protection layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4856318B2 (ja) | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 | |
| JP5528475B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 | |
| JPH1124061A (ja) | カラー表示装置 | |
| JPH09325330A (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 | |
| JP3053848B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JPS63289965A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2014127573A1 (zh) | Tft阵列基板的制造方法、tft阵列基板及显示装置 | |
| KR101268388B1 (ko) | 액정표시소자 제조방법 | |
| JPS6242122A (ja) | カラ−液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH11183936A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH10221712A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0682830A (ja) | アクティブマトリックス液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH07175088A (ja) | 液晶パネル用基板とその製造方法 | |
| JPS63114263A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその形成方法 | |
| JPH09179140A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH07118543B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| KR0182019B1 (ko) | 액정셀 및그 제조 방법 | |
| JP2000187241A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH1195202A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JP2000077667A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09258206A (ja) | カラーフィルタ層付駆動基板の製造方法 | |
| KR20070048049A (ko) | 4 마스크를 이용한 액정표시소자 제조방법 | |
| JPH02132831A (ja) | 配線形成基板面の平坦化方法 | |
| JPH0287667A (ja) | 薄膜トランジスタマトリクスの製造方法 | |
| JPH11218783A (ja) | 薄膜素子の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |