JPH10221712A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH10221712A JPH10221712A JP2111397A JP2111397A JPH10221712A JP H10221712 A JPH10221712 A JP H10221712A JP 2111397 A JP2111397 A JP 2111397A JP 2111397 A JP2111397 A JP 2111397A JP H10221712 A JPH10221712 A JP H10221712A
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- resist
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンタクトホールを形成する工程数を削減
し、さらに良好なコンタクトを得る。 【解決手段】 絶縁層上に画素電極が形成され、前記絶
縁層に設けたコンタクトホールにより下部電極と前記画
素電極を接続し、前記絶縁層の最上層が有機樹脂からな
る液晶表示装置の製造方法において、有機樹脂からなる
最上層の絶縁層を形成し、前記絶縁層上にエッチングマ
スクとして使用する有機膜を形成し、前記有機膜にコン
タクトホール部をパターニングし、前記パターニングさ
れた有機膜をエッチングマスクとしてドライエッチング
により前記絶縁層にコンタクトホールを形成する。
し、さらに良好なコンタクトを得る。 【解決手段】 絶縁層上に画素電極が形成され、前記絶
縁層に設けたコンタクトホールにより下部電極と前記画
素電極を接続し、前記絶縁層の最上層が有機樹脂からな
る液晶表示装置の製造方法において、有機樹脂からなる
最上層の絶縁層を形成し、前記絶縁層上にエッチングマ
スクとして使用する有機膜を形成し、前記有機膜にコン
タクトホール部をパターニングし、前記パターニングさ
れた有機膜をエッチングマスクとしてドライエッチング
により前記絶縁層にコンタクトホールを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置（ＬＣＤと称する）では、
例えば特開平４−６８３１８号公報に示すように、開口
率向上のために、画素上に絶縁層を形成し、さらにこの
上に電極を設けたＰｉｘｃｅｌ ｏｎ Ｐａｓｓｉｖａ
ｔｉｏｎ構造にすることが有効である。この作製方法
は、スイッチング素子が形成された絶縁性基板上に、絶
縁層を形成して、スイッチング素子のドレイン電極上の
絶縁層にフォトリソ工程によりコンタクトホールを設け
て、さらにこの絶縁層上にコンタクトホールのみをフォ
トリソ工程によりパターニングしたレジスト層を形成し
て、ドレイン電極と後に絶縁層上に形成される電極の電
気的特性と良好にするためのドライエッチングによるコ
ンタクト処理を行い、レジスト層を除去して、ドレイン
電極とコンタクトホールを介して絶縁層上に電極を形成
していた。
例えば特開平４−６８３１８号公報に示すように、開口
率向上のために、画素上に絶縁層を形成し、さらにこの
上に電極を設けたＰｉｘｃｅｌ ｏｎ Ｐａｓｓｉｖａ
ｔｉｏｎ構造にすることが有効である。この作製方法
は、スイッチング素子が形成された絶縁性基板上に、絶
縁層を形成して、スイッチング素子のドレイン電極上の
絶縁層にフォトリソ工程によりコンタクトホールを設け
て、さらにこの絶縁層上にコンタクトホールのみをフォ
トリソ工程によりパターニングしたレジスト層を形成し
て、ドレイン電極と後に絶縁層上に形成される電極の電
気的特性と良好にするためのドライエッチングによるコ
ンタクト処理を行い、レジスト層を除去して、ドレイン
電極とコンタクトホールを介して絶縁層上に電極を形成
していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、絶縁層
が複数存在する場合、コンタクトホールを作製するため
にはそのいずれの工程でも露光現像処理をする必要があ
る。よって、露光現像工程が多いと必然的に基板作製の
コストアップになり、最終的にパネル価格が高価にな
る。そのため是非とも工程を減らす必要がある。
が複数存在する場合、コンタクトホールを作製するため
にはそのいずれの工程でも露光現像処理をする必要があ
る。よって、露光現像工程が多いと必然的に基板作製の
コストアップになり、最終的にパネル価格が高価にな
る。そのため是非とも工程を減らす必要がある。
【０００４】また、絶縁層の材質や形成条件によって
は、フォトリソ工程ではドレイン電極上に残渣が生じ
て、ドレイン電極と絶縁層上に形成される電極のコンタ
クトが悪くなり、良好な電気特性が得られない。
は、フォトリソ工程ではドレイン電極上に残渣が生じ
て、ドレイン電極と絶縁層上に形成される電極のコンタ
クトが悪くなり、良好な電気特性が得られない。
【０００５】また、樹脂層が最上層である場合、特開平
４−６８３１８号公報に示される方法でドレイン電極上
の残渣を除去するためにドライエッチング処理を行う
と、最上層の樹脂表面が荒らされてしまい、表示品位が
低下することになる。よって、ドライエッチングを行う
前に、樹脂表面をレジストで覆うパターニング工程を新
たに追加する必要がある。
４−６８３１８号公報に示される方法でドレイン電極上
の残渣を除去するためにドライエッチング処理を行う
と、最上層の樹脂表面が荒らされてしまい、表示品位が
低下することになる。よって、ドライエッチングを行う
前に、樹脂表面をレジストで覆うパターニング工程を新
たに追加する必要がある。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、コンタクトホールを形成する工程数
を削減し、さらに良好なコンタクトを得る液晶表示装置
の製造方法を提供するものである。
されたものであり、コンタクトホールを形成する工程数
を削減し、さらに良好なコンタクトを得る液晶表示装置
の製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶表示装置の製造方法は、絶縁層上に画素電極が形成
され、前記絶縁層に設けたコンタクトホールにより下部
電極と前記画素電極を接続し、前記絶縁層の最上層が有
機樹脂からなる液晶表示装置の製造方法において、有機
樹脂からなる最上層の絶縁層を形成する工程と、前記絶
縁層上にエッチングマスクとして使用する有機膜を形成
する工程と、前記有機膜にコンタクトホール部をパター
ニングする工程と、前記パターニングされた有機膜をエ
ッチングマスクとしてドライエッチングにより前記絶縁
層にコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴
としている。
液晶表示装置の製造方法は、絶縁層上に画素電極が形成
され、前記絶縁層に設けたコンタクトホールにより下部
電極と前記画素電極を接続し、前記絶縁層の最上層が有
機樹脂からなる液晶表示装置の製造方法において、有機
樹脂からなる最上層の絶縁層を形成する工程と、前記絶
縁層上にエッチングマスクとして使用する有機膜を形成
する工程と、前記有機膜にコンタクトホール部をパター
ニングする工程と、前記パターニングされた有機膜をエ
ッチングマスクとしてドライエッチングにより前記絶縁
層にコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴
としている。
【０００８】本発明の請求項２記載の液晶表示装置の製
造方法は、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法であ
って、前記絶縁層を形成する前に凹凸を形成する工程を
含むことを特徴とする。
造方法は、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法であ
って、前記絶縁層を形成する前に凹凸を形成する工程を
含むことを特徴とする。
【０００９】以下、上記構成による作用を説明する。
【００１０】本発明は、絶縁層上に画素電極が形成さ
れ、前記絶縁層に設けたコンタクトホールにより下部電
極と前記画素電極を接続し、前記絶縁層の最上層が有機
樹脂からなる液晶表示装置の製造方法において、有機樹
脂からなる最上層の絶縁層を形成する工程と、前記絶縁
層上にエッチングマスクとして使用する有機膜を形成す
る工程と、前記有機膜にコンタクトホール部をパターニ
ングする工程と、前記パターニングされた有機膜をエッ
チングマスクとしてドライエッチングにより前記絶縁層
にコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴と
しているので、従来の製造工程に比べて、製造工程を削
減できる。工程を減少させることでより安価な液晶表示
装置が製造可能となる。また、絶縁層上にエッチングマ
スクとして有機膜を形成して、ドライエッチングを行い
コンタクトホールを設けるので、絶縁膜表面はドライエ
ッチングの影響がなく、さらにコンタクトホールの形成
と下部電極上の残渣の除去を同一工程で行うことができ
る。また、下部電極上の残渣が除去されているので、良
好なコンタクトホールの電気特性を得ることができる。
よって、液晶表示装置の光学特性に支障を生じさせるこ
とはない。
れ、前記絶縁層に設けたコンタクトホールにより下部電
極と前記画素電極を接続し、前記絶縁層の最上層が有機
樹脂からなる液晶表示装置の製造方法において、有機樹
脂からなる最上層の絶縁層を形成する工程と、前記絶縁
層上にエッチングマスクとして使用する有機膜を形成す
る工程と、前記有機膜にコンタクトホール部をパターニ
ングする工程と、前記パターニングされた有機膜をエッ
チングマスクとしてドライエッチングにより前記絶縁層
にコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴と
しているので、従来の製造工程に比べて、製造工程を削
減できる。工程を減少させることでより安価な液晶表示
装置が製造可能となる。また、絶縁層上にエッチングマ
スクとして有機膜を形成して、ドライエッチングを行い
コンタクトホールを設けるので、絶縁膜表面はドライエ
ッチングの影響がなく、さらにコンタクトホールの形成
と下部電極上の残渣の除去を同一工程で行うことができ
る。また、下部電極上の残渣が除去されているので、良
好なコンタクトホールの電気特性を得ることができる。
よって、液晶表示装置の光学特性に支障を生じさせるこ
とはない。
【００１１】また、前記絶縁層を形成する前に凹凸を形
成する工程を含むことを特徴とするので、設計通りの凹
凸構造を制御できるので、さらに所望の散乱特性を実現
することができる。
成する工程を含むことを特徴とするので、設計通りの凹
凸構造を制御できるので、さらに所望の散乱特性を実現
することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
記載して、より具体的に説明する。
記載して、より具体的に説明する。
【００１３】（実施の形態１）図１に本発明により作製
した反射型ＬＣＤの反射電極側基板の断面図を示す。図
２〜４に本発明の反射型ＬＣＤの反射電極側基板の作製
工程を示す。なお、図２から図４は一連の連続した製造
工程を示している。
した反射型ＬＣＤの反射電極側基板の断面図を示す。図
２〜４に本発明の反射型ＬＣＤの反射電極側基板の作製
工程を示す。なお、図２から図４は一連の連続した製造
工程を示している。
【００１４】本実施の形態の反射型ＬＣＤの反射電極側
基板は、ガラス等からなる絶縁性基板１７上に、ゲート
バス配線及びソースバス配線に接続されたＴＦＴ素子１
３が形成され、さらに、絵素部には凸部１６が形成さ
れ、感光性樹脂等からなる有機樹脂層１５が凸部１６及
びＴＦＴ素子１３も覆うように形成され、この凸部１６
が形成された絵素部の感光性樹脂等からなる有機樹脂層
１５の上には、反射電極１１が形成され、コンタクトホ
ール１４を介して、ＴＦＴ素子１３のドレイン電極１２
に接続されている。
基板は、ガラス等からなる絶縁性基板１７上に、ゲート
バス配線及びソースバス配線に接続されたＴＦＴ素子１
３が形成され、さらに、絵素部には凸部１６が形成さ
れ、感光性樹脂等からなる有機樹脂層１５が凸部１６及
びＴＦＴ素子１３も覆うように形成され、この凸部１６
が形成された絵素部の感光性樹脂等からなる有機樹脂層
１５の上には、反射電極１１が形成され、コンタクトホ
ール１４を介して、ＴＦＴ素子１３のドレイン電極１２
に接続されている。
【００１５】次に、反射型ＬＣＤの反射電極側基板の作
製工程について説明する。
製工程について説明する。
【００１６】図２により、基板上に凹凸の形成方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１７】まず、図２（ａ）に示すように、光散乱用
凹凸形状を作製するために、ＴＦＴ素子１３が形成され
た絶縁性基板１７上に感光性樹脂として、例えば、商品
名ＯＦＰＲ−８００（東京応化製）を所望の膜厚が得ら
れるよう、好ましくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで
スピンコーティング法により塗布する。本実施の形態で
は１０００ｒｐｍで３０秒間塗布し、感光性樹脂１８を
１．２μｍの膜厚に成膜した。
凹凸形状を作製するために、ＴＦＴ素子１３が形成され
た絶縁性基板１７上に感光性樹脂として、例えば、商品
名ＯＦＰＲ−８００（東京応化製）を所望の膜厚が得ら
れるよう、好ましくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで
スピンコーティング法により塗布する。本実施の形態で
は１０００ｒｐｍで３０秒間塗布し、感光性樹脂１８を
１．２μｍの膜厚に成膜した。
【００１８】次に、図２（ｂ）に示すように、この基板
を１００℃で３０秒間プリベークした後、所定のパター
ンが形成されたフォトマスク１９を配置し、感光性樹脂
１８を露光した。
を１００℃で３０秒間プリベークした後、所定のパター
ンが形成されたフォトマスク１９を配置し、感光性樹脂
１８を露光した。
【００１９】その後、図２（ｃ）に示すように、現像処
理を行い、ＴＦＴ基板表面に凹凸を形成した。
理を行い、ＴＦＴ基板表面に凹凸を形成した。
【００２０】次に、図２（ｄ）に示すように、この基板
を、好ましくは１２０〜２５０℃で熱処理することによ
り、凸部の角が取れて滑らかな形状となった後に硬化
し、滑らかな凸部１６が形成された。本実施の形態で
は、２００℃で６０分の熱変形処理を行った。
を、好ましくは１２０〜２５０℃で熱処理することによ
り、凸部の角が取れて滑らかな形状となった後に硬化
し、滑らかな凸部１６が形成された。本実施の形態で
は、２００℃で６０分の熱変形処理を行った。
【００２１】次いで、図２（ｅ）に示すように、その基
板上に平坦化および絶縁用に上述の感光性樹脂２０を所
望の膜厚が得られるよう、好ましくは５００ｒｐｍ〜３
０００ｒｐｍでスピンコーティング法により塗布する。
本実施例では２５００ｒｐｍで３０秒間塗布し、感光性
樹脂２０を０．４μｍの膜厚に成膜した。さらに、この
基板を、好ましくは１２０〜２５０℃で熱処理すること
により硬化し、滑らかな凹凸部が形成された。本実施例
では２００℃で６０分の熱変形処理を行った。以上のよ
うにして、基板上に凹凸を形成することができる。
板上に平坦化および絶縁用に上述の感光性樹脂２０を所
望の膜厚が得られるよう、好ましくは５００ｒｐｍ〜３
０００ｒｐｍでスピンコーティング法により塗布する。
本実施例では２５００ｒｐｍで３０秒間塗布し、感光性
樹脂２０を０．４μｍの膜厚に成膜した。さらに、この
基板を、好ましくは１２０〜２５０℃で熱処理すること
により硬化し、滑らかな凹凸部が形成された。本実施例
では２００℃で６０分の熱変形処理を行った。以上のよ
うにして、基板上に凹凸を形成することができる。
【００２２】次に、図３に示すように、樹脂の下部にあ
るＴＦＴ素子のドレイン電極と樹脂上部に設ける反射電
極とを接続するコンタクトホールを形成する。
るＴＦＴ素子のドレイン電極と樹脂上部に設ける反射電
極とを接続するコンタクトホールを形成する。
【００２３】まず、図３（ａ）に示すように、パターニ
ング用のレジスト２１として商品名ＯＦＰＲ−８００
（東京応化製）を所望の膜厚が得られるよう、好ましく
は４００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍでスピンコーティング
法により塗布する。本実施の形態では６００ｒｐｍで３
０秒間塗布し、レジスト２１を２．２μｍの膜厚に成膜
した。
ング用のレジスト２１として商品名ＯＦＰＲ−８００
（東京応化製）を所望の膜厚が得られるよう、好ましく
は４００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍでスピンコーティング
法により塗布する。本実施の形態では６００ｒｐｍで３
０秒間塗布し、レジスト２１を２．２μｍの膜厚に成膜
した。
【００２４】次に、図３（ｂ）に示すように、この基板
を１００℃で３０秒間プリベークした後、所定のパター
ンが形成されたフォトマスク２２を配置し、レジスト２
１を露光した。
を１００℃で３０秒間プリベークした後、所定のパター
ンが形成されたフォトマスク２２を配置し、レジスト２
１を露光した。
【００２５】その後、図３（ｃ）に示すように、レジス
ト２１を現像し、コンタクトホール形成用のパターニン
グを行う。
ト２１を現像し、コンタクトホール形成用のパターニン
グを行う。
【００２６】次に、図３（ｄ）に示すように、ドライエ
ッチング２３の処理を行う。ドライエッチング２３の処
理は、Ｏ2、Ａｒ、Ｏ2とＡｒの混合ガス、Ｏ2とフッ素
系ガスの混合ガス等を用いて、圧力１００〜２０００ｍ
Ｔｏｒｒ、流量１００〜１０００ｓｃｃｍの条件で行う
ことができる。
ッチング２３の処理を行う。ドライエッチング２３の処
理は、Ｏ2、Ａｒ、Ｏ2とＡｒの混合ガス、Ｏ2とフッ素
系ガスの混合ガス等を用いて、圧力１００〜２０００ｍ
Ｔｏｒｒ、流量１００〜１０００ｓｃｃｍの条件で行う
ことができる。
【００２７】次いで、図３（ｅ）に示すように、ドライ
エッチング２３の処理によりレジスト２１に設けられた
コンタクトホールから、下層の感光性樹脂２０を除去す
る。この時、感光性樹脂２０表面には、レジスト２１が
形成されているため、ドライエッチング２３による影響
はない。
エッチング２３の処理によりレジスト２１に設けられた
コンタクトホールから、下層の感光性樹脂２０を除去す
る。この時、感光性樹脂２０表面には、レジスト２１が
形成されているため、ドライエッチング２３による影響
はない。
【００２８】さらに、図３（ｆ）に示すように、レジス
ト２１を剥離する。以上のようにして、ドレイン電極１
２上にコンタクトホールを形成することができる。
ト２１を剥離する。以上のようにして、ドレイン電極１
２上にコンタクトホールを形成することができる。
【００２９】次に、図４に示すように、表面に反射膜を
形成する。
形成する。
【００３０】まず、図４（ａ）に示すように、コンタク
トホールを形成した基板表面に反射電極２４を形成す
る。反射電極２４の材料としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、
Ａｇなどの金属を挙げることができる。また、それらの
金属膜を組み合わせて多層にしたものや、上記金属を用
いた合金膜でもよい。膜厚としては０．０１〜１．０μ
ｍ程度の範囲が適当である。本実施の形態ではＡｌを真
空蒸着することにより、反射電極２４を形成した。
トホールを形成した基板表面に反射電極２４を形成す
る。反射電極２４の材料としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、
Ａｇなどの金属を挙げることができる。また、それらの
金属膜を組み合わせて多層にしたものや、上記金属を用
いた合金膜でもよい。膜厚としては０．０１〜１．０μ
ｍ程度の範囲が適当である。本実施の形態ではＡｌを真
空蒸着することにより、反射電極２４を形成した。
【００３１】次に、図４（ｂ）に示すように、反射電極
２４を各画素にパターニングする工程を行う。パターニ
ング用のレジストとして商品名ＯＦＰＲ−８００（東京
応化製）を所望の膜厚が得られるよう、好ましくは５０
０ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコーティング法によ
り塗布する。本実施の形態では６００ｒｐｍで３０秒間
塗布し、レジストを２．２μｍの膜厚に成膜した。次に
この基板を１００℃で３０秒間プリベークした後、所定
のパターンが形成されたフォトマスクを配置し、露光
後、現像し、レジストパターニングをおこない、反射電
極２４のエッチングを行った後、レジスト剥離を行う。
以上のようにして反射電極基板を得ることができた。
２４を各画素にパターニングする工程を行う。パターニ
ング用のレジストとして商品名ＯＦＰＲ−８００（東京
応化製）を所望の膜厚が得られるよう、好ましくは５０
０ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコーティング法によ
り塗布する。本実施の形態では６００ｒｐｍで３０秒間
塗布し、レジストを２．２μｍの膜厚に成膜した。次に
この基板を１００℃で３０秒間プリベークした後、所定
のパターンが形成されたフォトマスクを配置し、露光
後、現像し、レジストパターニングをおこない、反射電
極２４のエッチングを行った後、レジスト剥離を行う。
以上のようにして反射電極基板を得ることができた。
【００３２】ここでは、感光性樹脂膜及びレジストの形
成方法をスピンコーティングで行ったが所望の膜が得ら
れれば、印刷法やロールコーティング法などでも良い。
成方法をスピンコーティングで行ったが所望の膜が得ら
れれば、印刷法やロールコーティング法などでも良い。
【００３３】また、平坦化および絶縁用に塗布した材料
として感光性樹脂を例に挙げたが、平坦化および絶縁性
が確保できればコンタクトホール形成時にエッチングで
除去される材料で有れば良い。例えば、ポリイミド系の
樹脂、アクリル系の樹脂、フッ素系の樹脂等を用いるこ
とができる。
として感光性樹脂を例に挙げたが、平坦化および絶縁性
が確保できればコンタクトホール形成時にエッチングで
除去される材料で有れば良い。例えば、ポリイミド系の
樹脂、アクリル系の樹脂、フッ素系の樹脂等を用いるこ
とができる。
【００３４】本実施の形態の反射型ＬＣＤの反射電極基
板は、所望の散乱特性を実現させるため、設計された凹
凸構造の絶縁層を制御良く製造する必要がある。ところ
が、コンタクトホール形成時にアッシングを使用すれ
ば、その凹凸構造が崩れてしまい、絶縁層が平坦な場合
よりも光学特性に大きな支障をきたしてしまう。したが
って、本実施の形態に示した製造方法によれば、凹凸が
レジスト層に覆われて保護されており、コンタクトホー
ルをドライエッチング処理に行っているので、設計通り
の凹凸構造を維持し、コンタクトホールの形成とドレイ
ン電極上の残渣の除去を同時に行うことができ、製造工
程を削減することができる。
板は、所望の散乱特性を実現させるため、設計された凹
凸構造の絶縁層を制御良く製造する必要がある。ところ
が、コンタクトホール形成時にアッシングを使用すれ
ば、その凹凸構造が崩れてしまい、絶縁層が平坦な場合
よりも光学特性に大きな支障をきたしてしまう。したが
って、本実施の形態に示した製造方法によれば、凹凸が
レジスト層に覆われて保護されており、コンタクトホー
ルをドライエッチング処理に行っているので、設計通り
の凹凸構造を維持し、コンタクトホールの形成とドレイ
ン電極上の残渣の除去を同時に行うことができ、製造工
程を削減することができる。
【００３５】また、実施の形態では散乱した反射特性を
得るため樹脂形状を凹凸にしたが、反射電極による光散
乱特性が不必要な反射型液晶表示装置の場合は、絶縁層
は平坦なままで構わない。この時、絶縁性が充分なら、
感光性樹脂は１層でも構わない。
得るため樹脂形状を凹凸にしたが、反射電極による光散
乱特性が不必要な反射型液晶表示装置の場合は、絶縁層
は平坦なままで構わない。この時、絶縁性が充分なら、
感光性樹脂は１層でも構わない。
【００３６】次に、本実施の形態の反射電極基板の作製
工程を従来の作製工程と比較したものを図５に示す。図
５において、○は行う工程を示し、×は行わない工程を
示している。図５によると、従来の反射電極基板作製工
程より露光・現像が１工程ずつ削減されている。このこ
とにより基板作製のための大幅なコストダウンが可能に
なる。
工程を従来の作製工程と比較したものを図５に示す。図
５において、○は行う工程を示し、×は行わない工程を
示している。図５によると、従来の反射電極基板作製工
程より露光・現像が１工程ずつ削減されている。このこ
とにより基板作製のための大幅なコストダウンが可能に
なる。
【００３７】次に、本実施の形態とコンタクト処理でド
ライエッチを行わず残渣が残っている場合、それぞれの
方法で作製した反射電極基板のコンタクト特性を測定し
た。コンタクト特性は、コンタクト部分に電圧を印加し
て、そこに流れる電流を測定することにより行った。コ
ンタクト特性の結果を図６に示す。図６によると本実施
の形態の作製方法によっても、図５の従来例に示す工程
と同様に良好なコンタクト特性を得ることができる。
ライエッチを行わず残渣が残っている場合、それぞれの
方法で作製した反射電極基板のコンタクト特性を測定し
た。コンタクト特性は、コンタクト部分に電圧を印加し
て、そこに流れる電流を測定することにより行った。コ
ンタクト特性の結果を図６に示す。図６によると本実施
の形態の作製方法によっても、図５の従来例に示す工程
と同様に良好なコンタクト特性を得ることができる。
【００３８】（実施の形態２）本実施の形態２では、実
施の形態１により作製した反射電極基板を用いた反射型
液晶表示装置について説明する。
施の形態１により作製した反射電極基板を用いた反射型
液晶表示装置について説明する。
【００３９】反射型液晶表示装置の断面図を図７に示
す。液晶の表示モードとしてはゲストホストモードを採
用した。
す。液晶の表示モードとしてはゲストホストモードを採
用した。
【００４０】反射型液晶表示装置は、反射側基板と対向
基板とこの２つの基板に挟持された液晶により構成され
る。反射側基板は、実施の形態１により作製した反射電
極基板２５上に、ポリイミド等からなる配向膜２６が形
成され、ラビング等により配向処理が施されている。
基板とこの２つの基板に挟持された液晶により構成され
る。反射側基板は、実施の形態１により作製した反射電
極基板２５上に、ポリイミド等からなる配向膜２６が形
成され、ラビング等により配向処理が施されている。
【００４１】一方、対向側基板は、絶縁性基板２７上
に、金属、金属と金属酸化物の積層または黒色樹脂等か
らなる遮光パターンであるブラックマトリクス２８と、
赤、緑及び青の着色樹脂からなる光を透過するカラーフ
ィルタ２９が形成されている。なお、カラーフィルタ２
９表面の平坦性が要求される場合には、透明樹脂でなる
平坦化層が設けられる。さらに、ブラックマトリクス２
８及びカラーフィルタ２９の上には、ＩＴＯ等からなる
透明電極３０が形成され、この透明電極３０の上にはポ
リイミド等からなる配向膜３１が形成され、ラビング等
により配向処理が施されている。
に、金属、金属と金属酸化物の積層または黒色樹脂等か
らなる遮光パターンであるブラックマトリクス２８と、
赤、緑及び青の着色樹脂からなる光を透過するカラーフ
ィルタ２９が形成されている。なお、カラーフィルタ２
９表面の平坦性が要求される場合には、透明樹脂でなる
平坦化層が設けられる。さらに、ブラックマトリクス２
８及びカラーフィルタ２９の上には、ＩＴＯ等からなる
透明電極３０が形成され、この透明電極３０の上にはポ
リイミド等からなる配向膜３１が形成され、ラビング等
により配向処理が施されている。
【００４２】このように作製された反射側基板と対向側
基板を、基板間の間隙を一定に保つスペーサを介してシ
ール剤で貼り合わせ、基板間に液晶３２を注入して、封
止することにより反射型液晶表示装置が構成される。な
お、ここで、液晶３２としては、例えば黒色色素を混入
したゲストホスト液晶商品名ＺＬＩ−２３２７（メルク
社製）に光学活性物質商品名Ｓ８１１（メルク社製）を
４．５％混入したものを用いることができる。
基板を、基板間の間隙を一定に保つスペーサを介してシ
ール剤で貼り合わせ、基板間に液晶３２を注入して、封
止することにより反射型液晶表示装置が構成される。な
お、ここで、液晶３２としては、例えば黒色色素を混入
したゲストホスト液晶商品名ＺＬＩ−２３２７（メルク
社製）に光学活性物質商品名Ｓ８１１（メルク社製）を
４．５％混入したものを用いることができる。
【００４３】この反射型液晶表示装置を用いて表示をし
たところ、アクティブ素子−反射電極間のコンタクト不
良などなく、良好な表示が得られた。
たところ、アクティブ素子−反射電極間のコンタクト不
良などなく、良好な表示が得られた。
【００４４】このように本発明によれば、反射電極基板
作製工程を簡略化して低コスト化をはかり、尚且つ良好
なコンタクト特性が得られ、良好な表示が得られること
となった。
作製工程を簡略化して低コスト化をはかり、尚且つ良好
なコンタクト特性が得られ、良好な表示が得られること
となった。
【００４５】なお、実施の形態ではＴＦＴ基板上に反射
電極を作製したが、他のスイッチング素子として、ＭＩ
Ｍ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、
ダイオード、バリスタ等を用いたアクティブマトリクス
基板にも適用することもできる。
電極を作製したが、他のスイッチング素子として、ＭＩ
Ｍ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、
ダイオード、バリスタ等を用いたアクティブマトリクス
基板にも適用することもできる。
【００４６】また、液晶表示モードも、例えばゲストホ
ストモードのような光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤ
のような光散乱モード、また、強誘電性ＬＣＤモード、
ＴＮモード、ＳＴＮモードなど反射型ＬＣＤとして使用
可能なモードはいずれも適用できる。
ストモードのような光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤ
のような光散乱モード、また、強誘電性ＬＣＤモード、
ＴＮモード、ＳＴＮモードなど反射型ＬＣＤとして使用
可能なモードはいずれも適用できる。
【００４７】
【発明の効果】本発明は、絶縁層上に画素電極が形成さ
れ、前記絶縁層に設けたコンタクトホールにより下部電
極と前記画素電極を接続し、前記絶縁層の最上層が有機
樹脂からなる液晶表示装置の製造方法において、有機樹
脂からなる最上層の絶縁層を形成する工程と、前記絶縁
層上にエッチングマスクとして使用する有機膜を形成す
る工程と、前記有機膜にコンタクトホール部をパターニ
ングする工程と、前記パターニングされた有機膜をエッ
チングマスクとしてドライエッチングにより前記絶縁層
にコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴と
しているので、従来の製造工程に比べて、製造工程を削
減できる。工程を減少させることでより安価な液晶表示
装置が製造可能となる。また、絶縁層上にエッチングマ
スクとして有機膜を形成して、ドライエッチングを行い
コンタクトホールを設けるので、絶縁膜表面はドライエ
ッチングの影響がなく、さらにコンタクトホールの形成
と下部電極上の残渣の除去を同一工程で行うことができ
る。また、下部電極上の残渣が除去されているので、良
好なコンタクトホールの電気特性を得ることができる。
よって、液晶表示装置の光学特性に支障を生じさせるこ
とはない。
れ、前記絶縁層に設けたコンタクトホールにより下部電
極と前記画素電極を接続し、前記絶縁層の最上層が有機
樹脂からなる液晶表示装置の製造方法において、有機樹
脂からなる最上層の絶縁層を形成する工程と、前記絶縁
層上にエッチングマスクとして使用する有機膜を形成す
る工程と、前記有機膜にコンタクトホール部をパターニ
ングする工程と、前記パターニングされた有機膜をエッ
チングマスクとしてドライエッチングにより前記絶縁層
にコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴と
しているので、従来の製造工程に比べて、製造工程を削
減できる。工程を減少させることでより安価な液晶表示
装置が製造可能となる。また、絶縁層上にエッチングマ
スクとして有機膜を形成して、ドライエッチングを行い
コンタクトホールを設けるので、絶縁膜表面はドライエ
ッチングの影響がなく、さらにコンタクトホールの形成
と下部電極上の残渣の除去を同一工程で行うことができ
る。また、下部電極上の残渣が除去されているので、良
好なコンタクトホールの電気特性を得ることができる。
よって、液晶表示装置の光学特性に支障を生じさせるこ
とはない。
【００４８】また、前記絶縁層を形成する前に凹凸を形
成する工程を含むことを特徴とするので、設計通りの凹
凸構造を制御できるので、さらに所望の散乱特性を実現
することができる。
成する工程を含むことを特徴とするので、設計通りの凹
凸構造を制御できるので、さらに所望の散乱特性を実現
することができる。
【図１】実施の形態１の反射電極基板の断面図を示す。
【図２】実施の形態１の反射電極基板の製造工程を示
す。
す。
【図３】実施の形態１の反射電極基板の製造工程を示
す。
す。
【図４】実施の形態１の反射電極基板の製造工程を示
す。
す。
【図５】実施の形態１と従来例の反射電極基板製造工程
の比較を示す説明図である。
の比較を示す説明図である。
【図６】実施の形態１と従来例のコンタクト特性の比較
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図７】反射型液晶表示装置の断面図を示す。
１１ 反射電極 １２ ドレイン電極 １３ ＴＦＴ素子 １４ コンタクトホール １５ 有機樹脂層 １６ 凸部 １７ 絶縁性基板 １８ 感光性樹脂 １９ フォトマスク ２０ 感光性樹脂 ２１ レジスト ２２ フォトマスク ２３ ドライエッチング ２４ 反射電極 ２５ 反射電極基板 ２６ 配向膜 ２７ 絶縁性基板 ２８ ブラックマトリクス ２９ カラーフィルタ ３０ 透明電極 ３１ 配向膜
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁層上に画素電極が形成され、前記絶
縁層に設けたコンタクトホールにより下部電極と前記画
素電極を接続し、前記絶縁層の最上層が有機樹脂からな
る液晶表示装置の製造方法において、 有機樹脂からなる最上層の絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層上にエッチングマスクとして使用する有機膜
を形成する工程と、 前記有機膜にコンタクトホール部をパターニングする工
程と、 前記パターニングされた有機膜をエッチングマスクとし
てドライエッチングにより前記絶縁層にコンタクトホー
ルを形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記絶縁層を形成する前に凹凸を形成す
る工程を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111397A JPH10221712A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111397A JPH10221712A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10221712A true JPH10221712A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12045839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2111397A Pending JPH10221712A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10221712A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000155335A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
| KR100486185B1 (ko) * | 2000-11-16 | 2005-05-03 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 패턴 형성 방법과 이를 이용한 반사형 액정 디스플레이장치 제조 방법 |
| KR100577784B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2006-05-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막 트랜지스터 액정 표시소자의 제조방법 |
| JP2006526804A (ja) * | 2003-06-04 | 2006-11-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 液晶表示装置の製造方法 |
| KR100720091B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100783699B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
| CN100357992C (zh) * | 2002-04-15 | 2007-12-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法 |
-
1997
- 1997-02-04 JP JP2111397A patent/JPH10221712A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000155335A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
| KR100577784B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2006-05-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막 트랜지스터 액정 표시소자의 제조방법 |
| KR100720091B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100486185B1 (ko) * | 2000-11-16 | 2005-05-03 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 패턴 형성 방법과 이를 이용한 반사형 액정 디스플레이장치 제조 방법 |
| KR100783699B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
| CN100357992C (zh) * | 2002-04-15 | 2007-12-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法 |
| JP2006526804A (ja) * | 2003-06-04 | 2006-11-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 液晶表示装置の製造方法 |
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