JPS62142323A - Ｘ線ホトリソグラフイに使用するマスクの加法的方法及びその結果得られるマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＸ線ホトリソグラフィに使用するマスクを製造
する方法に関するものであり、更に詳細には、所定のパ
ターンに従ってマスク上にＸ線不透明物質（例えば、金
）を付着させる方法に関するものである。

集積回路を製造する為のホトリソグラフィプロセスにお
いてマスクを使用することは従来公知である。ウェハか
ら多数の集積回路を得る為にシリコンウェハ（典型的に
は、直径が４インチ、５インチ、又は６インチである）
を処理することは高価である。集積回路が小さければ小
さい程、与えられた寸法のウェハから得られることの可
能な集積回路の数はそれだけ多く、小型の集積四路は大
型の集積回路よりも製造価格がより低い。可視光を使用
するホトリソクラフィ技術を使用することによって得ら
れる回路構成の寸法には制限があることが従来知られて
いる。従って、Ｘ線のスペクトル部分における照射を、
例えばＳｍ１ｔｈ　ｅｔ　ａｌ、の米国特許第３，７４
３，８４２号に記載されている如きホトリソグラフィ製
造プロセスに使用してより小型の集積回路を得ることが
可能であることが提案されている。Ｘ線ホトリソグラフ
ィを使用するプロセスにおいては、Ｘ線照射を選択的に
ブロックするマスクを提供することが必要である。

Ｘ線ホトリソグラフィにおいて使用される従来のマスク
（例えば、第１図のマスク１０）は、パイレックス（ρ
ｙｒｅｘ）リング１４上に伸長させた窒化ボロン膜］−
２を有している。従来公知の如く、窒化ボロンはＸ線に
対して透明である。窒化ボロン膜１２はポリイミド層１
５で被覆されている。

Ｘ線に不透明なパターン化した金層１Ｇがポリイミド層
１５上に付着されている。タンタル接着剤１８からなる
同様にパターン化された層が、金とポリイミドとの間に
設けられており、金とポリイミドとを結合させている。

更に、シリコンからなる中間層２０がパイレックスリン
グ１４と窒化ボロン層１２との両方に結合されている。

第１図に図示した如きマスクは、典型的に、減法的態様
で形成される。即ち、第２ａ図に示した如き爾後に形成
されるべきマスクが設けられ、その場合に、窒化ボロン
膜１２はポリイミド層１５、タンタル層１８、金層１６
、典型的にはタンタルのマスク層２２で完全に被覆され
ている。マスク層２２はパターン化されて金層１Ｇの領
域を露出させている。金層１６の露出領域を、典型的に
はスパッタエツチングプロセスによって、エツチング除
去し、タンタル層１８の領域を露出させる。

その後に、タンタル層の露出領域をエツチング除去し、
マスク層２２の残存部分を除去し、パターン化した金１
６を中間の同様にパターン化されたタンタル層１８によ
ってポリイミド層１５へ接着させている（第１図参照）
。このプロセスは、本発明者の寄稿による「Ｘ線マスク
技術における進歩（Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｘ−Ｒａ
ｙ　Ｍａｓｋ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）Ｊ、ソリッドス
テー１−テクノロジー、１９８４年、という文献に詳細
に説明しである。

このプロセスは幾つかの問題を持っていることが知られ
ている。特に、金層１６のエツチングの間に、金がパタ
ーンかした金の露出端部の周りに再付着し、金層の壁が
典型的に水平線に対して６５°乃至７０’の角度を持つ
様になる（第２ｂ図参照）。従来公知の如く、マスク下
側の区域に到達するＸ線の強度は、Ｘ＃を源とそのＸ線
によって露光されるホトレジストとの間の金の厚さに逆
の関係がある。金の厚さは傾斜端部下側では変化するの
で、この様なマスクを使用してホトリソグラフィ的に製
造した構造の端部の画定は劣化される。

傾斜した合壁の問題を回避する為に加法的プロセスを使
用してＸ線ホトリソグラフィにおいて使用するマスクを
提供することは従来公知である。

この様なプロセスにおいて、メンブレン乃至は膜５０（
第３ａ図）を有する構成体を中間接着層５２（例えば、
タンタル）、薄い金層５４、ホトレジスト層５６でコー
ティングする。次いで、該マスクを全付着プロセスにｙ
ｎ呈させ、金層６０を窓領域５８（第３ｂ図）内に付着
させる。その後に。

該ウェハをエツチングプロセスに露呈させ、ホトレジス
ト層５６を除去し、金Ｍ５４を部分的に露出させる。金
層５４の露出部分及びその下側に存在する付着層５２の
部分を除去し、第３Ｃ図の構成とさせる。この様なプロ
セス乃至は方法は、Ｇ。

Ｅ、　Ｇｅｏｒｇｉｏｕ　ｅｔ　ａｌ、著の「Ｘ線マス
ク上のサブミクロン金パターンのＤＣ電気鍍金（ＤＣＥ
ｌｅｃｔｒｏｐｌａしｉｎｇ　　ｏｆ　　Ｓｕｂ−ｍｉ
ｃｒｏｎ　　Ｇｏｌｄ　　Ｐａｔｔｅｒｎｓ　　ｏｎ　
　Ｘ−ｒａｙ　　Ｍａｓｋｓ）Ｊという文献に記載され
ている。

本発明は以上の点に鑑みなされたものであって、上述し
た如き従来技術の欠点を解消し、マスクを製造する改良
した加法的プロセス乃至は方法及びその結果得られるマ
スクを提供することを目的とする。

本発明プロセスによれば、Ｘ線透明物質（典型的に、窒
化ボロン）からなる第１層を爾後に付着するＸ線不透明
物質に対する支持体として設ける。

次いで、該第］一層をＸ線透明物質からなる第２層によ
って被覆する。該第２層は導電性であり且つ爾後に鍍金
ベースとして機能し、典型的にはインジウム酸化錫（ｉ
ｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）である。

次いで、該第２層を非導電性のＸ線透明物質（典型的に
は、窒化ボロン）からなる第３層で被覆する。次いで、
該第３層をパターン化し、該第２Ｍの領域を露出させる
。次いで、鍍金プロセスによって該第２層の露出領域上
にＸ線不透明物質（典型的には、金）を付着させる。そ
の結果得られる構成はマスクであり、それは第２層物質
（鍍金ベース）又は＠３層物質（付着された金の端部を
画定するステンシル）を除去すること無しに使用される
。従って、本発明プロセスは従来のプロセスよりも一層
簡単で且つ低コストであり、マスク内に導入する欠陥は
少ない。更に、残存するステンシルは、Ｘ線露光の間に
金によって射出されるホトエレクトロン及びオージェ（
Ａｕｇｅｒ）エレクトロンを阻止することに貢献する。

以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
に付いて詳細に説明する。

Ｘ線ホトリソグラフィに使用するマスクを製造する為の
本発明に基づく改良した加法的プロセス乃至は方法は、
シリコンウェハ上にＸ線透明層（典型的には、窒化ボロ
ン）を形成することから開始される。該窒化ボロン層上
に、Ｘ線透明で導電性物質（１実施例においては、イン
ジウム酸化錫即ちＩＴＯ）からなる層、第２Ｘ線透明層
（典型的に、窒化ボロン）、マスク層（典型的に、アル
ミニウム）をこの順番に形成する。窒化ボロンの第２層
はステンシルとして機能し、且つＩＴＯ層は後述する如
く爾後の鍍金プロセス中に鍍金ベースとして機能する。

その後に、ウェハのシリコン部分を公知の態様でエツチ
ングしてシリコンリングを形成し、該リングはＩＴＯ１
第２窒化ボロン、アルミニウム層でコーティングされた
窒化ボロン膜を支持している。

次いで、ホトレジスト層をアルミニウム層上に付着させ
且つ光への選択的露光によるか又は直接的なＥビームに
よる書込によってパターン化させる。該ホトレジスト層
の所望部分を除去し、アルミニウム層を部分的に露出さ
せる。次いで、該ホトレジスト層内のパターンをアルミ
ニウム層へ写し、第２窒化ボロン層の部分を露出させる
。アルミニウム層内のパターンは爾後に第２窒化ボロン
層へ転移され、ＩＴＯ層を部分的に露出させる。

その後に、ホトレジスト層及びアルミニウム層を除去す
る。Ｘ線不透明物質（典型的には、金）を露出したＩＴ
Ｏ層に渡って爾後に形成されるべきマスク上に鍍金させ
る。ＩＴＯ層は導電性であり。

鍍金ベースとして機能し、且つ第２窒化ボロン層はステ
ンシルとして機能する。次いで、該マスクをＰＭＭＡの
如き保護用ポリマーで被覆する。従って、加法的プロセ
スを使用してマスクが提供される。本発明の１特徴によ
れば、ステンシルはＸ線透明窒化ボロンであり且つ鍍金
ベースはＸ線透明ＩＴ○であるので、従来技術における
如く、鍍金ベース及びステンシルのマスクを剥離するこ
とは必要ではない。窒化ボロンは、そのＸ線照射からの
損傷に比較的影響を受けない（例えば、それは黒くなら
ない）ので、特に適切なステンシル物質である。又、窒
化ボロンはポリマーよりも一層硬質であり、従って垂直
壁を持った微細な線状のステンシルを形成することが可
能である。

第４ａ図を参照すると、本発明の１実施例に基づくプロ
セスは、シリコン１０１のウェハ１００の両側を窒化ボ
ロン層１０２でコーティングすることから開始する。シ
リコン１０１は典型的にはドープしていないか又は軽度
にドープされている。

（以後、ウェハという用語はシリコン１０１及びその上
に直接的に又は間接的に形成されている物質を言及する
為に使用する。）本発明の１実施例においては、窒化ボ
ロン層１０２は約３乃至５ミクロンの厚さであり、且つ
低圧化学蒸着プロセス（ＬＰＧＶＤ）を使用して付着さ
れる。その後に、窒化ボロン１０２の１表面層をインジ
ウム酸化錫の層１０４でコーティングする。本発明の１
実施例においては、インジウム酸化錫（ＩＴＯ）層１０
４は６００Ａ厚さであり、且つスパッタリング又は酸素
雰囲気中における蒸着の何れかによって与えられる。以
後明らかになる様に、ＩＴｏ層１ｏ４をマスク製造プロ
セスの間に鍍金ベースとして使用する。重要なことであ
るが、ＩＴＯの薄い層は可視光に対して透明であると共
にＸ線照射に対しても透明である。ＩＴＯは又導電性で
ある。

その後に、第４ａ図の構成体を窒化ボロンの第２層１０
６（第４ｂ図）でコーティングする。本発明の１実施例
においては、窒化ボロン層１０６は１ミクロン厚さであ
り且つＬＰＧＶＤプロセスによって付着される。後に明
らかになる如く、窒化ボロン層１０６は、爾後の鍍金プ
ロセスの間にステンシル（即ち、Ｘ線不透明物質が鍍金
されない区域を画定する）として機能する。その後に。

１．０００人の厚さのアルミニウム層１０８を窒化ボロ
ン層１０６の表面上にスパッタさせる。次いで、本構成
体を、後に形成されるべきマスクに対しての機械的な支
持体として機能するパイレックスリング１１０へ固定さ
せる。パイレックスリング１１０は、多数の技術１例え
ばエポキシテクノロジー社によって製造されているモデ
ル番号３５３ＮＤ等のエポキシ、の何れかによって窒化
ボロン層１０６へ固定させることが可能である。

次いで、ウェハ１００の底部上の窒化ボロン層１０２及
び１０６の部分１０５を除去する。１実施例においては
、このことはプラズマエツチングで行われる。ウェハ１
００の残部上の窒化ボロンは、コダック社の表面保護樹
脂モデル６５０／ＭＸ９３６等の厚いホトレジストバッ
クラップ（不図示）によるか又は機械的なアルミニウム
マスク固定治具によって保護されている。その他の実施
例においては、爾後に形成されるべきマスク１１３上の
窒化ボロン層１０２及び１０６の部分１０５を化学的エ
ツチング（例えば、次亜塩素酸ナトリウムを使用して）
によって除去する。その他のエツチング方法、例えば発
明者Ａｌｅｘａｎｄｅｒ　Ｒ，Ｓｈｉｍｋｕｎａｓ及び
Ｊａｍｅｓ　ＬａＢｒ１ｅの「モノリシック支持体を使
用するＸ線ホトリソグラフィにおいて使用する為のマス
クの製造方法及びその結果得られる構成体（Ｐｒｏｃｅ
ｓｓ　ｆｏｒ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　Ａ　Ｍａ
ｓｋ　Ｆｏｒ　Ｕｓｅ　Ｉｎ　Ｘ−Ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　Ｕｓｉｎｇ　Ａ　Ｍｏｎｏｌ
ｉｔｈｉｃ　５ｕｐｐｏｒｔ　Ａｎｄ　Ｒｅｓｕｌｔｉ
ｎｇ　５ｔｒｕｃｔｕｒｅ）Ｊという名称の米国特許出
願節０６／７６１，９９８号に記載されている空気研磨
工具を使用するもの等を使用することが可能である。

窒化ボロンのエツチングステップは、シリコン１０１の
円形部分を露出させる。次いで、シリコン１０１の露出
した部分を、多数の方法、例えば発明者Ａｌｅｘａｎｄ
ｅｒ　Ｒ，Ｓｈｉｍｋｕｎａｓの「Ｘ線ホトリソグラフ
ィにおいて使用されるマスクの製造方法（Ｐｒ。

Ｃｓ５ｓ　ｆｏｒ　Ｍａｋｉｎｇ　Ａ　Ｍａｓｋ　Ｕｓ
ｅｄ　Ｉｎ　Ｘ−Ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａ
ｐｈｙ）Ｊという名称の１９８５年７月２３日に出願し
た米国特許出願節７５８，５９６号に掲載されている如
きマスク１１３をＫ　ＯＨ溶液中に浸漬させることによ
る方法等の何れかの方法によってエツチングする。その
結果得られる構成を第４ｃ図に示しである。重要なこと
であるが、窒化ボロン層１０２及び１０６とシリコン１
０１をエツチングするステップは１本発明プロセスにお
けるその他の点において行うことが可能である。

その後に、アルミニウム層１０８上にホトレジスト層１
１２を形成する。第４ｄ図を参照すると。

ホトレジスト層１１２を光への選択的露光によるか又は
直接的なＥビーム書込プロセスによってパターン化させ
る。次いで、ホトレジスト層１１２の露光した部分を除
去し、窓領域１１４ａ乃至１１４ｃを形成する。次いで
、ホトレジスト層１１２内のパターンをアルミニウム層
１０８へ転移させる。１実施例においては、このことは
５０ワツトのパワーで４００　ｎＴｏｒｒの圧力でＢＣ
Ｉ、を使用してプラズマエツチングプロセスによって行
われる。

その後に、アルミニウム層１０８内のパターンを窒化ボ
ロンＪ１１０６へ転移させる。１実施例においては、こ
のことは、３００ワツトのパワーで１５ｍＴｏｒｒの圧
力で、処理ガスとして９０％ＣＦ４−１０％０□を使用
するプラズマエツチングプロセスによって行う。このプ
ロセスの間、ホトレジスト層１１２の残部を除去する。

その後に、アルミニウム層１０８の残部を、例えば処理
ガスとしてＢＣＩ、を使用するプラズマエッチで、除去
する。その結果の構成を第４ｅ図に示しである。理ｍす
べきことであるが、本発明プロセスにおいてアルミニウ
ム層１０８を使用するのは、アルミニウムがＢＣｌ３プ
ラズマ中でエツチングするがＣＦ４プラズマ中ではエツ
チングしないからである。

又、アルミニウムは低原子番号を持っているので、より
高い原子番号の物質層を使用した場合よりもＥビーム画
像形成中に後方散乱されるエレクトロンがより少ない。

その後に、残存する構成体を、発明者Ｐｈ１ｌｉｐ　Ｅ
。

Ｍａｕｇｅｒの「Ｘ線ホトリソグラフィに使用するマス
クを製造する加法的方法（Ａｄｄｉｔｉｖｅ　Ｐｒｏｃ
ｅｓｓ　ｆｏｒＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　ａ　Ｍａ
ｓｋ　ｆｏｒ　Ｕｓｅ　ｉｎ　Ｘ−ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）　Ｊという名称の１９８５年
５月１７日に出願した米国特許出願に記載されているの
と同様の金鍍金プロセスに露呈させる。このプロセスの
間、爾後に形成すべきマスク１１３を、５ｅｌ−Ｒｅｘ
社から入手可能なモデルＢＤＴ−２００の如き従来の金
鍍金浴溶液中に置く。１実施例においては、鍍金溶液は
約４５℃である。プラチナをコーティングしたチタンを
有する陽極を該溶液中に位置させ、１乃至５　ｍ　Ａ　
／　ｃｒｊの鍍金電流を発生させるのに十分な電圧をマ
スクと陽極との間にかける。このプロセスの間、典型的
に０．５乃至１ミクロンの厚さの金層１１６（第４ｆ図
）をＩＴｏ層１０４の露出部分上に付着させる。重要な
ことであるが、窒化ボロン層１０６内に形成された窓］
、　ｌ　４　ａ及び１１４ｃは、金属リード１１８ａ及
び１１８ｂを夫々介してＩＴＯ層１０４へ電圧が印加さ
れることを可能としている。

その後に、マスク１１３から鍍金溶液を除去し且つＰＭ
ＭＡ保護ｙｉ！Ｊ１２０でコーティングする（第４ｇ図
）。（窓１１４ａ及び１１４Ｃ内の金はマスク１１３の
周辺部にあり且つマスクがホトリソグラフィプロセスに
使用される時には使用されない。）重要なことであるが
、ＩＴｏ層１０４及び窒化ボロン層１０６は可視光及び
Ｘ線の両方に対して透明である。従って、本発明に拠れ
ば、旧述した米国特許出願第０６／７３５，８９３号及
び上述したＧｅｏｒｇｉｏｕの文献における場合の如く
、製造プロセス即ち方法の間に鍍金ベース及びステンシ
ルを取り除くことは必要ではない。従って、本発明方法
に基づいて製造されるマスクはより簡単であり且つ製造
コストはより低い。

以上、本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。例えば、ＩＴ
Ｏ及び窒化ボロンの代りに、その他のＸ線透明物質を使
用することが可能である。更に、ＩＴＯを使用する代り
に、ドープした導電性窒化ボロン層を使用することが可
能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のマスクを示した説明図、第２ａ図は従来
の減法的製造プロセスの過程中のマスクを示した説明図
、第２ｂ図は従来方法に基づいて構成されたマスクで該
マスク上の全壁の傾斜を示した説明図、第３ａ図乃至第
３ｃ図は従来の加法的マスク製造方法を示した各説明図
、第４ａ図乃至第４ｇ図は本発明の製造方法の過程にお
けるマスクの断面説明図、である。 （符号の説明） １ｏＯ：ウェハ １０１：シリコン １０２：窒化ボロン第１層 １０４：ＩＴＯ １０６：窒化ボロン第２層 １０８ニアルミニウム層 １１０：パイレックスリング １１２：ホトレジスト層 １１４：窓領域 特許出願人　　　　マイクロニクス　コーポレーション 代　　理　　人　　　　　　小　　　橋　　　−男”　
□　　−− 同　　　　　　　　　　小　　　橋　　　正　　　明　
　パ°□゛図面の１−７１古（内容に変更なし） ／″ Ｘ″′ 手続ネ市正屏Ｆ：（方式） ％式％［］ １、事件の表示　　　昭和６１年　特　許　願　第１８
０２　：３０号３、補正をする者 ｊＪＬ件との関係　　　特許出願人 名称　　　　マイクロニクス　コーポレーション４、代
理人 ５、補正命令の日付 昭和６１年１ｏＪ］８Ｅ］　（６］年１０Ｊ１２８ＦＪ
発送）６、補正により増加する発明の数　　　な　し７
、補正の対象　　　　　図　而（内容に変更なし）−、
ン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マスクの製造方法において、Ｘ線透明可視光透明鍍
   金ベースを用意し、前記鍍金ベース上にステンシル層を
   設け、前記ステンシル層はその中に形成した窓領域を持
   っており従って前記Ｘ線透明鍍金ベースの一部を露出し
   、前記鍍金ベースの前記露出した部分上にＸ線不透明物
   質層を鍍金させることを特徴とする方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記ステンシルは
   Ｘ線透明物質を有することを特徴とする方法。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記鍍金ベースが
   インジウム酸化錫であり且つ前記ステンシル層が窒化ボ
   ロンであることを特徴とする方法。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記層を鍍金する
   ステップが金鍍金プロセスを有していることを特徴とす
   る方法。 ５、マスクの製造方法において、Ｘ線透明の物質からな
   る第１層を設け、導電性でＸ線透明で可視光透明の物質
   からなる第２層を前記第１層上に設け、Ｘ線透明の物質
   からなる第３層を設け、前記第３層上に第４層を設け、
   前記第４層をパターン化し、前記第４層のパターンを前
   記第３層へ転移させて前記第２層を部分的に露出させ、
   前記第２層の前記露出部分上にＸ線不透明物質を付着さ
   せる上記各ステップを有することを特徴とする方法。 ６、特許請求の範囲第５項において、前記第４層はアル
   ミニウムであり、且つ前記第４層をパターン化するステ
   ップにおいて、前記第４層上にホトレジストを付着させ
   、前記ホトレジストをパターン化させ、前記ホトレジス
   ト内のパターンを前記第４層へ転移させる上記各ステッ
   プを有していることを特徴とする方法。 ７、特許請求の範囲第５項において、前記第１及び第３
   層は窒化ボロンを有しており、前記第２層はインジウム
   酸化錫を有しており、前記Ｘ線不透明物質は金であるこ
   とを特徴とする方法。 ８、マスクの製造方法において、Ｘ線透明で可視光透明
   の第１層を設け、前記第１層上にステンシル層を設け、
   前記ステンシル層はＸ線透明でありその中に形成した窓
   領域を持っており前記第１層を部分的に露出させており
   、前記第１層の前記露出部分上にＸ線不透明物質層を形
   成する、上記各ステップを有することを特徴とする方法
   。 ９、Ｘ線透明で可視光透明の鍍金ベース、前記Ｘ線透明
   で可視光透明の鍍金ベース上に形成したＸ線不透明物質
   を有することを特徴とするマスク。 １０、特許請求の範囲第９項において、前記Ｘ線不透明
   物質は金であることを特徴とするマスク。 １１、特許請求の範囲第９項において、前記鍍金ベース
   上にＸ線透明ステンシルが形成されていることを特徴と
   するマスク。 １２、特許請求の範囲第１１項において、前記Ｘ線透明
   ステンシルは窒化ボロンであることを特徴とするマスク
   。 １３、特許請求の範囲第１２項において、前記Ｘ線透明
   ステンシル及び前記Ｘ線不透明物質上に保護層が形成さ
   れていることを特徴とするマスク。 １４、特許請求の範囲第１３項において、前記Ｘ線不透
   明物質は金であることを特徴とするマスク。 １５、マスクを製造する方法において、Ｘ線透明鍍金ベ
   ースを用意し、前記Ｘ線透明鍍金ベースはインジウム酸
   化錫と導電性ドープした窒化ボロンとを包含するグルー
   プから選択される物質を有しており、前記鍍金層上にス
   テンシル層を用意し、前記ステンシル層はその中に形成
   された窓領域を持っており従って前記Ｘ線透明鍍金ベー
   スの一部を露出しており、前記鍍金ベースの前記露出部
   分上にＸ線不透明物質層を鍍金する、上記各ステップを
   有することを特徴とする方法。 １６、インジウム酸化錫と導電性ドープ窒化ボロンとを
   包含するグループから選択した物質を有するＸ線透明鍍
   金ベース、前記Ｘ線透明鍍金ベース上に形成したＸ線不
   透明物質、を有することを特徴とするマスク。