JPH0744147B2 - アスペクト比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いｘ線マスク - Google Patents
アスペクト比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いｘ線マスクInfo
- Publication number
- JPH0744147B2 JPH0744147B2 JP3256503A JP25650391A JPH0744147B2 JP H0744147 B2 JPH0744147 B2 JP H0744147B2 JP 3256503 A JP3256503 A JP 3256503A JP 25650391 A JP25650391 A JP 25650391A JP H0744147 B2 JPH0744147 B2 JP H0744147B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- absorbing material
- mask
- high resolution
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィーに
使用するマスクに関し、より詳細には、アスペクト比の
高い吸収体パターンを含む解像力の高いＸ線マスクに関
する。
使用するマスクに関し、より詳細には、アスペクト比の
高い吸収体パターンを含む解像力の高いＸ線マスクに関
する。
【０００２】
【従来の技術】ハッザキス（Hatzakis）らの1977年7月1
2日に発行された「Ｘ線リソグラフィーマスク（X-RAY LI
THOGRAPHY MASK）」という名称の米国特許第4,035,522号
の明細書において、Ｘ線の一段露光（single exposur
e）により多数のレベルの素子を製造できるような、Ｘ
線リソグラフィーに使用する可変レジスト露光用Ｘ線マ
スクが詳述されている。
2日に発行された「Ｘ線リソグラフィーマスク（X-RAY LI
THOGRAPHY MASK）」という名称の米国特許第4,035,522号
の明細書において、Ｘ線の一段露光（single exposur
e）により多数のレベルの素子を製造できるような、Ｘ
線リソグラフィーに使用する可変レジスト露光用Ｘ線マ
スクが詳述されている。
【０００３】ネスター(Nester)の1982年5月4に発行され
た「リソグラフィーマスクの製造方法(PROCESS FOR MANU
FACTURING LITHOGRAPHY MASKS)」 という名称の米国特許
第4,328,298号の明細書において、 大きさが１ミクロン
未満という特徴を含み且つ伝導性又は不導性の基板を有
するようなＸ線リソグラフィーマスクの製造方法が開示
されている。その方法には、例えば蒸着によって、金の
ような強いＸ線吸収体からなる非常に薄い皮膜を最初に
堆積させることが含まれる。フォトレジストの層を最初
の金層に施し、 そして、 露光し且つ現像してフォトレジ
ストの露光した領域を除去する。その後に、マスクを無
電解金めっき浴に浸漬させる。無電解めっきに適してい
る金属は自触媒特性を有するものである。その後に、浴
から追加的な金を露出した最初の金層に堆積させて、望
ましい厚さまで形成させることが可能となる。
た「リソグラフィーマスクの製造方法(PROCESS FOR MANU
FACTURING LITHOGRAPHY MASKS)」 という名称の米国特許
第4,328,298号の明細書において、 大きさが１ミクロン
未満という特徴を含み且つ伝導性又は不導性の基板を有
するようなＸ線リソグラフィーマスクの製造方法が開示
されている。その方法には、例えば蒸着によって、金の
ような強いＸ線吸収体からなる非常に薄い皮膜を最初に
堆積させることが含まれる。フォトレジストの層を最初
の金層に施し、 そして、 露光し且つ現像してフォトレジ
ストの露光した領域を除去する。その後に、マスクを無
電解金めっき浴に浸漬させる。無電解めっきに適してい
る金属は自触媒特性を有するものである。その後に、浴
から追加的な金を露出した最初の金層に堆積させて、望
ましい厚さまで形成させることが可能となる。
【０００４】バックレイ（Buckley）の1982年5月11日に
発行された「Ｘ線リソグラフィーマスクの製造（PRODUC
TION OF X-RAY LITHOGRAPHIC MASKS)」という名称の米
国特許第4.329,410号の明細書において、 Ｘ線吸収体パ
ターンをマスク膜上に形成させて寸法が1μm未満の最大
パターン特徴を達成する方法が開示されている。膜に金
属薄膜を含む紫外線（UV）感光フォトレジストを被覆す
る。金属薄膜に電子ビームレジストを被覆する。電子ビ
ームレジストを電子ビームで望ましいパターンに露光す
る。現像の後に、金属膜を残っている電子ビームレジス
トまでエッチングする。これにより、下層のＵＶフォト
レジスト層の上にステンシルが形成される。該ＵＶフォ
トレジスト層は、その後、紫外線又は軟Ｘ線源で露光さ
せる。現像の後に、 金のようなＸ線吸収体を膜の上に
堆積させる。最終的な露光工程は点放射線源によって行
う。Ｘ線吸収体は、その後、傾斜壁を形成してＸ線源の
陰影化（shadowing）を阻止する。
発行された「Ｘ線リソグラフィーマスクの製造（PRODUC
TION OF X-RAY LITHOGRAPHIC MASKS)」という名称の米
国特許第4.329,410号の明細書において、 Ｘ線吸収体パ
ターンをマスク膜上に形成させて寸法が1μm未満の最大
パターン特徴を達成する方法が開示されている。膜に金
属薄膜を含む紫外線（UV）感光フォトレジストを被覆す
る。金属薄膜に電子ビームレジストを被覆する。電子ビ
ームレジストを電子ビームで望ましいパターンに露光す
る。現像の後に、金属膜を残っている電子ビームレジス
トまでエッチングする。これにより、下層のＵＶフォト
レジスト層の上にステンシルが形成される。該ＵＶフォ
トレジスト層は、その後、紫外線又は軟Ｘ線源で露光さ
せる。現像の後に、 金のようなＸ線吸収体を膜の上に
堆積させる。最終的な露光工程は点放射線源によって行
う。Ｘ線吸収体は、その後、傾斜壁を形成してＸ線源の
陰影化（shadowing）を阻止する。
【０００５】オカダ（Okada）らの1987年10月27日に発
行された「Ｘ線リソグラフィー法（METHOD OF X-RAY LIT
HOGRAPHY）」という名称の米国特許第4,702,995号の明細
書において、Ｘ線のような非常に短い波長の電磁波と；
その電磁波に感光するレジスト層とを；使用するリソグ
ラフィーの方法が教示されている。照射方法は、２つの
工程に分かれる。一つの工程は、選択的に電磁波をレジ
スト層の望ましいパターンに照射する。もう一方の工程
は、レジスト層の全領域上への非選択的照射である。後
者の工程は、半導体ウエハのような多数の加工物に関し
て同時に行うこともできる。
行された「Ｘ線リソグラフィー法（METHOD OF X-RAY LIT
HOGRAPHY）」という名称の米国特許第4,702,995号の明細
書において、Ｘ線のような非常に短い波長の電磁波と；
その電磁波に感光するレジスト層とを；使用するリソグ
ラフィーの方法が教示されている。照射方法は、２つの
工程に分かれる。一つの工程は、選択的に電磁波をレジ
スト層の望ましいパターンに照射する。もう一方の工程
は、レジスト層の全領域上への非選択的照射である。後
者の工程は、半導体ウエハのような多数の加工物に関し
て同時に行うこともできる。
【０００６】ヨシスカ（Yoshiska）らの１９８９年１０
月１０日に発行された「Ｘ線マスク及びその製造方法
（X-RAY MASK AND A MANUFACTURE METHOD THEREFOR）」
という名称の米国特許第4,873,162号の明細書におい
て、０．５−１０重量％のＴｉを含有するＴｉ−Ｗ合金
から形成したＸ線吸収体パターンを含むＸ線リソグラフ
ィー用Ｘ線マスクが詳述されている。Ｘ線マスクの製造
方法は、第１のフィルム、約０．５−１０重量％のＴｉ
を含有するＴｉ−Ｗ合金フィルム、更には、第３のフィ
ルムをマスク基板上に続いて形成し、第３のフィルムに
電子ビーム感光性レジストを被覆し、そのレジストを電
子ビームに露光させ、そしてその後、露光したレジスト
を現像してレジストパターンを形成し、そのレジストパ
ターンをマスクとして使用して第３のフィルムを選択的
にエッチングしてパターンを形成し、そのパターンをマ
スクとして使用してＴｉ−Ｗ合金フィルムを反応性ガス
を用いて選択的にエッチングして吸収体パターンを形成
する。Ｔｉ−Ｗ合金フィルムは約３０−５０％の窒素を
含むアルゴンと窒素の混合ガス雰囲気下でスパッターリ
ング法により形成して、Ｔｉ−Ｗ合金フィルムに窒素が
含まれるようにするのが好ましい。
月１０日に発行された「Ｘ線マスク及びその製造方法
（X-RAY MASK AND A MANUFACTURE METHOD THEREFOR）」
という名称の米国特許第4,873,162号の明細書におい
て、０．５−１０重量％のＴｉを含有するＴｉ−Ｗ合金
から形成したＸ線吸収体パターンを含むＸ線リソグラフ
ィー用Ｘ線マスクが詳述されている。Ｘ線マスクの製造
方法は、第１のフィルム、約０．５−１０重量％のＴｉ
を含有するＴｉ−Ｗ合金フィルム、更には、第３のフィ
ルムをマスク基板上に続いて形成し、第３のフィルムに
電子ビーム感光性レジストを被覆し、そのレジストを電
子ビームに露光させ、そしてその後、露光したレジスト
を現像してレジストパターンを形成し、そのレジストパ
ターンをマスクとして使用して第３のフィルムを選択的
にエッチングしてパターンを形成し、そのパターンをマ
スクとして使用してＴｉ−Ｗ合金フィルムを反応性ガス
を用いて選択的にエッチングして吸収体パターンを形成
する。Ｔｉ−Ｗ合金フィルムは約３０−５０％の窒素を
含むアルゴンと窒素の混合ガス雰囲気下でスパッターリ
ング法により形成して、Ｔｉ−Ｗ合金フィルムに窒素が
含まれるようにするのが好ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｘ線
リソグラフィーに使用するのに十分な程度にアスペクト
比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いＸ線マスク
を製造する技術を提供することである。
リソグラフィーに使用するのに十分な程度にアスペクト
比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いＸ線マスク
を製造する技術を提供することである。
【０００８】本発明の更なる目的は、レジスト薄層を使
用してコントラストの低いマスクを得、そしてその後
に、Ｘ線で露光して吸収体のアスペクト比を大きくしそ
してマスクのコントラストを大きくするようなＸ線マス
クを製造する技術を提供することである。
用してコントラストの低いマスクを得、そしてその後
に、Ｘ線で露光して吸収体のアスペクト比を大きくしそ
してマスクのコントラストを大きくするようなＸ線マス
クを製造する技術を提供することである。
【０００９】本発明の更に別の目的は、マスクを電子ビ
ーム（e-beam）によるレジストの露光及び現像工程によ
り最初にパターニングして、その後に、めっきをする基
礎物質の表面を反応性イオンによって活性化し、次に電
気めっきするようなＸ線マスクの製造技術を提供するこ
とである。そのレジストを除去して、マスクをネガ型
（negativeacting）レジストで被覆する。マスクの裏面
をＸ線で露光する。現存している吸収体がＸ線マスクと
して働いて望ましい領域のレジストを露光する。レジス
トを現像、反応性エッチング及び電気めっきの後に除去
して、その後にコントラストの高いマスクが得られる。
ーム（e-beam）によるレジストの露光及び現像工程によ
り最初にパターニングして、その後に、めっきをする基
礎物質の表面を反応性イオンによって活性化し、次に電
気めっきするようなＸ線マスクの製造技術を提供するこ
とである。そのレジストを除去して、マスクをネガ型
（negativeacting）レジストで被覆する。マスクの裏面
をＸ線で露光する。現存している吸収体がＸ線マスクと
して働いて望ましい領域のレジストを露光する。レジス
トを現像、反応性エッチング及び電気めっきの後に除去
して、その後にコントラストの高いマスクが得られる。
【００１０】Ｘ線リソグラフィーは、非常に小さくて光
学技術では形成できないような特徴を含むパターンをウ
エハ上に精密に製造するのに使用される。該特徴は、Ｘ
線に対して本質的に透明な膜とＸ線吸収物質からなる膜
上のパターンとを含むＸ線マスクを使用して形成する。
吸収物質の厚さは、膜までのＸ線透過対単なる膜上のＸ
線吸収体までの透過の比率であるコントラストを高くす
るのに十分な程度でなければならない。現在の実施で
は、典型的なコントラストは１０：１から１２：１であ
る。
学技術では形成できないような特徴を含むパターンをウ
エハ上に精密に製造するのに使用される。該特徴は、Ｘ
線に対して本質的に透明な膜とＸ線吸収物質からなる膜
上のパターンとを含むＸ線マスクを使用して形成する。
吸収物質の厚さは、膜までのＸ線透過対単なる膜上のＸ
線吸収体までの透過の比率であるコントラストを高くす
るのに十分な程度でなければならない。現在の実施で
は、典型的なコントラストは１０：１から１２：１であ
る。
【００１１】Ｘ線リソグラフィーの出現以来、Ｘ線マス
クの吸収体パターンに使用する物質は主に金であった。
金の吸収係数は、Ｘ線リソグラフィーに使用する軟Ｘ線
に関して高い。更に、金は外の金属に比べて柔らかいの
で、金フィルムをマスク基板上に形成すると、基板にか
かって吸収体パターンの歪みを引き起こすような応力が
低い。
クの吸収体パターンに使用する物質は主に金であった。
金の吸収係数は、Ｘ線リソグラフィーに使用する軟Ｘ線
に関して高い。更に、金は外の金属に比べて柔らかいの
で、金フィルムをマスク基板上に形成すると、基板にか
かって吸収体パターンの歪みを引き起こすような応力が
低い。
【００１２】Ｘ線マスク製造への挑戦の一つは、アスペ
クト比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いマスク
を製造して、Ｘ線リソグラフィーにとって十分なコント
ラストのマスクを製造することである。アスペクト比は
特徴の最大幅に対する吸収体の高さの比である。吸収体
形成するためにアディティブ電気めっき型方法を使用す
るときには、局部不均一性を生じさせるためにアスペク
ト比の更に高いレジストステンシルが求められる。標準
的な電子ビームパターニング方法を使用して行うことは
難しい。レジスト内の電子の透過によりアスペクト比の
高いイメージを備えた垂直断面を得るのが困難となるか
らである。多層（ＭＬＲ）レジスト法が、電子ビームレ
ジストの薄層をパターニングする有利性を担保しつつア
スペクト比の高いレジストステンシルを製造するのに使
用される。この技術は、パターン転写法におけるプロセ
スバイアス（process bias）（により極限解像力を限定
する）という固有の問題に直面し且つパターン転写技術
により下のめっき底部が損傷するという損害を受ける。
クト比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いマスク
を製造して、Ｘ線リソグラフィーにとって十分なコント
ラストのマスクを製造することである。アスペクト比は
特徴の最大幅に対する吸収体の高さの比である。吸収体
形成するためにアディティブ電気めっき型方法を使用す
るときには、局部不均一性を生じさせるためにアスペク
ト比の更に高いレジストステンシルが求められる。標準
的な電子ビームパターニング方法を使用して行うことは
難しい。レジスト内の電子の透過によりアスペクト比の
高いイメージを備えた垂直断面を得るのが困難となるか
らである。多層（ＭＬＲ）レジスト法が、電子ビームレ
ジストの薄層をパターニングする有利性を担保しつつア
スペクト比の高いレジストステンシルを製造するのに使
用される。この技術は、パターン転写法におけるプロセ
スバイアス（process bias）（により極限解像力を限定
する）という固有の問題に直面し且つパターン転写技術
により下のめっき底部が損傷するという損害を受ける。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｘ線の露光に
より現存しているマスクの吸収体の厚さを拡大して吸収
体のアスペクト比を大きくする方法を提供する。この方
法においては、レジスト薄層を使用して、コントラスト
の”低い”マスクを製造し、次に（ここで詳述されてい
るように）更に加工してマスクのコントラストを大きく
する。吸収体の高さは、０．１ミクロンの特徴の最大幅
に関しては、６，０００〜８，０００である。６，００
０Åは０．６ミクロンに相当するので、アクペクト比の
増加は６：１から８：１である。
より現存しているマスクの吸収体の厚さを拡大して吸収
体のアスペクト比を大きくする方法を提供する。この方
法においては、レジスト薄層を使用して、コントラスト
の”低い”マスクを製造し、次に（ここで詳述されてい
るように）更に加工してマスクのコントラストを大きく
する。吸収体の高さは、０．１ミクロンの特徴の最大幅
に関しては、６，０００〜８，０００である。６，００
０Åは０．６ミクロンに相当するので、アクペクト比の
増加は６：１から８：１である。
【００１４】本発明のＸ線マスクの製造においては、従
来技術において典型的であるところの電子ビームの露光
工程を最初に実施して、そしてその後に、Ｘ線の露光工
程を実施する。
来技術において典型的であるところの電子ビームの露光
工程を最初に実施して、そしてその後に、Ｘ線の露光工
程を実施する。
【００１５】図１Ａは、Ｘ線マスク膜すなわち基板１０
であってその上に吸収物質２０のパターンを含むものの
断面の図解を示している。
であってその上に吸収物質２０のパターンを含むものの
断面の図解を示している。
【００１６】前に記載したように、Ｘ線吸収物質２０は
金であり、且つ、マスク膜すなわち基板１０はＸ線に対
して透明であり且つＢＮ，ＳｉＮ又はＳｉＯ2のような
通常使用される無機化合物から一般にはなるのが望まれ
る。図には示されていないが、膜１０は標準的には支持
リングに取り付けられている。
金であり、且つ、マスク膜すなわち基板１０はＸ線に対
して透明であり且つＢＮ，ＳｉＮ又はＳｉＯ2のような
通常使用される無機化合物から一般にはなるのが望まれ
る。図には示されていないが、膜１０は標準的には支持
リングに取り付けられている。
【００１７】図１Ａに示された構造を最初に形成するた
めに、膜１０に約３，０００Åの厚さの電子ビームレジ
スト薄層を被覆する。レジスト層を電子ビーム放射で露
光し、現像して、反応性イオンエッチングする。得られ
た表面を金で電気めっきしてレジストを除去して図１Ａ
に示された構造を得る。
めに、膜１０に約３，０００Åの厚さの電子ビームレジ
スト薄層を被覆する。レジスト層を電子ビーム放射で露
光し、現像して、反応性イオンエッチングする。得られ
た表面を金で電気めっきしてレジストを除去して図１Ａ
に示された構造を得る。
【００１８】前に記載したように、吸収体物質２０の高
さは約６，０００Åである。エポキシタイプの架橋型レ
ジストのようなネガ型Ｘ線レジストの層３０を膜１０と
吸収体物質２０の上に被覆する。
さは約６，０００Åである。エポキシタイプの架橋型レ
ジストのようなネガ型Ｘ線レジストの層３０を膜１０と
吸収体物質２０の上に被覆する。
【００１９】その構造を、膜１０の裏面から典型的な放
射線量が８０〜１００ｍｊ／ｃｍ2であるようなＸ線４
０でその後露光させる。吸収体パターン２０はマスクと
して働き、且つマスクされていない部分３２のレジスト
は図１Ｃに示されるように露光される。その構造を現像
して、反応性イオンエッチングを行って図１Ｄに示され
ているような構造を得る。
射線量が８０〜１００ｍｊ／ｃｍ2であるようなＸ線４
０でその後露光させる。吸収体パターン２０はマスクと
して働き、且つマスクされていない部分３２のレジスト
は図１Ｃに示されるように露光される。その構造を現像
して、反応性イオンエッチングを行って図１Ｄに示され
ているような構造を得る。
【００２０】別の電気めっき工程を実施して、図１Ｅで
示されているような量５０だけ金吸収体部分２０の高さ
を高くする。一般的には、最終的な高さを８，０００Å
する。
示されているような量５０だけ金吸収体部分２０の高さ
を高くする。一般的には、最終的な高さを８，０００Å
する。
【００２１】最後に、レジスト部分３２を除去して、図
１Ｆに示されているようなマスクを得る。得られたマス
クは、電子ビームで露光したレジスト薄層がパターニン
グ工程用に使用できそれによりレジストの要求に沿うこ
とを容易とし且つ線幅の制御を改善するようなコントラ
ストのより高いものである。
１Ｆに示されているようなマスクを得る。得られたマス
クは、電子ビームで露光したレジスト薄層がパターニン
グ工程用に使用できそれによりレジストの要求に沿うこ
とを容易とし且つ線幅の制御を改善するようなコントラ
ストのより高いものである。
【００２２】
【発明の効果】詳述されている本発明は、Ｘ線のユニー
クな解像力を利用して、有機マスクのパターニングが完
了した後に、より厚い吸収体をめっきすることによって
電気めっきした吸収体を含むＸ線マスクのコントラスト
を改善するものである。この技術により、従来技術より
解像力が高く且つ線幅の良好な制御を可能とするような
マスクが得られる。本技術は、コントラスト低いマスク
又は低いエネルギーの電子ビームを使用して高解像度の
Ｘ線マスクを製造することを可能とする。
クな解像力を利用して、有機マスクのパターニングが完
了した後に、より厚い吸収体をめっきすることによって
電気めっきした吸収体を含むＸ線マスクのコントラスト
を改善するものである。この技術により、従来技術より
解像力が高く且つ線幅の良好な制御を可能とするような
マスクが得られる。本技術は、コントラスト低いマスク
又は低いエネルギーの電子ビームを使用して高解像度の
Ｘ線マスクを製造することを可能とする。
【図１】図１Ａ乃至図１Ｆは、本発明のＸ線マスク構造
の製造の各段階における、その断面の概略図である。
の製造の各段階における、その断面の概略図である。
１０ Ｘ線マスク膜 ２０ Ｘ線吸収物質 ３０ ネガ型Ｘ線レジスト層 ３２ マスクされていない部分 ４０ Ｘ線
Claims (6)
- 【請求項１】上にアスペクト比の高い吸収体パターンを
含む解像力の高いＸ線マスクを製造する方法であって： １）Ｘ線透明膜基板の上面に、Ｘ線吸収物質のパターン
をリソグラフイ的に形成し、 このとき、前記Ｘ線吸収物質のパターンには第１の厚さ
と前記膜の前記上面に実質的に垂直な側面とがあり； ２）前記のパターニングした吸収物質及び上の膜表面に
Ｘ線レジスト物質の層を被覆し； ３）Ｘ線を前記透明膜の底を通して向かわせて前記Ｘ線
レジスト物質を露光させ、 このとき、前記膜上の前記吸収物質の前記表面上にある
前記Ｘ線レジスト物質の部分は露光されないで残り； ４）前記Ｘ線レジスト物質を現像して前記吸収物質の上
にある未露光部分を除去し且つの前記吸収物質の表面を
反応性インオエッチングし； ５）前記膜基板上の前記吸収物質の表面に、吸収物質か
らなる第２の厚さの層を追加的に電気めっきし；そし
て、 ６）前記膜基板上に残っていたＸ線レジスト物質を除去
して、前記膜上の前記パターンの吸収物質をそのままに
残し このとき、得られた前記吸収物質の高さは前記第１の厚
さに加えて前記追加的な吸収物質の第２の層からなって
いる； 各工程からなる前記方法。 - 【請求項２】 前記透明膜基板は前記Ｘ線吸収物質に永
久的に付着していることが可能である、請求項１に記載
の解像力の高いＸ線マスクを製造する方法。 - 【請求項３】 前記Ｘ線吸収物質は金属である、請求項
１に記載の解像力の高いＸ線マスクを製造する方法。 - 【請求項４】 前記Ｘ線吸収物質は金である、請求項１
に記載の解像力の高いＸ線マスクを製造する方法。 - 【請求項５】 前記吸収物質の第１の厚さは０．６ミク
ロン程度である、請求項１に記載の解像力の高いマスク
を製造する方法。 - 【請求項６】 前記の吸収物質からなる追加的な第２の
厚さは０．２ミクロン程度であり、且つ得られた前記の
高さは０．８ミクロン程度である、請求項５に記載の解
像力の高いＸ線マスクを製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/645,846 US5178975A (en) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | High resolution X-ray mask having high aspect ratio absorber patterns |
| US645846 | 2000-08-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04276618A JPH04276618A (ja) | 1992-10-01 |
| JPH0744147B2 true JPH0744147B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=24590715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3256503A Expired - Lifetime JPH0744147B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-10-03 | アスペクト比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いｘ線マスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5178975A (ja) |
| JP (1) | JPH0744147B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3202253B2 (ja) * | 1991-03-29 | 2001-08-27 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法及び露光用マスク |
| US6635412B2 (en) * | 2000-07-11 | 2003-10-21 | Martin A. Afromowitz | Method for fabricating 3-D structures with smoothly-varying topographic features in photo-sensitized epoxy resists |
| US6846574B2 (en) * | 2001-05-16 | 2005-01-25 | Siemens Westinghouse Power Corporation | Honeycomb structure thermal barrier coating |
| US20050100798A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Device and method for providing wavelength reduction with a photomask |
| CN100466171C (zh) * | 2004-12-30 | 2009-03-04 | 中国科学院微电子研究所 | 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4035522A (en) * | 1974-07-19 | 1977-07-12 | International Business Machines Corporation | X-ray lithography mask |
| US4018938A (en) * | 1975-06-30 | 1977-04-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of high aspect ratio masks |
| US4328298A (en) * | 1979-06-27 | 1982-05-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Process for manufacturing lithography masks |
| US4329410A (en) * | 1979-12-26 | 1982-05-11 | The Perkin-Elmer Corporation | Production of X-ray lithograph masks |
| EP0172583A3 (en) * | 1984-08-24 | 1987-11-04 | Nec Corporation | Method of x-ray lithography |
| US4873162A (en) * | 1986-08-20 | 1989-10-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and a manufacture method therefor |
| JPS6432626A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Sanyo Electric Co | Manufacture of mask for x-ray lithography |
-
1991
- 1991-01-25 US US07/645,846 patent/US5178975A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-03 JP JP3256503A patent/JPH0744147B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04276618A (ja) | 1992-10-01 |
| US5178975A (en) | 1993-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4373018A (en) | Multiple exposure microlithography patterning method | |
| KR100287130B1 (ko) | 포토레지스트막 및 그의 패턴형성방법 | |
| JP2532589B2 (ja) | 微細パタ―ン形成方法 | |
| US6420101B1 (en) | Method of reducing post-development defects in and around openings formed in photoresist by use of non-patterned exposure | |
| JPH0689847A (ja) | Ｘ線マスク構造体とその作製方法、及び、該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法と、該ｘ線マスク構造体を用いて作製されるデバイス | |
| US4101782A (en) | Process for making patterns in resist and for making ion absorption masks useful therewith | |
| US5178975A (en) | High resolution X-ray mask having high aspect ratio absorber patterns | |
| JPH03138922A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH0314172B2 (ja) | ||
| EP0104235A4 (en) | METHOD OF FORMING A HYBRID LITHOGRAPHIC PROTECTION MATERIAL WITH ELECTRONIC / OPTICAL RADIUS. | |
| US4368215A (en) | High resolution masking process for minimizing scattering and lateral deflection in collimated ion beams | |
| JPH03283418A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JP3009068B2 (ja) | Ｘ線マスク構造体及びその製造方法 | |
| JPH0312452B2 (ja) | ||
| JP3114286B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク及びそれの製造方法 | |
| JPH09213609A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58153932A (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JPH05291130A (ja) | 多層レジスト法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0822116A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH05241350A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH04315417A (ja) | 長波長ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPS61154032A (ja) | Ｘ線露光方法 | |
| JPS62284356A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH01302350A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0685070B2 (ja) | レジストパターンの現像方法 |