JPS6281069A - 赤外線検知器の製造方法 - Google Patents
赤外線検知器の製造方法Info
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- JPS6281069A JPS6281069A JP60220308A JP22030885A JPS6281069A JP S6281069 A JPS6281069 A JP S6281069A JP 60220308 A JP60220308 A JP 60220308A JP 22030885 A JP22030885 A JP 22030885A JP S6281069 A JPS6281069 A JP S6281069A
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 29
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- Light Receiving Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体を用いた光伝導型赤外線検知器の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
一般に、赤外線検知器においては、半導体を用いたもの
が高感度である事が知られており、このため、特に現在
では光伝導型赤外線検知器が広く用いられている。
が高感度である事が知られており、このため、特に現在
では光伝導型赤外線検知器が広く用いられている。
光伝導型赤外線検知器は、半導体（たとえばＨｇ ｌ−
ｘ Ｃｄ Ｍ Ｔ ｅ ）薄膜上に２個の電極を取付け
て電流を流し、赤外光が薄膜に入射した際に発生する過
剰電子正孔対によって抵抗が変化するのを検知するもの
である。この際に、電極が薄膜とオーミック接合してい
る場合には、過剰電子正孔対は°電極で再結合して消滅
する。一般に、光伝導型赤外線検知器は、印加した電圧
が大きい程出力も大きくなるが、印加した電圧が大きい
と過剰電子正孔対が電極に達し再結合して消滅する割合
が増大するので、結果として出力は電圧を増加しても増
大せずに飽和するという現象（スウィープアウト効果）
を生ずる。
ｘ Ｃｄ Ｍ Ｔ ｅ ）薄膜上に２個の電極を取付け
て電流を流し、赤外光が薄膜に入射した際に発生する過
剰電子正孔対によって抵抗が変化するのを検知するもの
である。この際に、電極が薄膜とオーミック接合してい
る場合には、過剰電子正孔対は°電極で再結合して消滅
する。一般に、光伝導型赤外線検知器は、印加した電圧
が大きい程出力も大きくなるが、印加した電圧が大きい
と過剰電子正孔対が電極に達し再結合して消滅する割合
が増大するので、結果として出力は電圧を増加しても増
大せずに飽和するという現象（スウィープアウト効果）
を生ずる。
スウィーブアウト効果を起こりにくくする、すなわち電
子正孔対が電極で再結合しに＜＜シて出力が飽和せずに
大きくなる様に提案された赤外線検知器の斜視図が第２
図に示されている。図において、１はｎ型ＨｇＣｄＴｅ
結晶、２はｎ型ＨｇＣｄＴｅの一部にＩｎ拡散等によっ
て作られたｎ＋層、３はＩｎ等の材料で構成された電極
、４はリード線、５は検出器の基板（サファイア等）で
ある。この検知器の特徴は、電極がｎ・層を介してｎ型
ＨｇＣｄＴｅに接している点である。このｎ“層の存在
により、過剰少数キャリアである正孔は電極３に達しに
くくなり、電極３での再結合を減少させる事が可能にな
るくインフラレッドフィジクス（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ） ２１，１０５ （１９８１） ）。
子正孔対が電極で再結合しに＜＜シて出力が飽和せずに
大きくなる様に提案された赤外線検知器の斜視図が第２
図に示されている。図において、１はｎ型ＨｇＣｄＴｅ
結晶、２はｎ型ＨｇＣｄＴｅの一部にＩｎ拡散等によっ
て作られたｎ＋層、３はＩｎ等の材料で構成された電極
、４はリード線、５は検出器の基板（サファイア等）で
ある。この検知器の特徴は、電極がｎ・層を介してｎ型
ＨｇＣｄＴｅに接している点である。このｎ“層の存在
により、過剰少数キャリアである正孔は電極３に達しに
くくなり、電極３での再結合を減少させる事が可能にな
るくインフラレッドフィジクス（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ） ２１，１０５ （１９８１） ）。
゛従ってスウィープアウト効果は起こりにくくなり、大
きな出力が得られる。
きな出力が得られる。
この構造の検知器を製造する従来の工程を第３図（１）
〜（８）を参照して説明する。この工程は、（１）基板
５へｎ型ＨｇＣｄＴｅ ｌを貼付け、適度な厚さにする
（第３図（１））、 （２）ｎ型ＨｇＣｄＴｅ １上にマスクを用いてフォト
レジスト６（又は５１０２等）のパターンを形成する（
第３図（２））、 （３）イオン注入、拡散等によってｎ型ＨｇＣｄＴｅ１
の一部にｎ″層２を形成する（第３図（３））、（４）
フォトレジスト６を除去する（第３図（４））、（５）
電極３を形成する電極材料３′を蒸着等によって全面に
付着する（第３図（５））、（６）電極の図形を備えた
マスクを用いてフォトレジスト７（又は５ｉＯ７等）の
パターンを形成する（第３図（６））、 （７）電極となるべき部分以外をエツチングして電極３
のパターンを形成する（第３図〔７））、（８）フォト
レジスト７のパターンを除去する、の８段階から成る。
〜（８）を参照して説明する。この工程は、（１）基板
５へｎ型ＨｇＣｄＴｅ ｌを貼付け、適度な厚さにする
（第３図（１））、 （２）ｎ型ＨｇＣｄＴｅ １上にマスクを用いてフォト
レジスト６（又は５１０２等）のパターンを形成する（
第３図（２））、 （３）イオン注入、拡散等によってｎ型ＨｇＣｄＴｅ１
の一部にｎ″層２を形成する（第３図（３））、（４）
フォトレジスト６を除去する（第３図（４））、（５）
電極３を形成する電極材料３′を蒸着等によって全面に
付着する（第３図（５））、（６）電極の図形を備えた
マスクを用いてフォトレジスト７（又は５ｉＯ７等）の
パターンを形成する（第３図（６））、 （７）電極となるべき部分以外をエツチングして電極３
のパターンを形成する（第３図〔７））、（８）フォト
レジスト７のパターンを除去する、の８段階から成る。
しかしながら、従来の赤外線検知器の製造方法ではｎ＋
層用のフォトレジストのパターンを形成するマスクと電
極のパターンを形成するマスクとが必要になるため、工
程が複雑化すると共に、ｎ″層層と電極との位置決め精
度が悪化するという問題があった。
層用のフォトレジストのパターンを形成するマスクと電
極のパターンを形成するマスクとが必要になるため、工
程が複雑化すると共に、ｎ″層層と電極との位置決め精
度が悪化するという問題があった。
本発明の目的はｎ″層を形成して高出力を得る事ができ
る赤外線検知器を工程を複雑化せずに精度良く製造する
方法を提供する事にある。
る赤外線検知器を工程を複雑化せずに精度良く製造する
方法を提供する事にある。
この発明の要旨は、ｎ型半導体上に電極を形成すべき部
分以外をフォトレジスト等の遮へい膜で被覆した後にイ
オン注入等によって前記電極を形成すべき部分下にｎ″
層を形成し、その後に電極材料を全面に付着させた後、
前記遮へい膜を除去して電極のパターンを形成すること
にある。
分以外をフォトレジスト等の遮へい膜で被覆した後にイ
オン注入等によって前記電極を形成すべき部分下にｎ″
層を形成し、その後に電極材料を全面に付着させた後、
前記遮へい膜を除去して電極のパターンを形成すること
にある。
この発明では、電極のパターンを形成するためのパター
ンとｎ″層を形成するためのパターンとを、フォトレジ
スト等の遮へい膜を被覆して形成した１つのパターンと
している。このため遮へい膜を被覆して形成するパター
ンを１つのマスクを用いることによって形成でき、従っ
て製造工程を短縮できると共にｎ″層と電極との位置決
め精度を向上できる。
ンとｎ″層を形成するためのパターンとを、フォトレジ
スト等の遮へい膜を被覆して形成した１つのパターンと
している。このため遮へい膜を被覆して形成するパター
ンを１つのマスクを用いることによって形成でき、従っ
て製造工程を短縮できると共にｎ″層と電極との位置決
め精度を向上できる。
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図（１）〜（５）は、本実施例の製造工程を示す断
面図である。まず、第１図（１）に示すように、サファ
イア等で構成された基板５の上面にｎ型ＨｇＣｄＴｅ１
の結晶を貼付けて適度な厚さにする。次に、第１図（２
）に示すように、マスクを用いてｎ型ＨｇＣｄＴｅ上面
にフォトレジスト６（又は５ｉ０２等）のパターンを形
成する。このパターンは、ｎ゛層形成用として作用する
と共に電極のパターン形成用として作用する。続いて、
第１図（３）に示すように、ホウ素（Ｂ）等を１００
ｋ ｅ Ｖ程度に加速して打込むイオン注入を行ない、
ｎ型ＨｇＣｄＴｅのフォトレジスト６が形成されていな
い部分にｎ″層２を形成する。このとき、フォトレジス
ト６が充分厚ければ、ホウ素はこのフォトレジスト６の
層を透過しないので、選択的にフォトレジストが形成さ
れていない部分にｎ″層が形成される。また、１：のと
きのｎ“層の厚さは２〜３μｍ程度であり、ホウ素、は
ｎ型ＨｇＣｄＴｅ ｌの中で繰返し散乱されるためフォ
トレジスト６の平面に対して垂直にホウ素を打込んだ場
合にもフォトレジスト６の外周部の端部から１μｍ程度
の間ではフォトレジスト６の直下部にもｎ″層が形成さ
れる。
面図である。まず、第１図（１）に示すように、サファ
イア等で構成された基板５の上面にｎ型ＨｇＣｄＴｅ１
の結晶を貼付けて適度な厚さにする。次に、第１図（２
）に示すように、マスクを用いてｎ型ＨｇＣｄＴｅ上面
にフォトレジスト６（又は５ｉ０２等）のパターンを形
成する。このパターンは、ｎ゛層形成用として作用する
と共に電極のパターン形成用として作用する。続いて、
第１図（３）に示すように、ホウ素（Ｂ）等を１００
ｋ ｅ Ｖ程度に加速して打込むイオン注入を行ない、
ｎ型ＨｇＣｄＴｅのフォトレジスト６が形成されていな
い部分にｎ″層２を形成する。このとき、フォトレジス
ト６が充分厚ければ、ホウ素はこのフォトレジスト６の
層を透過しないので、選択的にフォトレジストが形成さ
れていない部分にｎ″層が形成される。また、１：のと
きのｎ“層の厚さは２〜３μｍ程度であり、ホウ素、は
ｎ型ＨｇＣｄＴｅ ｌの中で繰返し散乱されるためフォ
トレジスト６の平面に対して垂直にホウ素を打込んだ場
合にもフォトレジスト６の外周部の端部から１μｍ程度
の間ではフォトレジスト６の直下部にもｎ″層が形成さ
れる。
次に第１図（３）に示すように、フォトレジスト６、ｎ
・層２および基板６の上面全体に亘って蒸着等の方法で
電極材料３′を付着する。このときの電極材料３′の一
部はフォトレジスト６の上面にも付着しており、フォト
レジスト６を化学的に除去するとフォトレジスト６上に
付着していた電極材料もフォトレジストと共に剥離され
てｎ゛層２よび基板５上に付着していた電極材料のみが
残され、第１図（５）に示すように電極３のパターンが
形成される。この電極材料を剥離する方法はりフトオフ
法と呼ばれているものである。
・層２および基板６の上面全体に亘って蒸着等の方法で
電極材料３′を付着する。このときの電極材料３′の一
部はフォトレジスト６の上面にも付着しており、フォト
レジスト６を化学的に除去するとフォトレジスト６上に
付着していた電極材料もフォトレジストと共に剥離され
てｎ゛層２よび基板５上に付着していた電極材料のみが
残され、第１図（５）に示すように電極３のパターンが
形成される。この電極材料を剥離する方法はりフトオフ
法と呼ばれているものである。
。 従って、本発明の実施例はリフトオフ法によって
電極パターンを形成し、電極材料蒸着の直前にイオン注
入によってｎ＋層を形成するというものである。
電極パターンを形成し、電極材料蒸着の直前にイオン注
入によってｎ＋層を形成するというものである。
先に述べた様に、ｎ＋層はフォトレジスト層の端部から
１μｍ程度の間の直下部にまで侵入しているので、電極
とＨｇＣｄＴｅとの接点には充分にｎ゛層が形成されて
いる。従って電極とｎ型ＨｇＣｄＴｅはｎ＋層を介して
接しており、先に述べた様に、スウィーブアウト効果は
起きにくく、大きな検知器出力が得られる。
１μｍ程度の間の直下部にまで侵入しているので、電極
とＨｇＣｄＴｅとの接点には充分にｎ゛層が形成されて
いる。従って電極とｎ型ＨｇＣｄＴｅはｎ＋層を介して
接しており、先に述べた様に、スウィーブアウト効果は
起きにくく、大きな検知器出力が得られる。
一方、従来の製造方法の例（第３図）と比べると、工程
数が８段階から５段階に減少している。
数が８段階から５段階に減少している。
フォトレジストパターンも第３図の場合には２種類必要
なのに対して、本実施例では１種類である。
なのに対して、本実施例では１種類である。
従って、マスクも１種類となり、工程が大幅に単純化し
ている。また、ｎ゛層の位置と電極の位置は自動的）こ
整合された形となる、いわゆる自己整合方式となる為、
工程の精度も向上する事になる。
ている。また、ｎ゛層の位置と電極の位置は自動的）こ
整合された形となる、いわゆる自己整合方式となる為、
工程の精度も向上する事になる。
このように、本発明の製造方法によれば、高出力を得る
事のできる赤外線検知器を簡単な工程で高精度で得る事
ができる。
事のできる赤外線検知器を簡単な工程で高精度で得る事
ができる。
第１図〔１）〜（５）は本発明の実施例の光伝導型赤外
線検知器の製造方法を示す工程断面図、第２図は光伝導
型赤外線検知器の斜視図、第３図（１）〜（８）は赤外
線検知器の製造方法の従来例を示、す工程断面図である
。 １ ・・・ｎ型ＨｇＣｄＴｅ結晶 ２・・・ｎ゛層 ３・・・電極 ３′・・・電極材料 ４・・・リード線 ５・・・検知器の基板 ６・・・フォトレジスト 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 （＋） 第１図 第３図
線検知器の製造方法を示す工程断面図、第２図は光伝導
型赤外線検知器の斜視図、第３図（１）〜（８）は赤外
線検知器の製造方法の従来例を示、す工程断面図である
。 １ ・・・ｎ型ＨｇＣｄＴｅ結晶 ２・・・ｎ゛層 ３・・・電極 ３′・・・電極材料 ４・・・リード線 ５・・・検知器の基板 ６・・・フォトレジスト 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 （＋） 第１図 第３図
Claims (1)
- （１）ｎ型半導体上に電極を形成すべき部分以外をフォ
トレジスト等の遮へい膜で被覆した後に前記電極を形成
すべき部分下にｎ＾＋層を形成し、その後に電極材料を
全面に付着させた後、前記遮へい膜を除去して電極のパ
ターンを形成することを特徴とする赤外線検知器の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220308A JPS6281069A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 赤外線検知器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220308A JPS6281069A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 赤外線検知器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281069A true JPS6281069A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16749105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60220308A Pending JPS6281069A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 赤外線検知器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281069A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007287808A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Uchihashi Estec Co Ltd | 柱上トランスの診断方法 |
| JP2007285782A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Uchihashi Estec Co Ltd | 柱上トランスの診断方法 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60220308A patent/JPS6281069A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007287808A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Uchihashi Estec Co Ltd | 柱上トランスの診断方法 |
| JP2007285782A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Uchihashi Estec Co Ltd | 柱上トランスの診断方法 |
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