JPS5956126A - 赤外線検出素子 - Google Patents
赤外線検出素子Info
- Publication number
- JPS5956126A JPS5956126A JP57167251A JP16725182A JPS5956126A JP S5956126 A JPS5956126 A JP S5956126A JP 57167251 A JP57167251 A JP 57167251A JP 16725182 A JP16725182 A JP 16725182A JP S5956126 A JPS5956126 A JP S5956126A
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- Japan
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- cadmium
- mercury
- tellurium
- crystal layer
- electrode
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発１ジ」は、赤外線検出素子の（構造に関するもので
ある。
ある。
水銀カドミウムテルル（Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ）結晶は
、水銀とカドミウムの組成比を変えることにより、該結
晶のエネルギーギャップを一〇、３ｅＶがら１．６ｅＶ
まて変えることかできる。特にＸ＝０．２の組成の結晶
は、１０μｍ帯赤外線検出素子材料として重要である。
、水銀とカドミウムの組成比を変えることにより、該結
晶のエネルギーギャップを一〇、３ｅＶがら１．６ｅＶ
まて変えることかできる。特にＸ＝０．２の組成の結晶
は、１０μｍ帯赤外線検出素子材料として重要である。
このような赤外線検出素子では、検出素子を一列に、ま
たは二次元的に多数個配列してアレイとして用いる場合
が多い。
たは二次元的に多数個配列してアレイとして用いる場合
が多い。
まず従来の赤外線検出素子アレイの構造について述べる
。
。
第１図（ａ）は光伝尋型素子アレイの平面図、同図（ｂ
）は同図（ａ）のＡ−Ａ線における断面図を示す。ここ
で（１）はカドミウムテルル（ＣｄＴｅ）基鈑、（２）
は水銀カドミウムテルル結晶層、（３）はだとλばイン
ジウム／金（Ｉｎ／Ａｕ ）のような金属多層からなる
小極、（４）はたとえば金線からなる金属細線、（５）
は該金線（４）の小極（３）への圧着部である。
）は同図（ａ）のＡ−Ａ線における断面図を示す。ここ
で（１）はカドミウムテルル（ＣｄＴｅ）基鈑、（２）
は水銀カドミウムテルル結晶層、（３）はだとλばイン
ジウム／金（Ｉｎ／Ａｕ ）のような金属多層からなる
小極、（４）はたとえば金線からなる金属細線、（５）
は該金線（４）の小極（３）への圧着部である。
以下、該アレイの製造方法を説明する。半絶縁性のカド
ミウムテルル（ＣｄＴｅ）基板（１）上に水銀カドミウ
ムテルル結晶層（２）を、例えば周知の液相エピタキシ
ャル成長法を用いてエピタキシャル成長を行なって形成
する。その後、素子間の分離を行なうために、ホトレジ
スト膜を被着形成し、写真蝕刻法を用いて第１図１（ａ
）で示す水銀カドミウムテルル結晶層（２）と電極（３
）の形状にパターンを形成する。該パターニングしたレ
ジスト膜をマスクとして、臭素とメチルアルコールの混
合液で水銀カドミウムテルル結晶層（２）をカドミウム
テルル基板（１）すてエツチングする。この後、エツチ
ングで残った水銀カドミウムテルル結晶層（２）の両端
に南極金ｌ萬層を順次蒸着等の方法で付着さセ゛て、第
１図１（ａ）で示す電極（３）の形状に形成する。以上
の過程が終了した後、上記カドミウムテルル基板（１）
を所定ノ位的にセットして、外部端子（図示せず）と小
気的に接続するため、金線（４）でワイヤボンディング
を行なう。
ミウムテルル（ＣｄＴｅ）基板（１）上に水銀カドミウ
ムテルル結晶層（２）を、例えば周知の液相エピタキシ
ャル成長法を用いてエピタキシャル成長を行なって形成
する。その後、素子間の分離を行なうために、ホトレジ
スト膜を被着形成し、写真蝕刻法を用いて第１図１（ａ
）で示す水銀カドミウムテルル結晶層（２）と電極（３
）の形状にパターンを形成する。該パターニングしたレ
ジスト膜をマスクとして、臭素とメチルアルコールの混
合液で水銀カドミウムテルル結晶層（２）をカドミウム
テルル基板（１）すてエツチングする。この後、エツチ
ングで残った水銀カドミウムテルル結晶層（２）の両端
に南極金ｌ萬層を順次蒸着等の方法で付着さセ゛て、第
１図１（ａ）で示す電極（３）の形状に形成する。以上
の過程が終了した後、上記カドミウムテルル基板（１）
を所定ノ位的にセットして、外部端子（図示せず）と小
気的に接続するため、金線（４）でワイヤボンディング
を行なう。
以上説明したような従来方法てアレイ素子を製造する場
合、ワイヤボンディングの過程か最も問題である。水銀
カドミウムテルル結晶層（２）は非常に脆弱で、容易に
傷つき、金線（４）かはすれやすい欠点かある。この欠
点を改善するために、従来、第２図（ａ）（ｂ）のよう
な素子構造か考案された。この構造は脆弱な水銀カドミ
ウムテルル結晶ｌｉｔ ＋２１ 上ではなく、水銀カド
ミウムテルル結晶層（２）より硬いカドミウムテルル基
枦（１）上にボンディング用の電極（１３）を形成する
のを目的と（−でいる。第２図（ａ）はその平面図で、
同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であ
る。ここで、（１３）はたとえばインジウム／金（ｉｎ
／Ａｕ ）のような、水銀カドミウムテルル結晶層（２
）とのオーミック接触を兼ねたボンディング用電極であ
る。
合、ワイヤボンディングの過程か最も問題である。水銀
カドミウムテルル結晶層（２）は非常に脆弱で、容易に
傷つき、金線（４）かはすれやすい欠点かある。この欠
点を改善するために、従来、第２図（ａ）（ｂ）のよう
な素子構造か考案された。この構造は脆弱な水銀カドミ
ウムテルル結晶ｌｉｔ ＋２１ 上ではなく、水銀カド
ミウムテルル結晶層（２）より硬いカドミウムテルル基
枦（１）上にボンディング用の電極（１３）を形成する
のを目的と（−でいる。第２図（ａ）はその平面図で、
同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であ
る。ここで、（１３）はたとえばインジウム／金（ｉｎ
／Ａｕ ）のような、水銀カドミウムテルル結晶層（２
）とのオーミック接触を兼ねたボンディング用電極であ
る。
しかしながらこの従来構造においても、第３図１に示す
ように、ボンダーのキャピラＩＪ −（７１で金線（４
）を圧着した後引き上げる時、カドミウムテルルの脆弱
さのため電極（１３）も−緒に引き上げてしまう事が多
く、これはカドミウムテルルと電極金属との付着力が充
分でないためと考えられる。一般にアレイ素子ては、数
１０個から数百側のボンディングを行なう必要があり、
しかもその中の１つかはすれてもアレイ素子として使え
なくなり、上記従来の構造では、アレイを作製すること
には困難かつきまとっている。
ように、ボンダーのキャピラＩＪ −（７１で金線（４
）を圧着した後引き上げる時、カドミウムテルルの脆弱
さのため電極（１３）も−緒に引き上げてしまう事が多
く、これはカドミウムテルルと電極金属との付着力が充
分でないためと考えられる。一般にアレイ素子ては、数
１０個から数百側のボンディングを行なう必要があり、
しかもその中の１つかはすれてもアレイ素子として使え
なくなり、上記従来の構造では、アレイを作製すること
には困難かつきまとっている。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、カドミウム
テルル基板上に、水銀カドミウムテルルイぐダト富む 結晶層に隣接する硫化亜鉛又は棲尭セレ“シ５７名なる
中間ｊ曽を形成し、上記水銀カドミウムテルル結晶層と
オーミック接触し、その一部か上記中間層」二に付着さ
れたワイヤホンディング用電極を設けることにより、ボ
ンディング時に電極かはかれることがなく、赤外線検出
素子アレイを容易に製造できる赤外線検出素子を提供す
ることを目的としている。
テルル基板上に、水銀カドミウムテルルイぐダト富む 結晶層に隣接する硫化亜鉛又は棲尭セレ“シ５７名なる
中間ｊ曽を形成し、上記水銀カドミウムテルル結晶層と
オーミック接触し、その一部か上記中間層」二に付着さ
れたワイヤホンディング用電極を設けることにより、ボ
ンディング時に電極かはかれることがなく、赤外線検出
素子アレイを容易に製造できる赤外線検出素子を提供す
ることを目的としている。
第４図は、本発明の一実施例による赤外線検出素子の断
面図である。図において第１図ないし第３図と同一符号
は同−又は相当部分を示し、（８）は中間層としての硫
化亜鉛（ＺｎＳ）１７である。
面図である。図において第１図ないし第３図と同一符号
は同−又は相当部分を示し、（８）は中間層としての硫
化亜鉛（ＺｎＳ）１７である。
この構造では、第２図に示した従来の構造の素子の少な
くともボンディング用型ｈ ＋１３１の一部の下に硫化
伊鉛１曽（８）を付着させることを特徴とし、該硫化亜
鉛１曽（８）は、蒸着法、スパッタ法又は化学的蒸着法
（ＣＶＤ法）のいずれでも、これを付着させることかｈ
］能である。硫化亜鉛はカドミウムテルルに（らべて十
分に硬い材料であるうえ、カドミウムテルルおよび電極
金属との付着力も強い。
くともボンディング用型ｈ ＋１３１の一部の下に硫化
伊鉛１曽（８）を付着させることを特徴とし、該硫化亜
鉛１曽（８）は、蒸着法、スパッタ法又は化学的蒸着法
（ＣＶＤ法）のいずれでも、これを付着させることかｈ
］能である。硫化亜鉛はカドミウムテルルに（らべて十
分に硬い材料であるうえ、カドミウムテルルおよび電極
金属との付着力も強い。
従って、ワイヤボンディング時の圧力および張力に十分
耐え得る硫化亜鉛層（８）を形成でき、また該硫化亜鉛
層（８）上に付着したボンディング用電極（１３）と該
硫化亜鉛層（８）との付着力も充分であるため、ワイヤ
ボンディング時の電極のはが′れをなくすることができ
る。
耐え得る硫化亜鉛層（８）を形成でき、また該硫化亜鉛
層（８）上に付着したボンディング用電極（１３）と該
硫化亜鉛層（８）との付着力も充分であるため、ワイヤ
ボンディング時の電極のはが′れをなくすることができ
る。
なお、これまで光伝導型素子についてのみ説明してきた
が、本発明は光起電力型素子にも適用できるのは当然で
ある。
が、本発明は光起電力型素子にも適用できるのは当然で
ある。
沫た、上記実施例で述べた中間層としての硫化亜鉛層は
、電極と水銀カドミウムテルル結晶層との接触部分があ
るかきり、い（ら広くてもよく、層であってもよい。
、電極と水銀カドミウムテルル結晶層との接触部分があ
るかきり、い（ら広くてもよく、層であってもよい。
をカドミウムテルル基板とワイヤボンディング用電極と
の間に付着形成したので、１本の失敗もなくワイヤボン
ディングを行なうことができ、数百のアレイも容易に製
造できるという大きな効果がある。
の間に付着形成したので、１本の失敗もなくワイヤボン
ディングを行なうことができ、数百のアレイも容易に製
造できるという大きな効果がある。
第１ ［ｋｌ （ａ）ｉ；ｉ従来の光伝導型赤外線検出
素子アレイの平面図、第１図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−
Ａ線断面図、第２図（ａ）は他の従来の光伝導型赤外線
検出素子アレイの平面図、第２ド１（ｂ）は同図（ａ）
０）Ｂ−Ｂ線断面１ツ１、第３図は＠ ２ 図１ （
ｂ）におけるワイヤボンディング時の状態を示す図、第
４図は本発明の一実施例による赤外線検出素子の断面図
である。 （１）・・カドミウムテルル基板、（２）・・・水鑵カ
ドミウムテルル結晶層、（８）・・・中間層（硫化亜鉛
層） 、 ｔ１３）・・・ワイヤボンティング用電極。 なお、図１中間−符号は同一部分又は相当部分を示す。 代 理 人 葛 野 イぎ
−第１図 （ｂ） 第２図 （Ｑ）
素子アレイの平面図、第１図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−
Ａ線断面図、第２図（ａ）は他の従来の光伝導型赤外線
検出素子アレイの平面図、第２ド１（ｂ）は同図（ａ）
０）Ｂ−Ｂ線断面１ツ１、第３図は＠ ２ 図１ （
ｂ）におけるワイヤボンディング時の状態を示す図、第
４図は本発明の一実施例による赤外線検出素子の断面図
である。 （１）・・カドミウムテルル基板、（２）・・・水鑵カ
ドミウムテルル結晶層、（８）・・・中間層（硫化亜鉛
層） 、 ｔ１３）・・・ワイヤボンティング用電極。 なお、図１中間−符号は同一部分又は相当部分を示す。 代 理 人 葛 野 イぎ
−第１図 （ｂ） 第２図 （Ｑ）
Claims (1)
- （１） カドミウムテルル基板上に形成された水銀カ
ド′ミウムテルル結晶層よ、上記カドミウムチルらなる
中間層と、上記水銀カドミウムテルル結晶層とオーミッ
ク接触しその一部が上記中間層上に付着されたワイヤボ
ンディング用ｍｌ、＋＋（とを備えたことを特徴とする
赤外線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167251A JPS5956126A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167251A JPS5956126A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 赤外線検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956126A true JPS5956126A (ja) | 1984-03-31 |
| JPH0153729B2 JPH0153729B2 (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=15846259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167251A Granted JPS5956126A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 赤外線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956126A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4876222A (en) * | 1987-09-25 | 1989-10-24 | Texas Instrument Incorporated | Semiconductor passivation |
| KR20030056676A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 케이이씨 | 적외선 감지기의 구조 및 그 제조방법 |
| CN115249749A (zh) * | 2021-04-25 | 2022-10-28 | 同方威视技术股份有限公司 | 碲锌镉探测器的封装结构 |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57167251A patent/JPS5956126A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4876222A (en) * | 1987-09-25 | 1989-10-24 | Texas Instrument Incorporated | Semiconductor passivation |
| KR20030056676A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 케이이씨 | 적외선 감지기의 구조 및 그 제조방법 |
| CN115249749A (zh) * | 2021-04-25 | 2022-10-28 | 同方威视技术股份有限公司 | 碲锌镉探测器的封装结构 |
| CN115249749B (zh) * | 2021-04-25 | 2024-01-16 | 同方威视技术股份有限公司 | 碲锌镉探测器的封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0153729B2 (ja) | 1989-11-15 |
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