JPS6313042A - フオトマスクの修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要コ 欠陥ある遮光膜パターンの欠陥部に、超音波ビームを印
加するか、または、レーザを透過しない膜を被覆し、欠
陥部にレーザビームを照射して、欠陥部の透明基板面を
失透させて修正する。

［産業上の利用分野］ 本発明はフォトマスクの修正方法に関する。

半導体装置の製造工程において、最も重要な工程の一つ
として微細パターンを写真食刻法で形成する、所謂フォ
トプロセスがあり、このフォトプロセスではフォトマス
クが欠かせない材料である。

このフォトマスクとして、最近、微細パターンの形成に
優れたハードマスクが汎用されており、ハードマスクは
薄い遮光パターンが設けられているため、ピンホールが
あったり、゛また、傷がつき易（て、小さな欠陥ができ
やすい。そのため、従前より欠陥部を修正する方法が採
られているが、その修正法はできるだけ筒車な方法であ
ることが望ましい。

［従来の技術］ ハードマスクは、遮光膜パターンを金属膜、金属酸化膜
などで形成しており、例えば、膜厚５００〜１０００人
程度のクロム（Ｃｒ）膜や酸化クロム（Ｃｒ２０３）膜
、あるいは両者の複合膜によってパターンが形成されて
いる。しかし、上記のように、ハードマスクには僅かに
一部のみにピンホールがあったり、スリ傷ができたりし
て、遮光パターンに欠陥部が発生することが多く、その
ため、ハードマスクの修正が行なわれている。

第３図はその欠陥部のあるハードマスクの断面図を図示
しており、１は石英ガラス基板（透明基板）、２−１．
２−２はクロム膜パターン（遮光膜パターン）で、２−
２は欠陥あるクロム膜パターンヲ示し、２Ｓが欠陥部で
、１ｏはハードマスク全体を示す記号である。

従来、このような欠陥部２ｓを修正するためには、例え
ば、第４図（ａｌ〜（Ｃ）に示すような方法で修正を行
なっている。まず、第４図（ａ）に示すように、欠陥部
２Ｓのあるハードマスク１０　（第３図参照）の上に、
ポジレジスト３を全面に塗布した後、欠陥パターンの欠
陥部２Ｓをスポット露光し現像して、欠陥部のみレジス
トが除去されたレジスト膜パターン３を形成する。

次いで、第４図山）に示すように、その上面からクロム
膜４をスパッタ法で被着する。しかる後、レジスト３を
除去すると、レジスト上のクロム膜も同時にリフトオフ
され、同図ＴＣ）に示すように、欠陥部２Ｓにのみクロ
ム膜４が残存して、欠陥部が解消する。

また、最近では、局部照射処理する修正法、例えば、フ
ォーカスト・イオンビーム法やＣＶＤ法（化学気相成長
法）が開発されている。そのうち、フォーカスト・イオ
ンビーム法は、第５図に示すように、欠陥部のあるハー
ドマスク１ｏをイオンビーム照射装置（図に示していな
い）に収容し、欠陥部２ＳにイオンビームＩＢを照射し
て、その欠陥部分の石英ガラス基板１を失透させる方法
（Ｇは失透部を示す）である。また、後者のＣＶＤ法は
、気相成長装置の内部に、欠陥部２ｓのあるハードマス
ク１０を収容して、有機クロム化合物ガスを分解被着さ
せながら、欠陥部２ｓにレーザビームを照射して、その
欠陥部分の石英ガラス基板１を失透させる方法（図示せ
ず）である。

［発明が解決しようとする問題点〕 このように、種々の修正方法が開発されているが、最初
の、クロムをスパッタ法で被着し、リフトオフして欠陥
部にのみクロムを残存させる方法は初期のオーツドック
スな方法として広く利用されてきたが、処理工数が多（
かかって、且つ、他の欠陥ができやすい欠点がある。

そのため、フォーカスト・イオンビーム法やＣＶＤ法の
ような局部照射法が開発されているのであるが、この処
理法は、特定の装置の中にハードマスク１０を収容し、
真空中あるいは減圧中にて処理する必要があり、その取
扱いが非常に厄介な問題である。

本発明は、これらの局部照射法を改善して、更に簡単に
した修正法を提案するものである。

［問題点を解決するための手段］ その目的は、遮光膜パターンの欠陥部に超音波ビームを
印加する方法、あるいは、遮光膜パターンの欠陥部にレ
ーザの透過しない膜を被覆して、欠陥部にレーザビーム
を照射する方法を用いて、欠陥部を光不透過性にする修
正法によって達成される。

［作用］ 即ち、本発明は、超音波ビームを印加するか、または、
レーザビームを照射して、欠陥部の透明基板面を失透さ
せて修正する方法であって、そうすると、欠陥部のある
ハードマスクを真空または減圧気の中に収容する必要が
なく、取扱いが簡単になる。

［実施例］ 以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかがるフォトマスクの
修正方法のうち、超音波による修正法の工程順図を示し
ており、まず、同図（ａ）に示すように、欠陥部２Ｓの
あるハードマスク１０の上に、ポジレジスト１３を塗布
した後、欠陥部２ｓをスポット露光し現像して、欠陥部
のみレジストが除去されたレジスト膜パターン１３を形
成する。

次いで、第１図（ｂｌに示すように、その欠陥部に超音
波ビームＵＳをスポット照射して、欠陥部２Ｓの石英ガ
ラス基！＆１を照射エネルギーで失透させて、遮光性を
与える。次いで、同図（Ｃ１に示すように、レジスト１
３を除去すると、遮光パターン２−２の欠陥部は超音波
エネルギーによって失透部Ｇが形成され、欠陥部が解消
する。失透部Ｇとは、透明なガラス基板がエネルギーを
受けてガラス組織が破壊されて変質し、光を透過しなく
なる部分のことである。

このような、本発明にかかる超音波照射による修正法は
、真空中または減圧中に収容する必要のない局部照射法
で、従来の処理法に比べて修正が一層節単化される。

次に、第２図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明にかかるフォトマ
スクの修正方法のうち、レーザビーム照射による修正法
の工程順図を示しており、まず、同図（ａ）に示すよう
に、欠陥部２Ｓのあるハードマスク１０の全面に、膜厚
１０００人程度０アルミニウム膜２３をユバフタ法で被
着する。

次いで、第２図山）に示すように、その欠陥部にレーザ
光ビームＬＢをスポット照射する。そうすると、レーザ
ビームＬＢを受けた欠陥部２Ｓの石英ガラス基板１はレ
ーザエネルギーで失透し、失透部Ｇが形成される。レー
ザビームＬＢを受けて、失透部Ｇが形成されるのは、そ
の部分が局部的に高温度に加熱されるためと考えられる
。この場合、アルミニウム膜２３は、レーザ光が石英ガ
ラス基板１を透過しないように被覆しているものである
。また、照射レーザには、波長５３０ｍμ、　６３０　
ｍμをもったヘリウムネオン（Ｈｅ−Ｎｅ）レーザなど
が適している。

次いで、第２図（Ｃ）に示すように、アルミニウム膜２
３を燐酸でエツチングして、アルミニウムをすべて除去
すると、クロム膜パターン２−１．２−２は残存してク
ロム膜パターン２−２の欠陥部には失透部Ｇが形成され
る。尚、この例で、被着膜はアルミニウム膜２３に限る
ものではな（、クロム膜以外のレーザ光を透過しない膜
であれば、その他の膜で被覆してもよい。

この本発明にかかる修正法も、同様に真空中または減圧
中に収容しない局部照射法で、従来の処理法に比べて簡
単になる。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によればハード
マスクを簡単に修正することができ、その製作費のコス
トダウンに役立つものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）および第２図ｆａ）〜（Ｃ）は本
発明にかかる修正方法の工程順図、 第３図は欠陥部のあるハードマスクの断面図、第４図（
ａｌ〜（Ｃ１および第５図は従来の修正方法の工程図で
ある。 図において、 １は石英ガラス基板、 ２−１．２−２はクロム膜パターン、 ３．１３はポジレジスト、 ２３はアルミニウム膜、 ２Ｓは欠陥部、 Ｇは失透部、 ＵＳは超音波ビーム、 ＬＢはレーザ光ビーム、 Ｉｎはイオンビーム を示している。 ４８イ６日月にかり・ろイｂｌｙう五のコ−ｉ”Ｉｉ［
ｇ第１図 第２図 ｊ：？％’ｅ部ｔ＋　Ｍｎ−１：”マｚ７第３図 従来の４粒創ムめ工部 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明基板上に形成された遮光膜パターンの欠陥部に、超
   音波ビームを印加し、または、遮光膜パターンの欠陥部
   にレーザ不透過性膜を被覆して、該欠陥部にレーザビー
   ムを照射し、該欠陥部の透明基板を光不透過性にしたこ
   とを特徴とするフォトマスクの修正方法。