JPS59129423A - イオン注入によるマスクリペア−方法 - Google Patents

イオン注入によるマスクリペア−方法

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Publication number
JPS59129423A
JPS59129423A JP58004595A JP459583A JPS59129423A JP S59129423 A JPS59129423 A JP S59129423A JP 58004595 A JP58004595 A JP 58004595A JP 459583 A JP459583 A JP 459583A JP S59129423 A JPS59129423 A JP S59129423A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
repair
ion implantation
films
defective part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58004595A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yamamoto
昌宏 山本
Takuro Teragaki
寺垣　卓郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP58004595A priority Critical patent/JPS59129423A/ja
Publication of JPS59129423A publication Critical patent/JPS59129423A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発明け、半導体製造工程で用いら【るマスクおよびレ
チクルの修復の新規な方法に関するものである。
半導体製造工程において用いらｎるマスクおよびレチク
ルは、パターンを露光しエツチングすることにより作ら
しるが、この際１つのマスクについて５０個程度の欠陥
が生じている。そしてこの欠陥には２種類あり、一つは
けずらｎてしまうべき所が残ってし１ったもので、もう
一つは残るべき所かけずらｎてしまったものである。
前者の欠陥の修復にはレーザマスクリペア装置というも
のがあった。こｎは残ってしまった部分にレーザ光を照
射し蒸発させてしまうものであり、簡単に欠陥部分の修
復が行なえた。しかしながら後者の欠陥の修復について
は簡単な方法がな〈従来は、もう一度マスク全面に嘆を
つけ、その後埋めようとする部分だけを露光し、再エツ
チングをすると埋めようとする部分には新しい膜が残り
、それ以外の部分では新しい膜はけずりとらｎて元の通
りになるということかやらｎていた。
このようにエツチングでけずり過ぎてしまった部分を修
復するという過程はマスク製造の工程のかなりの部分を
（り返さざるを得ない几め、時間がかかつていた。しか
も修復の際の再エツチングで新しい欠陥が生じる可能性
があるため、修復後再検査をし、場合によっては再び修
復の必要があり、多大な時間と手間を要していた。
本発明は以上のような欠点をすみやかに除去するための
効果的手段を提供することを目的とするもので、特にイ
オン注入によ′クマスクのガラス基板を不透明にするこ
とによりマスク修復を簡単に行なえるようにした構成で
ある。
以下、図面とともに本発明によるマスクリペア−の方法
について詳細に説明する。
第１図はマスクまたはレチクルＣ以下ではまとめてマス
クとよぶ）の平面図の一部分である。また第２図は第１
図の断面１図である。そして第３図は修復の過程を示し
た図であり、第４図、第５図はそｎ−ｖｌｌｔ：ｎ修根
後のマスクの平面図と断面図である。
第１図、第２図においてガラス基板１は透明であり、電
極パターンを作るためのマスク膜２，３は金属の蒸着膜
で不透明に構成さびている。これらの図は本来はマスク
膜２，３がつながってい表ければならないものが切して
しまっているという状態を示している。そこで第３図に
示すように金属イオンビーム４を二の欠損部分に照射し
欠損部分下のガラス基板１へ金属原子５をイオン注入し
てやると第４図、第５図に示すように欠損部分下の部分
６は不透明になってマスク膜２，３は光学的には連続し
てつながるものである。このようにして修復した第４図
のマスクは光学的には欠損部分をマスク、膜で埋めたも
のと全く同等であるので、従来の方法で修復したマスク
（図示しない）と同じようにフォトエツチングに使用で
きる。
本発明によるマスクリペア一方法は以上のような作用を
備えているため、マスクまたはレチクル上のエラ千ング
でけ′″Ｐり過ぎてしまった部分をイオンビームで修復
できるので、従来のような再エツチングの工程をなくす
ことができ、再検査の必要もなくすことができるもので
ある。このため従来かかっていた多くの時間と手間を省
くことができる。
【図面の簡単な説明】
・　第１図、第２図はそｎぞｎ修復前のマスクの平面図
と断面図であり、第３図は修復過程を示したもので、第
４図、第５図はそれぞし修復後のマスクの平面図と断面
図である。 １はガラス基板、２と３は金属蒸着によるマスク膜、４
は金属イオンビーム、５はガラス基板１にイオン注入さ
几た金属原子、６はイオン注入により不透明になったガ
ラス基板１の一部分、である。 以上 出願人　株式会社第二精工舎 代理人　弁理士最上　　務 ５− 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ３

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マスクまたはレチクル基板上に形放さｎたマスクパター
    ン欠損部分にイオンビームによりイオン注入を行なって
    、前記マスクパターン欠損部分の基板を光学的に不透明
    な状態にすることによってマスクパターンのりペアーを
    行なうようにしたイオン注入によるマスクリペア一方法
    。
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