JPS6161378B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6161378B2 JPS6161378B2 JP11934480A JP11934480A JPS6161378B2 JP S6161378 B2 JPS6161378 B2 JP S6161378B2 JP 11934480 A JP11934480 A JP 11934480A JP 11934480 A JP11934480 A JP 11934480A JP S6161378 B2 JPS6161378 B2 JP S6161378B2
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- JP
- Japan
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- film
- photoresist film
- pinhole
- metal
- metal film
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホトマスクの製造方法に係り、特に金
属マスクのピンホールの修正方法に関する。
属マスクのピンホールの修正方法に関する。
IC等半導体装置の製造に用いられるホトマス
クのうち、金属マスクのクロム（Cr）等よりな
る遮光膜にピンホールが存在した場合には、クロ
ム（Cr）やアルミニウム（Al）のような金属を
選択的に被着してピンホールを埋めることにより
遮光膜を完全なものとする。
クのうち、金属マスクのクロム（Cr）等よりな
る遮光膜にピンホールが存在した場合には、クロ
ム（Cr）やアルミニウム（Al）のような金属を
選択的に被着してピンホールを埋めることにより
遮光膜を完全なものとする。
かかる遮光膜の修正方法を第１図に示す。
先ず同図ａに示すように、ガラス基板１上に選
択的に形成された遮光膜２のピンホール３部に開
口を有するホトレジスト膜４を形成する。次いで
同図ｂに示すようにスパツタリング法或いは蒸着
法を用いてクロム（Cr）またはアルミニウム
（Al）のような金属を被着して金属膜５を形成す
る。この金属膜５より上記ホトレジスト膜４の方
を厚くしておけばホトレジスト膜４上の金属膜５
とピンホール３部を充填せる部分５′とはホトレ
ジスト膜４の段差により切断された状態となる。
択的に形成された遮光膜２のピンホール３部に開
口を有するホトレジスト膜４を形成する。次いで
同図ｂに示すようにスパツタリング法或いは蒸着
法を用いてクロム（Cr）またはアルミニウム
（Al）のような金属を被着して金属膜５を形成す
る。この金属膜５より上記ホトレジスト膜４の方
を厚くしておけばホトレジスト膜４上の金属膜５
とピンホール３部を充填せる部分５′とはホトレ
ジスト膜４の段差により切断された状態となる。
そこでこれをレジスト剥離液中に浸漬して所謂
リフトオフ法によりホトレジスト膜４を除去する
ことにより、その上の金属膜５を同時に除去す
る。
リフトオフ法によりホトレジスト膜４を除去する
ことにより、その上の金属膜５を同時に除去す
る。
かくして同図ｃに示すようにピンホール３は金
属膜５′により充填され、遮光膜２は完全なもの
に修正された。
属膜５′により充填され、遮光膜２は完全なもの
に修正された。
ところがかかる従来方法は上記リフトオフ工程
に長時間を要する。それは上記リフトオフ工程に
おいてホトレジスト膜４はその露出部分が順次剥
離液に溶解して行くのであるから、当該工程を能
率よく行なうにはホトレジスト膜４の露出部分の
表面積が大きいことが望ましい。しかしこの露出
部は上記ピンホール３部のみであり、しかもピン
ホール３の数はごく僅かであるためホトレジスト
膜４の露出部の表面積はきわめて小さい。
に長時間を要する。それは上記リフトオフ工程に
おいてホトレジスト膜４はその露出部分が順次剥
離液に溶解して行くのであるから、当該工程を能
率よく行なうにはホトレジスト膜４の露出部分の
表面積が大きいことが望ましい。しかしこの露出
部は上記ピンホール３部のみであり、しかもピン
ホール３の数はごく僅かであるためホトレジスト
膜４の露出部の表面積はきわめて小さい。
本発明の目的は上記難点を解消してリフトオフ
工程の所要時間を短縮することにある。
工程の所要時間を短縮することにある。
そのため本発明においては、遮光膜のピンホー
ル部に開口を有するホトレジスト膜を形成し、そ
の上に金属膜を形成した後、該金属膜の前記ピン
ホール部を除く他の部分にレーザ照射を行なつて
前記金属膜に少なくとも１個の開口を設けて前記
ホトレジスト膜を露呈せしめ、しかる後リフトオ
フ工程を行なうことを特徴とする 以下第２図により本発明の一実施例を説明す
る。
ル部に開口を有するホトレジスト膜を形成し、そ
の上に金属膜を形成した後、該金属膜の前記ピン
ホール部を除く他の部分にレーザ照射を行なつて
前記金属膜に少なくとも１個の開口を設けて前記
ホトレジスト膜を露呈せしめ、しかる後リフトオ
フ工程を行なうことを特徴とする 以下第２図により本発明の一実施例を説明す
る。
第２図ａは前記第１図ｂと全く同一である。即
ち１はガラス基板、２は遮光膜、３はピンホー
ル、４はピンホール３部に開口を有するホトレジ
スト膜、５，５′は金属膜であつて、ここまでは
従来の製造方法と何ら変る所はない。
ち１はガラス基板、２は遮光膜、３はピンホー
ル、４はピンホール３部に開口を有するホトレジ
スト膜、５，５′は金属膜であつて、ここまでは
従来の製造方法と何ら変る所はない。
次いで同図ｂに示すごとく、金属膜５のピンホ
ール３部を除く部分にレーザビームを照射するこ
とにより、レーザビームに照射された部分の金属
膜を除去して開口１１を設ける。この開口１１の
数及び大きさは特に限定する必要はなく、例えば
ピンホール３部を除いて所定のピツチで金属膜５
上をレーザビームで走査し多数の開口１１を設け
てよい。その時ピンホール３の位置はすでに分つ
ているので、容易にピンホール部３をさけること
ができる。なお上記レーザビームの照射にはいか
なるレーザを用いてもよく、例えばYAGレーザ
等を用いることができる。
ール３部を除く部分にレーザビームを照射するこ
とにより、レーザビームに照射された部分の金属
膜を除去して開口１１を設ける。この開口１１の
数及び大きさは特に限定する必要はなく、例えば
ピンホール３部を除いて所定のピツチで金属膜５
上をレーザビームで走査し多数の開口１１を設け
てよい。その時ピンホール３の位置はすでに分つ
ているので、容易にピンホール部３をさけること
ができる。なお上記レーザビームの照射にはいか
なるレーザを用いてもよく、例えばYAGレーザ
等を用いることができる。
このようにしてホトレジスト膜４の露出せる表
面積を増大した後は従来と同様に工程を進めてよ
い。即ち、ホトレジストの剥離液に浸漬すること
によりホトレジスト膜４を除去すると共に、その
上の金属膜５を除去する。
面積を増大した後は従来と同様に工程を進めてよ
い。即ち、ホトレジストの剥離液に浸漬すること
によりホトレジスト膜４を除去すると共に、その
上の金属膜５を除去する。
本実施例においては上述のごとくホトレジスト
膜４の露出面積が大きなものとされているので、
ホトレジスト膜４の溶解が急速に進行し、当該リ
フトオフ工程の所要時間は大幅に短縮された。因
みに本工程は従来は15分程度を要していたのに対
し、本実施例では５分以内で完了した。この事か
ら本発明の効果を理解できよう。
膜４の露出面積が大きなものとされているので、
ホトレジスト膜４の溶解が急速に進行し、当該リ
フトオフ工程の所要時間は大幅に短縮された。因
みに本工程は従来は15分程度を要していたのに対
し、本実施例では５分以内で完了した。この事か
ら本発明の効果を理解できよう。
以上説明したごとく本発明によれば金属マスク
の遮光膜に生じたピンホールを修正するに際し、
ホトレジスト膜及びその上の金属膜の除去を短時
間で確実且つ容易に行なうことができる。
の遮光膜に生じたピンホールを修正するに際し、
ホトレジスト膜及びその上の金属膜の除去を短時
間で確実且つ容易に行なうことができる。
第１図は従来のピンホール修正方法を説明する
ための要部断面図、第２図は本発明の一実施例を
示す要部断面図である。 図において、１はガラス基板、２は遮光膜、３
はピンホール、４はホトレジスト膜、５，５′は
金属膜、１１は開口を示す。
ための要部断面図、第２図は本発明の一実施例を
示す要部断面図である。 図において、１はガラス基板、２は遮光膜、３
はピンホール、４はホトレジスト膜、５，５′は
金属膜、１１は開口を示す。
Claims (1)
- １ ガラス基板上に所望のパターンに従つて形成
された金属よりなる遮光膜のピンホールを修正す
るに際し、該ピンホール部を開口部とするホトレ
ジスト膜を選択的に形成し、前記ピンホール部を
含む前記ホトレジスト膜上全面に所定の金属膜を
被着し、該金属膜の該ピンホール部を除く他の部
分にレーザ照射により少なくとも１個の開口を設
け、しかる後前記ホトレジスト膜を除去する工程
を含むことを特徴とするホトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11934480A JPS5744151A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Manufacture of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11934480A JPS5744151A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Manufacture of photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5744151A JPS5744151A (en) | 1982-03-12 |
| JPS6161378B2 true JPS6161378B2 (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=14759156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11934480A Granted JPS5744151A (en) | 1980-08-29 | 1980-08-29 | Manufacture of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5744151A (ja) |
-
1980
- 1980-08-29 JP JP11934480A patent/JPS5744151A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5744151A (en) | 1982-03-12 |
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