JPS58111317A - フオトマスクの修正方法 - Google Patents
フオトマスクの修正方法Info
- Publication number
- JPS58111317A JPS58111317A JP56209043A JP20904381A JPS58111317A JP S58111317 A JPS58111317 A JP S58111317A JP 56209043 A JP56209043 A JP 56209043A JP 20904381 A JP20904381 A JP 20904381A JP S58111317 A JPS58111317 A JP S58111317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pinhole
- photomask
- electroless plating
- opaque
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は集積回路装置を製造する際などに用いるフォ
トマスクの修正方法に関するものである。
トマスクの修正方法に関するものである。
集積回路装置を製造する工程で、フォトマスクを用いて
半導体基板上にフォトレジストによるパターンを選択的
に形成することはよく知られている。そして、フォトマ
スクは、一般にガラスなどの透明基板に所要形状の不透
明部分をクロムなどの金属の蒸着、スパッタによ多形成
し％またはエマルジョン膜を形成して作られる。このフ
ォトマスクの製作代は高価であシ、集積回路装置の価格
にかなシの影響を与える。また、フォトマスクは製作時
あるいは繰返しの使用中にしばしば欠陥を生ずる。欠陥
としては、第１図に示すようにフォトマスクの透明基板
１の透明であるべき部分に皮膜が形成されて黒いホール
ができてしまった黒ビンと通称される部分２と、逆に不
透明であるべき部分３に皮膜の欠陥を生じて透明なピン
ホール４ができてしまった白ピンと通称される部分とが
ある。これらの欠陥を修正する場合に、黒ピンと通称さ
れる部分２はレーデ光線などを用いて除去すればよく、
比較的容易に修正できるが、白ビンと通称される皮膜の
ピンホール４のような欠陥部分の修正は困難とされてい
た。
半導体基板上にフォトレジストによるパターンを選択的
に形成することはよく知られている。そして、フォトマ
スクは、一般にガラスなどの透明基板に所要形状の不透
明部分をクロムなどの金属の蒸着、スパッタによ多形成
し％またはエマルジョン膜を形成して作られる。このフ
ォトマスクの製作代は高価であシ、集積回路装置の価格
にかなシの影響を与える。また、フォトマスクは製作時
あるいは繰返しの使用中にしばしば欠陥を生ずる。欠陥
としては、第１図に示すようにフォトマスクの透明基板
１の透明であるべき部分に皮膜が形成されて黒いホール
ができてしまった黒ビンと通称される部分２と、逆に不
透明であるべき部分３に皮膜の欠陥を生じて透明なピン
ホール４ができてしまった白ピンと通称される部分とが
ある。これらの欠陥を修正する場合に、黒ピンと通称さ
れる部分２はレーデ光線などを用いて除去すればよく、
比較的容易に修正できるが、白ビンと通称される皮膜の
ピンホール４のような欠陥部分の修正は困難とされてい
た。
この発明線、フォトマスクの不透明であるさき部分中の
ピンホールのような欠陥部分に無電解めっきで金属皮膜
を形成することによシ、従来、困難とされてｌ／’ａ７
’（白ビンと通称される欠陥部分の修正を容易にできる
フォトマスクの修正方法を提供することを目的としてい
る。
ピンホールのような欠陥部分に無電解めっきで金属皮膜
を形成することによシ、従来、困難とされてｌ／’ａ７
’（白ビンと通称される欠陥部分の修正を容易にできる
フォトマスクの修正方法を提供することを目的としてい
る。
以下、この発明の一実施例を第２図ないし第７図によっ
て説明する。
て説明する。
まず、第２図に示すように、透明基板ｌの不透明である
べｉｓ部分に白ビンと通称されるぜｙホール４が生じて
いる７オ）−ｒスフを、無電解めっき用の前処理液５に
浸漬する。この前処理液への浸漬は、後述する紫外線、
ｘＩＩまたは電子線の露光によ）無電解めっき反応の触
媒核を形成するえめである。前処理液としては、特開＠
５１−３４７２５号公報に記載されている次の組成の液
などが適当である。
べｉｓ部分に白ビンと通称されるぜｙホール４が生じて
いる７オ）−ｒスフを、無電解めっき用の前処理液５に
浸漬する。この前処理液への浸漬は、後述する紫外線、
ｘＩＩまたは電子線の露光によ）無電解めっき反応の触
媒核を形成するえめである。前処理液としては、特開＠
５１−３４７２５号公報に記載されている次の組成の液
などが適当である。
前処理液の組成
ソルビトール １２０ｔ２．６−アン
トラキノンジスルホ糧ジナトリウム塩 １６ｆ臭゛化鋼
（菖） ｏ、ｓｒ酸化
銅１）８ｆ 表面活性剤６Ｇ １５ｆ第３図は前
処理液に浸漬した後の７オトマスクを示す、第３図にお
いて、ｌはガラスからなる透明基板、３はクロムなどの
金属膜からなる不透明であるべき部分、４は白♂ンと通
称されるピンホール、６は不透明であるべ龜部分３、そ
の欠陥部分であるピンホール４部分を含む透明基板ｌの
全面に形成された前処理液ＯＳである０次に、＃Ｉ４図
に示すように、金属膜からなる不透明であるべき部分３
を形成した面と反対側の矢印入方向から紫外線、ｘｍま
たは電子線を、ビンスポットによ如欠陥であるピンホー
ル４が生じている部分のみに照射する。ここで、照射線
が当った部分は還元反応によって金属銅７が形成される
。その後、フォトマスクを無電解めっき浴に浸漬すると
、前記照射線が当ったピンホール部分ＯみＫめつき反応
が生じ、第６図および第７図に示すように、金属銅７を
覆ってめっき金属皮膜８が形成され、７オトマスクの修
正が完了する。前記無電解めっき浴としては、一般的な
無電解鋼めっき浴、または金属鋼上に自動的にめっき反
応が始まるめっき浴である、ジメチルアミンがうｙｔ−
還元剤とする無電解ニッケル硼素浴が適当である。
トラキノンジスルホ糧ジナトリウム塩 １６ｆ臭゛化鋼
（菖） ｏ、ｓｒ酸化
銅１）８ｆ 表面活性剤６Ｇ １５ｆ第３図は前
処理液に浸漬した後の７オトマスクを示す、第３図にお
いて、ｌはガラスからなる透明基板、３はクロムなどの
金属膜からなる不透明であるべき部分、４は白♂ンと通
称されるピンホール、６は不透明であるべ龜部分３、そ
の欠陥部分であるピンホール４部分を含む透明基板ｌの
全面に形成された前処理液ＯＳである０次に、＃Ｉ４図
に示すように、金属膜からなる不透明であるべき部分３
を形成した面と反対側の矢印入方向から紫外線、ｘｍま
たは電子線を、ビンスポットによ如欠陥であるピンホー
ル４が生じている部分のみに照射する。ここで、照射線
が当った部分は還元反応によって金属銅７が形成される
。その後、フォトマスクを無電解めっき浴に浸漬すると
、前記照射線が当ったピンホール部分ＯみＫめつき反応
が生じ、第６図および第７図に示すように、金属銅７を
覆ってめっき金属皮膜８が形成され、７オトマスクの修
正が完了する。前記無電解めっき浴としては、一般的な
無電解鋼めっき浴、または金属鋼上に自動的にめっき反
応が始まるめっき浴である、ジメチルアミンがうｙｔ−
還元剤とする無電解ニッケル硼素浴が適当である。
前述したように、この実施例による修正方法は。
白ビンと通称されるピンホール部分にのみ、紫外銀、Ｘ
＊または電子１Ｉｔ−照射して無電解めっき反応の触媒
核を形成し、その後に無電解めっきでピンホール部分に
金属皮膜を形成してフォトマスクの修正を行なうことに
より、この修正が容易で安価にできる。
＊または電子１Ｉｔ−照射して無電解めっき反応の触媒
核を形成し、その後に無電解めっきでピンホール部分に
金属皮膜を形成してフォトマスクの修正を行なうことに
より、この修正が容易で安価にできる。
以上説明したように、この発明によるフォトマスクの修
正方法は、不透明であるべき部分のピンホールのような
欠陥部分に無電解めっきで金属膜を形成することによ〉
、容易で安価に前記ピンホールの修正ができ、集積回路
装置などの製造コストの低減に役立つという効果がある
。
正方法は、不透明であるべき部分のピンホールのような
欠陥部分に無電解めっきで金属膜を形成することによ〉
、容易で安価に前記ピンホールの修正ができ、集積回路
装置などの製造コストの低減に役立つという効果がある
。
第１図は欠陥が生じて勝るフォトマスクを示す斜視図、
１１１２図はこの発明の一実施例による修正方法によ）
欠陥が生じているフォトマスクｔｓｒ処理液に浸漬した
状態を示す平面図、第３図は同前処理液に浸漬した後の
７オトマスクの部分拡大断面図、第４図は同前処理液に
浸漬した後の７オトｉスクに照射線を照射してｉる状態
を示す斜視図、第５図は同照射線を照射した後のフォト
マスクの部分拡大断面図、８１６図および第７図は修正
を完了した７オ）−ｒスフの斜視図および部分拡大断面
図である。 ｌ・・・透明基板、３・・・不透明であるべき部分、４
・・・ピンホール、５・・・前処理液、６・・・前処理
液の膜、７・・・金属鋼、８・・・金属皮膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社
１１１２図はこの発明の一実施例による修正方法によ）
欠陥が生じているフォトマスクｔｓｒ処理液に浸漬した
状態を示す平面図、第３図は同前処理液に浸漬した後の
７オトマスクの部分拡大断面図、第４図は同前処理液に
浸漬した後の７オトｉスクに照射線を照射してｉる状態
を示す斜視図、第５図は同照射線を照射した後のフォト
マスクの部分拡大断面図、８１６図および第７図は修正
を完了した７オ）−ｒスフの斜視図および部分拡大断面
図である。 ｌ・・・透明基板、３・・・不透明であるべき部分、４
・・・ピンホール、５・・・前処理液、６・・・前処理
液の膜、７・・・金属鋼、８・・・金属皮膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- フォトマスクの不透明であるべき部分中のピンホールの
ような欠陥部分に無電解めっきによシ金属皮膜を形成す
ることを特徴とするフォトマスクの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209043A JPS58111317A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | フオトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209043A JPS58111317A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | フオトマスクの修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111317A true JPS58111317A (ja) | 1983-07-02 |
| JPS627541B2 JPS627541B2 (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16566308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56209043A Granted JPS58111317A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | フオトマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111317A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6076746A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-05-01 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 露光マスクの修理方法 |
| US4925755A (en) * | 1987-02-27 | 1990-05-15 | Hitachi, Ltd. | Method of correcting defect in circuit pattern |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56209043A patent/JPS58111317A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6076746A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-05-01 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 露光マスクの修理方法 |
| US4925755A (en) * | 1987-02-27 | 1990-05-15 | Hitachi, Ltd. | Method of correcting defect in circuit pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS627541B2 (ja) | 1987-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4403151A (en) | Method of forming patterns | |
| JP2003107723A (ja) | メタルマスクの製造方法およびメタルマスク | |
| KR101216797B1 (ko) | 기판 처리 방법, ｅｕｖ 마스크의 제조 방법 및 ｅｕｖ 마스크 | |
| JPS58111317A (ja) | フオトマスクの修正方法 | |
| JPS5672445A (en) | Production of photomask | |
| JPS602956A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPH07295204A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP2007088187A (ja) | レジストパターンの形成方法およびその利用 | |
| JP3655029B2 (ja) | 電着レジスト皮膜の露光方法 | |
| JPS59129423A (ja) | イオン注入によるマスクリペア−方法 | |
| JP3050556B2 (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥部修正方法 | |
| JPS6161378B2 (ja) | ||
| JPH0128374B2 (ja) | ||
| JPS62215957A (ja) | ハ−ドマスクの製造方法 | |
| JP2989809B2 (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 | |
| JPS617839A (ja) | ハ−ドマスク修正法 | |
| JPS6085525A (ja) | マスクリペア−方法 | |
| JP2587032B2 (ja) | 点字板の製造方法 | |
| JP2898114B2 (ja) | リソグラフィマスクの欠陥修復方法 | |
| KR950030231A (ko) | 포토마스크 패턴 형성 방법 | |
| JPH08167375A (ja) | シャドウマスクの製造方法 | |
| JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 | |
| JPH0335240A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS60120521A (ja) | マスク欠陥修正方法 | |
| KR19980060768A (ko) | 리드 프레임 제조방법 |