JP2898114B2 - リソグラフィマスクの欠陥修復方法 - Google Patents
リソグラフィマスクの欠陥修復方法Info
- Publication number
- JP2898114B2 JP2898114B2 JP5762791A JP5762791A JP2898114B2 JP 2898114 B2 JP2898114 B2 JP 2898114B2 JP 5762791 A JP5762791 A JP 5762791A JP 5762791 A JP5762791 A JP 5762791A JP 2898114 B2 JP2898114 B2 JP 2898114B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- solution
- metal
- photosensitive layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/161—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from plating step, e.g. inkjet
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1635—Composition of the substrate
- C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
- C23C18/1642—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive semiconductor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0002—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for manufacturing artworks for printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/139—Defect coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリソグラフィマスクのマ
スクパターンの欠陥を修復するために、吸収可能な波長
を有する放射に露光されると金属イオンの溶液からこの
金属を堆積し得る光電性の層をマスクに設け、このマス
クを前記溶液内に入れ、このマスクの欠陥区域を前記放
射に露光させるようにしたリソグラフィマスクの欠陥修
復方法に関するものである。このようなマスクは特に半
導体技術の分野で使用されているが、上述した種類のマ
スクはＬＣＤ（液晶ディスプレイ）のような他の分野に
も使用することができる。本発明は任意のタイプのマス
ク、例えばいわゆるレチクルにも使用することができる
点に注意すべきであり、またマスクを用いるリソグラフ
ィの種類も本発明の有用性にとって本質的に重要な要素
でない点に注意すべきである。本発明は可視光又は不可
視光を使用するリソグラフィ用のマスク及び例えば電子
又はＸ線リソグラフィ用のマスクの双方に使用すること
ができる。すへての場合に、マスクは少なくともほぼ透
明の基板を具え、その上に使用する放射に不透明なパタ
ーン、殆どの場合金属から成るパターンを設けている。
マスク作製中に、例えばパターンに小さな孔の形態の欠
陥が例えば粉塵粒子のために発生し得る。マスクの作製
には高いコストを要するため、この場合には新しいマス
クを作製する代りにこのような欠陥を修復するのが極め
て好ましい。本発明はこのような修復方法を提供するこ
とにある。
スクパターンの欠陥を修復するために、吸収可能な波長
を有する放射に露光されると金属イオンの溶液からこの
金属を堆積し得る光電性の層をマスクに設け、このマス
クを前記溶液内に入れ、このマスクの欠陥区域を前記放
射に露光させるようにしたリソグラフィマスクの欠陥修
復方法に関するものである。このようなマスクは特に半
導体技術の分野で使用されているが、上述した種類のマ
スクはＬＣＤ（液晶ディスプレイ）のような他の分野に
も使用することができる。本発明は任意のタイプのマス
ク、例えばいわゆるレチクルにも使用することができる
点に注意すべきであり、またマスクを用いるリソグラフ
ィの種類も本発明の有用性にとって本質的に重要な要素
でない点に注意すべきである。本発明は可視光又は不可
視光を使用するリソグラフィ用のマスク及び例えば電子
又はＸ線リソグラフィ用のマスクの双方に使用すること
ができる。すへての場合に、マスクは少なくともほぼ透
明の基板を具え、その上に使用する放射に不透明なパタ
ーン、殆どの場合金属から成るパターンを設けている。
マスク作製中に、例えばパターンに小さな孔の形態の欠
陥が例えば粉塵粒子のために発生し得る。マスクの作製
には高いコストを要するため、この場合には新しいマス
クを作製する代りにこのような欠陥を修復するのが極め
て好ましい。本発明はこのような修復方法を提供するこ
とにある。
【０００２】
【従来の技術】頭書に記載した種数の方法はオランダ国
特許出願公開第3702219 号から既知である。これに記載
さている方法では比較的短時間の露光中に欠陥の区域に
荒い金属核（種）の像を堆積させる。次にマスクを無電
界金属化溶液中に入れ、露光なしで金属核の像を増強
（現像）させる。このとき金属が金属化溶液から核即ち
予め堆積させた金属にのみ選択的に堆積する。マスクを
溶液から取り出すことによりこの現像処理を終了させ
る。
特許出願公開第3702219 号から既知である。これに記載
さている方法では比較的短時間の露光中に欠陥の区域に
荒い金属核（種）の像を堆積させる。次にマスクを無電
界金属化溶液中に入れ、露光なしで金属核の像を増強
（現像）させる。このとき金属が金属化溶液から核即ち
予め堆積させた金属にのみ選択的に堆積する。マスクを
溶液から取り出すことによりこの現像処理を終了させ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この既知の方
法では金属核の像がマスクの露光部分に完全に制限され
ない。即ち、横方向成長のために金属核の像の縁部に金
属が堆積して露光部分の外側にはみ出していく。これを
最小に制限するためには十分な量の金属が堆積した後に
できるだけ早くマスクを金属化溶液から取り出す必要が
ある。しかし、マスクを溶液から早く取り出しすぎては
ならない。その理由は早く取り手しすぎると金属堆積層
が十分な光密性（遮光性）にならず、欠陥が完全に修復
されないからである。特に複数の欠陥を同時に修復する
場合には、プロセス公差のために１つの欠陥が他の欠陥
より早く修復されることが不可避であり、これが問題に
なる。しかし、１つの欠陥のみを修復する場合でも、こ
のような過成長のために修復の分解能が低下するのでこ
のような過成長は不所望である。特に現代のＬＣＤ及び
半導体技術では僅か数ミクロン又はそれ以下のディテー
ルを有するマスクを用いるので、これが問題になる。本
発明の目的は過成長を抑えて最終金属堆積層が少なくと
もほぼ完全にマスクの露光部分上に位置するようにした
頭書に記載した種類の修復方法を提供することにある。
法では金属核の像がマスクの露光部分に完全に制限され
ない。即ち、横方向成長のために金属核の像の縁部に金
属が堆積して露光部分の外側にはみ出していく。これを
最小に制限するためには十分な量の金属が堆積した後に
できるだけ早くマスクを金属化溶液から取り出す必要が
ある。しかし、マスクを溶液から早く取り出しすぎては
ならない。その理由は早く取り手しすぎると金属堆積層
が十分な光密性（遮光性）にならず、欠陥が完全に修復
されないからである。特に複数の欠陥を同時に修復する
場合には、プロセス公差のために１つの欠陥が他の欠陥
より早く修復されることが不可避であり、これが問題に
なる。しかし、１つの欠陥のみを修復する場合でも、こ
のような過成長のために修復の分解能が低下するのでこ
のような過成長は不所望である。特に現代のＬＣＤ及び
半導体技術では僅か数ミクロン又はそれ以下のディテー
ルを有するマスクを用いるので、これが問題になる。本
発明の目的は過成長を抑えて最終金属堆積層が少なくと
もほぼ完全にマスクの露光部分上に位置するようにした
頭書に記載した種類の修復方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は頭書に記載した
種類の方法において、前記露光を少なくとも、前記光電
性層が前記放射に少なくとも実質的にアクセスできなく
なるような量の金属が欠陥区域の光電性層上に堆積され
るまで続けることを特徴とする。本発明では、金属核の
像の形成後に露光を停止し、しかる後にこの金属核の像
を無電界金属化溶液内で更に現像する既知の方法と異な
り、露光を目標の厚さに到達するまで続ける。本発明
は、光電性層が露光される場合にのみ金属堆積が発生し
得る光化学処理を用いるために溶液中で長時間露光して
も目標とする厚さに到達後は厚さ方向にも横方向にも金
属堆積を生じないため過成長が自動的に停止するという
事実の認識に基づくものである。更に、光電性層が堆積
金属のために印加放射にアクセスできなくなり、金属堆
積が停止する瞬時に、金属堆積層が所要の光密性に達す
ることを確かめた。このように、不所望な金属堆積が抑
えられ、修復の分解能が向上するので、僅か数ミクロン
以下の小さな欠陥も正確に修復することができる。従っ
て、本発明の方法は現代のＬＣＤ及び半導体技術の分野
に使用するに特に好適である。更に、本発明の方法は既
知の方法よりプロセス公差に影響されにくく、これはマ
スクの多数の欠陥を同時に修復する場合に特に重要であ
る。
種類の方法において、前記露光を少なくとも、前記光電
性層が前記放射に少なくとも実質的にアクセスできなく
なるような量の金属が欠陥区域の光電性層上に堆積され
るまで続けることを特徴とする。本発明では、金属核の
像の形成後に露光を停止し、しかる後にこの金属核の像
を無電界金属化溶液内で更に現像する既知の方法と異な
り、露光を目標の厚さに到達するまで続ける。本発明
は、光電性層が露光される場合にのみ金属堆積が発生し
得る光化学処理を用いるために溶液中で長時間露光して
も目標とする厚さに到達後は厚さ方向にも横方向にも金
属堆積を生じないため過成長が自動的に停止するという
事実の認識に基づくものである。更に、光電性層が堆積
金属のために印加放射にアクセスできなくなり、金属堆
積が停止する瞬時に、金属堆積層が所要の光密性に達す
ることを確かめた。このように、不所望な金属堆積が抑
えられ、修復の分解能が向上するので、僅か数ミクロン
以下の小さな欠陥も正確に修復することができる。従っ
て、本発明の方法は現代のＬＣＤ及び半導体技術の分野
に使用するに特に好適である。更に、本発明の方法は既
知の方法よりプロセス公差に影響されにくく、これはマ
スクの多数の欠陥を同時に修復する場合に特に重要であ
る。
【０００５】金属堆積層のマスクへの付着性を向上させ
るために、露光を最初に比較的高い強度で行ない、その
後低い強度でつづけるのが好ましい。最初の高強度の露
光により単位面積当り比較的多数の金属核が表面上に形
成される。従って最終金属堆積層はマスク表面への比較
的多数の付着点を有するものとなる。斯る後に露光の強
度を下げることにより沸騰現象および乱流のような熱効
果が抑えられる。光電性層はマスクパターンの前でも後
でも設けることができる。しかし、光電性層がマスクの
下に設けられているマスクから出発するのが好ましい。
この場合には光電性層はマスクパターンと基板との間に
位置する。この場合にはマスクパターンの切れ目を修復
する際にマスクパターン自体が切れ目の縁部で光電性層
を遮へいする利点がある。従って、修復処理時にマスク
表面の露光部分がマスクパターン上を切れ目の外側まで
延在しても、金属が切れ目の外側にも付着することが抑
えられる。
るために、露光を最初に比較的高い強度で行ない、その
後低い強度でつづけるのが好ましい。最初の高強度の露
光により単位面積当り比較的多数の金属核が表面上に形
成される。従って最終金属堆積層はマスク表面への比較
的多数の付着点を有するものとなる。斯る後に露光の強
度を下げることにより沸騰現象および乱流のような熱効
果が抑えられる。光電性層はマスクパターンの前でも後
でも設けることができる。しかし、光電性層がマスクの
下に設けられているマスクから出発するのが好ましい。
この場合には光電性層はマスクパターンと基板との間に
位置する。この場合にはマスクパターンの切れ目を修復
する際にマスクパターン自体が切れ目の縁部で光電性層
を遮へいする利点がある。従って、修復処理時にマスク
表面の露光部分がマスクパターン上を切れ目の外側まで
延在しても、金属が切れ目の外側にも付着することが抑
えられる。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を実施例につき
詳細に説明する。図１はフォトリソグラフィマスクの平
面図である。このマスクは一般に石英の透明基板１を具
え、その上に不透明パターン２が設けられる。明瞭のた
めに図はこのパターンの１つのトラック３の一部のみを
示す。パターン２は一般に金属を用い、本例でも同様
で、クロムから成る。しかし、本発明は、例えば（有機
金属）化合物のような他の材料をマスクパターンに使用
する場合にも用いることができる。トラック２は切れ目
があってはならないが、このトラック２には切れ目があ
る。この切れ目は例えば製造処理中に基板の表面に付着
した粉塵粒子により生ずる。本発明はこのような透明欠
陥を有効に高い分解能で除去し得る方法を提供するもの
である。
詳細に説明する。図１はフォトリソグラフィマスクの平
面図である。このマスクは一般に石英の透明基板１を具
え、その上に不透明パターン２が設けられる。明瞭のた
めに図はこのパターンの１つのトラック３の一部のみを
示す。パターン２は一般に金属を用い、本例でも同様
で、クロムから成る。しかし、本発明は、例えば（有機
金属）化合物のような他の材料をマスクパターンに使用
する場合にも用いることができる。トラック２は切れ目
があってはならないが、このトラック２には切れ目があ
る。この切れ目は例えば製造処理中に基板の表面に付着
した粉塵粒子により生ずる。本発明はこのような透明欠
陥を有効に高い分解能で除去し得る方法を提供するもの
である。
【０００７】この目的のために、最初にマスクを通常の
洗浄剤により完全に洗浄及び脱脂する。次に二酸化チタ
ンの薄い光電性層４を図２に示すように表面全体に設け
る。二酸化チタンの代りに、例えばＬＣＤ技術の分野に
おいて多用されている半導体材料である酸化錫インジウ
ム（ＩＴＯ）又は酸化亜鉛のような他の光電性材料を用
いることもできる。本例では、感光層４をスピニングに
より塗布し、その結果として僅か５〜20nmの極めて薄い
層を得ることができる。次に、１部のガルバニック金溶
液（10g/l 、エンゲルハード社から市販されているＥＣ
Ｆ−60として入手し得る）と、４部の水と、1.5部の0.2
Mのクエン酸と、0.5 部のイソプロパノールとを含む亜
硫酸金イオン外１
洗浄剤により完全に洗浄及び脱脂する。次に二酸化チタ
ンの薄い光電性層４を図２に示すように表面全体に設け
る。二酸化チタンの代りに、例えばＬＣＤ技術の分野に
おいて多用されている半導体材料である酸化錫インジウ
ム（ＩＴＯ）又は酸化亜鉛のような他の光電性材料を用
いることもできる。本例では、感光層４をスピニングに
より塗布し、その結果として僅か５〜20nmの極めて薄い
層を得ることができる。次に、１部のガルバニック金溶
液（10g/l 、エンゲルハード社から市販されているＥＣ
Ｆ−60として入手し得る）と、４部の水と、1.5部の0.2
Mのクエン酸と、0.5 部のイソプロパノールとを含む亜
硫酸金イオン外１
【外１】 の溶液中にマスクを入れる（図３）。この溶液中のイソ
プロパノールは金の堆積速度を高める。この代りに、例
えばメタノール又はエタノールのような他のアルコール
を用いることもできる。クエン酸を溶液の酸性度がpH≒
4.5 になるよう調整すると堆積速度が更に向上する。
プロパノールは金の堆積速度を高める。この代りに、例
えばメタノール又はエタノールのような他のアルコール
を用いることもできる。クエン酸を溶液の酸性度がpH≒
4.5 になるよう調整すると堆積速度が更に向上する。
【０００８】次に、マスクを切れ目の区域において350
〜365nm の波長を有するＵＶ（紫外）放射に露光させ
る。この目的のためにアルゴンレーザを用い、このレー
ザを約100mW の連続パワーで動作させる。この際、長さ
と幅が可調整の矩形の絞りを通してマスクを露光するの
が好ましい。本例では、このような絞りを用い、その結
果として長さと幅を１〜25μm の範囲に亘り変化させる
ことができる矩形の放射スポット６がマスク上に結像さ
れる。
〜365nm の波長を有するＵＶ（紫外）放射に露光させ
る。この目的のためにアルゴンレーザを用い、このレー
ザを約100mW の連続パワーで動作させる。この際、長さ
と幅が可調整の矩形の絞りを通してマスクを露光するの
が好ましい。本例では、このような絞りを用い、その結
果として長さと幅を１〜25μm の範囲に亘り変化させる
ことができる矩形の放射スポット６がマスク上に結像さ
れる。
【０００９】光電性の二酸化チタン層４は印加された放
射を吸収すると共に自由電子を形成し得る。この場合、
これらの電子はこの層の表面で溶液５に移動し、ここで
これらの電子が亜流酸金イオンを金に還元し、この金か
核（種）７の形態に堆積される。この処理は二酸化チタ
ン層４がレーザ光６受けて電子を釈方し得る限りつづけ
る。レーザ光が二酸化チタン層４に到達し得なくなるよ
うな量の金が付着されると同時に、この処理は自動的に
停止する。これ以上の露光は厚さ方向にも横方向にもそ
れ以上の金属堆積を生じないため過剰な成長が制限され
る。本発明者は、丁度この瞬時に金堆積層７がマスクに
必要な光密性（遮光性）になることを確かめた。金属堆
積は正しい瞬時に自動的に停止するため、本発明方法は
全く臨界的でなく、複数個の欠陥を同時に修復する場合
に特に好適である。本発明では修復処理の間中露光をつ
づけるので、溶液への電子の十分な供給が常時保証され
るため、この場合には前記オランダ国特許願第8702219
号から既知の方法に記載されている酸素の同時還元は全
く又は殆ど重要な役割を演じない。
射を吸収すると共に自由電子を形成し得る。この場合、
これらの電子はこの層の表面で溶液５に移動し、ここで
これらの電子が亜流酸金イオンを金に還元し、この金か
核（種）７の形態に堆積される。この処理は二酸化チタ
ン層４がレーザ光６受けて電子を釈方し得る限りつづけ
る。レーザ光が二酸化チタン層４に到達し得なくなるよ
うな量の金が付着されると同時に、この処理は自動的に
停止する。これ以上の露光は厚さ方向にも横方向にもそ
れ以上の金属堆積を生じないため過剰な成長が制限され
る。本発明者は、丁度この瞬時に金堆積層７がマスクに
必要な光密性（遮光性）になることを確かめた。金属堆
積は正しい瞬時に自動的に停止するため、本発明方法は
全く臨界的でなく、複数個の欠陥を同時に修復する場合
に特に好適である。本発明では修復処理の間中露光をつ
づけるので、溶液への電子の十分な供給が常時保証され
るため、この場合には前記オランダ国特許願第8702219
号から既知の方法に記載されている酸素の同時還元は全
く又は殆ど重要な役割を演じない。
【００１０】図４は修復さたマスクの断面を示す。マス
クパターン２内の切れ目に代って、十分に光密性で且つ
耐引掻性及び耐摩耗性である金７が堆積され、マスクが
有用なものとなる。従って、追加のマスクを製造する場
合に較べて著しいコストの節約が得られる。形成された
金堆積層７は通常の殆んどのマスク清浄法に耐えると共
に引掻や摩耗に対し十分な耐性を有することが実験によ
り確かめられたが、マスクの修復後に少なくとも修復部
を上部保護層８で被覆することによりマスクの耐性を更
に向上させることができる。この目的のために、光電性
層４と同一の材料、本例では二酸化チタンの層を用いる
ことができ、この場合には修復処理が複雑にならずに有
利である。しかし、マスクをＵＶリソグラフィに使用す
る予定の場合には、二酸化チタンはこの場合に使用する
放射を僅かに吸収する欠点がある。この場合には、ＵＶ
放射に対し少なくとも完全に透明である二酸化シリコン
のような他の材料を用いるのが好ましい。この場合には
ＵＶ吸収は極めて薄くし得る光電性層４だけになる。本
例では、マスクの全表面に約５nm厚の二酸化チタンの層
８を設ける。この上部層８はマスクの耐引掻性及び耐摩
耗性を改善するのみならず耐薬品性も増大する。
クパターン２内の切れ目に代って、十分に光密性で且つ
耐引掻性及び耐摩耗性である金７が堆積され、マスクが
有用なものとなる。従って、追加のマスクを製造する場
合に較べて著しいコストの節約が得られる。形成された
金堆積層７は通常の殆んどのマスク清浄法に耐えると共
に引掻や摩耗に対し十分な耐性を有することが実験によ
り確かめられたが、マスクの修復後に少なくとも修復部
を上部保護層８で被覆することによりマスクの耐性を更
に向上させることができる。この目的のために、光電性
層４と同一の材料、本例では二酸化チタンの層を用いる
ことができ、この場合には修復処理が複雑にならずに有
利である。しかし、マスクをＵＶリソグラフィに使用す
る予定の場合には、二酸化チタンはこの場合に使用する
放射を僅かに吸収する欠点がある。この場合には、ＵＶ
放射に対し少なくとも完全に透明である二酸化シリコン
のような他の材料を用いるのが好ましい。この場合には
ＵＶ吸収は極めて薄くし得る光電性層４だけになる。本
例では、マスクの全表面に約５nm厚の二酸化チタンの層
８を設ける。この上部層８はマスクの耐引掻性及び耐摩
耗性を改善するのみならず耐薬品性も増大する。
【００１１】本発明の第２の実施例では、光電性層４が
基板１とマスクパターン２との間に設けられているマス
クから出発する（図５）。パターン２は小さな孔３（図
６の平面図に示されている）の形態のマスク欠陥を有し
ており、この欠陥を本発明を用いて修復する。この目的
のために、最初にマスクを完全に清浄及び脱脂する。光
電性層４が既に存在するため、次にマスクを直接金属イ
オン溶液５内に入れる（図７）。本例では、この目的の
ために１ｌ当り１ｇの塩化パラジウム（PdCl2)と、10ml
の濃縮塩酸（約37重量％)と、４mlのイソプロパノール
とを含む溶液を用いる。この溶液はパラジウムに還元し
得る四塩化パラジウムイオン外２
基板１とマスクパターン２との間に設けられているマス
クから出発する（図５）。パターン２は小さな孔３（図
６の平面図に示されている）の形態のマスク欠陥を有し
ており、この欠陥を本発明を用いて修復する。この目的
のために、最初にマスクを完全に清浄及び脱脂する。光
電性層４が既に存在するため、次にマスクを直接金属イ
オン溶液５内に入れる（図７）。本例では、この目的の
ために１ｌ当り１ｇの塩化パラジウム（PdCl2)と、10ml
の濃縮塩酸（約37重量％)と、４mlのイソプロパノール
とを含む溶液を用いる。この溶液はパラジウムに還元し
得る四塩化パラジウムイオン外２
【外２】 を含む。
【００１２】パターン２を矩形の絞りを介してレーザ光
に露光して孔３の区域に矩形の光スポットを結像させ
る。この区域においてレーザ光が感光層４に入射し、こ
の層がこの光を吸収すると共に自由電子を発生する。表
面においてこれら電子が溶液５に移動し、これら電子が
四塩化パラジウムイオンをパラジウム７に還元し、この
パラジウムがマスクの孔３の区域に堆積する。光電性層
４がレーザ光にアクセスし得なくなるような量のパラジ
ウムが堆積されると同時にパラジウムの堆積は自動的に
終了する。丁度この瞬時においてパラジウム堆積層７は
マスクに必要な光密性に達し、マスク欠陥が修復され
る。絞りの長さと幅を変えることにより光スポット６の
寸法を変えることができる。本例では光電性層４がマス
クパターン２の下にあるため、光スポット６の寸法はか
なり粗く調整してもかまわない。マスクパターン２自体
が孔３外の光電性層４を印加放射光から遮へいするため
（図７及び図８）、孔３外のパラジウムの堆積が簡単に
抑制される。
に露光して孔３の区域に矩形の光スポットを結像させ
る。この区域においてレーザ光が感光層４に入射し、こ
の層がこの光を吸収すると共に自由電子を発生する。表
面においてこれら電子が溶液５に移動し、これら電子が
四塩化パラジウムイオンをパラジウム７に還元し、この
パラジウムがマスクの孔３の区域に堆積する。光電性層
４がレーザ光にアクセスし得なくなるような量のパラジ
ウムが堆積されると同時にパラジウムの堆積は自動的に
終了する。丁度この瞬時においてパラジウム堆積層７は
マスクに必要な光密性に達し、マスク欠陥が修復され
る。絞りの長さと幅を変えることにより光スポット６の
寸法を変えることができる。本例では光電性層４がマス
クパターン２の下にあるため、光スポット６の寸法はか
なり粗く調整してもかまわない。マスクパターン２自体
が孔３外の光電性層４を印加放射光から遮へいするため
（図７及び図８）、孔３外のパラジウムの堆積が簡単に
抑制される。
【００１３】本例でも露光は350 〜365nm のＵＶレンジ
の波長を有するアルゴンレーザにより行なう。しかし、
前実施例と異なり本例ではレーザを連続パワーで動作さ
せない。最初に比較的高い、例えば約３ワットのパワー
を用いる。この場合、高強度のレーザビームのために極
めて多数のパラジウム核７が短時間の内に光電性層４の
孔の区域に堆積する。従って、最終パラジウム堆積層７
は光電性層４に対しかなり多数の付着点を有し、引掻及
び摩耗に対する抵抗が増大する。沸騰現象を抑えるため
に、約10ms後にレーザパワーを300mW に下げ、ハラジウ
ム堆積を低レベルで、堆積層７が光密性になるまで続け
る。図９は本発明により修復された後のマスクの断面を
示す。パラジウム堆積層７は基板への特に満足な付着性
を有することが確かめられた。
の波長を有するアルゴンレーザにより行なう。しかし、
前実施例と異なり本例ではレーザを連続パワーで動作さ
せない。最初に比較的高い、例えば約３ワットのパワー
を用いる。この場合、高強度のレーザビームのために極
めて多数のパラジウム核７が短時間の内に光電性層４の
孔の区域に堆積する。従って、最終パラジウム堆積層７
は光電性層４に対しかなり多数の付着点を有し、引掻及
び摩耗に対する抵抗が増大する。沸騰現象を抑えるため
に、約10ms後にレーザパワーを300mW に下げ、ハラジウ
ム堆積を低レベルで、堆積層７が光密性になるまで続け
る。図９は本発明により修復された後のマスクの断面を
示す。パラジウム堆積層７は基板への特に満足な付着性
を有することが確かめられた。
【００１４】本発明を上述の実施例につき説明したが、
本発明はこれら実施例に制限されるものではない。本発
明においては多数の変更が可能である。例えば、マスク
の修復中にマスクを基板を通して露光することができ
る。この場合には、光電性層がマスクパターンの後に設
けられている場合に、そのマスクパターンの遮蔽作用を
上述した第２実施例と同様の方法で利用することができ
る。その結果、露光をあまり厳密に行なわなくてもよく
なる。
本発明はこれら実施例に制限されるものではない。本発
明においては多数の変更が可能である。例えば、マスク
の修復中にマスクを基板を通して露光することができ
る。この場合には、光電性層がマスクパターンの後に設
けられている場合に、そのマスクパターンの遮蔽作用を
上述した第２実施例と同様の方法で利用することができ
る。その結果、露光をあまり厳密に行なわなくてもよく
なる。
【００１５】更に、露光はレーザの代りに、例えば高圧
水銀ランプのような他の放射源により行なうこともでき
る。レンズ、その他の補助光学系を用いて放射を孔又は
切れ目に集束させることもできる。放射の波長及び放射
の種類は使用する光電性層により決まる。上述の実施例
では可変寸法の矩形放射スポットを結像させるようにし
たが、これは本発明に必須の要件ではない。例えば、本
発明は異なる形状の放射スポット又は固定寸法の放射ス
ポットにより実施することもできる。更に、本発明は金
属イオン溶液の前記の実施例に制限されるものでない。
原理的には、本発明は金及びパラジウム以外に銀、ロジ
ウム、プラチナ又は銅のような希金属のイオンを含む任
意の溶液を用いることができる。
水銀ランプのような他の放射源により行なうこともでき
る。レンズ、その他の補助光学系を用いて放射を孔又は
切れ目に集束させることもできる。放射の波長及び放射
の種類は使用する光電性層により決まる。上述の実施例
では可変寸法の矩形放射スポットを結像させるようにし
たが、これは本発明に必須の要件ではない。例えば、本
発明は異なる形状の放射スポット又は固定寸法の放射ス
ポットにより実施することもできる。更に、本発明は金
属イオン溶液の前記の実施例に制限されるものでない。
原理的には、本発明は金及びパラジウム以外に銀、ロジ
ウム、プラチナ又は銅のような希金属のイオンを含む任
意の溶液を用いることができる。
【図１】フォトリソグラフィマスクの一部の平面図であ
る。
る。
【図２】本発明の修復方法の第１の実施例の一工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】本発明の修復方法の第１の実施例の次の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】修復されたマスクの断面図である。
【図５】他のフォトリソグラフィマスクの一部分の断面
図である。
図である。
【図６】図５に示すフォトリソグラフィマスクの一部分
の平面図である。
の平面図である。
【図７】本発明の修復方法の第２の実施例の一工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図８】本発明の修復方法の第２の実施例の次の工程を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図９】修復されたマスクの断面図である。
１ 基板 ２ マスクパターン ３ 欠陥 ４ 光電性層 ５ 金属イオン溶液 ６ 放射スポット ７ 金属堆積層 ８ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔ ｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 クリスチャン ヨハネス クレメント マリー ニーレセン オランダ国 5621 ベーアー アインド ーフェンフルーネバウツウェッハ１ (72)発明者 ヨハネス マティアス ヘラルダス リ ッケン オランダ国 5621 ベーアー アインド ーフェンフルーネバウツウェッハ１ (56)参考文献 特開 平３−102352（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16
Claims (9)
- 【請求項１】 リソグラフィマスクのマスクパターンの
欠陥を修復するために、吸収可能な波長を有する放射に
露光されると金属イオンの溶液からこの金属を堆積し得
る光電性の層をマスクに設け、このマスクを前記溶液内
に入れ、このマスクの欠陥区域を前記放射に露光させる
ようにしたリソグラフィマスクの欠陥修復方法におい
て、前記露光を少なくとも、前記光電性層が前記放射に
少なくとも実質的にアクセスできなくなるような量の金
属が欠陥区域の光電性層上に堆積されるまで続けること
を特徴とするリソグラフィマスクの欠陥修復方法。 - 【請求項２】 前記光電性層は二酸化チタン、酸化錫イ
ンジウム及び二酸化亜鉛から成る群から選択した半導体
化合物で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の方法。 - 【請求項３】 前記露光は最初は比較的強い強度で行な
い、その後低い強度でつづけることを特徴とする特許請
求の範囲第１または２項記載の方法。 - 【請求項４】 金属を堆積した後にマスクを保護上部層
で被覆することを特徴とする特許請求の範囲第１〜３項
の何れかに記載の方法。 - 【請求項５】 前記上部層に二酸化シリコン層を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の方法。 - 【請求項６】 前記光電性層がマスクパターンの下に設
けられているマスクから出発することを特徴とする特許
請求の範囲第１〜５項の何れかに記載の方法。 - 【請求項７】 マスクを長さと幅を調整し得る矩形の絞
りを通して露光することを特徴とする特許請求の範囲第
１〜６項の何れかに記載の方法。 - 【請求項８】 前記溶液は亜硫酸金（Ｉ）イオン又は四
塩化パラジウムイオンを含む溶液であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１〜７項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項９】 前記溶液に還元剤、特にイソプロパノー
ル、メタノール又はエタノールのようなアルコールを添
加することを特徴とする特許請求の範囲第１〜８項のい
ずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9000502A NL9000502A (nl) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | Werkwijze voor het herstellen van een defect in een lithografisch masker. |
| NL9000502 | 1990-03-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04217245A JPH04217245A (ja) | 1992-08-07 |
| JP2898114B2 true JP2898114B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=19856692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5762791A Expired - Lifetime JP2898114B2 (ja) | 1990-03-05 | 1991-03-01 | リソグラフィマスクの欠陥修復方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5190835A (ja) |
| EP (1) | EP0445870B1 (ja) |
| JP (1) | JP2898114B2 (ja) |
| KR (1) | KR100192084B1 (ja) |
| DE (1) | DE69102909T2 (ja) |
| IE (1) | IE65832B1 (ja) |
| NL (1) | NL9000502A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866499B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2008-11-03 | 주식회사 파이컴 | 폴리머 마스크의 수리 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8105633A (nl) * | 1981-12-15 | 1983-07-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding. |
| NL8702219A (nl) * | 1987-09-16 | 1989-04-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. |
| US4906326A (en) * | 1988-03-25 | 1990-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask repair system |
-
1990
- 1990-03-05 NL NL9000502A patent/NL9000502A/nl not_active Application Discontinuation
-
1991
- 1991-03-01 EP EP91200433A patent/EP0445870B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 IE IE69191A patent/IE65832B1/en not_active IP Right Cessation
- 1991-03-01 US US07/663,502 patent/US5190835A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-01 JP JP5762791A patent/JP2898114B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-01 DE DE69102909T patent/DE69102909T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-02 KR KR1019910003429A patent/KR100192084B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0445870A1 (en) | 1991-09-11 |
| NL9000502A (nl) | 1991-10-01 |
| KR100192084B1 (ko) | 1999-06-15 |
| US5190835A (en) | 1993-03-02 |
| DE69102909T2 (de) | 1995-02-16 |
| DE69102909D1 (de) | 1994-08-25 |
| IE65832B1 (en) | 1995-11-29 |
| EP0445870B1 (en) | 1994-07-20 |
| JPH04217245A (ja) | 1992-08-07 |
| IE910691A1 (en) | 1991-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920003794B1 (ko) | 석판화 마스크 및 그 교정방법 | |
| US5928817A (en) | Method of protecting an EUV mask from damage and contamination | |
| JPH04305917A (ja) | 密着型露光装置 | |
| US6617265B2 (en) | Photomask and method for manufacturing the same | |
| JPS58118647A (ja) | フオトマスク | |
| US11249384B2 (en) | Mask for EUV lithography and method of manufacturing the same | |
| KR920005634B1 (ko) | 광전자 마스크 및 그것을 사용한 광전자 전사노광방법 | |
| JP2898114B2 (ja) | リソグラフィマスクの欠陥修復方法 | |
| JPS62142323A (ja) | Ｘ線ホトリソグラフイに使用するマスクの加法的方法及びその結果得られるマスク | |
| US3824100A (en) | Transparent iron oxide microcircuit mask | |
| CA1285418C (en) | Pre-exposure method for increased sensitivity in high contrast resist development | |
| TWI421626B (zh) | 光罩之製造方法及使用該光罩的圖樣轉印方法 | |
| TW200928614A (en) | Photomask mounting/housing device and resist inspection method and resist inspection apparatus using same | |
| JPH07295204A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| JPS60245135A (ja) | ホトマスク修正方法 | |
| CN100407370C (zh) | 浸没式微影制程以及应用于浸没式微影制程的结构 | |
| JPS6083019A (ja) | パタ−ン反射型投影露光方法 | |
| JP3179127B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2003131356A (ja) | ホトマスクの製造方法および描画装置 | |
| JPH03271738A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPS60120521A (ja) | マスク欠陥修正方法 | |
| JPS58184146A (ja) | マスク基板の製造方法 | |
| JPH04109760U (ja) | 露光装置 | |
| JPH0754792B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| KR20030083176A (ko) | 웨이퍼 |