JPS58184146A - マスク基板の製造方法 - Google Patents
マスク基板の製造方法Info
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- JPS58184146A JPS58184146A JP57065420A JP6542082A JPS58184146A JP S58184146 A JPS58184146 A JP S58184146A JP 57065420 A JP57065420 A JP 57065420A JP 6542082 A JP6542082 A JP 6542082A JP S58184146 A JPS58184146 A JP S58184146A
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- Japan
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- mask
- mask layer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスク基板、特に半導体装置の製造にふする膳
光工稚用のマスク基板の製造方法に関するものである。
光工稚用のマスク基板の製造方法に関するものである。
従来のマスク基板の製造方法を第１図と共に説明する。
第１図において、ｌは紫外線光に対して透明なガラス基
板、２は金属マスク層、２ａは紫外線光に約して不透明
な金属マスク層、３は紫外線光の照射により高分子の架
橋反応、あるいは切断反応が生じる感光性高分子を塗布
した感光性樹脂膜（以後レジスト膜という）、４はノ臂
ターン化された金属マスク層を表面に有するマスターマ
スク基板、５＃ｉ紫外線光である。
板、２は金属マスク層、２ａは紫外線光に約して不透明
な金属マスク層、３は紫外線光の照射により高分子の架
橋反応、あるいは切断反応が生じる感光性高分子を塗布
した感光性樹脂膜（以後レジスト膜という）、４はノ臂
ターン化された金属マスク層を表面に有するマスターマ
スク基板、５＃ｉ紫外線光である。
すなわち、１プ、第１図（−のようにガラス基板ｌの表
面に蒸着法あるいはスフ４ツタ法により金属マスク層２
を形成する。この金属マスク層２は通ｎ＃ニクロム膜層
または酸化クロム農場である。
面に蒸着法あるいはスフ４ツタ法により金属マスク層２
を形成する。この金属マスク層２は通ｎ＃ニクロム膜層
または酸化クロム農場である。
慟
次に、第１図（ｂｌのように前記金属マスク層２の表向
にスピンコード法によってレジスト膜３を形成する。そ
して、このレジスト膜３を第１図（Ｃ）図に示す状態で
熱処理（７″リペーク）し、さらに、前記レジストｊ１
３を肩するガラス基板１にりしてパターニングされたマ
スターマスク基板４の紫外光に不透明な金属マスク層２
ａを第１図釦のように対向密着させ、前記マスターマス
ク基板４を通して前記レジスト膜３に紫外線光５を照射
する。
にスピンコード法によってレジスト膜３を形成する。そ
して、このレジスト膜３を第１図（Ｃ）図に示す状態で
熱処理（７″リペーク）し、さらに、前記レジストｊ１
３を肩するガラス基板１にりしてパターニングされたマ
スターマスク基板４の紫外光に不透明な金属マスク層２
ａを第１図釦のように対向密着させ、前記マスターマス
ク基板４を通して前記レジスト膜３に紫外線光５を照射
する。
次に、前記レノスト族３を現像液により可溶化したレジ
ストを除去し、レジストノ９ターンを形成させ、前記金
属マスク〜２を＄１図（ｅｊのように露出させる。
ストを除去し、レジストノ９ターンを形成させ、前記金
属マスク〜２を＄１図（ｅｊのように露出させる。
次に前記レジス）ａ３を有するガラス基板ｌ′ｆｔ第１
図（ｆ）の状態で熱処理（ポストベーク）し、前記金属
マスク層２を腐蝕ブる腐蝕液に浸せきし、該金属マスク
層２の露出した部分を第１図（ｇ）のように選択的に腐
蝕して除去ブる。最後に不要になった前記レジスト膜３
を除去しｉ＠１図（６）の如きマスク基板が得られる。
図（ｆ）の状態で熱処理（ポストベーク）し、前記金属
マスク層２を腐蝕ブる腐蝕液に浸せきし、該金属マスク
層２の露出した部分を第１図（ｇ）のように選択的に腐
蝕して除去ブる。最後に不要になった前記レジスト膜３
を除去しｉ＠１図（６）の如きマスク基板が得られる。
以上の製造工程により、マスク基板が製造される。
しかしながら、従来のマスク基板の製造方法では、最終
的には不要となるレジスト膜３を使用しなければならず
、レジスｌｌを使用することに起因した問題が発生する
。
的には不要となるレジスト膜３を使用しなければならず
、レジスｌｌを使用することに起因した問題が発生する
。
その第１の問題点としては、工程が複雑になることであ
る。すなわち、第１図においてレジスト膜３を使用する
ために必要な工程は、第１図６）のレジスト塗布、第１
図（ｅ）の熱処理（２リペーク）、第１図（ｅ）の現像
、第１１ｉ７（ｆ）の熱処理（ポストベーク）、第１図
（尋のレジスト除去の工程で、実に全８工程（第１１（
−〜伽））中５工程になる。
る。すなわち、第１図においてレジスト膜３を使用する
ために必要な工程は、第１図６）のレジスト塗布、第１
図（ｅ）の熱処理（２リペーク）、第１図（ｅ）の現像
、第１１ｉ７（ｆ）の熱処理（ポストベーク）、第１図
（尋のレジスト除去の工程で、実に全８工程（第１１（
−〜伽））中５工程になる。
第２の問題点として轄、第１図６）のレジスト塗布から
第１図（ｆ）の熱処理（ポストベーク）までの工程中に
レジスト膜３の欠損及び′！！Ｑ貿欠陥耐欠陥した場合
、そのレジスト欠損部及び残留部が金属マスク層２の欠
損あるいは残留欠陥トつながり、その結果、欠陥密ｔｍ
ｘ増加するため、製造歩留りの低下につながる。−般に
、レジスト膜３の使用に起因する製造歩留りの低下の割
合は、全体の製造歩留り低下の約８０チといわれている
のが現状である。
第１図（ｆ）の熱処理（ポストベーク）までの工程中に
レジスト膜３の欠損及び′！！Ｑ貿欠陥耐欠陥した場合
、そのレジスト欠損部及び残留部が金属マスク層２の欠
損あるいは残留欠陥トつながり、その結果、欠陥密ｔｍ
ｘ増加するため、製造歩留りの低下につながる。−般に
、レジスト膜３の使用に起因する製造歩留りの低下の割
合は、全体の製造歩留り低下の約８０チといわれている
のが現状である。
本発明の目的は上記欠点を解決するため、レジスト膜は
一切使用しないで製造できるマスク基板の製造方法を提
供することであり、以下詳細に説明、する。
一切使用しないで製造できるマスク基板の製造方法を提
供することであり、以下詳細に説明、する。
第２図は本発明による製造工程の一実施例であって、図
中、第１図と同−符号紘同一部分を示し、４＆はレーデ
光において不透明なノ臂ターン化された金属マスク層２
ｂを表面に有するマスターマスク基板〜 ７Ｆｉレーデ
光、８は耐腐蝕性膜である。
中、第１図と同−符号紘同一部分を示し、４＆はレーデ
光において不透明なノ臂ターン化された金属マスク層２
ｂを表面に有するマスターマスク基板〜 ７Ｆｉレーデ
光、８は耐腐蝕性膜である。
すなわち、まずｌｋ２図−）のように、蒸着法あるいは
ス・臂ツタ法により金属マスク層２を形成する。
ス・臂ツタ法により金属マスク層２を形成する。
本実施例では金属マスク層２としてクロム膜層あるいは
酸化クロム膜層を用い、膜厚ＦｉｓｏｏＸ〜１０．０Ｏ
ＯＡの程度のものである。
酸化クロム膜層を用い、膜厚ＦｉｓｏｏＸ〜１０．０Ｏ
ＯＡの程度のものである。
次、に、前記ガラス基板ｌの金属マスク層２を第２図伽
）のように酸素プラズマ雰囲気６に露出させる。この場
合の酸素プラズマの発生条件は、例えば酸素流量は２０
０ＣＣ−１０００ＣＣ／毎ｅ、ｘｍｍ出力は一５０Ｗ
〜３００Ｗ、圧力は０．Ｉ Ｔａｒｒ 〜２Ｔｏｒｒが
好ましく、また露出時間は３分〜３０分が好ましい。
）のように酸素プラズマ雰囲気６に露出させる。この場
合の酸素プラズマの発生条件は、例えば酸素流量は２０
０ＣＣ−１０００ＣＣ／毎ｅ、ｘｍｍ出力は一５０Ｗ
〜３００Ｗ、圧力は０．Ｉ Ｔａｒｒ 〜２Ｔｏｒｒが
好ましく、また露出時間は３分〜３０分が好ましい。
次に、前記ガラス基板ｌの金属マスク層２を妥スターマ
スク基板４１と密着させ、第２図（ａ）のように該マス
ターマスク基板４ａを通してレーデ光７を照射する。こ
の場合のレーザ光７の発生条件は例えば、１ｅ−Ｈｅレ
−デで波長は約６．０００又、出力は１５−〜１００
ｍＷ、照射時間は３分〜１０分が好ましい−このレーデ
光７の発生条件の下に、前記マスターマスク基板４＆の
金属マスク層２ｂにより逼られなかった前記レーデ光７
は前記ガラス基板ｌに形成された金属マスク層２にその
まま照射され、前記金属マ゛スク層に耐腐蝕性膜８を形
成する。
スク基板４１と密着させ、第２図（ａ）のように該マス
ターマスク基板４ａを通してレーデ光７を照射する。こ
の場合のレーザ光７の発生条件は例えば、１ｅ−Ｈｅレ
−デで波長は約６．０００又、出力は１５−〜１００
ｍＷ、照射時間は３分〜１０分が好ましい−このレーデ
光７の発生条件の下に、前記マスターマスク基板４＆の
金属マスク層２ｂにより逼られなかった前記レーデ光７
は前記ガラス基板ｌに形成された金属マスク層２にその
まま照射され、前記金属マ゛スク層に耐腐蝕性膜８を形
成する。
次に、前記耐腐蝕性膜８を形成した金属マスク４２を有
するガラス基板１を前記金属マスク層２を腐蝕する腐蝕
液に浸せきすると、第２図（ｄ）のように、前記耐腐蝕
性ｊＩ８を形成した部分以外の前記金属マスク層２′が
腐蝕され、除去される。この場合の腐蝕液は、例えば硝
酸第２セリウムアンモニウム系で、腐蝕時間は２０秒〜
６０秒が好ましい。
するガラス基板１を前記金属マスク層２を腐蝕する腐蝕
液に浸せきすると、第２図（ｄ）のように、前記耐腐蝕
性ｊＩ８を形成した部分以外の前記金属マスク層２′が
腐蝕され、除去される。この場合の腐蝕液は、例えば硝
酸第２セリウムアンモニウム系で、腐蝕時間は２０秒〜
６０秒が好ましい。
最後に、不要になった耐腐蝕性層８を除去すると、第２
図（ｅ）の如きマスク基板が得られる。この場合の除去
液として、例えば硫酸が好ましく、除去時間は１分〜２
分が好ましい。
図（ｅ）の如きマスク基板が得られる。この場合の除去
液として、例えば硫酸が好ましく、除去時間は１分〜２
分が好ましい。
以上が本発明によるマスク基板の製造方法Ｏ一実施例で
ある。
ある。
以上説明したように１本発明によれば、従来技術で絶対
必要としたレジスト膜を全く必要とせず、従来の製造技
術での製造工程が８工程、すなわち第１図−）〜第１図
（ｂ）であるのに対して、本実施例での製造工程轄５工
程、すなわち９２図（１）〜第２図−）と３工程が省か
れ、製造工程を着しく簡単化することができ、またレジ
スト膜を使用しないため、レジスト展使用に起因した欠
陥の発生がなくなった為、製造歩留りを約８σ−１向上
させることができるという大なる効果か得られる。
必要としたレジスト膜を全く必要とせず、従来の製造技
術での製造工程が８工程、すなわち第１図−）〜第１図
（ｂ）であるのに対して、本実施例での製造工程轄５工
程、すなわち９２図（１）〜第２図−）と３工程が省か
れ、製造工程を着しく簡単化することができ、またレジ
スト膜を使用しないため、レジスト展使用に起因した欠
陥の発生がなくなった為、製造歩留りを約８σ−１向上
させることができるという大なる効果か得られる。
第１図は従来のマスク基板の製造方法を示す工程説明図
、第２図は本発明の一実施例を示す第１囚相当図である
。 １・・・ガラス基板ｓ ２ ＋ ２ ａ 、２ ｂ・・
・金属マスク鳩、３・・・レノストｌＬ ４．４ｍ・・
・マスターマスク基板、５・・・紫外線光、６・・・酸
素グラズマ雰囲気、７・・・レーデ光、８・・・耐腐蝕
性層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 ”）６二４，１ 手続補正書 昭和５７年９月−３日 特許庁長官着参Ｓ＊ 殿 １、事件の表示 昭和８１年 畳 許 願第 １１１４１０ 号２１１
８＠Ｑ４称 マス／ｆＩ４１［０ＩＩＩ？ＩＩＬ万渋３、補正をする
者 事件との関係 特 許 出願人（０１１１）沖
電気工ａｍ式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（崗１
ｉ）６、補正の対象 ＠膳書ｏ １１１１１！ｏ＃＃＊説−」の欄。 ７、補正の内容 別紙の通り （１） 明細書６頁７行のｌ Ｈｅ−Ｈｅレーデで波
長は約６．０ＯＯＡ、ｊを［Ｈｅ−Ｎｏレーデで波長ｔ
よ・、３２８Ａ、」と訂正する。 以上 □゛：：、、。
、第２図は本発明の一実施例を示す第１囚相当図である
。 １・・・ガラス基板ｓ ２ ＋ ２ ａ 、２ ｂ・・
・金属マスク鳩、３・・・レノストｌＬ ４．４ｍ・・
・マスターマスク基板、５・・・紫外線光、６・・・酸
素グラズマ雰囲気、７・・・レーデ光、８・・・耐腐蝕
性層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 ”）６二４，１ 手続補正書 昭和５７年９月−３日 特許庁長官着参Ｓ＊ 殿 １、事件の表示 昭和８１年 畳 許 願第 １１１４１０ 号２１１
８＠Ｑ４称 マス／ｆＩ４１［０ＩＩＩ？ＩＩＬ万渋３、補正をする
者 事件との関係 特 許 出願人（０１１１）沖
電気工ａｍ式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（崗１
ｉ）６、補正の対象 ＠膳書ｏ １１１１１！ｏ＃＃＊説−」の欄。 ７、補正の内容 別紙の通り （１） 明細書６頁７行のｌ Ｈｅ−Ｈｅレーデで波
長は約６．０ＯＯＡ、ｊを［Ｈｅ−Ｎｏレーデで波長ｔ
よ・、３２８Ａ、」と訂正する。 以上 □゛：：、、。
Claims (3)
- （１）ガラス基板表面に全島マスク層を形成ブる工程と
、前記金属マスク層を酸素プラズマ雰囲気中に籐出させ
る工程と、前記金属マスク層表面上にマｘ ｐ−マスク
基板に有するパターニングサレタ金楓マスク層を対向密
着させる工程と、前記マスターマスク基板を通して前記
金島マスク層表面をレーザ光で照射する工程と、前記レ
ーザ光で照射されない前記金属マスク層を選択的に除去
する工程とを備えて成ることを特徴とするマスク基板の
製造方法。 - （２）全編マスク層はクロム展層であるととｔ特徴とす
る％￥ｆ＃ｐ１求の範囲第１項記載のマスク基板の製造
方法 - （３）金属マスク層は酸化クロム膜層であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のマスク基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065420A JPS58184146A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | マスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065420A JPS58184146A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | マスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184146A true JPS58184146A (ja) | 1983-10-27 |
Family
ID=13286542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57065420A Pending JPS58184146A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | マスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58184146A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006128379A1 (fr) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Kinoptics Technologies Inc. | Matrice de filtres pour affichage a cristaux liquides et son procede de fabrication |
| US8183496B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-05-22 | Intel Corporation | Method of forming a pattern on a work piece, method of shaping a beam of electromagnetic radiation for use in said method, and aperture for shaping a beam of electromagnetic radiation |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP57065420A patent/JPS58184146A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006128379A1 (fr) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Kinoptics Technologies Inc. | Matrice de filtres pour affichage a cristaux liquides et son procede de fabrication |
| US7588866B2 (en) | 2005-06-01 | 2009-09-15 | Kinoptics Technologies Inc. | Filter arrays for liquid crystal displays and methods of making the same |
| US8183496B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-05-22 | Intel Corporation | Method of forming a pattern on a work piece, method of shaping a beam of electromagnetic radiation for use in said method, and aperture for shaping a beam of electromagnetic radiation |
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