JPH0293457A - 両面パターン付きフォトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明はフォトマスクの製造方法に係り、更に詳しくは
透光性基板の両主表面に遮光性パターンを有する、両面
パターン付きフォトマスクの製造方法に関する。

［従来の技術］ 従来、この種の両面パターン付きフォトマスクは通常以
下のようにして製造されていた。

すなわち、先ず、ガラス等の透光性基板の一主表面にク
ロム等の遮光性薄膜を設けてなるフォトマスクブランク
にフォトレジストを塗布した後、所望するパターンを有
するフォトマスクをフォトレジストに密着させて露光し
、次いで現像してレジストパターンを形成した後、エツ
チング、レジスト剥離を経て、透光性基板の一主表面に
遮光性パターンが形成された、片面パターン付きフォト
マスクを得る。

次に、上記で得られた片面パターン付きフォトマスクの
遮光性パターンを有しない他の主表面に、前記遮光性パ
ターンと同一乃至相似形状の切り抜き部を有するマスキ
ングフィルム（例えばポリエステルフィルム）を、その
切り抜き部を前記遮光性パターンと位置合せした後、接
着テープで貼り付ける。

次に、マスキングフィルムを貼り付けた片面パターン付
きフォトマスクのマスキングフィルム面側を真空蒸着法
により成膜処理して、マスキングフィルムの切り抜き部
に対応する透光性基板上およびマスキングフィルム上に
クロム等の遮光性薄膜を形成する。

次に接着テープおよびマスキングフィルムを剥がすこと
により、前記マスキングフィルムの切り抜き部に対応す
る位置に遮光性パターンを形成して、目的とする両面パ
ターン付きフォトマスクを得る。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述の両面パターン付きフォトマスクの
製造方法は、以下のような欠点を有していた。

すなわち、真空蒸着法によりマスキングフィルム面側に
遮光性薄膜を形成する際に、透光性基板は例えば１００
〜１６０℃に温度上昇し、これに密着しているマスキン
グフィルムおよび接着テープも加熱されて歪みを起こし
、切り抜き部の形状が変形してしまい、真空蒸着後に得
られる遮光性パターンが所望形状とならない。

また真空蒸着は、一般にマスキングフィルムを貼り付け
た片面パターン付きフォトマスクをマスキングフィルム
面を下向き又は斜めに傾斜させて行なわれるが、マスキ
ングフィルムと透光性基板との密着が不十分な状態で下
向き又は斜めに傾斜させると、マスキングフィルムと透
光性基板との間に隙き間が生じ、この隙き間から遮光性
物質が入り込み、真空蒸着後に、所望形状の遮光性パタ
ーンが得られない。

このようなマスキングフィルムと透光性基板との密着不
良は、マスキングフィルムの切り抜き部近傍部分と、前
記切り抜き部に対応する透光性基板部分とを接着テープ
で強固に密着させれば解消するが、そうすると、（イ）
接着テープにより切り抜き部の形状が変化する、（ロ）
接着テープか真空蒸着中に前記透光性基板部分に焼き付
く、（ハ）真空蒸着後の接着テープおよびマスキングフ
ィルムの剥離時に接着テープに同伴して、遮光性パター
ンになるべき部分の遮光性薄膜が剥離する等の理由によ
り所望形状の遮光性パターンを形成することができない
。

本発明は、このような問題点乃至欠点を解消するために
なされたものであり、その目的は、透光性基板の両主表
面に同一乃至相似形状の遮光性パターンを有する両面パ
ターン付きフォトマスクを遮光性パターンの形状精度良
くかつ効率的に製造することができる方法を提供するこ
とにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、上記目的を達成させるためになされたもので
あり、透光性基板の両主表面に遮光性パターンを有する
フォトマスクを製造するための本発明の方法は、下記の
工程、すなわち、透光性基板の一主表面に遮光性パター
ンを有するフォトマスクの遮光性パターンを有しない他
の主表面にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工
程と、 前記レジスト膜を選択的に露光後、現像処理して、前記
遮光性パターンに対応するレジストパターンを形成する
工程と、 前記レジストパターン間の透光性基板上およびレジスト
パターン上に遮光性薄膜を形成する工程と、 前記レジストパターンをその上の遮光性薄膜とともに剥
離して、前記遮光性パターンに対応する他の遮光性パタ
ーンを形成する工程と を含むことを特徴とする。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。

出発材料である片面パターン付きフォトマスクとして、
第２図にその平面図を示すように、低膨張ガラス（例え
ばＨＯＹＡ■製ＮＡ−４０）からなる、３４０Ｘ３４０
Ｘ３ｍｎの透光性基板１上に遮光性パターン２ｐとして
クロムからなる黒ベタの５０×６５１１Ｉ１１の四角形
パターン（膜厚１，０００人）が２０個配置されている
ものを用意した。なお、てなるフォトマスクブランク上
へのレジスト膜形成工程、レジスト膜の選択的露光工程
、現像処理によるレジストパターン形成工程、エツチン
グ、レジスト剥離処理による遮光性パターン形成工程を
順次実施する通常のフォトマスク製造方法により製造さ
れている。

次に、上記片面パターン付きフォトマスクを用いて第１
図に示すように以下の工程を順次実施した。

すなわち、先ず透光性基板１の遮光性パターン２ｐを有
する側の主表面にスピンコード法によりポジ型フォトレ
ジスト（例えばヘキスト社製ＡＺ−１３５０’）を塗布
し、所定温度（例えば９０℃）で所定時間（例えば６０
分）ベークして膜厚１０．０００人のレジスト膜３を形
成した（第１図（ａ）参照）。このレジスト膜は遮光性
パターン２ｐの保護膜としての機能を果す。

次に、遮光性パターン２ｐ及びレジスト膜３を有しない
、透光性基板１の他の主表面を先ずアセトン、次にイソ
プロピルアルコール、最後にＲＢＳ２５（ピアスケミカ
ル社製界面活性剤）とベルクリンＥ−１（鐘紡■製）を
用いてハンドスクラブで清浄化し、次いで純水リンス、
乾燥後に、上記と同様のスピンコード法により、ポジ型
フォトレジスト（例えばヘキスト社製ＡＺ−１３５０）
を塗布し、所定温度（例えば９０℃）で所定時間（例え
ば６０分）ベークすることにより、膜厚ｔｏ、ｏｏｏ人
のレジスト膜４を形成した（第１図（ｂ）参照）。

次に、レジスト膜４を上側にして、その上に、遮光性パ
ターン２ｐ（５０Ｘ６５ｍｍ）よりもわずかに小さい相
似形のパターン（４８Ｘ６３ｍ＋ｓ）を有するマスター
マスク５（例えば、きもと■製ボピールＥＥ　（３５０
Ｘ３５０ｍｍ）をパターンカッティングしたもの）を密
着させて紫外線６（紫外線ランプ使用、出力２ＫＷ）に
より５秒間露光した（第１図（ｅ）参照）。

次に、所定の現像液（例えばＡＺ−１３５０専用液）を
用い、レジスト膜４を所定時間（例えば１分）現像処理
してレジストパターン４ｐを形成した（第１図（ｄ）参
照）。

次に、Ｃｒからなる蒸発源を用い真空蒸着法により、レ
ジストパターン４ｐ、４９間の透光性基板１上およびレ
ジストパターン４ｐ上にＣｒからなる膜厚ｔ、ｏｏｏ人
の遮光性薄膜７を形成した（第１図（ｅ）参照）。

次に、所定のレジスト剥離液（例えばメチルエチルケト
ン溶液）を用いてレジストパターン４ｐと遮光性薄膜７
のレジストパターン４ｐ上の部分とをレジスト膜３とと
もに剥離して、遮光性パターン２ｐに対応する遮光性パ
ターン７ｐを有する両面パターン付きフォトマスクを得
た（第１図（ｆ）参照）。

本実施例によれば、片面パターン付きフォトマス、りの
非パターン面にマスキングフィルムを接着テープで貼り
付は後に遮光性パターンの形成を行なう従来方法の欠点
（例えば隙き間からの遮光性物質の入り込み、接着テー
プの焼き付き等による不所望形状の遮光性パターンの形
成）が解消される。すなわち形成された遮光性パターン
７ｐはマスターマスク５のパターン形状（４８Ｘ６３ｍ
ｍ）に忠実に対応しており、従って遮光性パターン２ｐ
の形状（５０Ｘ６５ｍｍ）よりもわずかに小さい相似形
の形状を有していた。

以上、実施例により本発明を説明してきたが、本発明は
以下の応用例および変形例を含むものである。

（１）実施例では、透光性基板として低膨張ガラスを用
いたが、他のガラスを用いても良く、またセラミックス
等も用いることもできる。

（２）実施例では、遮光性膜の成膜方法として真空蒸着
法を用いたが、ＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法等の成膜方法を用いることもできる。

（３）実施例では、両主表面にクロムからなる遮光性パ
ターンを形成したが、クロム以外に酸化クロム、モリブ
デン、タングステン、チタン等の遮光性物質により遮光
性パターンを形成しても良い。

また両主表面上の遮光性パターンは同一遮光性物質によ
り形成しても良く、異なる遮光性物質により形成しても
良い。

（４）ポジ型フォトレジストの塗布方法は実施例で採用
されたスピンコード法以外に、ロールコート法やスプレ
ーコート法等であってもよく、また、その膜厚も適宜選
定しうる。さらに、ポジ型フォトレジストの代わりにポ
ジ型電子線レジストを採用してもよく、この場合にはポ
ジ型電子線レジストの各部分を電子線露光装置を用いて
露光すればよい。

またポジ型フォトレジストの代りにネガ型フォトレジス
トを用いても良い。

（５）レジストパターンの剥離液としては、使用したポ
ジ型レジストに対応したレジスト剥離液（例えば濃硫酸
）を適宜用いることができる。

（１実流側では、透光性基板の一主表面に遮光性パター
ンを有する片面パターン付きフォトマスクの前記主表面
にレジスト膜を形成したが、蒸着源と片面パターン付き
フォトマスクとを適宜配置させることにより、遮光性薄
膜が前記主表面に形成することを防止できるので、前記
レジスト膜の形成は省略することができる。但し、前記
遮光性パターンが、両面パターン付きフォトマスクの製
造時に損傷するのを防止するために、前記レジスト膜を
保護膜として形成するのが好ましい。この保護膜はレジ
スト膜に限定れさるものでなく、（ａ）耐熱性があって
ガス等を発生しない、（ｂ）遮光性パターンに悪影響を
与えない、（Ｃ）反対面から見て透光性基板と遮光性パ
ターンとを容易に区別できる、（ｄ）剥離が容易である
等の性質を具備するものであれば、他の物質により形成
しても良い。

（７）実施例では、透光性基板の一主表面に遮光性パタ
ーンを有する片面パターン付きフォトマスクの前記遮光
性パターンよりもわずかに小さい相似形の遮光性パター
ンを透光性基板の他の主表面に形成したが、前記片面パ
ターン付きフォトマスクの遮光性パターンよりもわずか
に大きい相似形の遮光性パターンを形成して両面パター
ン付きフォトマスクとすることもできる。また両遮光性
パターンは同一形状であっても良い。

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によれば透光性基板の両主表
面に同一乃至相似形状の遮光性パターンを有する両面パ
ターン付きフォトマスクを遮光性パターンの形状精度良
くかつ効率的に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のフォトマスクの製造方法の一実施例を
示す工程図、第２図は同実施例の製造方法において出発
材料として用いられる片面パターン付きフォトマスクの
平面図である。 １・・・透光性基板、２ｐ・・・遮光性パターン、３・
・・レジスト膜、４・・・レジスト膜、４ｐ・・・レジ
ストパターン、５・・・マスターマスク、６・・・紫外
線、７・・・遮光性薄膜、７ｐ・・・遮光性パターン。 出願人　ホ　−　ヤ　株　式　会　社 代理人　弁理士　中　村　静　男 第２図 透光性基板 遮光性パターン レジスト膜 レジスト膜 レジストパターン マスターマスク 紫外線 遮光性簿膜 遮光性パターン 第

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性基板の一主表面に遮光性パターンを有する
   フォトマスクの遮光性パターンを有しない他の主表面に
   レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記
   レジスト膜を選択的に露光後、現像処理して、前記遮光
   性パターンに対応するレジストパターンを形成する工程
   と、前記レジストパターン間の透光性基板上およびレジ
   ストパターン上に遮光性薄膜を形成する工程と、前記レ
   ジストパターンをその上の遮光性薄膜とともに剥離して
   、前記遮光性パターンに対応する他の遮光性パターンを
   形成する工程とを含むことを特徴とする透光性基板の両
   主表面に遮光性パターンを有するフォトマスクの製造方
   法。