JPS625244A - コンタクト露光用マスク - Google Patents
コンタクト露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS625244A JPS625244A JP60143387A JP14338785A JPS625244A JP S625244 A JPS625244 A JP S625244A JP 60143387 A JP60143387 A JP 60143387A JP 14338785 A JP14338785 A JP 14338785A JP S625244 A JPS625244 A JP S625244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- resist
- layer
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■！立夏
本発明は、フォトリソグラフィーで用いられるコンタク
ト露光用マスクに関する。
ト露光用マスクに関する。
丈米立１亙
フォトリソグラフィーにおける微細パターンの露光方法
としては、コンタクト露光とプロジェクション露光との
２種類がある。コンタクト露光において解像力を上げる
ためには、マスクとレジスト基板との密着性を良くする
必要がある。しかしながら、マスク基板、レジスト基板
とも反りが存在し、それら保持する基台も厳密には平坦
でないため、密着性の向上には限界があった。
としては、コンタクト露光とプロジェクション露光との
２種類がある。コンタクト露光において解像力を上げる
ためには、マスクとレジスト基板との密着性を良くする
必要がある。しかしながら、マスク基板、レジスト基板
とも反りが存在し、それら保持する基台も厳密には平坦
でないため、密着性の向上には限界があった。
マイクロ波理論技術ＩＥＥＥ会報、 １９７３年４月号
。
。
ｐ１９５〜２０５（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ
Ｓ ＯＮ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥＴＨＥＯＲＹ ＡＮＤ
ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ、 ＡＰＲＩＬ １９７３．ｐ１
９５−２０５）には、０．２腸脂厚のフレキシブルなガ
ラス基板を用いたコンタクト露光用マスクが提案されて
いる。しかしながら、このマスクは薄いガラス板を用い
ているために密着時あるいは剥離時に破損しやすいとい
う欠点があった。
Ｓ ＯＮ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥＴＨＥＯＲＹ ＡＮＤ
ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ、 ＡＰＲＩＬ １９７３．ｐ１
９５−２０５）には、０．２腸脂厚のフレキシブルなガ
ラス基板を用いたコンタクト露光用マスクが提案されて
いる。しかしながら、このマスクは薄いガラス板を用い
ているために密着時あるいは剥離時に破損しやすいとい
う欠点があった。
１１ム１１句一
本発明は、密着性が良好で高解像力が実現可能であり、
しかも、取扱いが容易なコンタクト露光用マスクを提供
するものである。
しかも、取扱いが容易なコンタクト露光用マスクを提供
するものである。
１豆立ｌ處
本発明のコンタクト露光用マスクは、基板が可撓性プラ
スチックフィルムから形成されていることを特徴と亥る
。
スチックフィルムから形成されていることを特徴と亥る
。
第１図は本発明の実施例を示す断面図であり。
マスク基板１１の上にパターンニング層１３が形成され
ている。マスク基板１１は、可撓性を有するプラスチッ
クフィルムからなる。プラスチックフィルムとしては、
ポリカーボネート、フッ素樹脂、ポリサルホンなどが用
いられ、この中でもポリカーボネートフィルムが特に好
ましい。
ている。マスク基板１１は、可撓性を有するプラスチッ
クフィルムからなる。プラスチックフィルムとしては、
ポリカーボネート、フッ素樹脂、ポリサルホンなどが用
いられ、この中でもポリカーボネートフィルムが特に好
ましい。
露光には紫外光が用いられるが、第２図にも示したよう
にポリカーボネートフィルムは紫外域で高い透過率を有
する。また、ポリカーボネートは、耐熱温度が１４０℃
と高く、フォトレジストを用いてパターンニング層を形
成する場合のプリベークやポストベークに十分耐えるこ
とができる。プラスチックフィルムの厚さは、密着性、
強度の観点から、０．０１〜５．０ｍ■が好ましく、よ
り好ましくは ０．１〜０．５ｍ園である。
にポリカーボネートフィルムは紫外域で高い透過率を有
する。また、ポリカーボネートは、耐熱温度が１４０℃
と高く、フォトレジストを用いてパターンニング層を形
成する場合のプリベークやポストベークに十分耐えるこ
とができる。プラスチックフィルムの厚さは、密着性、
強度の観点から、０．０１〜５．０ｍ■が好ましく、よ
り好ましくは ０．１〜０．５ｍ園である。
パターンニング層１３は、クロムのような光不透過性材
料でポジパターンあるいはネガパターンを設けて形成さ
れ、これは、たとえばフォトレジストを用いる通常のフ
ォトリソグラフィー法により得られる。
料でポジパターンあるいはネガパターンを設けて形成さ
れ、これは、たとえばフォトレジストを用いる通常のフ
ォトリソグラフィー法により得られる。
また、マスク基板１１の当接面側（パターン二ング層１
３の形成されている側）を導電処理することもでき、こ
れにより静電力の発生が防止され、露光後にレジスト基
板から剥離するのが容易となる。
３の形成されている側）を導電処理することもでき、こ
れにより静電力の発生が防止され、露光後にレジスト基
板から剥離するのが容易となる。
第３図は、従来の一般的なコンタクト露光の概略図を示
す、マスク基板１１およびレジスト基板２１はそれぞれ
基台３１．３３に真空チャック（図示せず）で保持され
ている。レジスト基板２１には被エツチング層２３とレ
ジスト層２５とが順次形成されており、全面光照射して
コンタクト露光を行うことによりマスク１５のパターン
ニング層１３に対応した部分に選択的に光照射がなされ
る。
す、マスク基板１１およびレジスト基板２１はそれぞれ
基台３１．３３に真空チャック（図示せず）で保持され
ている。レジスト基板２１には被エツチング層２３とレ
ジスト層２５とが順次形成されており、全面光照射して
コンタクト露光を行うことによりマスク１５のパターン
ニング層１３に対応した部分に選択的に光照射がなされ
る。
図面の上下方向から基台３１．３３に機能的な力を加え
、マスク基板１１とレジスト基板２１を密着させる。レ
ジスト基板２１がガラスのような剛体の場合には基板の
平面性により平坦度が規定される。また、レジスト基板
２１がシリコンウェハのように可撓性を有する場合、レ
ジスト基板の平坦度は基台３３の平坦度とほぼ同じ”と
なる、マスク基板１１も完全に平坦ではあり得ないので
、レジスト基板とマスク基板との平坦度の差に応じて両
基板の密着性は悪くなり、解像力が低下してしまう。
、マスク基板１１とレジスト基板２１を密着させる。レ
ジスト基板２１がガラスのような剛体の場合には基板の
平面性により平坦度が規定される。また、レジスト基板
２１がシリコンウェハのように可撓性を有する場合、レ
ジスト基板の平坦度は基台３３の平坦度とほぼ同じ”と
なる、マスク基板１１も完全に平坦ではあり得ないので
、レジスト基板とマスク基板との平坦度の差に応じて両
基板の密着性は悪くなり、解像力が低下してしまう。
これに対して、本発明では、マスク基板１１として可撓
性プラスチックフィルムを用いているので、レジスト基
板との良好な密着性を得ることができる。第４図に本発
明のマスクを用いてコンタクト露光する方法について示
すように、基体を介して両基板に機械的な力を加えるの
ではなく、レジスト基板側を真空としマスク基板の外面
側を大気圧として圧力差により、両基板を密着させるこ
とができる。被エツチング層２３およびレジスト層２５
が形成されたレジスト基板３１を支持プレート４１の上
に載せ、さらにこの上にマスク１５を重ねる。このとき
、マスク１５の外周部はマスク保持台４３に支持される
。ついで、真空ポンプ４５によりレジスト基板２１側を
真空にすると、大気圧によりマスク１１が押されて、マ
スク１５とレジスト基板２１とが密着される。この結果
、レジスト基板に反りがある場合も、可撓性を有するマ
スク基板１１はそれに応じて完全に近い形で密着し、良
好なノーターン精度が得られ、しかも、露光後にレジス
ト基板２１からマスク基板１１を剥離するに際しては、
マスク基板１１が柔軟性を有するので端部から簡単に剥
すことができる。
性プラスチックフィルムを用いているので、レジスト基
板との良好な密着性を得ることができる。第４図に本発
明のマスクを用いてコンタクト露光する方法について示
すように、基体を介して両基板に機械的な力を加えるの
ではなく、レジスト基板側を真空としマスク基板の外面
側を大気圧として圧力差により、両基板を密着させるこ
とができる。被エツチング層２３およびレジスト層２５
が形成されたレジスト基板３１を支持プレート４１の上
に載せ、さらにこの上にマスク１５を重ねる。このとき
、マスク１５の外周部はマスク保持台４３に支持される
。ついで、真空ポンプ４５によりレジスト基板２１側を
真空にすると、大気圧によりマスク１１が押されて、マ
スク１５とレジスト基板２１とが密着される。この結果
、レジスト基板に反りがある場合も、可撓性を有するマ
スク基板１１はそれに応じて完全に近い形で密着し、良
好なノーターン精度が得られ、しかも、露光後にレジス
ト基板２１からマスク基板１１を剥離するに際しては、
マスク基板１１が柔軟性を有するので端部から簡単に剥
すことができる。
ｍす１艮
本発明によれば、コンタクト露光用マスクの基板として
可撓性プラスチックフィルムを用いることにより、マス
ク基板とレジスト基板の密着性が改善され、解像力を向
上することができる。また、可撓性プラスチックフィル
ム基板は露光後にレジスト基板から容易に剥離すること
ができ、しかも、レジスト基板への密着時や剥離時に損
傷することがなく耐久性も向上し、取扱いも簡便である
。
可撓性プラスチックフィルムを用いることにより、マス
ク基板とレジスト基板の密着性が改善され、解像力を向
上することができる。また、可撓性プラスチックフィル
ム基板は露光後にレジスト基板から容易に剥離すること
ができ、しかも、レジスト基板への密着時や剥離時に損
傷することがなく耐久性も向上し、取扱いも簡便である
。
実施例
１５０ Ｘ １５０ Ｘ Ｏ，３ｍｍｔのポリカーボネ
ートフィルム基板に、クロムを真空蒸着で１０００人の
厚さに蒸着し、その上にフォトレジスト（ポジ型レジス
ト、東京応化層、０ＦＰＲ８００）をスピナーで３００
０人に塗布した。９０℃で１５分間プリベークし、ステ
ッパにより超高圧水銀灯で最小線巾１．０μｍのテスト
パターンを露光した。現像後、１３０℃で３０分間ポス
トベークし、クロム層をウェットエツチングしてコンタ
クト露光用マスクを作成した。
ートフィルム基板に、クロムを真空蒸着で１０００人の
厚さに蒸着し、その上にフォトレジスト（ポジ型レジス
ト、東京応化層、０ＦＰＲ８００）をスピナーで３００
０人に塗布した。９０℃で１５分間プリベークし、ステ
ッパにより超高圧水銀灯で最小線巾１．０μｍのテスト
パターンを露光した。現像後、１３０℃で３０分間ポス
トベークし、クロム層をウェットエツチングしてコンタ
クト露光用マスクを作成した。
一方、 １２７ｘ１２７ｘ２．３膳−ｔのガラス基板上
にクロムを１０００人真空蒸着し、レジスト（ポジ型レ
ジスト、東京応化層、０ＦＰＲ８００）をスピナーで３
０００人塗布し、プリベークしてレジスト基板とした。
にクロムを１０００人真空蒸着し、レジスト（ポジ型レ
ジスト、東京応化層、０ＦＰＲ８００）をスピナーで３
０００人塗布し、プリベークしてレジスト基板とした。
このレジスト基板に上記のコンタクト露光用マスクを載
せ、雰囲気圧の差異で密着させた。
せ、雰囲気圧の差異で密着させた。
この状態で超高圧水銀灯を用いたワンショット露光機で
露光し、現像、ポストベーク後にクロ′ムをウェットエ
ツチングした。
露光し、現像、ポストベーク後にクロ′ムをウェットエ
ツチングした。
パターンニングされたレジスト基板の９ケ所で線巾測定
をしたところ、最小線巾１．０μｍのコピー精度は１．
０±０．０４μｍであった。
をしたところ、最小線巾１．０μｍのコピー精度は１．
０±０．０４μｍであった。
第１図は、本発明のコンタクト露光用マスクの実施例を
示す断面図である。 第２図は、ポリカーボネートフィルム（厚さ１ ａｍ）
の分光透過率を示すグラフである。 第３図は、従来のマスクを用いたコンタクト露光につい
て示す説明図である。 第４図は、本発明のマスクを用いたコンタクト露光につ
いて示す説明図である。
示す断面図である。 第２図は、ポリカーボネートフィルム（厚さ１ ａｍ）
の分光透過率を示すグラフである。 第３図は、従来のマスクを用いたコンタクト露光につい
て示す説明図である。 第４図は、本発明のマスクを用いたコンタクト露光につ
いて示す説明図である。
Claims (1)
- １、基板が可撓性プラスチックフィルムから形成されて
いることを特徴とするコンタクト露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143387A JPS625244A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | コンタクト露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143387A JPS625244A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | コンタクト露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625244A true JPS625244A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15337584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60143387A Pending JPS625244A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | コンタクト露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625244A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10969677B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP60143387A patent/JPS625244A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10969677B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
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