JPS63300444A - 光ディスク用フォトマスクおよびその製造方法 - Google Patents

光ディスク用フォトマスクおよびその製造方法

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JPS63300444A
JPS63300444A JP13661587A JP13661587A JPS63300444A JP S63300444 A JPS63300444 A JP S63300444A JP 13661587 A JP13661587 A JP 13661587A JP 13661587 A JP13661587 A JP 13661587A JP S63300444 A JPS63300444 A JP S63300444A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
resist film
light
dry etching
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP13661587A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyuki Miyake
知之 三宅
Akira Takahashi
明 高橋
Tetsuya Inui
哲也 乾
Yoshiteru Murakami
善照 村上
Michinobu Saegusa
理伸 三枝
Kenji Ota
賢司 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は光ディスク用フォトマスクに関し、特に元ディ
スクの製造工程におけるパターン露光工程(リソグラフ
ィー)で用いられる遮光性マスク用材料およびその製造
方法に関する。
〈従来技術〉 第3図(e)に従来の光ディスクのパターン露光工程で
用いられるフォトマスクの断面形状を示す。
喀 このフォトマスクの製造は次のような方法でるされる。
まず、第3図(a)に示すように、石英、ガラス等の素
材からなる平板の透光性マスク基板1の上面にクロム(
Cr)を遮光性材料として蒸着により付着して遮光性材
料層2を形成する。
次に、第3図(b)に示すように、前記遮光性材料層2
の上面に、感光性レジスト膜3を形成する。
次に、その感光性レジスト膜3上に所望の微細パターン
を投影し、露光・現像して、第3図(c)に示すように
必要な部分のみを残したレジスト膜3′とする。
次に化学溶液によるウェットエツチングまたはcl!2
等の塩素系のガスによるドライエツチングを行い、レジ
スト膜3′がない部分の遮光性材料層2を除去し、第3
図(d)に示すように、必要な部分のみ残した透光性材
料層2′とする。最後に、有機溶剤あるいはプラズマ法
等によりレジスト層3を除去する。
これにより第3図(e)に示すようなフォトマスク20
が得られる。
以上の従来のフォトマスクではクロム(Cr)をウェッ
トプロセスで作製するため大量の薬品処理。
液組成の管理、クロム廃液による公害等の問題点があっ
た。また、蒸着法によりクロム膜を作製するためフォト
マスクの洗浄等により外力が加わると遮光性材料層が剥
離し易いという問題点がある。
〈発明の目的〉 本発明の目的とするところは、エツチングプロセスにお
いて公害等の問題のない遮光性材料及びその製造方法を
提供することにある。
く作用〉 本発明のフォトマスクは従来のフォトマスク製造方法の
技術を利用して作製することが可能なため、新たな設備
負担が少なくて済み、容易に実施できる利点がある。
〈実施例〉 以下、図面に基づいて本発明の一実施例を詳しく説明す
る。
第1図(a)〜(e)を参照し本発明のフォトマスクの
製造方法を順に説明する。
まず第1図(a)に示すように石英、ガラス等の素材か
らなる平板の遮光性マスク基板1上にタンタル(Ta)
またはチタン(Ti)またはそれらの混合物をスパッタ
リング法または蒸着法により付着して遮光性材料層4を
形成する。
この遮光性材料層4をTaで形成する場合の膜厚は、超
高圧水銀灯の発光スペクトルであり、レジストの感光に
最も寄与する光の波長λ=3650AのTa膜厚に対す
る透過率の関係を示す第2図から求めることができる。
第2図から透過率がOとなる膜厚は800A以上となり
、Taは最低800A6ればよいことになる。
次に遮光性材料層4の上にポジ型又はネガ型フォトレジ
ストをスピンコード法により塗布して感光性レジスト膜
3を形成し、該感光性レジスト膜3にレーザー光等を用
いて所望の微細パターンを露光し、現像し、第1図(c
)に示すように必要な部分のみを残したレジスト膜4′
とする。
次にCF4によるドライエツチングにより異方性エツチ
ングを施し、第1図(C)に示すようにレジスト膜3′
で覆われていない部分に溝5を形成した透光性マスク基
板とする。
次に第1図(e)に示すようにアッシング(灰化)等に
より、レジスト膜3′を除去する。
かくして、本発明に係るフォトマスク1oが得られる。
以上の製法において洗浄等により外方が加わっても剥離
しにくくする方法としては、Ta、Ti膜等をスパッタ
法で作製する方法が有効である。
〈発明の効果〉 本発明によればマスク作製過程におけるエツチングプロ
セスにおいてウェットエツチングを用いずドライエツチ
ングを用いることが可能となり、またエツチングガスも
CF4を用いるため、無公害のエツチングプロセスが可
能となり、実用性に優れた方法である。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(e)は本発明にかかるフォトマスクの
製造方法の一実施例の各工程における断面図、第2図は
Ta膜厚と透過率の関係を示すグラフ図、第3図は従来
のフォトマスクの製造方法の一例の断面図である。 図中 1・・・透光性マスク基板、10.20・・・フォトマ
スク、2,2′・・・遮光性材料層Cr、3.3’・・
・レジスト膜、4,4・・・遮光性材料層Ta又はTi
、5・・・溝。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)IO 第1因 200 4凌α℃初 l1l−4(λ) 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光ディスクの製造工程におけるパターン露光で用い
    られるマスク用材料としてタンタルまたはチタンまたは
    それらの混合物を用いたことを特徴とする光ディスク用
    フォトマスク。 2、タンタルまたはチタンからなる光ディスク用マスク
    材料にて構成された膜にドライエッチングを施し、微細
    パターンを形成するようにしてなることを特徴とする光
    ディスク用フォトマスクの製造方法。
JP13661587A 1987-05-29 1987-05-29 光ディスク用フォトマスクおよびその製造方法 Pending JPS63300444A (ja)

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JP (1) JPS63300444A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2701151A1 (fr) * 1993-02-03 1994-08-05 Digipress Sa Procédé de fabrication d'une matrice de pressage, notamment pour la réalisation de disques optiques, matrice de pressage obtenue par ce procédé et produit, tel que disque optique, obtenu à partir de cette matrice de pressage.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2701151A1 (fr) * 1993-02-03 1994-08-05 Digipress Sa Procédé de fabrication d'une matrice de pressage, notamment pour la réalisation de disques optiques, matrice de pressage obtenue par ce procédé et produit, tel que disque optique, obtenu à partir de cette matrice de pressage.

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