JPS6060649A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
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- JPS6060649A JPS6060649A JP58169662A JP16966283A JPS6060649A JP S6060649 A JPS6060649 A JP S6060649A JP 58169662 A JP58169662 A JP 58169662A JP 16966283 A JP16966283 A JP 16966283A JP S6060649 A JPS6060649 A JP S6060649A
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- Japan
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- photomask
- resist
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- shielding material
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ホトマスクに関するものである。
従来例の（１“ｑ成と倉の問題点
゛１６導体素子の微細化が進むにつれ−Ｃ、ホトマスク
の微細化、筒精度化が重要となっている。従来、ホトマ
スクトシてエマルジョンマスクドクロムマスクとが用い
られてきた。エマルジョンマスクは製法が簡単であるが
微細化には適さない。一方、クロムマスクは微細化には
適しているが、製法が複雑である。すなわちクロムマス
クの製作には、マスクブランクへのレジスト塗布−光も
しくは電子ビーム露光によるパターン露光−現像による
レジストのパターニング−ウェットもしくはドライエン
チングによるＣｒ膜もしくは酸化Ｃｒ膜へのパターン転
写−レシスト除去、という数段階のプロセスを経なけれ
ばならない。特にレジストノくターンのＣｒもしくは酸
化ＣＩ膜への転写の際、ウェットエツチングではサイド
エッチが生じ、微細なマスクパターンの形成は困難であ
る１、また、ドライエツチングを用いる場合は、Ｃｒ膜
のエツチングが難しい問題点があった。
の微細化、筒精度化が重要となっている。従来、ホトマ
スクトシてエマルジョンマスクドクロムマスクとが用い
られてきた。エマルジョンマスクは製法が簡単であるが
微細化には適さない。一方、クロムマスクは微細化には
適しているが、製法が複雑である。すなわちクロムマス
クの製作には、マスクブランクへのレジスト塗布−光も
しくは電子ビーム露光によるパターン露光−現像による
レジストのパターニング−ウェットもしくはドライエン
チングによるＣｒ膜もしくは酸化Ｃｒ膜へのパターン転
写−レシスト除去、という数段階のプロセスを経なけれ
ばならない。特にレジストノくターンのＣｒもしくは酸
化ＣＩ膜への転写の際、ウェットエツチングではサイド
エッチが生じ、微細なマスクパターンの形成は困難であ
る１、また、ドライエツチングを用いる場合は、Ｃｒ膜
のエツチングが難しい問題点があった。
発明の目的
本発明は、上述の問題点を解消するもので、マスク製作
工程を簡素化でき、しかも微細化かｉｉｆ能なホトマス
クを提供するものである。
工程を簡素化でき、しかも微細化かｉｉｆ能なホトマス
クを提供するものである。
発明の構成
本発明は、２７０”Ｃ以上の温度で熱処理を行なったジ
アゾ形ホトレジストを波長３００ｎｍ〜４６０ ｎ ｍ
の光源に対する遮光材料として用いたホトマスクであり
、これにより、ホトレジストノぐターン工程および熱処
理工程だけの簡素化工程でホトマスクが得られる、 実施例の説明 第１図（ｌま、本発明実施例として単層レジストによる
ホトマスク製作手順を示した工程順断面図である。ガラ
ス基板もしくは石英基板１」二に東京応化製０ＦＰＲ−
８００レジスト２をスピンコードによって１７ｔｍ塗布
する（第１図ａ）。次に０ＦＲＲ−８ｏＯレジスト２を
光露光もしくは電子ビーム露光によってパターニングし
た後（第１図ｂ）、３０１） ”Ｃでベークを行なう（
第１図Ｃ）。
アゾ形ホトレジストを波長３００ｎｍ〜４６０ ｎ ｍ
の光源に対する遮光材料として用いたホトマスクであり
、これにより、ホトレジストノぐターン工程および熱処
理工程だけの簡素化工程でホトマスクが得られる、 実施例の説明 第１図（ｌま、本発明実施例として単層レジストによる
ホトマスク製作手順を示した工程順断面図である。ガラ
ス基板もしくは石英基板１」二に東京応化製０ＦＰＲ−
８００レジスト２をスピンコードによって１７ｔｍ塗布
する（第１図ａ）。次に０ＦＲＲ−８ｏＯレジスト２を
光露光もしくは電子ビーム露光によってパターニングし
た後（第１図ｂ）、３０１） ”Ｃでベークを行なう（
第１図Ｃ）。
第２図ｔよ、ベーク温度による０ＦＲＲ−８００レジス
トの波ｔｕ４３６ｎｍ光透過率の変比透過率たものであ
る。この図から、ベーク温度が２７６ ”Ｃ以上であれ
ば４３６ｎｍ光透過率は１０％以下であり、３００“Ｃ
以上では数チ以下なので０ＦＰＲ−８００を遮光月料と
して転写に用いることが可能である。なお、波長４３５
Ｈｍよシ短波長では透過率がさらに減少するのでマスク
としてより好ましい特性を持つことになる。
トの波ｔｕ４３６ｎｍ光透過率の変比透過率たものであ
る。この図から、ベーク温度が２７６ ”Ｃ以上であれ
ば４３６ｎｍ光透過率は１０％以下であり、３００“Ｃ
以上では数チ以下なので０ＦＰＲ−８００を遮光月料と
して転写に用いることが可能である。なお、波長４３５
Ｈｍよシ短波長では透過率がさらに減少するのでマスク
としてより好ましい特性を持つことになる。
第３図は、本発明実施例としてレジストパターン形成を
三層レジスト構造を用いて行なった場合のホトマスク製
作手順を示したものである。ガラス基板もしくは石英基
板１に下層レジストとしてＱＦＰＲ−８００レジスト２
をスピンコードニよつμｍ塗布しく第３図ｂ）、２００
”Ｃ，６０分のベークを行ないＳ １０２膜３′を形成
する。次に上層としてＰＭＭＡ レジスト４を０．５μ
ｍ塗布し、１７０”Ｃで３０分ベークを行なうことで三
層レジスト構造を形成する（第３図Ｃ）。次に電子ビー
ム露光によってＰＭＭＡ レジスト４をパターニングし
た後（第３図ｄ）、０３Ｆ８ガスを用いたＲＩＥにより
Ｓ １０２膜３′をエツチングしく第３図ｅ）、Ｓ ｚ
０２膜３′をマスクとして０２ガスのＲＩＥによシ下
層の０ＦＰＲ−８００レジスト２をドライエツチングす
ることで、パターン形成を行なう（第３図示）。ナして
５ｉ０２膜３′及びＰ ＭＭＡレジスト４を除去する（
第３図ｑ）。三層レジスト構造によってパターニングを
行なえば０．３μｍまでのパターンが形成可能であるた
め最小線幅０．３μｍのホトマスク製作か可能である。
三層レジスト構造を用いて行なった場合のホトマスク製
作手順を示したものである。ガラス基板もしくは石英基
板１に下層レジストとしてＱＦＰＲ−８００レジスト２
をスピンコードニよつμｍ塗布しく第３図ｂ）、２００
”Ｃ，６０分のベークを行ないＳ １０２膜３′を形成
する。次に上層としてＰＭＭＡ レジスト４を０．５μ
ｍ塗布し、１７０”Ｃで３０分ベークを行なうことで三
層レジスト構造を形成する（第３図Ｃ）。次に電子ビー
ム露光によってＰＭＭＡ レジスト４をパターニングし
た後（第３図ｄ）、０３Ｆ８ガスを用いたＲＩＥにより
Ｓ １０２膜３′をエツチングしく第３図ｅ）、Ｓ ｚ
０２膜３′をマスクとして０２ガスのＲＩＥによシ下
層の０ＦＰＲ−８００レジスト２をドライエツチングす
ることで、パターン形成を行なう（第３図示）。ナして
５ｉ０２膜３′及びＰ ＭＭＡレジスト４を除去する（
第３図ｑ）。三層レジスト構造によってパターニングを
行なえば０．３μｍまでのパターンが形成可能であるた
め最小線幅０．３μｍのホトマスク製作か可能である。
なお、本実施例の説明では０ＦＰＲ−Ｂｏｏレジスト２
を用いたジアゾ形ホトレジストであれば、他のレジスト
でも良いことは言うまでもない。
を用いたジアゾ形ホトレジストであれば、他のレジスト
でも良いことは言うまでもない。
発明の効果
本発明は、ＵＶ光源の遮光材として従来のクロムにかえ
て２７０”Ｃ以上にベークしたジアゾ形レジストを用い
ている。クロム膜の形成が蒸着またはスパッタリングに
より形成しなければならないのに対して、スピンコーテ
ィングと熱処理によシ遮光膜を形成できるので遮光膜の
形成が容易になる。丑だ一股にクロムのドライエツチン
グが難しいのに比べて、本発明では、第１図示の実施例
のように、ホトレジストの露光、現像のみにより遮光膜
のパターニングが可能であること、また第３図示の実施
例のように、ＳｉＯ２膜、レジストのドラ・１エツチン
グという従来のプロセスと互換性のあるプロセスを使用
できるので、パターニングおよび、その微細化が容易で
ある。以上に詳述したように、本発明によりマスク製作
方法が容易になり、しかもマスクパターンの微細化が可
能となる。
て２７０”Ｃ以上にベークしたジアゾ形レジストを用い
ている。クロム膜の形成が蒸着またはスパッタリングに
より形成しなければならないのに対して、スピンコーテ
ィングと熱処理によシ遮光膜を形成できるので遮光膜の
形成が容易になる。丑だ一股にクロムのドライエツチン
グが難しいのに比べて、本発明では、第１図示の実施例
のように、ホトレジストの露光、現像のみにより遮光膜
のパターニングが可能であること、また第３図示の実施
例のように、ＳｉＯ２膜、レジストのドラ・１エツチン
グという従来のプロセスと互換性のあるプロセスを使用
できるので、パターニングおよび、その微細化が容易で
ある。以上に詳述したように、本発明によりマスク製作
方法が容易になり、しかもマスクパターンの微細化が可
能となる。
第１図ａ −ｃは本発明の実施例を示す工程順断面図、
第２図はベ−り温度によるＱＦＰＲ−８００レジストの
４３６ｎｍ光透過率の変化を示した特性図、第３図ａ
−ｑは、本発明の他の実施例を示す工程順断面図である
。 １ ・・・・ガラス基板もしくは石英基板、２ ・０Ｆ
ＰＲ−Ｂｏｏレジスト、 ３′・・・ 酸化膜、４・・
・、、ＰＭＭＡレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 屋敷 男 ほか１名第１図 第２図 へパ−グうＢ−ハ（（°Ｃン
第２図はベ−り温度によるＱＦＰＲ−８００レジストの
４３６ｎｍ光透過率の変化を示した特性図、第３図ａ
−ｑは、本発明の他の実施例を示す工程順断面図である
。 １ ・・・・ガラス基板もしくは石英基板、２ ・０Ｆ
ＰＲ−Ｂｏｏレジスト、 ３′・・・ 酸化膜、４・・
・、、ＰＭＭＡレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 屋敷 男 ほか１名第１図 第２図 へパ−グうＢ−ハ（（°Ｃン
Claims (1)
- ２７０“°Ｃ以上の温度で熱処理を行なったジアゾ形ホ
トレジストを波長３００ｎｍ〜４６０ｎｍの光源に対す
る遮光材料として用いたホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169662A JPS6060649A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169662A JPS6060649A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060649A true JPS6060649A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15890604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58169662A Pending JPS6060649A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060649A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01121856A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Fujitsu Ltd | シースルーマスク |
| WO2002015242A1 (fr) | 2000-08-15 | 2002-02-21 | Hitachi, Ltd. | Procede de production de circuits integres a semi-conducteurs et procede de production de modules multi-puces |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP58169662A patent/JPS6060649A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01121856A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Fujitsu Ltd | シースルーマスク |
| WO2002015242A1 (fr) | 2000-08-15 | 2002-02-21 | Hitachi, Ltd. | Procede de production de circuits integres a semi-conducteurs et procede de production de modules multi-puces |
| EP1310987A4 (en) * | 2000-08-15 | 2008-04-30 | Hitachi Ltd | PROCESS FOR PRODUCING INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUITS AND METHOD FOR PRODUCING MULTICHIP MODULES |
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