JPH0469656A - 位相シフトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクおよびその製造方法Info
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- JPH0469656A JPH0469656A JP2182007A JP18200790A JPH0469656A JP H0469656 A JPH0469656 A JP H0469656A JP 2182007 A JP2182007 A JP 2182007A JP 18200790 A JP18200790 A JP 18200790A JP H0469656 A JPH0469656 A JP H0469656A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超微細パターン転写を目的とするフオｌ−
リソグラフイ用位相シフタ付きフォ１〜マスクとその製
造方法に関するものである。
リソグラフイ用位相シフタ付きフォ１〜マスクとその製
造方法に関するものである。
近年、フォｌ〜リソグラフィの解像性を向上させる手段
として位相シフ１〜リソクラフイ技術が注目され、位相
シフタを形成した種々のフｓＩ−マス２か報告されてい
る。例えば第２図（第３７回応用物理学関係連合講演会
ｇＭ演予稿集第２分冊第７１７．１頁、］、 ９９０
）に示すように、カラス隻板２１−トに遮光膜として用
いるにｒ薄膜２２を形成しく第２図Ａ）、このＣ，−薄
膜上に例えは電子ビーム露光法により、所望のしシスト
パターン：２Ｂを形成し、このレジストパターンをマス
クに、（：。
として位相シフ１〜リソクラフイ技術が注目され、位相
シフタを形成した種々のフｓＩ−マス２か報告されてい
る。例えば第２図（第３７回応用物理学関係連合講演会
ｇＭ演予稿集第２分冊第７１７．１頁、］、 ９９０
）に示すように、カラス隻板２１−トに遮光膜として用
いるにｒ薄膜２２を形成しく第２図Ａ）、このＣ，−薄
膜上に例えは電子ビーム露光法により、所望のしシスト
パターン：２Ｂを形成し、このレジストパターンをマス
クに、（：。
薄膜２２をエツチングして（：１−薄膜パターン２２ａ
を形成する（第２図Ｂ）。レジス）・パターン２３を除
去したのち、ＣＩ−薄膜パターン２２ａが形成されたガ
ラス基板上に、転写光の位相を１−８０度すらずような
膜厚の感光性ポジ型１／シス１〜薄膜２４を塗布しく第
２図Ｃ）、カラス基板２１の裏面より露光・現像し、Ｃ
１−４膜パターン２２２ｔ Ｊ二にレジスｌへパターン
２４． ａを形成する（第２図Ｄ）。最後に該レシスＩ
・パターン２ ’］−ａを保護膜にして下層のＣｒ薄膜
パターン２２ ａの外周を化学的にエツチングすること
により、本来の逆光パターン上にセルファラインされた
位相シフタを有するフォトマスクが得られる。
を形成する（第２図Ｂ）。レジス）・パターン２３を除
去したのち、ＣＩ−薄膜パターン２２ａが形成されたガ
ラス基板上に、転写光の位相を１−８０度すらずような
膜厚の感光性ポジ型１／シス１〜薄膜２４を塗布しく第
２図Ｃ）、カラス基板２１の裏面より露光・現像し、Ｃ
１−４膜パターン２２２ｔ Ｊ二にレジスｌへパターン
２４． ａを形成する（第２図Ｄ）。最後に該レシスＩ
・パターン２ ’］−ａを保護膜にして下層のＣｒ薄膜
パターン２２ ａの外周を化学的にエツチングすること
により、本来の逆光パターン上にセルファラインされた
位相シフタを有するフォトマスクが得られる。
あるいは第３図（第３６凹応用物理学関係連合講演会謁
演予稿集第２分冊、第５８５頁、１９８つ）に示すよう
に、石英基板３］上にエツチング停止膜としてのＳｉ３
Ｎ４膜３２と位相シフト膜としてのＳｉＯ□ｌ模３３お
よび遮光ｊ模としてのＣｒ膜３４を連続して堆積するく
第３同人）。このＣｒ 膜上に所望のレジス）〜パター
ンを例えは電子ビーム露光法で形成し、このレジス１〜
パターンを保１ＪＪＩにしてＣｒ膜３４をエツチングし
てパターン化してＣｒパターン３４． ａとする（第３
図Ｂ）。レジストパターンを除去し、例えば電子ビーム
露光法により、Ｃ１−パターン３４ａに位置合わぜしつ
つ第二のレジス１〜パターン３５を形成しく第３図Ｃ）
、このレシスＩ・パターン３５とＣｒパターン３４ ａ
を保護膜にしてＳ ｉ ０２膜３３の開口部をエツチン
グし、レジストパターン３５を除去（第３図Ｄ）する方
法により、本来のＣｒパターンに位置合わせされたＳｉ
Ｏ２パターンからなる位相シフタを存するフォトマスク
を形成していた。
演予稿集第２分冊、第５８５頁、１９８つ）に示すよう
に、石英基板３］上にエツチング停止膜としてのＳｉ３
Ｎ４膜３２と位相シフト膜としてのＳｉＯ□ｌ模３３お
よび遮光ｊ模としてのＣｒ膜３４を連続して堆積するく
第３同人）。このＣｒ 膜上に所望のレジス）〜パター
ンを例えは電子ビーム露光法で形成し、このレジス１〜
パターンを保１ＪＪＩにしてＣｒ膜３４をエツチングし
てパターン化してＣｒパターン３４． ａとする（第３
図Ｂ）。レジストパターンを除去し、例えば電子ビーム
露光法により、Ｃ１−パターン３４ａに位置合わぜしつ
つ第二のレジス１〜パターン３５を形成しく第３図Ｃ）
、このレシスＩ・パターン３５とＣｒパターン３４ ａ
を保護膜にしてＳ ｉ ０２膜３３の開口部をエツチン
グし、レジストパターン３５を除去（第３図Ｄ）する方
法により、本来のＣｒパターンに位置合わせされたＳｉ
Ｏ２パターンからなる位相シフタを存するフォトマスク
を形成していた。
ところが、上記第一の方法で作製したフォトマスクは、
位相シフタがレジスＩ−薄膜で形成されているかゆえに
、洗浄が不可能なばがってなく、例えばＫ ｒ Ｆエキ
シマレーザ−光などのＤＵＶ光による露光によって、位
相シフタの蒸発あるいは着色なとの劣化を生してしまう
ため、全く実用にはならない。また第二のごとき方法で
は、本来の遮光パターンと位相シフタとの位置合ぜが困
難であることと、位相シフタのパターン設計が複雑であ
るなめ、これもまた実用化は極めて困難であった。
位相シフタがレジスＩ−薄膜で形成されているかゆえに
、洗浄が不可能なばがってなく、例えばＫ ｒ Ｆエキ
シマレーザ−光などのＤＵＶ光による露光によって、位
相シフタの蒸発あるいは着色なとの劣化を生してしまう
ため、全く実用にはならない。また第二のごとき方法で
は、本来の遮光パターンと位相シフタとの位置合ぜが困
難であることと、位相シフタのパターン設計が複雑であ
るなめ、これもまた実用化は極めて困難であった。
本発明の要旨は、ＳｉＯ□膜もしくはＳｉ３Ｎ４膜等の
耐薬品性及び耐光性に優れた位相シフタを、遮光パター
ンにセルフ・アラインで形成するものである。
耐薬品性及び耐光性に優れた位相シフタを、遮光パター
ンにセルフ・アラインで形成するものである。
すなわち、石英もしくはガラス基板」−に任意の遮光性
薄膜パターンを有し、この遮光性薄膜パターン上に、少
なくとも該遮光性薄膜パターンの膜厚以」二の寸法の庇
を有するＳ ｊ、 ０２またはＳｉ３Ｎ４薄膜パターン
を形成したことを特徴とする位相シフトマスクを、石英
もしくはガラス基板上に遮光性薄膜と位相シフタのＳ
ｉ ０２まな５ｊ３Ｎ４薄膜を順次堆積する工程と、該
５ｊ０２または５ｉｓＮ４薄膜上にレジストパターン設
計成し、このレジストパターンを保護膜にしてその開口
部の前記遮光性薄膜を異方的にエツチングする工程と、
前記レジストパターンおよび５ｉｎ２またはＳｉ３Ｎ４
パターンを保護膜にして該遮光性パターンの周縁部を等
方的にエツチングする工程とを少くとも経て製造するも
のである。
薄膜パターンを有し、この遮光性薄膜パターン上に、少
なくとも該遮光性薄膜パターンの膜厚以」二の寸法の庇
を有するＳ ｊ、 ０２またはＳｉ３Ｎ４薄膜パターン
を形成したことを特徴とする位相シフトマスクを、石英
もしくはガラス基板上に遮光性薄膜と位相シフタのＳ
ｉ ０２まな５ｊ３Ｎ４薄膜を順次堆積する工程と、該
５ｊ０２または５ｉｓＮ４薄膜上にレジストパターン設
計成し、このレジストパターンを保護膜にしてその開口
部の前記遮光性薄膜を異方的にエツチングする工程と、
前記レジストパターンおよび５ｉｎ２またはＳｉ３Ｎ４
パターンを保護膜にして該遮光性パターンの周縁部を等
方的にエツチングする工程とを少くとも経て製造するも
のである。
本発明によれは、従来の方法では実現出来なかった、薬
品や酸素プラズマによる洗浄が可能でしかも耐光性に優
れた実用性の高い位相シフトマスクが容易に得られ、通
常のフォトマスクを用いた場合に比べ、解像性が数十％
改善される。
品や酸素プラズマによる洗浄が可能でしかも耐光性に優
れた実用性の高い位相シフトマスクが容易に得られ、通
常のフォトマスクを用いた場合に比べ、解像性が数十％
改善される。
以下、第１図により、本発明の位相シフ１〜マスクおよ
びその製造方法を説明する。
びその製造方法を説明する。
石英もしくはカラス基板１１の一方の表面上に、例えば
スパッタリング法によりＣｒもしくはＭＯ等の遮光膜１
２おにび位相シフＩ・膜としての５ｊ０２１］！もしく
はＳｊ、３Ｎ４膜］３を連続して堆積しく第１図Ａ）＝
この」二に所望のｌ／ジス１〜パターン１４を、例えば
電子ビーム露光法で形成する（第１図Ｂ）。このレジス
トパターン］４を保護膜として、例えば反応性イオンエ
ツチング法により、位相シフｌ−ＩＩＫ １．３および
遮光膜１−２を連続してエツチングし、パターン１３ａ
および１．２ ａを得る（第１図Ｃ）。つづいてレジス
トパターン１４および位相シフＩ・膜パターン１．３
ａを保護膜にして例えば塩素ガスを用いた等方性プラス
マエッヂングもしくは塩酸あるいは硫酸／硝酸等の酸に
よる化学的エツヂフグ法により、遮光膜パターン１．２
ａの周縁部を選択的にエツチングして後退させ、最後
にレジストパターン１４を除去ずれは、位相シフタ１３
ａを有する所望のフオＩ・マスクが得られる（第１図Ｄ
）。
スパッタリング法によりＣｒもしくはＭＯ等の遮光膜１
２おにび位相シフＩ・膜としての５ｊ０２１］！もしく
はＳｊ、３Ｎ４膜］３を連続して堆積しく第１図Ａ）＝
この」二に所望のｌ／ジス１〜パターン１４を、例えば
電子ビーム露光法で形成する（第１図Ｂ）。このレジス
トパターン］４を保護膜として、例えば反応性イオンエ
ツチング法により、位相シフｌ−ＩＩＫ １．３および
遮光膜１−２を連続してエツチングし、パターン１３ａ
および１．２ ａを得る（第１図Ｃ）。つづいてレジス
トパターン１４および位相シフＩ・膜パターン１．３
ａを保護膜にして例えば塩素ガスを用いた等方性プラス
マエッヂングもしくは塩酸あるいは硫酸／硝酸等の酸に
よる化学的エツヂフグ法により、遮光膜パターン１．２
ａの周縁部を選択的にエツチングして後退させ、最後
にレジストパターン１４を除去ずれは、位相シフタ１３
ａを有する所望のフオＩ・マスクが得られる（第１図Ｄ
）。
本発明によれば、洗浄が可能で紫外線の照射劣化耐性に
優れた位相シフトマスクが従来の方法に比べ格段に容易
に製造でき、通常のフォトマスクを用いたフ才Ｉ・リソ
グラフィに比べ解像性が数十％優れたパターン転写が可
能になる。
優れた位相シフトマスクが従来の方法に比べ格段に容易
に製造でき、通常のフォトマスクを用いたフ才Ｉ・リソ
グラフィに比べ解像性が数十％優れたパターン転写が可
能になる。
方法を示す模式図、第２図および第３図４；ｌ従来の位
相シフトマスクの製造方法を示す模式図である。
相シフトマスクの製造方法を示す模式図である。
１］・・・石英基板、１２・・Ｃ１−膜、］３・・・Ｓ
ｉＯ３膜。
ｉＯ３膜。
Claims (2)
- （１）石英もしくはガラス基板上に任意の遮光性薄膜パ
ターンを有し、この遮光性薄膜パターン上に、少なくと
も該遮光性薄膜パターンの膜厚以上の寸法の庇を有する
ＳｉＯ＿２またはＳｉ＿３Ｎ＿４薄膜パターンを形成し
たことを特徴とする位相シフトマスク。 - （２）石英もしくはガラス基板上に遮光性薄膜と位相シ
フタのＳｉＯ＿２またＳｉ＿３Ｎ＿４薄膜を順次堆積す
る工程と、該ＳｉＯ＿２またはＳｉ＿３Ｎ＿４薄膜上に
レジストパターンを形成し、このレジストパターンを保
護膜にしてその開口部の前記遮光性薄膜を異方的にエッ
チングする工程と、前記レジストパターンおよびＳｉＯ
＿２またはＳｉ＿３Ｎ＿４パターンを保護膜にして該遮
光性パターンの周縁部を等方的にエッチングする工程と
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182007A JPH0469656A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182007A JPH0469656A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469656A true JPH0469656A (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=16110697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2182007A Pending JPH0469656A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469656A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5627464A (en) * | 1995-03-17 | 1997-05-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Rotation angle detecting device for a camshaft provided in an internal combustion engine |
| KR100842748B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크 제조방법 |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2182007A patent/JPH0469656A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5627464A (en) * | 1995-03-17 | 1997-05-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Rotation angle detecting device for a camshaft provided in an internal combustion engine |
| KR100842748B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크 제조방법 |
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