JPH03172845A - シフターパターン付き半導体マスクの作成方法 - Google Patents
シフターパターン付き半導体マスクの作成方法Info
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- JPH03172845A JPH03172845A JP1310584A JP31058489A JPH03172845A JP H03172845 A JPH03172845 A JP H03172845A JP 1310584 A JP1310584 A JP 1310584A JP 31058489 A JP31058489 A JP 31058489A JP H03172845 A JPH03172845 A JP H03172845A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体のパターン形成において用いられるガラ
スマスクの作成方法に関するものである。
スマスクの作成方法に関するものである。
（従来の技術）
マスク透過光に位相差を与えて縮小投影露光を行い、解
像性を向上させる方法を位相シフト法と言う０通常の位
相シフト法では、Ｃｒマスク上の所望の部位に位相差を
与えるように、シフターとなる透明膜パターンを形成し
たシフターパターン付マスクが使われる。
像性を向上させる方法を位相シフト法と言う０通常の位
相シフト法では、Ｃｒマスク上の所望の部位に位相差を
与えるように、シフターとなる透明膜パターンを形成し
たシフターパターン付マスクが使われる。
従来、このような分野の技術としては、例えば、ＩＥＥ
Ｅ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯ
Ｎ ＤＥＶＩＣＥＳ、ＶＯＬ、ＥＤ２９、 Ｎｏ、１
２．ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９８２’Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ
Ｒｅ５ｏｌｕｔｉｏｎｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ ａ Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔｉ
ｎｇＭａｓｋ’ Ｍａｒｃ Ｄ、 Ｌｅｖｅｎｓｏｎに
記載のものがあった。
Ｅ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯ
Ｎ ＤＥＶＩＣＥＳ、ＶＯＬ、ＥＤ２９、 Ｎｏ、１
２．ＤＥＣＥＭＢＥＲ１９８２’Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ
Ｒｅ５ｏｌｕｔｉｏｎｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ ａ Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔｉ
ｎｇＭａｓｋ’ Ｍａｒｃ Ｄ、 Ｌｅｖｅｎｓｏｎに
記載のものがあった。
以下、そのシフターパターン付半導体マスクの作成方法
について述べる。
について述べる。
（１）第１の方法
まず、第２図（ａ）に示すように、ガラス基板１を用意
し、第２図（ｂ）に示すように、そのガラス基板１上に
導通用Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
） ｌ１２を形成し、その上にＣ「膜を形成する０次に
、このＣｒ膜を通常の電子線描画法によりパターニング
し、第２図（ｃ）に示すようなＣ「パターン３を形成す
る。次に、第２図（ｄ）に示すように、ガラス基板１全
面に電子線レジストであるＰＭＭＡ４を塗布し、通常の
電子線露光法により、第２図（ｅ）に示すように、該Ｐ
ＭＭＡ４を描画・現像し、第２図（ｆ）に示すように、
所望の部位のみにＰＭＭＡパターン４′を形成する。こ
こでは、Ｃ「膜は７５０人、ＰＭＭＡ膜は３６７０人の
例が示されている。また、ＩＴＯ膜２はＰＭＭＡｉ光用
の導通膜として働く。
し、第２図（ｂ）に示すように、そのガラス基板１上に
導通用Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ
） ｌ１２を形成し、その上にＣ「膜を形成する０次に
、このＣｒ膜を通常の電子線描画法によりパターニング
し、第２図（ｃ）に示すようなＣ「パターン３を形成す
る。次に、第２図（ｄ）に示すように、ガラス基板１全
面に電子線レジストであるＰＭＭＡ４を塗布し、通常の
電子線露光法により、第２図（ｅ）に示すように、該Ｐ
ＭＭＡ４を描画・現像し、第２図（ｆ）に示すように、
所望の部位のみにＰＭＭＡパターン４′を形成する。こ
こでは、Ｃ「膜は７５０人、ＰＭＭＡ膜は３６７０人の
例が示されている。また、ＩＴＯ膜２はＰＭＭＡｉ光用
の導通膜として働く。
（２）第２の方法
まず、第３図（ａ）に示すように、ガラス基板１を用意
し、第３図（ｂ）に示すように、そのガラス基板１上に
導通用ＩＴＯ膜２を形成し、その上にＣｒ膜を形成する
０次に、このＣｒ膜を通常の電子線描画法によりパター
ニングし、第３図（ｃ）に示すようなＣ「パターン３を
形成する０次に、第３図（ｄ）に示すように、ガラス基
板ｌ全面にＳｉＯ□膜（又はＭｇＦ！膜）５を形成する
０次いで、第３図（ｅ）に示すように、Ｓｉｎ、膜（又
はＭｇＦ２膜）５上にホトレジスト６を塗布し、第３図
（ｆ）に示すように、通常のホトリソによってホトレジ
スト６の所望の部位のみを露光・現像し、第３図（ｇ）
に示すようにパターニングする０次に、該ホトレジスト
パターン６′をマスクとしてエツチングを行うと、第３
図（ｈ）に示すように、ホトレジストパターン６′を、
前記Ｓｔｏｗ膜（又はＭｇＦ、膜）５に転写する。転写
後、エツチングマスクとして働いた前記ホトレジストパ
ターン６′を除去することにより、所望のマスクを得る
。
し、第３図（ｂ）に示すように、そのガラス基板１上に
導通用ＩＴＯ膜２を形成し、その上にＣｒ膜を形成する
０次に、このＣｒ膜を通常の電子線描画法によりパター
ニングし、第３図（ｃ）に示すようなＣ「パターン３を
形成する０次に、第３図（ｄ）に示すように、ガラス基
板ｌ全面にＳｉＯ□膜（又はＭｇＦ！膜）５を形成する
０次いで、第３図（ｅ）に示すように、Ｓｉｎ、膜（又
はＭｇＦ２膜）５上にホトレジスト６を塗布し、第３図
（ｆ）に示すように、通常のホトリソによってホトレジ
スト６の所望の部位のみを露光・現像し、第３図（ｇ）
に示すようにパターニングする０次に、該ホトレジスト
パターン６′をマスクとしてエツチングを行うと、第３
図（ｈ）に示すように、ホトレジストパターン６′を、
前記Ｓｔｏｗ膜（又はＭｇＦ、膜）５に転写する。転写
後、エツチングマスクとして働いた前記ホトレジストパ
ターン６′を除去することにより、所望のマスクを得る
。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、以上述べた従来の第１の方法では、Ｃ「
マスク上に形成するシフターパターンをレジストで形成
しているため、マスク上に微粒子等が付着した場合、洗
浄等ができないという欠点がある。
マスク上に形成するシフターパターンをレジストで形成
しているため、マスク上に微粒子等が付着した場合、洗
浄等ができないという欠点がある。
また、第２の方法では、シフターパターンとなるＳｌＯ
□膜又はＨｇＦ、膜を欠陥がなく、面内均質に形成する
のが困難である。更に、シフターパターン形成の際、通
常のホトリソ手法でパターニングを行っているため、微
細なパターンが形成できないという欠点がある。
□膜又はＨｇＦ、膜を欠陥がなく、面内均質に形成する
のが困難である。更に、シフターパターン形成の際、通
常のホトリソ手法でパターニングを行っているため、微
細なパターンが形成できないという欠点がある。
本発明は、上記問題点を除去し、洗浄が容易なシフター
パターン付マスク作成が可能で、しかもシフターパター
ンに欠陥がなく、かつ微細なシフターパターンの形成が
可能なシフターパターン付き半導体マスクの作成方法を
提供することを目的とする。
パターン付マスク作成が可能で、しかもシフターパター
ンに欠陥がなく、かつ微細なシフターパターンの形成が
可能なシフターパターン付き半導体マスクの作成方法を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、シフターパター
ンを有する半導体マスクの作成方法において、ガラス基
板上に金属又は誘電体膜パターンを形成する工程と、レ
ジストパターンを形成する工程と、該レジストパターン
をマスクとして、前記ガラス基板にシフターとしての凹
パターンを形成する工程とを施すようにしたものである
。
ンを有する半導体マスクの作成方法において、ガラス基
板上に金属又は誘電体膜パターンを形成する工程と、レ
ジストパターンを形成する工程と、該レジストパターン
をマスクとして、前記ガラス基板にシフターとしての凹
パターンを形成する工程とを施すようにしたものである
。
（作用）
本発明によれば、上記したように、シフターパターン付
半導体マスクの作成方法において、エツチングにより、
ガラス基板にシフターとしての凹パターンを形成するよ
うにしたので、シフターの成膜等の工程が不要となり、
マスク作成工程が簡素化され、かつ成膜等に伴う欠陥発
生を低減させることができる。また、マスク面内におい
て、シフターパターンの厚さを均一にすることができる
と共に、その・光学的特性をも均一にすることができる
。
半導体マスクの作成方法において、エツチングにより、
ガラス基板にシフターとしての凹パターンを形成するよ
うにしたので、シフターの成膜等の工程が不要となり、
マスク作成工程が簡素化され、かつ成膜等に伴う欠陥発
生を低減させることができる。また、マスク面内におい
て、シフターパターンの厚さを均一にすることができる
と共に、その・光学的特性をも均一にすることができる
。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す半導体マスクの作成工程
断面図である。
断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すような石英ガラス基板１１を
用意し、第１図（ｂ）に示すように、そのガラス基板１
１上全面に透明導電性膜（以下、導通膜というＨ２、例
えばＳｎをドープしたＩｎｚＯｘ膜、つまりＩ Ｔ Ｏ
（Ｉｎｄｉｕ＋＊ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ） 、又はｓｂ
をドープしたＳｎＯ□膜等を１００〜５００人形成する
。
用意し、第１図（ｂ）に示すように、そのガラス基板１
１上全面に透明導電性膜（以下、導通膜というＨ２、例
えばＳｎをドープしたＩｎｚＯｘ膜、つまりＩ Ｔ Ｏ
（Ｉｎｄｉｕ＋＊ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ） 、又はｓｂ
をドープしたＳｎＯ□膜等を１００〜５００人形成する
。
ここで、ＩＴＯ膜はスパッタ蒸着やＩｎ含有ポリマーの
焼成によって形成することができ、数ｗｔ％のＳｎ添加
によって、これを導通膜として使用することができる。
焼成によって形成することができ、数ｗｔ％のＳｎ添加
によって、これを導通膜として使用することができる。
次いで、第１図（ｃ）に示すように、導通膜１２上にＣ
ｒ膜１３を５００−１０００人程度蒸着する。
ｒ膜１３を５００−１０００人程度蒸着する。
次に、Ｃｒ膜１３上に電子線レジストであるＣＭＳ（ク
ロロメチル化スチレン：東洋曹達工業製）を塗布し、電
子線露光してパターニングし、第１図（ｄ）に示すよう
なＣ「パターン１３’を形成することにより、導通膜１
２を有するＣｒパターン付ガラスマスクを得る。
ロロメチル化スチレン：東洋曹達工業製）を塗布し、電
子線露光してパターニングし、第１図（ｄ）に示すよう
なＣ「パターン１３’を形成することにより、導通膜１
２を有するＣｒパターン付ガラスマスクを得る。
次に、全面に再びＣＭＳを塗布し、所望の部位を電子線
露光し、第１図（ｅ）に示すようなＣＭＳパターン１４
を得る。
露光し、第１図（ｅ）に示すようなＣＭＳパターン１４
を得る。
次に、ＣＭＳパターン１４をマスクとして、導通膜１２
及びガラス基板Ｕをドライエツチングする。
及びガラス基板Ｕをドライエツチングする。
ここで、導通膜１２に対する反応ガスをＣＣ１，とじ、
０．５Ｗ／ｃ−のパワーをかければ、１００〜２００人
／ｍｉｎの速度でエツチングすることが可能である。ま
た、導通膜１２のエツチングに続いて、ガラス基板１１
のエンチングを行うが、この時の反応ガスとしてはＣＦ
、系のガスを用い、０．５Ｗ／ｄのパワーをかければ、
３００〜５００人／ｗｉｎの速度でエツチングが可能で
ある。
０．５Ｗ／ｃ−のパワーをかければ、１００〜２００人
／ｍｉｎの速度でエツチングすることが可能である。ま
た、導通膜１２のエツチングに続いて、ガラス基板１１
のエンチングを行うが、この時の反応ガスとしてはＣＦ
、系のガスを用い、０．５Ｗ／ｄのパワーをかければ、
３００〜５００人／ｗｉｎの速度でエツチングが可能で
ある。
このエツチングにより、第１図（ｆ）に示すように、ガ
ラス基板１１に凹パターン１５を形成することができる
。ガラス基板１１のエツチング深さは、エツチングしな
い所との照明光の位相差が１８０°となるように制御す
る必要があり、その制御はエツチング時間を調整するこ
とによって行う、このように凹パターン１５を形成する
ことにより、石英ガラス基板自体をシフター材として用
いることになる。この凹パターン１５の深さは、投影露
光の場合は、露光光の波長によって決定されるが、ｉｌ
ｌ（３５６ｎｍ）の場合は０．３５μｍ程であり、前記
エツチング条件の下では、７〜１２分程で凹パターンを
形成できる。
ラス基板１１に凹パターン１５を形成することができる
。ガラス基板１１のエツチング深さは、エツチングしな
い所との照明光の位相差が１８０°となるように制御す
る必要があり、その制御はエツチング時間を調整するこ
とによって行う、このように凹パターン１５を形成する
ことにより、石英ガラス基板自体をシフター材として用
いることになる。この凹パターン１５の深さは、投影露
光の場合は、露光光の波長によって決定されるが、ｉｌ
ｌ（３５６ｎｍ）の場合は０．３５μｍ程であり、前記
エツチング条件の下では、７〜１２分程で凹パターンを
形成できる。
最後に、ＣＭＳパターン１４をエツチングすることによ
り、第１図（ｇ）に示すように、シフターパターン付き
ガラスマスクを得ることができる。
り、第１図（ｇ）に示すように、シフターパターン付き
ガラスマスクを得ることができる。
なお、上記実施例においては、ガラス基板上にＣ「パタ
ーンを形成するようにしているが、これに代えて、その
他の金属又は誘電体膜パターンを形成するようにしても
よい。
ーンを形成するようにしているが、これに代えて、その
他の金属又は誘電体膜パターンを形成するようにしても
よい。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、照明光
の位相シフターとして石英ガラスの基板自体を用いるよ
うにしたので、次のような効果を奏することができる。
の位相シフターとして石英ガラスの基板自体を用いるよ
うにしたので、次のような効果を奏することができる。
（１）シフターの成膜等の工程が不要となり、マスク作
成工程が節単となる。
成工程が節単となる。
（２）シフターの成膜等の工程が不要となり、成膜等に
伴う欠陥発生を低減できる。
伴う欠陥発生を低減できる。
（３）マスク面内において、シフターパターンの厚さを
均一にすることができる。
均一にすることができる。
（４）マスク面内において、シフターパターンの光学的
特性を均一にすることができる。
特性を均一にすることができる。
第１図は本発明の実施例を示す半導体マスク作成工程を
示す断面図、第２図は従来の半導体マスク作成工程を示
す断面図、第３図は従来の他の半導体マスク作成工程を
示す断面図である。 １１・・・石英ガラス基板、１２・・・導通膜、１２’
用導通膜パターン、１３・・・Ｃｒ膜、１３′ ・・
・Ｃｒパターン、１４・・・ＣＭＳパターン、１５・・
・ガラス基板の凹パターン。
示す断面図、第２図は従来の半導体マスク作成工程を示
す断面図、第３図は従来の他の半導体マスク作成工程を
示す断面図である。 １１・・・石英ガラス基板、１２・・・導通膜、１２’
用導通膜パターン、１３・・・Ｃｒ膜、１３′ ・・
・Ｃｒパターン、１４・・・ＣＭＳパターン、１５・・
・ガラス基板の凹パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シフターパターンを有する半導体マスクの作成方法にお
いて、 （ａ）ガラス基板上に金属又は誘電体膜パターンを形成
する工程と、 （ｂ）レジストパターンを形成する工程と、（ｃ）該レ
ジストパターンをマスクとして前記ガラス基板にシフタ
ーとしての凹パターンを形成する工程とを施すことを特
徴とするシフターパターン付き半導体マスクの作成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310584A JPH03172845A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | シフターパターン付き半導体マスクの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310584A JPH03172845A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | シフターパターン付き半導体マスクの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03172845A true JPH03172845A (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=18007004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1310584A Pending JPH03172845A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | シフターパターン付き半導体マスクの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03172845A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376483A (en) * | 1993-10-07 | 1994-12-27 | Micron Semiconductor, Inc. | Method of making masks for phase shifting lithography |
| US5487962A (en) * | 1994-05-11 | 1996-01-30 | Rolfson; J. Brett | Method of chromeless phase shift mask fabrication suitable for auto-cad layout |
| US5495959A (en) * | 1994-05-11 | 1996-03-05 | Micron Technology, Inc. | Method of making substractive rim phase shifting masks |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP1310584A patent/JPH03172845A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376483A (en) * | 1993-10-07 | 1994-12-27 | Micron Semiconductor, Inc. | Method of making masks for phase shifting lithography |
| US5487962A (en) * | 1994-05-11 | 1996-01-30 | Rolfson; J. Brett | Method of chromeless phase shift mask fabrication suitable for auto-cad layout |
| US5495959A (en) * | 1994-05-11 | 1996-03-05 | Micron Technology, Inc. | Method of making substractive rim phase shifting masks |
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