JPH03252936A - 光ディスク用スタンパ - Google Patents
光ディスク用スタンパInfo
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- JPH03252936A JPH03252936A JP4889390A JP4889390A JPH03252936A JP H03252936 A JPH03252936 A JP H03252936A JP 4889390 A JP4889390 A JP 4889390A JP 4889390 A JP4889390 A JP 4889390A JP H03252936 A JPH03252936 A JP H03252936A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ディスクを作製するために用いられる光ディ
スク用スタンパに関する。
スク用スタンパに関する。
（従来の技術）
案内溝及びピットを有する光ディスクの形成は、スタン
パを用いて主として射出成形法、２ Ｐ （Ｐｈｏｔｏ
−Ｐｏｌｙｍｅｒ）法、フォトキャスト法によって行わ
れている。これらの方法において用いられるスタンパと
しては、Ｎｉ電鋳法により得られるＮｉスタンパやドラ
イエツチング法により得られるスタンパが知られている
。後者のスタンパは、２Ｐ法ばかりでなく、フォトキャ
スト法による光ディスクの作製において、両面光照射が
可能となるため、得られる光ディスクの反りの軽減など
性能面の改善はもとより、成形サイクルの短縮ができ、
経済面においても大きな改善を図ることができる。
パを用いて主として射出成形法、２ Ｐ （Ｐｈｏｔｏ
−Ｐｏｌｙｍｅｒ）法、フォトキャスト法によって行わ
れている。これらの方法において用いられるスタンパと
しては、Ｎｉ電鋳法により得られるＮｉスタンパやドラ
イエツチング法により得られるスタンパが知られている
。後者のスタンパは、２Ｐ法ばかりでなく、フォトキャ
スト法による光ディスクの作製において、両面光照射が
可能となるため、得られる光ディスクの反りの軽減など
性能面の改善はもとより、成形サイクルの短縮ができ、
経済面においても大きな改善を図ることができる。
ドライエツチング法によるスタンパの製造法としてはい
くつかの例が提案されている。例えば、ガラス基板上に
形成されたアルミニウム、クロム、シリコン等若しくは
これらの酸化物等の薄膜に又はガラス基板に直接に、フ
ォトレジストをスピンコードで均一に塗布し、このフォ
トレジスト表面をレーザ光線で露光後現像してパターン
を形成し、次いで、このフォトレジストパターンをマス
クとしてプラズマエツチング等の手法により上記薄膜の
エツチングを行う方法がある（特開昭６０−１７３７３
７号等）。エツチング後、残存レジストは酸素プラズマ
アッシング等により除去される。
くつかの例が提案されている。例えば、ガラス基板上に
形成されたアルミニウム、クロム、シリコン等若しくは
これらの酸化物等の薄膜に又はガラス基板に直接に、フ
ォトレジストをスピンコードで均一に塗布し、このフォ
トレジスト表面をレーザ光線で露光後現像してパターン
を形成し、次いで、このフォトレジストパターンをマス
クとしてプラズマエツチング等の手法により上記薄膜の
エツチングを行う方法がある（特開昭６０−１７３７３
７号等）。エツチング後、残存レジストは酸素プラズマ
アッシング等により除去される。
このようにして得られたスタンパを成形製として、光デ
ィスクの複製が行われる。
ィスクの複製が行われる。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、前記したドライエツチングによって得られるス
タンパは、表面がガラスやアルミニウム。
タンパは、表面がガラスやアルミニウム。
クロム、シリコン等若しくはこれらの酸化物等であるた
め複製可能回数が１０００枚程度と少なく、十分な耐久
性を有していない。
め複製可能回数が１０００枚程度と少なく、十分な耐久
性を有していない。
（課題を解決するための手段）
本発明における光ディスク用スタンパは、光ディスクの
ピット又は案内溝に対応する凹凸が形成されている光デ
ィスク用スタンパにおいて、その表面が硬質炭素からな
るものである。
ピット又は案内溝に対応する凹凸が形成されている光デ
ィスク用スタンパにおいて、その表面が硬質炭素からな
るものである。
硬質炭素としては、ダイヤモンド状炭素、ｉ −力−ボ
ン、これらの混合系等があり、さらにグラファイト状等
の炭素が含まれていてもよく、これらは透明なものが好
ましい。
ン、これらの混合系等があり、さらにグラファイト状等
の炭素が含まれていてもよく、これらは透明なものが好
ましい。
このような光ディスク用スタンパは、基板上に硬質炭素
からなるエツチング層及びレジスト膜を順次形成した後
、該レジスト膜の露光及び現像処理を行ってレジストパ
ターンを形成し、ついで該レジストパターンをマスクに
して上記エツチング層をエツチングし、この後残存レジ
ストを除去する第１の方法によって製造することができ
る。また、上記第１の方法において、エツチング層とし
て他の材料、例えば、アルミニウム、クロム、シリコン
等若しくはこれらの酸化物等の薄膜又は基板そのものを
用い、残存レジストを除去が終了した後、硬質炭素から
なる表面保護膜を形成する第２の方法などの方法によっ
て製造することができる。
からなるエツチング層及びレジスト膜を順次形成した後
、該レジスト膜の露光及び現像処理を行ってレジストパ
ターンを形成し、ついで該レジストパターンをマスクに
して上記エツチング層をエツチングし、この後残存レジ
ストを除去する第１の方法によって製造することができ
る。また、上記第１の方法において、エツチング層とし
て他の材料、例えば、アルミニウム、クロム、シリコン
等若しくはこれらの酸化物等の薄膜又は基板そのものを
用い、残存レジストを除去が終了した後、硬質炭素から
なる表面保護膜を形成する第２の方法などの方法によっ
て製造することができる。
これらの製造法において、レジストとしては、ポジ型フ
ォトレジスト及びネガ型フォトレジストを用いることが
できるが、ネガ型フォトレジストを用いると、後記する
効果が大きく、また、転写の必要のないスタンパを得る
ことができる。
ォトレジスト及びネガ型フォトレジストを用いることが
できるが、ネガ型フォトレジストを用いると、後記する
効果が大きく、また、転写の必要のないスタンパを得る
ことができる。
以下、本発明を図面を用いて説明する。
第１図は、前記第１の方法におけるスタンパの作製工程
断面図である。
断面図である。
基板１上にエツチング層として硬質炭素膜２を形成する
。基板１としては、平面精度の優れたものであればとく
に限定しないが、ガラス、金属等を用いることができる
。硬質炭素膜２の形成方法としでは、エチレンガス等の
炭素源及び水素ガス等を用いるプラズマＣＶＤ （ケミ
カルペーパーデイポジション）法、熱ＣＶＤ法、グロー
放電法、スパッタリング法等があるが特に限定するもの
ではない。また、基板１と硬質炭素膜２との間に密着性
向上などのための層をもうけてもよい。ついで、硬質炭
素膜２上に塗布法等によりレジスト膜３を形成する〔第
１図（ａ）〕。レジストは、ネガ型レジストとして環化
ゴム系フォトレジスト、ポリケイ皮酸系フォトレジスト
等があり、ポジ型フォトレジストとしてはノボラック樹
脂系フォトレジスト等がある。このフォトレジスト膜に
レーザ光等を照射して露光後、現像処理を行いレジスト
パターン４を得る〔第１図（ｂ）〕。このとき、レジス
トパターン４の高さは、硬質炭素膜２のエツチング用の
マスクとして必要な高さである。次に、レジストパター
ン４をマスクとして硬質炭素膜２のエツチングを行いレ
ジストパターン４に対応したパターンの信号を形成する
〔第１図（Ｃ）〕。エツチング方法としては、反応性イ
オンエツチング（ＲＩＥ）、プラズマエツチング等のド
ライエツチング法が好ましく、エツチングガスとしては
、ＣＦ４等のフッ素系のガス、ＣＣＱ４等の塩素系のガ
ス等を用いることができる。最後に、残存したレジスト
を酸素によるアッシング等により取り除いてスタンパが
完成する〔第１図（ｄ）〕。
。基板１としては、平面精度の優れたものであればとく
に限定しないが、ガラス、金属等を用いることができる
。硬質炭素膜２の形成方法としでは、エチレンガス等の
炭素源及び水素ガス等を用いるプラズマＣＶＤ （ケミ
カルペーパーデイポジション）法、熱ＣＶＤ法、グロー
放電法、スパッタリング法等があるが特に限定するもの
ではない。また、基板１と硬質炭素膜２との間に密着性
向上などのための層をもうけてもよい。ついで、硬質炭
素膜２上に塗布法等によりレジスト膜３を形成する〔第
１図（ａ）〕。レジストは、ネガ型レジストとして環化
ゴム系フォトレジスト、ポリケイ皮酸系フォトレジスト
等があり、ポジ型フォトレジストとしてはノボラック樹
脂系フォトレジスト等がある。このフォトレジスト膜に
レーザ光等を照射して露光後、現像処理を行いレジスト
パターン４を得る〔第１図（ｂ）〕。このとき、レジス
トパターン４の高さは、硬質炭素膜２のエツチング用の
マスクとして必要な高さである。次に、レジストパター
ン４をマスクとして硬質炭素膜２のエツチングを行いレ
ジストパターン４に対応したパターンの信号を形成する
〔第１図（Ｃ）〕。エツチング方法としては、反応性イ
オンエツチング（ＲＩＥ）、プラズマエツチング等のド
ライエツチング法が好ましく、エツチングガスとしては
、ＣＦ４等のフッ素系のガス、ＣＣＱ４等の塩素系のガ
ス等を用いることができる。最後に、残存したレジスト
を酸素によるアッシング等により取り除いてスタンパが
完成する〔第１図（ｄ）〕。
前記第２の方法では、エツチング層として、窒化ホウ素
の代わりに、アルミニウム、クロム、シリコン等若しく
はこれらの酸化物等の薄膜又は基板そのものを使用する
こと以外は前記第１の方法と同様にし、残存レジストを
除いた後に１表面に硬質炭素膜を前記と同様の手法で形
成する。
の代わりに、アルミニウム、クロム、シリコン等若しく
はこれらの酸化物等の薄膜又は基板そのものを使用する
こと以外は前記第１の方法と同様にし、残存レジストを
除いた後に１表面に硬質炭素膜を前記と同様の手法で形
成する。
以下に、本発明の実施例を示す。
実施例１
外径２００ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚み６ ｍ ｍの石英
ガラス基板上にエツチング層として、エチレンガス０．
５容量％及び水素ガス９５．５容量％からなる混合ガス
を用いるマイクロ波プラズマＣＶＤ法〔マイクロ波出力
４００Ｗ、圧力３５ト一ル（Ｔｏｒｒ））により硬質炭
素からなる膜を約１３００オングストロームの厚さに形
成した。その後、エツチング層上に環化ゴム系ネガ型フ
ォトレジスト（東京応化製、○ＭＲ−８５） をスピン
コードで均一に約１５００オングストロームの厚みに塗
布し、フォトレジスト表面をＡｒレーザで露光後、現像
してレジストパターンを形成した。
ガラス基板上にエツチング層として、エチレンガス０．
５容量％及び水素ガス９５．５容量％からなる混合ガス
を用いるマイクロ波プラズマＣＶＤ法〔マイクロ波出力
４００Ｗ、圧力３５ト一ル（Ｔｏｒｒ））により硬質炭
素からなる膜を約１３００オングストロームの厚さに形
成した。その後、エツチング層上に環化ゴム系ネガ型フ
ォトレジスト（東京応化製、○ＭＲ−８５） をスピン
コードで均一に約１５００オングストロームの厚みに塗
布し、フォトレジスト表面をＡｒレーザで露光後、現像
してレジストパターンを形成した。
次に反応性イオンエツチング装置（日型アネルバ製、Ｄ
ＥＭ−４５１）によりＣＦ、雰囲気下において硬質炭素
膜のエツチングを行い高さ約１３００オングストローム
を有するピット部を形成した。
ＥＭ−４５１）によりＣＦ、雰囲気下において硬質炭素
膜のエツチングを行い高さ約１３００オングストローム
を有するピット部を形成した。
エツチング条件は、１５０Ｗ、１０Ｐａ、３分とした。
残存レジスト（高さ約６００オングストローム）を酸素
によるアッシングで取り除きスタンパを作製した。
によるアッシングで取り除きスタンパを作製した。
得られたスタンパを用い、フォトキャスト法によりアク
リル系光硬化性樹脂からなる光ディスクを複製した。そ
の結果、２０００枚複製しても得られた光ディスクのエ
ラー率は５Ｘ１０−’以下であった。
リル系光硬化性樹脂からなる光ディスクを複製した。そ
の結果、２０００枚複製しても得られた光ディスクのエ
ラー率は５Ｘ１０−’以下であった。
実施例２
外径２００ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚み６ｍｍの石英ガラ
ス基板に環化ゴム系ネガ型フォトレジスト（東京応化製
、○ＭＲ−８５）をスピンコードで均一に約１５００オ
ングストロームの厚みに塗布し、フォトレジスト表面を
Ａｒレーザで露光後、現像してレジストパターンを形成
した。次に反応性イオンエツチング装置（日型アネルバ
製、ＤＥＭ−４５１）によりＣＦ、雰囲気下において石
英ガラスのエツチングを行い高さ約１３００オングスト
ロームを有するピット部を形成した。エツチング条件は
、１５０Ｗ、１０Ｐａ、３分とした。
ス基板に環化ゴム系ネガ型フォトレジスト（東京応化製
、○ＭＲ−８５）をスピンコードで均一に約１５００オ
ングストロームの厚みに塗布し、フォトレジスト表面を
Ａｒレーザで露光後、現像してレジストパターンを形成
した。次に反応性イオンエツチング装置（日型アネルバ
製、ＤＥＭ−４５１）によりＣＦ、雰囲気下において石
英ガラスのエツチングを行い高さ約１３００オングスト
ロームを有するピット部を形成した。エツチング条件は
、１５０Ｗ、１０Ｐａ、３分とした。
残存レジスト（高さ約６００オングストローム）を酸素
によるアッシングで取り除いた。次に、エチレンガス及
び水素ガスからなる混合ガスを用いるマイクロプラズマ
波ＣＶＤ法により硬質炭素からなる表面保護膜を実施例
１の硬質炭素からなる膜と同様にして約３００オングス
トロームの厚さに形成しスタンパを作製した。
によるアッシングで取り除いた。次に、エチレンガス及
び水素ガスからなる混合ガスを用いるマイクロプラズマ
波ＣＶＤ法により硬質炭素からなる表面保護膜を実施例
１の硬質炭素からなる膜と同様にして約３００オングス
トロームの厚さに形成しスタンパを作製した。
得られたスタンパを用い、フォトキャスト法によりアク
リル系光硬化性樹脂からなる光ディスクを複製した。そ
の結果、２０００枚複製しても得られた光ディスクのエ
ラー率は５Ｘ１０−’以下であった。
リル系光硬化性樹脂からなる光ディスクを複製した。そ
の結果、２０００枚複製しても得られた光ディスクのエ
ラー率は５Ｘ１０−’以下であった。
比較例１
エツチング層をスパッタリング法によって成膜した酸化
珪素膜としたこと以外は実施例１と同様にしてスタンパ
を作製した。
珪素膜としたこと以外は実施例１と同様にしてスタンパ
を作製した。
得られたスタンパを用い、フォトキャスト法によりアク
リル系光硬化性樹脂からなる光ディスクを複製した。そ
の結果、１０００枚複製したところ、得られた光ディス
クのエラー率は５Ｘ１０−’を越えていた。
リル系光硬化性樹脂からなる光ディスクを複製した。そ
の結果、１０００枚複製したところ、得られた光ディス
クのエラー率は５Ｘ１０−’を越えていた。
（発明の効果）
請求項１に係わるスタンパは、耐久性が優れる。
１・・・基板 ２・・・エツチング層３・・・レ
ジスト膜 ４・・・レジストパターン
ジスト膜 ４・・・レジストパターン
第Ｔ図は本発明におけるスタンパ作製の一例を示す工程
断面図である。 （０） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 第 図
断面図である。 （０） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 第 図
Claims (1)
- １、光ディスクのピット又は案内溝に対応する凹凸が形
成されている光ディスク用スタンパにおいて、その表面
が硬質炭素からなる光ディスク用スタンパ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4889390A JPH03252936A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光ディスク用スタンパ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4889390A JPH03252936A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光ディスク用スタンパ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252936A true JPH03252936A (ja) | 1991-11-12 |
Family
ID=12815952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4889390A Pending JPH03252936A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光ディスク用スタンパ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03252936A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004095134A3 (en) * | 2003-04-23 | 2005-01-20 | Koninkl Philips Electronics Nv | Photolithographic process, stamper, use of said stamper and optical data storage medium |
| US7094502B2 (en) * | 1997-12-12 | 2006-08-22 | Alcon Inc. | Methods for transferring holographic images into metal surfaces |
| JP2007253410A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールド及びその製造方法 |
| US7341825B2 (en) | 2006-05-25 | 2008-03-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for producing high resolution nano-imprinting masters |
| JP2013091586A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Tatsuhiko Aizawa | パターン成形型及びその製造方法 |
| WO2014092132A1 (ja) | 2012-12-13 | 2014-06-19 | 王子ホールディングス株式会社 | 光学素子作製用金型及びその製造方法、光学素子 |
-
1990
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