JPH04162228A - 光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、コンパクトディスク、レーザーディスク等の
光ディスクの基板に関するものである。

［従来の技術］ 従来、樹脂を用いた光ディスク基板にトラッキング用案
内溝を形成する方法としては、まず、ガラス原盤にフォ
トレジストを厚さ〜０．１μｍにスピンコードし、この
フォトレジストにレーザー露光により案内溝の潜像を形
成、現像後、電鋳法によりニッケルスタンバを作製し、
このスタンバを母型としてフォトポリマー法、射出成形
法等の樹脂成形で光ディスク基板に案内溝を転写する方
法が用いられていた。

［発明が解決しようとする課題］ ところが、前述の方法では、ニッケルスタンバ作製工程
や、次のフォトポリマー法や射出成形法等の光ディスク
基板作製工程においては転写の工程が多いため、ガラス
原盤のフォトレジスト面に形成されている凹凸が正確に
転写できず、情報の記録、再生、消去の際のエラーの原
因となる。また、案内溝の深さを決定する要因であるフ
ォトレジストの膜厚がスピンコードの際に正確に制御で
きないため、所望の深さの案内溝を得ることが困難であ
る。

本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的
は所望の深さでかつ正確な形状のトラッキング用案内溝
を有する光ディスク基板を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、樹脂を材料とした光ディスク基板であって、
該光ディスク基板にドライエツチングによりトラッキン
グ用案内溝が形成されてなるものである。

［作用］ 本発明の光ディスク基板によれば、所定のパターンのマ
スクが形成された基板をドライエツチングすることによ
りトラッキング用案内溝を形成するため、案内溝の深さ
を制御することにより所望の深さの案内溝を得ることが
できる。また、転写の工程がないため、確実に正確な形
状の案内溝を形成することが可能となり、記録、再生、
消去特性を向上させることができる。

［実施例］ 次に本発明を実施例に基づいて説明する。

第１図に本発明の光ディスク基板の一実施例を示す。本
実施例の光ディスク基ｉ１には同心円状のトラッキング
用案内溝が記録部全面に設けられている。

第２図（ａ）〜（ｅ）に本実施例の光ディスク基板ｌの
製造工程を示す。まず、基板３の材料としては樹脂が使
用されるが、次のレジスト塗布の際に使用する溶剤に溶
解しない樹脂が使用され、例えば、本実施例ではアモル
ファスポリオレフィンが使用される。

基板３上にフォトレジストをスピンコード法にて積層し
てフォトレジスト膜４を形成する。ここで使用するフォ
トレジストとしては従来公知のものが挙げられ、また使
用する溶剤としてはフォトレジストを良好に溶解できる
ものが挙げられる。

またフォトレジスト４の膜厚としては〜０，１μｍ程度
である。

次にフォトレジスト膜４にレーザー光５を照射しく第２
図（ａ））、同心円状の案内溝の潜像６を形成する（第
２図（ｂ））。本実施例ではレーザー光５による直接露
光法で潜像６を形成したが、フォトマスクを使用した間
接露光法にて潜像６を形成しても良い。潜像６を形成し
た後、現像し、所定のパターンのマスク７を形成する（
第２図（Ｃ））。

次に、マスク７の形成面側から基板３に酸素ガスのプラ
ズマにてドライエツチングを行なう。この時用いるドラ
イエツチング装置としては、例えば平行平板型ドライエ
ツチング装置またはＥＣＲ（電子共鳴）型ドライエツチ
ング装置または円筒型ドライエツチング装置等が挙げら
れる。本実施例ではエツチングガスとして酸素ガスを使
用したが、酸素ガスにＣＦ、、ＣＨＦ３．　Ｃ２Ｆ８．
ＮＦ、、ＳＦ６等のフッ素系ガスやＣＣｌ４．ＢＣｌ、
、ＣＩ□等の塩素系ガスを混入させても良い。このドラ
イエツチングによりマスク７が設けられていない部分で
は基板３のエツチングが進行して、所定のパターンの案
内溝２が形成される（第２図（ｄ））、この時エツチン
グ時間を制御することにより、案内溝２の深さを簡単に
制御することができる。

次に、溶剤系のレジスト除去剤を使用してマスク７を除
去し、光ディスク基板１を得る（第２図（ｅ））。

以上の方法により所望の深さでかつ正確な形状のトラッ
キング用案内溝を有する光ディスク基板１を得ることが
できるが、エツチングされた案内溝２の底面あるいは側
面に微小な凹凸を有する場合には、更にこの光ディスク
基板１に加熱処理を施すことにより案内溝２の底面ある
いは側面を平滑にすることができる。加熱処理の方法と
しては、加熱装置を用い、光ディスク基板１を大気中で
、使用した樹脂の軟化点未満でかつ軟化点付近の温度で
加熱するのが好ましい。基板用の樹脂にアモルファスポ
リオレフィンを使用した場合には８０〜１２３℃で加熱
する。また大気中だけでなく、真空中、Ｎ２ガス雰囲気
中あるいはＡｒ、　Ｈｅ、　Ｎｅ等の不活性ガス雰囲気
中で加熱しても良い。

本実施例ではフォトレジストをエツチングの際のマスク
として使用したが、これに限定されるものではなく、第
３図に示すように基板３上に通常の方法でＴａ、　Ａ１
等の金属膜８のパターンな形成してこれをマスクとして
使用しても良い。

また、本実施例では光ディスク基板のトラッキング用案
内溝は同心円状であったが、渦巻き状の案内溝でもよく
、この場合も同様の方法で製造することができる。

以上の方法により所望の深さでかつ正確な形状で更に平
滑な画業内溝を有する光ディスク基板を製造することが
できる。

［発明の効果］ 以上の説明で明らかなように本発明によれば、所望の深
さでかつ正確な形状のトラッキング用案内溝を形成する
ことができるので、情報の記録、再生、消去の際のエラ
ーのない光ディスク基７板を提供することができる。更
に加熱処理を施すことにより底面や側面がより平滑な案
内溝を形成することができるので、ノイズの発生がより
少ない光ディスク基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光ディスク基板の一実施例の斜視図、
第２図（ａ）〜（ｅ）は第１図の光ディスク基板の製造
工程を示す断面図、第３図は第１図の光ディスク基板の
別の製造方法を示す断面図である。 １・・・光ディスク基板、 ２・・・トラッキング用案内溝、３・・・基板、４・・
・フォトレジスト、７・・・マスク、８・・・金属膜。 出願人　　ブラザー工業株式会社

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂を材料とした光ディスク基板であって、該光
   ディスク基板にドライエッチングによりトラッキング用
   案内溝が形成されていることを特徴とする光ディスク基
   板。
2. （２）前記光ディスク基板の材料として、アモルファス
   ポリオレフィンを用いることを特徴とする請求項１に記
   載の光ディスク基板。
3. （３）前記光ディスク基板において、前記トラッキング
   用案内溝形成後、加熱によりトラッキング用案内溝形成
   面が平滑にされることを特徴とする請求項１に記載の光
   ディスク基板。