JP2995754B2 - スタンパの製造方法 - Google Patents
スタンパの製造方法Info
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- JP2995754B2 JP2995754B2 JP1201685A JP20168589A JP2995754B2 JP 2995754 B2 JP2995754 B2 JP 2995754B2 JP 1201685 A JP1201685 A JP 1201685A JP 20168589 A JP20168589 A JP 20168589A JP 2995754 B2 JP2995754 B2 JP 2995754B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ディスク用スタンパの製造方法に関し、特
にゾルゲル法を用いた光ディスク用ガラス基板作製のた
めのワークスタンパの製造方法に関する。
にゾルゲル法を用いた光ディスク用ガラス基板作製のた
めのワークスタンパの製造方法に関する。
従来のゾルゲル法を用いた光ディスク用ガラス基板の
作製プロセスについて説明する。
作製プロセスについて説明する。
まず、所望のデータに基づきガラス原盤にマスタライ
ティングを行う。次に、ガラス原盤にNiのスパッタ及び
電鋳処理を施すことにより、Niスタンパ（マスタ）をお
こす。次いで、Niスタンパ（マスタ）を型にして再度電
鋳処理を行い、Niスタンパ（マザー）を作製する。この
様にして作製したNiスタンパ（マザー）を用いて、射出
成形あるいは2P成形により樹脂製のゾルゲル用ワークス
タンパを得る。
ティングを行う。次に、ガラス原盤にNiのスパッタ及び
電鋳処理を施すことにより、Niスタンパ（マスタ）をお
こす。次いで、Niスタンパ（マスタ）を型にして再度電
鋳処理を行い、Niスタンパ（マザー）を作製する。この
様にして作製したNiスタンパ（マザー）を用いて、射出
成形あるいは2P成形により樹脂製のゾルゲル用ワークス
タンパを得る。
次に、ガラス基板上に、スピンコート法により金属ア
ルコレート、ポリエチレングリコール、塩酸を含むアル
コール溶液（ゾルゲル溶液）を塗布し、ゾルゲル層を形
成する。先程のワークスタンパをこのゾルゲル面に押し
当て、微細なパターンを転写する。重ね合わせたまま一
次焼成を行った後、ワークスタンパから離型した微細パ
ターン付きガラス基板を更に二次焼成する。このような
プロセスを経て、光ディスク用ガラス基板を作製してい
た。
ルコレート、ポリエチレングリコール、塩酸を含むアル
コール溶液（ゾルゲル溶液）を塗布し、ゾルゲル層を形
成する。先程のワークスタンパをこのゾルゲル面に押し
当て、微細なパターンを転写する。重ね合わせたまま一
次焼成を行った後、ワークスタンパから離型した微細パ
ターン付きガラス基板を更に二次焼成する。このような
プロセスを経て、光ディスク用ガラス基板を作製してい
た。
先述したように、ゾルゲル用ワークスタンパを作製す
るには、現状ではかなりのプロセスを必要とする。これ
は、ゾルゲル用ワークスタンパとして、直接Niスタンパ
（マスタ）が使用できないことによる。すなわち、ゾル
ゲル層とNiスタンパをそのまま密着させて一次焼成を行
うと、離型の際、ゾルゲル層の一部がNiスタンパ面に付
着し、正確なパターン転写ができない。
るには、現状ではかなりのプロセスを必要とする。これ
は、ゾルゲル用ワークスタンパとして、直接Niスタンパ
（マスタ）が使用できないことによる。すなわち、ゾル
ゲル層とNiスタンパをそのまま密着させて一次焼成を行
うと、離型の際、ゾルゲル層の一部がNiスタンパ面に付
着し、正確なパターン転写ができない。
このため、上述したような長いプロセスを採り入れて
いるが、特に微細なパターンを比較的大面積に渡って何
度も転写するので、歩留り、コストの面で問題となる。
いるが、特に微細なパターンを比較的大面積に渡って何
度も転写するので、歩留り、コストの面で問題となる。
本発明は、いわゆる2P成形により、ガラス原盤から直
接ゾルゲル用ワークスタンパを製作することができるス
タンパの容易な製造方法を提供するものである。
接ゾルゲル用ワークスタンパを製作することができるス
タンパの容易な製造方法を提供するものである。
本発明によるスタンパの製造方法は、ガラス原盤上に
SiO2層を形成する工程、前記SiO2層の上にレジストを塗
布する工程、レーザービームを用いて所望のパターンを
露光する工程、微細なパターンを有するレジスト層を形
成するための現像工程、前記レジスト層をマスクとして
SiO2層をエッチングする工程、残存するレジスト層を除
去する工程、前記微細なパターンを有するSiO2層に透光
性基板を押し当てこのSiO2層と透光性基板との間に紫外
線硬化樹脂を充填する工程、前記透光性基板を通して紫
外線を照射する工程、前記SiO2層から微細な凹凸を有す
る紫外線硬化樹脂層を設けた前記透光性基板を離型する
工程とを有する。
SiO2層を形成する工程、前記SiO2層の上にレジストを塗
布する工程、レーザービームを用いて所望のパターンを
露光する工程、微細なパターンを有するレジスト層を形
成するための現像工程、前記レジスト層をマスクとして
SiO2層をエッチングする工程、残存するレジスト層を除
去する工程、前記微細なパターンを有するSiO2層に透光
性基板を押し当てこのSiO2層と透光性基板との間に紫外
線硬化樹脂を充填する工程、前記透光性基板を通して紫
外線を照射する工程、前記SiO2層から微細な凹凸を有す
る紫外線硬化樹脂層を設けた前記透光性基板を離型する
工程とを有する。
まず、鏡面に磨かれているガラス原盤上に、スパッタ
法によりSiO2層を1000〜3000Å形成する。SiO2層の上に
ホトレジストをスピンコート法により1000〜3000Å塗布
する。次いで、マスタライタでレーザービーム露光を行
い、専用の現像液を用いて現像する。このようにして、
微細なパターンを有するレジスト層が形成できる。次い
で、このレジスト層をマスクとして、CF4ガスを用いた
反応性イオンエッチング法を用いてSiO2層をエッチング
し、微細なパターンをSiO2層に転写する。その後、アッ
シング装置を用いてレジスト層を除去する。このように
して、微細パターン付きガラス原盤を得ることができ
る。
法によりSiO2層を1000〜3000Å形成する。SiO2層の上に
ホトレジストをスピンコート法により1000〜3000Å塗布
する。次いで、マスタライタでレーザービーム露光を行
い、専用の現像液を用いて現像する。このようにして、
微細なパターンを有するレジスト層が形成できる。次い
で、このレジスト層をマスクとして、CF4ガスを用いた
反応性イオンエッチング法を用いてSiO2層をエッチング
し、微細なパターンをSiO2層に転写する。その後、アッ
シング装置を用いてレジスト層を除去する。このように
して、微細パターン付きガラス原盤を得ることができ
る。
このSiO2層の上に、ディスペンサを用いて紫外線硬化
樹脂をリング状に吐出させる。次に、透光性のエポキシ
基板を、紫外線硬化樹脂がエポキシ基板とSiO2層との間
に充分展開するように、ガラス原盤に押し当てる。その
後、エポキシ基板側からUV照射を行い、紫外線硬化樹脂
を硬化させる。硬化した紫外線硬化樹脂層をSiO2層から
離型することにより、微細な凹凸を有する紫外線硬化樹
脂層をエポキシ基板上に形成することができる。このよ
うにして、ゾルゲル用ワークスタンパが作製できる。
樹脂をリング状に吐出させる。次に、透光性のエポキシ
基板を、紫外線硬化樹脂がエポキシ基板とSiO2層との間
に充分展開するように、ガラス原盤に押し当てる。その
後、エポキシ基板側からUV照射を行い、紫外線硬化樹脂
を硬化させる。硬化した紫外線硬化樹脂層をSiO2層から
離型することにより、微細な凹凸を有する紫外線硬化樹
脂層をエポキシ基板上に形成することができる。このよ
うにして、ゾルゲル用ワークスタンパが作製できる。
次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板の作製方法につ
いて述べる。
いて述べる。
ガラス基板上に、テトラエトキシシラン、ポリエチレ
ングリコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピ
ンコート法により塗布し、ゾルゲル層を2000〜3000Å形
成した。次いて、先程のワークスタンパを減圧下で重ね
合わせて押圧する。そのままの状態で、100℃、10minの
一次焼成を行った。その後、ガラス基板をワークスタン
パより離型し、350℃、10minの二次焼成を行い、所望の
微細パターンを有するガラス基板を得た。
ングリコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピ
ンコート法により塗布し、ゾルゲル層を2000〜3000Å形
成した。次いて、先程のワークスタンパを減圧下で重ね
合わせて押圧する。そのままの状態で、100℃、10minの
一次焼成を行った。その後、ガラス基板をワークスタン
パより離型し、350℃、10minの二次焼成を行い、所望の
微細パターンを有するガラス基板を得た。
以上述べてきたように、本発明によるスタンパの製造
方法は、従来の方法に比べて短い工程で済み、又、ゾル
ゲル用スタンパとしてNiスタンパを使用しないで済むた
め、ゾルゲル層がスタンパに付着することもなくなり、
歩留りあるいはコストの面で有利であり、その工業上の
意義は大きい。
方法は、従来の方法に比べて短い工程で済み、又、ゾル
ゲル用スタンパとしてNiスタンパを使用しないで済むた
め、ゾルゲル層がスタンパに付着することもなくなり、
歩留りあるいはコストの面で有利であり、その工業上の
意義は大きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/26
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス原盤上にSiO2層を形成する工程、前
記SiO2層の上にレジストを塗布する工程、レーザービー
ムを用いて所望のパターンを露光する工程、微細なパタ
ーンを有するレジスト層を形成するための現像工程、前
記レジスト層をマスクとしてSiO2層をエッチングする工
程、残存するレジスト層を除去する工程、前記微細なパ
ターンを有するSiO2層に透光性基板を押し当てこのSiO2
層と透光性基板との間に紫外線硬化樹脂を充填する工
程、前記透光性基板を通して紫外線を照射する工程、前
記SiO2層から微細な凹凸を有する紫外線硬化樹脂層を設
けた前記透光性基板を離型する工程からなるスタンパの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201685A JP2995754B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201685A JP2995754B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | スタンパの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365326A JPH0365326A (ja) | 1991-03-20 |
| JP2995754B2 true JP2995754B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=16445206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201685A Expired - Lifetime JP2995754B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2995754B2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1201685A patent/JP2995754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0365326A (ja) | 1991-03-20 |
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