JPH03252935A

JPH03252935A - 光ディスク用スタンパ

Info

Publication number: JPH03252935A
Application number: JP4889290A
Authority: JP
Inventors: Masanobu Hanehiro; 羽広　昌信; Atsushi Kuwano; 敦司桑野; Masahiro Rikukawa; 政弘陸川; Mitsuo Yamada; 三男山田
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 1990-02-28
Filing date: 1990-02-28
Publication date: 1991-11-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は光ディスクを作製するために用いられる光ディ
スク用スタンパに関する。

（従来の技術）案内溝及びピットを有する光ディスクの形成は。

スタンパを用いて主として射出成形法、２　Ｐ　（Ｐｈ
ｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ）法、フォトキャスト法によっ
て行われている。これらの方法において用いられるスタ
ンパとしては、Ｎｉ電鋳法により得られるＮｉスタンパ
やドライエツチング法により得られるスタンパが知られ
ている。後者のスタンパは、２Ｐ法ばかりでなく、フォ
トキャスト法による光ディスクの作製において、両面光
照射が可能となるため、得られる光ディスクの反りの軽
減など性能面の改善はもとより、成形サイクルの短縮が
でき、経済面においても大きな改善を図ることができる
。

ドライエツチング法によるスタンパの製造法としてはい
くつかの例が提案されている。例えば、ガラス基板上に
形成されたアルミニウム、クロム、シリコン等若しくは
これらの酸化物等の薄膜に又はガラス基板に直接に、フ
ォトレジストをスピンコードで均一に塗布し、このフォ
トレジスト表面をレーザ光線で露光後現像してパターン
を形成し、次いで、このフォトレジストパターンをマス
クとしてプラズマエツチング等の手法により上記薄膜の
エツチングを行う方法がある（特開昭６０−１７３７３
７号等）。エツチング後、残存レジストは酸素プラズマ
アッシング等により除去される。

このようにして得られたスタンパを成形型として、光デ
ィスクの複製が行われる。

（発明が解決しようとする課題）しかし、前記したドライエツチングによって得られるス
タンパは、表面がガラスやアルミニウム、クロム、シリ
コン等若しくはこれらの酸化物等であるため複製可能回
数が１０００枚程度と少なく、十分な耐久性を有してい
ない。

（！ｌ！題を解決するための手段）本発明における光ディスク用スタンパは、光ディスクの
ピット又は案内溝に対応する凹凸が形成されている光デ
ィスク用スタンパにおいて、その表面が窒化ホウ素から
なるものである。

このような光ディスク用スタンパは、基板上に窒化ホウ
素からなるエツチング層及びレジスト膜を順次形成した
後、該レジスト膜の露光及び現像処理を行ってレジスト
パターンを形成し、ついで該レジストパターンをマスク
にして上記エツチング層をエツチングし、この後残存レ
ジストを除去する第１の方法によって製造することがで
きる。

また、上記第１の方法において、エツチング層として他
の材料、例えば、アルミニウム、クロム、シリコン等若
しくはこれらの酸化物等の薄膜又は基板そのものを用い
、残存レジストを除去が終了した後、窒化ホウ素からな
る表面保護膜を形成する第２の方法などの方法によって
製造することができる。

これらの製造法において、レジストとしては、ポジ型フ
ォトレジスト及びネガ型フォトレジストを用いることが
できるが、ネガ型フォトレジストを用いると、後記する
効果が大きく、また、転写の必要のないスタンパを得る
ことができる。

以下、本発明を図面を用いて説明する。

第１図は、前記第１の方法におけるスタンパの作製工程
断面図である。

基板ｌ上にエツチング層として窒化ホウ素膜２を形成す
る。基板１としては、平面精度の優れたものであればと
くに限定しないが、ガラス、金属等を用いることができ
る。窒化ホウ素膜２の形成方法としては、ジボラン等と
窒素ガス、アンモニアガス等の窒素源ガス及び必要に応
し水素ガスを用いるプラズマＣＶＤ　（ケミカルペーパ
ーデイポジション）法等があるが特に限定するものでは
ない。また、基板１と窒化ホウ素膜２との間に密着性向
上などのための層をもうけてもよい。ついで、窒化ホウ
素膜２上に塗布法等によりレジスト膜３を形成する〔第
１図（ａ）〕。レジストは、ネガ型レジストとして環化
ゴム系フォトレジスト、ポリケイ皮酸系フォトレジスト
等があり、ポジ型フォトレジストとしてはノボラック樹
脂系フォトレジスト等がある。このフォトレジスト膜に
レーザ光等を照射して露光後、現像処理を行いレジスト
パターン４を得る〔第１図（ｂ）〕。このとき、レレジ
ストパターンの高さは、後述する窒化ホウ素膜２のエツ
チング用のマスクとして必要な高さである。

次に、レジストパターン４をマスクとして窒化ホウ素膜
２のエツチングを行いレジストパターン４に対応したパ
ターンの信号を形成する〔第１図（Ｃ）〕。エツチング
方法としては、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）、プ
ラズマエツチング等のドライエツチング法が好ましく、
エツチングガスとしては、ＣＦ４等のフッ素系のガス、
ｃｃＱ４等の塩素系のガス等を用いることができる。最
後に、残存したレジストを酸素によるアッシング等によ
り取り除いてスタンパが完成する〔第１図（ｄ）〕。

前記第２の方法では、エツチング層として、窒化ホウ素
の代わりに、アルミニウム、クロム、シリコン等若しく
はこれらの酸化物等の薄膜又は基板そのものを使用する
こと以外は前記第１の方法と同様にし、残存レジストを
除いた後に、表面に窒化ホウ素膜を前記と同様の手法で
形成する。

〔実施例〕以下に、本発明の実施例を示す。

実施例１外径２００　ｍ　ｍ、内径１５ｍｍ、厚み６ｍｍの石英
ガラス基板上にエツチング層として、アンモニアガス２
．５容量％、ジボランガス２．５容量％及び水素ガス９
５容量％からなる混合ガスを用いるＲＦプラズ？ＣＶＤ
法〔ＲＦ出カ３００Ｗ、圧力０．１トール（Ｔｏｒｒ）
）により窒化ホウ素からなる膜を約１３００オングスト
ロームの厚さに形成した。その後、エツチング層上に環
化ゴム系ネガ型フォトレジスト（東京応化製、○ＭＲ−
８５）をスピンコードで均一に約１５００オングストロ
ームの厚みに塗布し、フォトレジスト表面をＡｒレーザ
で露光後、現像してレジストパターンを形成した。次に
反応性イオンエツチング装置（日型アネルバ製、ＤＥＭ
−４５１）によりＣＦ、雰囲気下において窒化ホウ素膜
のエツチングを行い高さ約１３００オングストロームを
有するピット部を形成した。エツチング条件は、１５０
Ｗ、１０Ｐａ、３分とした。残存レジスト（高さ約６０
０オングストローム）を酸素によるアッシングで取り除
きスタンパを作製した。

得られたスタンパを用い、フォトキャスト法によりアク
リル系光硬化性樹脂からなる光ディスクを複製した。そ
の結果、２０００枚複製しても得られた光ディスクのエ
ラー率は５Ｘ１０−’以下であった。

実施例２外径２００ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚み６ｍｍの石英ガラ
ス基板に環化ゴム系ネガ型フォトレジスト（東京応化製
、○ＭＲ−８５）をスピンコードで均一に約１５００オ
ングストロームの厚みに塗布し、フォトレジスト表面を
Ａｒレーザで露光後、現像してレジストパターンを形成
した。次に反応性イオンエツチング装置（日型アネルバ
製、ＤＥＭ−４５１）によりＣＦ４雰囲気下において石
英ガラスのエツチングを行い高さ約１３００オングスト
ロームを有するピット部を形成した。エツチング条件は
、１５０Ｗ、１０Ｐａ、３分とした。

残存レジスト（高さ約６００オングストローム）を酸素
によるアッシングで取り除いた。次に、アンモニアガス
、ジボランガス及び水素ガスからなる混合ガスを用いる
ＲＦＣＶＤ法により窒化ホウ素からなる表面保護膜を実
施例１の窒化ホウ素からなる膜と同様にして約３００オ
ングストロームの厚さに形成しスタンパを作製した。

比較例１表面保護膜を形成しないこと以外は実施例２と同様にし
てスタンパを作製した。

得られたスタンパを用い、フォトキャスト法によりアク
リル系光硬化性樹脂からなる光ディスクを複製した。そ
の結果、１０００枚複製したところ、得られた光ディス
クのエラー率は５Ｘ１０−’を越えていた。

（発明の効果）請求項１に係わるスタンパは、耐久性が優れる。

（ａ）（ｂ）

【図面の簡単な説明】

第１−図は本発明におけるスタンパ作製の一例を示す工
程断面図である。１・・・基板　　　　２・・・エツチング層３・・・レ
ジスト膜４・・・レジストパターン＜Ｃ＞

Claims

【特許請求の範囲】

１、光ディスクのピット又は案内溝に対応する凹凸が形
成されている光ディスク用スタンパにおいて、その表面
が窒化ホウ素からなる光ディスク用スタンパ。