JPH06119661A - スタンパー及びスタンパーの製造方法 - Google Patents
スタンパー及びスタンパーの製造方法Info
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- JPH06119661A JPH06119661A JP26579092A JP26579092A JPH06119661A JP H06119661 A JPH06119661 A JP H06119661A JP 26579092 A JP26579092 A JP 26579092A JP 26579092 A JP26579092 A JP 26579092A JP H06119661 A JPH06119661 A JP H06119661A
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- Japan
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- photoresist
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スタンパー及びスタンパーの製造方法におい
て、紫外光を透過しやすく、取り扱いが容易で、微細パ
ターンの転写性に優れ、スタンパーと微細パターンを形
成した樹脂が良好な剥離性を示す２Ｐ用スタンパーを提
供する。 【構成】 紫外光を透過し得るガラス基板１上に形成さ
れた凹凸パターンを持つスタンプ面８上にＮｉ，Ｔａ，
Ｃｒ等の単体、及びこれらの合金を１００Å以下の厚み
でコートした。
て、紫外光を透過しやすく、取り扱いが容易で、微細パ
ターンの転写性に優れ、スタンパーと微細パターンを形
成した樹脂が良好な剥離性を示す２Ｐ用スタンパーを提
供する。 【構成】 紫外光を透過し得るガラス基板１上に形成さ
れた凹凸パターンを持つスタンプ面８上にＮｉ，Ｔａ，
Ｃｒ等の単体、及びこれらの合金を１００Å以下の厚み
でコートした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサブミクロンオーダーの
トラッキンググルーブやプレピット等の光メモリ基板の
微細パターンを光硬化性樹脂を用いて形成する時に用い
られるスタンパー及びその製造方法に関するものであ
る。
トラッキンググルーブやプレピット等の光メモリ基板の
微細パターンを光硬化性樹脂を用いて形成する時に用い
られるスタンパー及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、光メモリ基板には、記録情報を読
み書きする光を光記録ビットに案内するトラッキンググ
ルーブ等の微細パターンが記録面に形成されている。こ
のような微細パターンを形成する方法として、図４に示
す２Ｐ法がある。この方法は透明基板１６上に塗布した
光硬化性樹脂１４を、トラッキンググルーブ等の微細パ
ターンが作成された金属製スタンパー１７に密着させ、
透明基板１６を通して紫外光４を照射し、樹脂の光硬化
によって金属製スタンパー１７の微細パターンを基板１
６へ転写形成するものである。
み書きする光を光記録ビットに案内するトラッキンググ
ルーブ等の微細パターンが記録面に形成されている。こ
のような微細パターンを形成する方法として、図４に示
す２Ｐ法がある。この方法は透明基板１６上に塗布した
光硬化性樹脂１４を、トラッキンググルーブ等の微細パ
ターンが作成された金属製スタンパー１７に密着させ、
透明基板１６を通して紫外光４を照射し、樹脂の光硬化
によって金属製スタンパー１７の微細パターンを基板１
６へ転写形成するものである。
【０００３】２Ｐ法は通常、図に示す様に、光硬化性樹
脂１４との密着性が低いＮｉ等で作成された金属製スタ
ンパー１７を用いるが、特開昭５７−１５２３５公報，
特開平１−１８８３３２号公報，特開平２−２１７２３
３号公報，特開平２−２１７２３４公報等にあるように
ガラス製スタンパーを用いることもできる。特開平１−
１８８３３２号公報にあるように、金属電鋳製スタンパ
ーの原版となるガラス基板をそのままスタンパーに用い
ることにより、スタンパーの裏打ち工程を省略でき、裏
打ち工程で生じるスタンパーの歪み等を除去できる。そ
の製法を図５に示す。また特開平２−２１７２３３号公
報，特開平２−２１７２３４公報にあるように、ガラス
製２Ｐローラー１８表面に薄いペーパー状のガラス製ス
タンパー１９を接着することにより、低コストで２Ｐ用
ロール型スタンパー１８を製造できる（図６）。
脂１４との密着性が低いＮｉ等で作成された金属製スタ
ンパー１７を用いるが、特開昭５７−１５２３５公報，
特開平１−１８８３３２号公報，特開平２−２１７２３
３号公報，特開平２−２１７２３４公報等にあるように
ガラス製スタンパーを用いることもできる。特開平１−
１８８３３２号公報にあるように、金属電鋳製スタンパ
ーの原版となるガラス基板をそのままスタンパーに用い
ることにより、スタンパーの裏打ち工程を省略でき、裏
打ち工程で生じるスタンパーの歪み等を除去できる。そ
の製法を図５に示す。また特開平２−２１７２３３号公
報，特開平２−２１７２３４公報にあるように、ガラス
製２Ｐローラー１８表面に薄いペーパー状のガラス製ス
タンパー１９を接着することにより、低コストで２Ｐ用
ロール型スタンパー１８を製造できる（図６）。
【０００４】これらのガラス製スタンパーは前記にある
ように透明基板を通して紫外光を照射することによる２
Ｐ成型だけでなく、特開昭５７−１５２３５公報にある
ように、透明スタンパーを通して紫外光を照射すること
による２Ｐ成型を行うことができる（図７）。
ように透明基板を通して紫外光を照射することによる２
Ｐ成型だけでなく、特開昭５７−１５２３５公報にある
ように、透明スタンパーを通して紫外光を照射すること
による２Ｐ成型を行うことができる（図７）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来例にあるよ
うなガラス製スタンパーをそのまま用いると、紫外光の
照射後にトラッキンググルーブ等の微細パターンを形成
した光硬化性樹脂がスタンパーから完全に剥離せず、付
着してしまう問題がある。
うなガラス製スタンパーをそのまま用いると、紫外光の
照射後にトラッキンググルーブ等の微細パターンを形成
した光硬化性樹脂がスタンパーから完全に剥離せず、付
着してしまう問題がある。
【０００６】光硬化性樹脂とスタンパーの剥離性を向上
させるには特開昭５７−１５２３５公報にあるようにス
タンプ面をシリコンゴムで作成する方法があるが、シリ
コンゴムは金属やガラスに比べて寸法安定性が良好であ
るが、紫外光を透過しないためポリイミドのような紫外
光を透過しない材料を光メモリ基板に用いて２Ｐ法によ
る微細パターンの成型を行うことができない。薄い金属
製スタンパーを用いれば寸法安定性が高く、また紫外光
を透過する様になると考えられるが、このような薄いス
タンパーは取り扱い、及び製造が困難である。
させるには特開昭５７−１５２３５公報にあるようにス
タンプ面をシリコンゴムで作成する方法があるが、シリ
コンゴムは金属やガラスに比べて寸法安定性が良好であ
るが、紫外光を透過しないためポリイミドのような紫外
光を透過しない材料を光メモリ基板に用いて２Ｐ法によ
る微細パターンの成型を行うことができない。薄い金属
製スタンパーを用いれば寸法安定性が高く、また紫外光
を透過する様になると考えられるが、このような薄いス
タンパーは取り扱い、及び製造が困難である。
【０００７】本発明はこのような従来技術の欠点を改善
するためになされたものであり、紫外光を透過しやす
く、また取り扱いが容易で、トラッキンググルーブ等の
微細パターンの転写性に優れた２Ｐ用スタンパーを提供
することを目的とする。
するためになされたものであり、紫外光を透過しやす
く、また取り扱いが容易で、トラッキンググルーブ等の
微細パターンの転写性に優れた２Ｐ用スタンパーを提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】情報信号パターンの反転
パターンを有するスタンパ表面に樹脂材料を対向させ、
硬化させることにより該情報信号パターンを有する情報
記録担体の成形スタンパにおいて紫外光を透過しない材
料からなる基板上に、表面に微細パターンを形成した平
坦な石英ガラス等の紫外光透過性材料からなり、Ｎｉ，
Ｔａ，Ｃｒ等の単体、及びこれらの合金からなる金属薄
膜層が、１００Å以下でコートされていることを特徴と
する。
パターンを有するスタンパ表面に樹脂材料を対向させ、
硬化させることにより該情報信号パターンを有する情報
記録担体の成形スタンパにおいて紫外光を透過しない材
料からなる基板上に、表面に微細パターンを形成した平
坦な石英ガラス等の紫外光透過性材料からなり、Ｎｉ，
Ｔａ，Ｃｒ等の単体、及びこれらの合金からなる金属薄
膜層が、１００Å以下でコートされていることを特徴と
する。
【０００９】また本発明は紫外光を透過する平坦なガラ
ス基板表面にフォトレジストを塗布し、露光後、現像す
ることによってフォトレジストに微細パターンを形成
し、得られたフォトレジスト微細パターンをマスクと
し、基板を所定の深さまでエッチングしてガラス基板表
面にスタンプ面を形成し、マスクとして用いた残留フォ
トレジストを除去した後、所定の厚さのＮｉ，Ｔａ，Ｃ
ｒ等の単体、及びこれらの合金からなる金属薄膜層をス
タンプ面にコートすることを特徴とするスタンパーの製
造方法である。
ス基板表面にフォトレジストを塗布し、露光後、現像す
ることによってフォトレジストに微細パターンを形成
し、得られたフォトレジスト微細パターンをマスクと
し、基板を所定の深さまでエッチングしてガラス基板表
面にスタンプ面を形成し、マスクとして用いた残留フォ
トレジストを除去した後、所定の厚さのＮｉ，Ｔａ，Ｃ
ｒ等の単体、及びこれらの合金からなる金属薄膜層をス
タンプ面にコートすることを特徴とするスタンパーの製
造方法である。
【００１０】
【作用】本発明のスタンパーは光メモリ基板に紫外光を
透過しない材料を用いた場合でも、紫外光を透過するの
で、２Ｐ法による微細パターンの成型が行える。さらに
スタンプ表面にＮｉ，Ｔａ，Ｃｒ及びこれらの合金等の
金属薄膜層を持つことで、微細パターンを形成する光硬
化性樹脂とスタンパーの密着性が低く、スタンパーと微
細パターンを転写した樹脂との剥離性が向上する。
透過しない材料を用いた場合でも、紫外光を透過するの
で、２Ｐ法による微細パターンの成型が行える。さらに
スタンプ表面にＮｉ，Ｔａ，Ｃｒ及びこれらの合金等の
金属薄膜層を持つことで、微細パターンを形成する光硬
化性樹脂とスタンパーの密着性が低く、スタンパーと微
細パターンを転写した樹脂との剥離性が向上する。
【００１１】
【実施例】本発明を図１〜図３を用いて説明する。図２
にスタンプ面をコートする金属層の厚みと、２Ｐ法に用
いる光硬化性樹脂が硬化反応を生じる紫外光（３６５ｎ
ｍ）の透過率の関係を示す。
にスタンプ面をコートする金属層の厚みと、２Ｐ法に用
いる光硬化性樹脂が硬化反応を生じる紫外光（３６５ｎ
ｍ）の透過率の関係を示す。
【００１２】２Ｐ法を用いた微細パターンの転写形成を
行うには、紫外光（３６５ｎｍ）が、５０％以上透過す
ればよい。図２から金属層の厚みが１００Å以下であれ
ば、どの金属層も、５０％以上の紫外光（３６５ｎｍ）
透過率を示し、２Ｐ法を用いた微細パターンの転写形成
ができる。
行うには、紫外光（３６５ｎｍ）が、５０％以上透過す
ればよい。図２から金属層の厚みが１００Å以下であれ
ば、どの金属層も、５０％以上の紫外光（３６５ｎｍ）
透過率を示し、２Ｐ法を用いた微細パターンの転写形成
ができる。
【００１３】スタンパーの製造工程を図１（ａ）〜
（ｆ）に示す。高精度に研磨した石英ガラス基板１の表
面に、ネガ型フォトレジスト２を塗布する（ａ）。次に
光メモリ基板のトラッキンググルーブパターンを持つフ
ォトマスク３をフォトレジスト２に密着し、紫外光４を
フォトマスク３を通して照射し、密着露光によってトラ
ッキンググルーブパターンを記録する（ｂ）。このとき
レンズ６を用いて絞ったレーザービーム５を用いた走査
投影による露光でトラッキンググルーブパターンを記録
してもかまわない（ｂ′）。その後、現像処理によって
トラッキンググルーブパターンが形成されたフォトレジ
ストマスク７を得る（ｃ）。次にＣＦ4ガスプラズマ８
中で所望の深さまでドライエッチングを行う（ｄ）。さ
らにＯ2プラズマ９を用いたアッシングによって基板表
面に残留しているフォトレジストマスク７を除去し
（ｅ）、微細凹凸パターンをもつスタンプ面１０を得
る。その後アルゴンガスを用いたスパッタリングによっ
て５０ÅのＮｉ層１１をスタンプ面１０にコートし、所
望のスタンパー１２を得る（ｆ）。ここでスタンプ面１
０をコートするＮｉ層１１の代替材料としてＴａ，Ｃｒ
等の金属単体、及びＮｉ−Ｔａ，ＮｉーＣｒ，Ｔａ−Ｃ
ｒ等の合金を用いてもかまわない。
（ｆ）に示す。高精度に研磨した石英ガラス基板１の表
面に、ネガ型フォトレジスト２を塗布する（ａ）。次に
光メモリ基板のトラッキンググルーブパターンを持つフ
ォトマスク３をフォトレジスト２に密着し、紫外光４を
フォトマスク３を通して照射し、密着露光によってトラ
ッキンググルーブパターンを記録する（ｂ）。このとき
レンズ６を用いて絞ったレーザービーム５を用いた走査
投影による露光でトラッキンググルーブパターンを記録
してもかまわない（ｂ′）。その後、現像処理によって
トラッキンググルーブパターンが形成されたフォトレジ
ストマスク７を得る（ｃ）。次にＣＦ4ガスプラズマ８
中で所望の深さまでドライエッチングを行う（ｄ）。さ
らにＯ2プラズマ９を用いたアッシングによって基板表
面に残留しているフォトレジストマスク７を除去し
（ｅ）、微細凹凸パターンをもつスタンプ面１０を得
る。その後アルゴンガスを用いたスパッタリングによっ
て５０ÅのＮｉ層１１をスタンプ面１０にコートし、所
望のスタンパー１２を得る（ｆ）。ここでスタンプ面１
０をコートするＮｉ層１１の代替材料としてＴａ，Ｃｒ
等の金属単体、及びＮｉ−Ｔａ，ＮｉーＣｒ，Ｔａ−Ｃ
ｒ等の合金を用いてもかまわない。
【００１４】（実施例２）図３（ａ）〜（ｂ）に本発明
の別の実施例を示す。実施例２で作成したスタンパー１
２を用い、スタンパー１２を通した紫外光４の照射によ
る２Ｐ法（ａ図）により、ポリイミド，Ａｌ蒸着ＰＥＴ
フィルム，Ａｌ蒸着ポリカーボネート，Ａｌ蒸着ガラ
ス，ポリエーテルイミド等紫外光を透過しない基板材料
１３上に光硬化性樹脂１４によるトラッキンググルーブ
等の微細パターン１５を得られる（ｂ図）。また本方法
は、ポリカーボネート又はガラス等の紫外線透過材料か
らなる基板を用いてもかまわない。さらにこれらの紫外
線透過材料からなる基板を用いたときは従来の基板側か
らの紫外光照射による２Ｐ成型を行うことができる。
の別の実施例を示す。実施例２で作成したスタンパー１
２を用い、スタンパー１２を通した紫外光４の照射によ
る２Ｐ法（ａ図）により、ポリイミド，Ａｌ蒸着ＰＥＴ
フィルム，Ａｌ蒸着ポリカーボネート，Ａｌ蒸着ガラ
ス，ポリエーテルイミド等紫外光を透過しない基板材料
１３上に光硬化性樹脂１４によるトラッキンググルーブ
等の微細パターン１５を得られる（ｂ図）。また本方法
は、ポリカーボネート又はガラス等の紫外線透過材料か
らなる基板を用いてもかまわない。さらにこれらの紫外
線透過材料からなる基板を用いたときは従来の基板側か
らの紫外光照射による２Ｐ成型を行うことができる。
【００１５】上記の方法で作成される光メモリ基板は、
トラッキンググルーブ等の微細パターン１５を形成する
光硬化性樹脂１４とスタンプ面１０が良好な剥離性を示
し、光硬化性樹脂１４がスタンプ面１０に付着残留する
ことが無い。
トラッキンググルーブ等の微細パターン１５を形成する
光硬化性樹脂１４とスタンプ面１０が良好な剥離性を示
し、光硬化性樹脂１４がスタンプ面１０に付着残留する
ことが無い。
【００１６】また、１枚のスタンパーから数枚の光メモ
リ基板を作製する際、スタンプ面１０をコートするＮｉ
層１１が、スタンプ工程の度に少しずつスタンプ面から
剥離していくために、トラッキンググルーブパターン１
５を形成する光硬化性樹脂１４とスタンプ面１０の剥離
性が低下する。これを防ぐために、特にガラスとの密着
力の強いＴａや、Ｎｉ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｔａ，Ｔａ−Ｃｒ
等の合金を用いる事で、スタンパーの寿命を長くする事
ができる。
リ基板を作製する際、スタンプ面１０をコートするＮｉ
層１１が、スタンプ工程の度に少しずつスタンプ面から
剥離していくために、トラッキンググルーブパターン１
５を形成する光硬化性樹脂１４とスタンプ面１０の剥離
性が低下する。これを防ぐために、特にガラスとの密着
力の強いＴａや、Ｎｉ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｔａ，Ｔａ−Ｃｒ
等の合金を用いる事で、スタンパーの寿命を長くする事
ができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ガラスや
ポリカーボネートのような紫外光を透過する基板材料だ
けでなく、ポリイミド、Ａｌ蒸着ＰＥＴフィルム、Ａｌ
蒸着ガラス、Ａｌ蒸着ポリカーボネート、ポリエーテル
イミドのような紫外光を透過しない基板材料でも、本発
明のスタンパーを通した紫外光の照射による２Ｐ法を用
いて、基板上に光硬化性樹脂によるトラッキンググルー
ブ等の微細パターンを作成できる。さらにスタンパー表
面が金属でコートされているので光硬化性樹脂とスタン
プ面は良好な剥離性を示し、微細パターンが転写された
光硬化性樹脂がスタンプ面に付着残留することが無い。
また、通常の金属製スタンパーの製造における電鋳、裏
打ち工程が省略でき、低コストで製造する事ができる。
ポリカーボネートのような紫外光を透過する基板材料だ
けでなく、ポリイミド、Ａｌ蒸着ＰＥＴフィルム、Ａｌ
蒸着ガラス、Ａｌ蒸着ポリカーボネート、ポリエーテル
イミドのような紫外光を透過しない基板材料でも、本発
明のスタンパーを通した紫外光の照射による２Ｐ法を用
いて、基板上に光硬化性樹脂によるトラッキンググルー
ブ等の微細パターンを作成できる。さらにスタンパー表
面が金属でコートされているので光硬化性樹脂とスタン
プ面は良好な剥離性を示し、微細パターンが転写された
光硬化性樹脂がスタンプ面に付着残留することが無い。
また、通常の金属製スタンパーの製造における電鋳、裏
打ち工程が省略でき、低コストで製造する事ができる。
【図１】本発明の一実施例の作業工程図を示す。
【図２】スタンパー表面にコートされる金属層の厚み
と、２Ｐ法で使用する紫外光の透過率の関係を表わすグ
ラフである。
と、２Ｐ法で使用する紫外光の透過率の関係を表わすグ
ラフである。
【図３】本発明でのスタンパーを用いた光メモリ基板の
作業課程図である。
作業課程図である。
【図４】従来の金属スタンパーを用いての２Ｐ成型の概
略図である。
略図である。
【図５】従来でのガラス製スタンパーの製造工程図であ
る。
る。
【図６】従来でのペーパー状ガラススタンパーを用いた
２Ｐ用ロールを示す図である。
２Ｐ用ロールを示す図である。
【図７】従来での透明スタンパーを通したＵＶ照射によ
る２Ｐ法を示す図である。
る２Ｐ法を示す図である。
１ ガラス基板 ２ フォトレジスト ３ フォトマスク ４ 紫外光 ５ レーザービーム ６ レンズ ７ フォトレジストマスク ８ ＣＦ4ガスプラズマ ９ Ｏ2ガスプラズマ １０ スタンプ面 １１ Ｎｉ層 １２ スタンパー １３ 非紫外線透過材料からなる基板 １４ 光硬化性樹脂 １５ トラッキンググルーブパターン １６ 透明基板 １７ 金属製スタンパー １８ ２Ｐ用ロール型スタンパー １９ ペーパー状のガラススタンパー ２０ 円筒基材 ２１ 接着剤
Claims (2)
- 【請求項１】 情報信号パターンの反転パターンを有す
るスタンパー表面に樹脂材料を対向させ、硬化させるこ
とにより該情報信号パターンを有する情報記録担体の成
形スタンパにおいて、紫外光を透過しない材料からなる
基板上に、表面に微細パターンを形成した平坦な石英ガ
ラス等の紫外光透過性材料からなり、Ｎｉ，Ｔａ，Ｃｒ
等の単体、及びこれらの合金からなる金属薄膜層が、１
００Å以下でコートされていることを特徴とするスタン
パー。 - 【請求項２】 紫外光を透過する平坦なガラス基板表面
にフォトレジストを塗布し、露光後、現像することによ
ってフォトレジストに微細パターンを形成し、得られた
フォトレジスト微細パターンをマスクとし、基板を所定
の深さまでエッチングしてガラス基板表面にスタンプ面
を形成し、マスクとして用いた残留フォトレジストを除
去した後、所定の厚さのＮｉ，Ｔａ，Ｃｒ等の単体、及
びこれらの合金からなる金属薄膜層をスタンプ面にコー
トすることを特徴とするスタンパーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26579092A JPH06119661A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | スタンパー及びスタンパーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26579092A JPH06119661A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | スタンパー及びスタンパーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06119661A true JPH06119661A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17422084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26579092A Pending JPH06119661A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | スタンパー及びスタンパーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06119661A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100316147B1 (ko) * | 1998-05-14 | 2001-12-12 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 금속제 스탬퍼의 형성방법, 이 방법으로 형성된 금속제 스탬퍼, 이 스탬퍼를 사용한 광디스크 기판의 제조방법 및 이 제조방법으로 제조된 광디스크 |
| US6800224B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Production process of optical disc and optical disc produced thereby |
| WO2005088629A1 (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 多層情報記録媒体及びその製造方法 |
| US20070023976A1 (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| WO2009038441A3 (en) * | 2007-09-21 | 2009-05-07 | Lg Chemical Ltd | Method for etching glass or metal substrates using negative photoresist and method for fabricating cliche using the same |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP26579092A patent/JPH06119661A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100316147B1 (ko) * | 1998-05-14 | 2001-12-12 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 금속제 스탬퍼의 형성방법, 이 방법으로 형성된 금속제 스탬퍼, 이 스탬퍼를 사용한 광디스크 기판의 제조방법 및 이 제조방법으로 제조된 광디스크 |
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| WO2009038441A3 (en) * | 2007-09-21 | 2009-05-07 | Lg Chemical Ltd | Method for etching glass or metal substrates using negative photoresist and method for fabricating cliche using the same |
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