JP2010026367A - 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 - Google Patents
両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010026367A JP2010026367A JP2008189603A JP2008189603A JP2010026367A JP 2010026367 A JP2010026367 A JP 2010026367A JP 2008189603 A JP2008189603 A JP 2008189603A JP 2008189603 A JP2008189603 A JP 2008189603A JP 2010026367 A JP2010026367 A JP 2010026367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist film
- back surface
- alignment mark
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】透明基板の表裏両面に異なるパターンを有するフォトマスクの作製方法であって、透明基板の一主面上に遮光膜よりなる表面パターンを形成し、透明基板の他方の主面上にレジスト膜よりなる裏面アライメントマークを形成し、表裏のアライメントマークのずれ量を計測し、前記透明基板の裏面全面に遮光膜を成膜し、リフトオフし、裏面アライメントマークを形成し、前記透明基板の裏面全面に再びレジスト膜を形成し、前記計測したずれ量分を補正してパターン描画し、再度表裏のアライメント用マークのずれ量を計測し、前記透明基板の裏面全面に遮光膜を成膜し、リフトオフして、前記遮光膜よりなる裏面パターンを形成する、ことを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
また、上記の特許文献2および特許文献3に記載された両面マスクの作製方法は、いずれの方法も最終的な表裏面のアライメントの位置ずれは裏面クロムパターンの形成後でなければ計測できず、もしも目的とする位置ずれ量から計測値がスペックアウトしていたときにはやり直しがきかず、再度表面のクロム成膜から作り直さなければならず、マスク製造時間の増加と製造コストの増大をきたすという問題があった。
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。
<遮光膜のスパッタリング条件>
成膜装置: プレーナ型DCマグネトロンスパッタリング装置
ターゲット: 金属クロム
ガス及び流量: アルゴンガス50sccm
スパッタ圧力: 0.3パスカル
スパッタ電流: 3.5アンペア
<クロム遮光膜のエッチング条件>
エッチングガスCl2+O2ガス(2:3)
圧力 10mTorr
ICPパワー(高密度プラズマ発生) 500W
バイアスパワー(引き出しパワー) 25W
11 第1の遮光膜
12 第1のレジスト膜
13 電子線またはレーザ光
14 表面本パターン
15 表面アライメントマーク
16 表面パターン
17 第2のレジスト膜
18 電子線またはレーザ光または紫外線
20 裏面アライメントマーク
21 ずれ量計測箇所
22 第2の遮光膜
23 裏面アライメントマーク
24 第3のレジスト膜
30 電子線
31 裏面本パターン
32 裏面アライメントマーク
33 ずれ量計測箇所
34 第3の遮光膜
35 裏面パターン
36 両面マスク
Claims (3)
- 透明基板の表裏両面に異なるパターンを有するフォトマスクの作製方法であって、
(1)前記透明基板の一方の主面上に第1の遮光膜と第1のレジスト膜を順に形成し、前記第1のレジスト膜をパターン描画し、現像し、露出した第1の遮光膜をエッチングし、前記第1のレジスト膜を剥離して、前記第1の遮光膜よりなる表面本パターンおよび表面アライメントマークを含む表面パターンを形成する工程と、
(2)前記透明基板の他方の主面上に第2のレジスト膜を形成し、前記第2のレジスト膜をパターン描画し、現像し、前記第2のレジスト膜よりなる裏面アライメントマークおよび裏面描画用マークを形成する工程と、
(3)前記表面アライメントマークと前記第2のレジスト膜よりなる裏面アライメントマークとに基づいて表裏のアライメントマークのずれ量を計測する工程と、
(4)前記透明基板の裏面全面に第2の遮光膜を成膜し、次に、前記第2のレジスト膜をリフトオフして剥離し、前記第2の遮光膜よりなる裏面アライメントマークおよび裏面描画用マークを形成する工程と、
(5)前記透明基板の裏面全面に第3のレジスト膜を形成し、前記計測したずれ量分を補正して前記裏面描画用マークに基づいてパターン描画し、現像し、前記第3のレジスト膜よりなる裏面本パターンおよび裏面アライメントマークを形成する工程と、
(6)前記表面アライメントマークと前記第3のレジスト膜よりなる裏面アライメントマークとに基づいて再度表裏のアライメント用マークのずれ量を計測する工程と、
(7)前記透明基板の裏面全面に第3の遮光膜を成膜し、次に、前記第3のレジスト膜をリフトオフして剥離し、前記第3の遮光膜よりなる裏面本パターンを含む裏面パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの作製方法。 - 請求項1に記載のフォトマスクの作製方法において、前記工程(3)または工程(6)の表裏のアライメントマークのずれ量を計測する工程で、前記ずれ量が所定値を超える場合には、パターン化した前記レジスト膜を剥離し、再度レジスト膜を前記透明基板上に形成し、パターン描画し、現像してレジストパターンを形成するやり直し工程を有することを特徴とするフォトマスクの作製方法。
- 前記第3のレジスト膜よりなる裏面アライメントマークが、前記第2のレジスト膜よりなる裏面アライメントマークのネガポジ反転したパターンであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のフォトマスクの作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008189603A JP5347360B2 (ja) | 2008-07-23 | 2008-07-23 | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008189603A JP5347360B2 (ja) | 2008-07-23 | 2008-07-23 | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010026367A true JP2010026367A (ja) | 2010-02-04 |
JP5347360B2 JP5347360B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=41732241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008189603A Active JP5347360B2 (ja) | 2008-07-23 | 2008-07-23 | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5347360B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010190935A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク基板の作製方法 |
JP2012073326A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
CN112558437A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-03-26 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种双面少层超构表面器件的加工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0293457A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Hoya Corp | 両面パターン付きフォトマスクの製造方法 |
JP2005148514A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Toppan Printing Co Ltd | 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 |
JP2006208429A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | 両面マスクの作成方法 |
-
2008
- 2008-07-23 JP JP2008189603A patent/JP5347360B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0293457A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Hoya Corp | 両面パターン付きフォトマスクの製造方法 |
JP2005148514A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Toppan Printing Co Ltd | 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 |
JP2006208429A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | 両面マスクの作成方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010190935A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク基板の作製方法 |
JP2012073326A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
CN112558437A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-03-26 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种双面少层超构表面器件的加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5347360B2 (ja) | 2013-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI452420B (zh) | 光罩基板及光罩 | |
CN102236247A (zh) | 光掩膜的制作方法 | |
JP2011197375A (ja) | 反射型マスクの製造方法および該製造に用いられる反射型マスクブランク | |
KR20170113083A (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 표시 장치의 제조 방법 | |
JP2014066863A (ja) | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 | |
KR100812253B1 (ko) | 그레이톤 포토마스크의 제조방법, 그레이톤 포토마스크 및그레이톤 블랭크마스크 | |
JP5521714B2 (ja) | Euv用反射型マスク製造方法 | |
JP5347360B2 (ja) | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 | |
TWI604267B (zh) | 光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 | |
JP2010169750A (ja) | フォトマスクの製造方法、及び表示デバイスの製造方法 | |
JP2010079112A (ja) | フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 | |
JP2009092823A (ja) | フォトマスクブランクスおよびフォトマスク | |
TWI541590B (zh) | 光罩之製造方法、光罩及圖案轉印方法 | |
JP2010204264A (ja) | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 | |
JP4029828B2 (ja) | 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 | |
JP2016152356A (ja) | 反射型マスク、反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの修正方法 | |
JP5233802B2 (ja) | 階調マスクおよび階調マスクの製造方法 | |
JP6316036B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
JP2013140236A (ja) | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
TW202041967A (zh) | 光罩、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
JP2010117627A (ja) | フォトマスクブランクスおよびその製造方法 | |
JP2016134472A (ja) | 反射型マスクブランク、その製造方法および反射型マスク | |
JP2014090131A (ja) | 反射型マスクの製造方法 | |
KR100790574B1 (ko) | 위상 반전 마스크의 제조 방법 | |
JP2011257614A (ja) | フォトマスク、フォトマスクの再加工方法、及びレジストパターンの形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5347360 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |