JP4029828B2 - 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 - Google Patents
両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4029828B2 JP4029828B2 JP2003387572A JP2003387572A JP4029828B2 JP 4029828 B2 JP4029828 B2 JP 4029828B2 JP 2003387572 A JP2003387572 A JP 2003387572A JP 2003387572 A JP2003387572 A JP 2003387572A JP 4029828 B2 JP4029828 B2 JP 4029828B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- double
- back surface
- sided
- sided mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明は、透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンを有するフォトマスク等を製造する方法に係るもので、両面にパターンを形成するのに必要なブランクを製造する技術で、両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法に関する。
従来、予め両面に遮光用金属膜の層をもつブランクを用いて、両面マスクは製造される。一般に、ブランクロット毎に露光量や近接補正などの描画条件の設定が必要になるため、高い寸法精度や解像度が求められるパターンに関しては、両面マスク用ブランクで別途描画条件出しを行う必要がある。しかし、少ロットでは、条件出しにかかる負担が大きくなる。また、不良になり作り直しになる分を見越して、両面に遮光用金属膜の層をもつブランクを余分に製造しておく必要があり、使用しない場合はブランクが無駄になる場合があった。
両面マスクを製造した後、裏面パターンと表パターンの重ねズレに問題があった場合や裏面パターンを別パターンに変更したい場合があっても、裏面のみを作り直すことができないため、表面から再製造する必要があった（特許文献１、特許文献２参照）。更に精度の高い場合には問題がある。
以下に公知文献を示す。
特開平２―９３４５７号公報
特開平３―２７１７３８号公報
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたもので、片面に遮光用金属膜の層が形成された従来のブランクを用いて表パターンが形成されたフォトマスクから両面マスク用のブランクを製造する方法で、高い寸法精度や解像度のパターンであり、両面マスクの簡易的な製造方法を提供することを課題とする。また、両面マスクの裏面パターンに問題があった場合、表面から再製造せずに、裏面のみ再製造する方法を提供することを課題とする。
本発明の請求項１に係る発明は、透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンをもつ構造の両面マスクのブランクを製造する両面マスク用ブランクの製造方法において、透明基板の両面に遮光用金属膜によりアライメントパターン及びパターンが形成された両面マスクを用いて、該両面マスクの裏面のパターンをアライメントパターンのみを残してエッチングにより取り除き、その部分に遮光用金属膜の層を再形成することにより、両面マスク用ブランクを製造することを特徴とする両面マスク用ブランクの製造方法である。
本発明の請求項１記載の両面マスク用ブランクの製造方法では、裏面パターンの一部であるアライメントマークパターンを残して、再度両面マスク用ブランクを製造する方法である。
（ａ）裏面にレジストをコートし、アライメントマーク部など残したいパターン以外の裏面パターン全体を露光する。
（ｂ）露光部分を現像、エッチングし遮光用金属膜の層を除去する。
（ｃ）一部の遮光用金属膜の層が除去されたガラス面に遮光用金属膜の層をスパッタする。
（ｄ）レジスト面を剥離し、レジスト上の遮光用金属膜の層を剥離する。
（ａ）裏面にレジストをコートし、アライメントマーク部など残したいパターン以外の裏面パターン全体を露光する。
（ｂ）露光部分を現像、エッチングし遮光用金属膜の層を除去する。
（ｃ）一部の遮光用金属膜の層が除去されたガラス面に遮光用金属膜の層をスパッタする。
（ｄ）レジスト面を剥離し、レジスト上の遮光用金属膜の層を剥離する。
本発明の請求項２に係る発明は、請求項１に記載の両面マスク用ブランクを用い、以下の工程を実施することを特徴とする両面マスクの製造方法である。
（ａ）既存の表面のパターンと、前記の裏面のアライメントパターンとの重ね合わせずれを測定する。
（ｂ）裏面にレジスト層を形成する。
（ｃ）前記測定の表面のパターンと裏面のアライメントパターンの重ね合わせずれの分を補正して、裏面パターンをレジスト層にパターニングする。
（ｄ）裏面のパターニングされたレジスト層をマスクとして遮光用金属膜の層をエッチングし、レジスト層を剥離する。
（ａ）既存の表面のパターンと、前記の裏面のアライメントパターンとの重ね合わせずれを測定する。
（ｂ）裏面にレジスト層を形成する。
（ｃ）前記測定の表面のパターンと裏面のアライメントパターンの重ね合わせずれの分を補正して、裏面パターンをレジスト層にパターニングする。
（ｄ）裏面のパターニングされたレジスト層をマスクとして遮光用金属膜の層をエッチングし、レジスト層を剥離する。
本発明の請求項２に係る両面マスクの製造方法によれば、両面マスクの裏面を従来の片面にパターンが形成されたフォトマスクを使用して、従来通りに製造することができる。すなわち、高い寸法精度や解像度のパターンを形成した両面マスクが提供できる。また、請求項２に係る両面マスク製造方法によれば、従来不良となっていた両面マスクが再生可能となる。さらに、本発明の両面マスクの製造方法に従えば、不良発生を未然に防止出来るために、材料や工数損なう問題を解消できる効果がある。
ブランク用ガラス基板は、ボロシリケート系又は石英ガラスを使用する。前記ガラス基板は熱膨張率に差があり、後者の石英ガラスの方が大幅に小さく、高精度のフォトマスク用に使用されるが、材料が高価のため、フォトマスクの寸法精度により選択することが好ましい。遮光用金属膜の層はクロムまたは酸化クロム、モリブデンシリサイド層を単層又は複数層積層させて形成する。
図１は、請求項１の発明の両面マスク用ブランクの製造方法とそれを用いた両面マスクの製造方法を説明する工程図である。請求項１の発明の両面マスク用ブランクは、前記ガラス基板の両面にすでに表面パターンと裏面パターンが形成されている両面マスクを用いる。前記両面マスクの裏面に、スピンコーター機を用いて、光感光性レジスト樹脂を塗布し、アライメントマーク部分など残したい部分以外を全面露光する（図１（ａ）参照）。
次に、露光部分を、現像工程、エッチング工程を経て、裏面の残したいパターン１８以外の遮光用金属膜３の層の部分がなくなりガラス面になったフォトマスクができる（図１（ｂ）参照）。前記両面マスク用ブランクの裏面に、レジストを剥離せずに、遮光用金属膜を真空蒸着法、スパッタリング法により成膜し、裏面の遮光用金属膜１３を形成する（図１（ｃ）参照）。次に、レジストの剥離工程により、レジスト部分とその上の遮光用金属膜を除去し、光感光性レジスト樹脂１４を塗布する（図１（ｄ）参照）。
表面のパターンともともとあった裏面のアライメントパターンの重ね合わせずれ分を補正して、新たな裏面パターンと測定用パターンをアライメントパターンでアライメントをとる方法により描画を行う。アライメントパターンでアライメントをとることにより、裏面パターンはアライメントパターンに対して、セントラリティとローテイションのずれがなく描画できる。表面に対するずれの補正は装置上でアライメントマークに対してオフセットを設定するか、裏面パターンのＪＯＢファイル中の描画位置座標を変更して実施する。ローテイションに関しては、同様にずれ分を装置上でアライメントマークに対してオフセットを設定するか、アライメントパターンのＪＯＢファイル中の描画位置座標を変更して実施する（図１（ｅ）参照）。
裏面のレジスト層のパターンの現像のみを行う（図１（ｆ）参照）。両面マスク用ブランク表面パターンの測定用パターンと裏面パターンの測定用パターンの重ね合わせずれを測定する。表面と裏面のパターンの重ねのずれに問題がないことを確認後、エッチング及びレジスト層を剥膜し、本発明の両面マスクが完成する（図１（ｇ）参照）。
表面と裏面のパターンの重ねのずれに問題が発生した場合は、問題を対処後、前記レジスト層を剥膜し、再度、工程（ｅ）から実施する。以上本発明の両面マスクの製造方法に
より両面マスクの裏面パターンのみを再作成することを目的とする両面マスクを表裏の両面パターンの垂直方向の重ね合わせ精度を高く製造できる。
より両面マスクの裏面パターンのみを再作成することを目的とする両面マスクを表裏の両面パターンの垂直方向の重ね合わせ精度を高く製造できる。
１…透明基板
２…表面の遮光用金属膜
３、１３…裏面の遮光用金属膜
４、１４…レジスト
５…表面のパターン
６…裏面のパターン
８、１８…裏面のアライメントパターンと測定用パターン
２…表面の遮光用金属膜
３、１３…裏面の遮光用金属膜
４、１４…レジスト
５…表面のパターン
６…裏面のパターン
８、１８…裏面のアライメントパターンと測定用パターン
Claims (2)
- 透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンをもつ構造の両面マスクのブランクを製造する両面マスク用ブランクの製造方法において、透明基板の両面に遮光用金属膜によりアライメントパターン及びパターンが形成された両面マスクを用いて、該両面マスクの裏面のパターンをアライメントパターンのみを残してエッチングにより取り除き、その部分に遮光用金属膜の層を再形成することにより、両面マスク用ブランクを製造することを特徴とする両面マスク用ブランクの製造方法。
- 請求項１に記載の両面マスク用ブランクを用い、以下の工程を実施することを特徴とする両面マスクの製造方法。
（ａ）既存の表面のパターンと、前記の裏面のアライメントパターンとの重ね合わせずれを測定する。
（ｂ）裏面にレジスト層を形成する。
（ｃ）前記測定の表面のパターンと裏面のアライメントパターンの重ね合わせずれの分を補正して、裏面パターンをレジスト層にパターニングする。
（ｄ）裏面のパターニングされたレジスト層をマスクとして遮光用金属膜の層をエッチングし、レジスト層を剥離する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003387572A JP4029828B2 (ja) | 2003-11-18 | 2003-11-18 | 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003387572A JP4029828B2 (ja) | 2003-11-18 | 2003-11-18 | 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005148514A JP2005148514A (ja) | 2005-06-09 |
| JP4029828B2 true JP4029828B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=34694889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003387572A Expired - Lifetime JP4029828B2 (ja) | 2003-11-18 | 2003-11-18 | 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4029828B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5615488B2 (ja) | 2008-06-30 | 2014-10-29 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JP5347360B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2013-11-20 | 大日本印刷株式会社 | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 |
| JP5187524B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2013-04-24 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク基板の作製方法 |
| JP2010204264A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 |
| JP2014034497A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Nikon Corp | 光学素子の製造方法 |
| DE102015117556A1 (de) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Universität Kassel | Mikrostruktur und Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur in einer Fotolithographietechnik |
| CN111061124A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-24 | 杭州欧光芯科技有限公司 | 带切割道的紫外固化纳米压印模具及方法 |
| CN115016225B (zh) * | 2022-08-04 | 2022-11-15 | 上海传芯半导体有限公司 | 掩模基版、掩模版及光刻设备 |
-
2003
- 2003-11-18 JP JP2003387572A patent/JP4029828B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005148514A (ja) | 2005-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101140027B1 (ko) | 위상 시프트 마스크의 제조방법 | |
| US20080241708A1 (en) | Sub-resolution assist feature of a photomask | |
| KR101895122B1 (ko) | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| US7846617B2 (en) | Pattern forming method and phase shift mask manufacturing method | |
| KR20170113083A (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| WO2014127568A1 (zh) | 多膜层基板及其制备方法和显示装置 | |
| CN105022223A (zh) | 多级灰度光掩模、其制造方法以及显示装置的制造方法 | |
| JP5645261B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP4029828B2 (ja) | 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 | |
| US7183025B2 (en) | Phase difference specifying method | |
| TWI604267B (zh) | 光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 | |
| TW201334657A (zh) | 用於平版印刷之印刷板及其製備方法 | |
| WO2023236254A1 (zh) | 光罩图形的修正方法、系统、光罩及其制备方法 | |
| US7491474B2 (en) | Masks for lithographic imagings and methods for fabricating the same | |
| JP5347360B2 (ja) | 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法 | |
| JP3994850B2 (ja) | 両面マスクの作成方法 | |
| US6830853B1 (en) | Chrome mask dry etching process to reduce loading effect and defects | |
| JP2008151821A (ja) | フォトマスクおよび転写方法 | |
| JP6631271B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
| JP3529967B2 (ja) | アライメントマーク付きフォトマスク用ブランクスの製造方法 | |
| JP2001203160A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0619111A (ja) | 位相シフト用マスクの製造方法 | |
| JP4207411B2 (ja) | レベンソン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2009229957A (ja) | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、その修正方法、及びフォトマスクを用いたパターン転写方法 | |
| JP2021019070A (ja) | インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070823 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070925 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071008 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4029828 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131026 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |