NL8105633A - Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding. Download PDF

Info

Publication number
NL8105633A
NL8105633A NL8105633A NL8105633A NL8105633A NL 8105633 A NL8105633 A NL 8105633A NL 8105633 A NL8105633 A NL 8105633A NL 8105633 A NL8105633 A NL 8105633A NL 8105633 A NL8105633 A NL 8105633A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
solution
metal
substrate
semiconducting
compound
Prior art date
Application number
NL8105633A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8105633A priority Critical patent/NL8105633A/nl
Priority to US06/441,580 priority patent/US4426442A/en
Priority to JP57216304A priority patent/JPS58106537A/ja
Priority to DE8282201599T priority patent/DE3267190D1/de
Priority to EP82201599A priority patent/EP0081889B1/en
Publication of NL8105633A publication Critical patent/NL8105633A/nl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/705Compositions containing chalcogenides, metals or alloys thereof, as photosensitive substances, e.g. photodope systems
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/185Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146Laser beam

Description

** * EHN 10.217 1 N.V. Philips* Gloeilampenfabrieken te Eindhoven "Weekwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of aider het oppervlak van een substraat met een halfgeleiden-de lichtgevoelige verbinding"
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of -patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat, dat een half geleidende, lichtgevoelige verbinding bevat of hieruit bestaat en op de produkten, die door 5 middel van deze werkwijze worden verkregen.
Uit het US Octrooischrift 3,380,823 is een dergelijke werkwijze bekend voor de vervaardiging van afbeeldingen op een medium bestaande uit een papieren drager, voorzien van een laag van een half-geleidend pigment in een polymeer harsachtig bindmiddel. Na belich-10 ting via een negatief, waardoor het pigment reversibel wordt geactiveerd, wordt het medium met een beelvormend reductieoxidatie systeem in aanraking gebracht, waardoor de beeldvorming irreversibel tot stand komt.
Een overeenkomstige werkwijze voor de vervaardiging van 15 elektrisch geleidende metaalpatronen op een isolerend, polymeer sub-straatmateriaal, zoals gedrukte bedradingspanelen, is in het US Octrooischrift 3,674,485 beschreven. Ook hiervoor wordt uitgegaan van substraatmateriaal op het oppervlak waarvan een laag is aangebracht bestaand uit een homogene verdeling van een lichtgevoelige 20 half geleidende metaalverbinding in een hydrofoob, harsachtig bindmiddel.
Na vorming van een patroon van metaalkiemen na selectieve belichting en contact met een oplossing van de betreffende ionen van het metaal wordt dit metaalkiembeeld tot een elektrisch geleidend patroon door middel van een fysische ontwikkelaar of een stroomloze metalliserings-25 oplossing versterkt.
Deze werkwijzen vereisen het gebruik van een afschermings-patrocn cq. een negatief. Het ‘behoud van de selectiviteit gedurende de vanning van het kiembeeld en de versterking hiervan maken aanvullende maatregelen zoals het toepassen van een sluierbestrijdingsmiddel, nodig. 30 De uitgevonden werkwijze maakt deze middelen en het gebruik van een afschenningspatroon overbodig en vereenvoudigt de beeld-cq. patroonvorming aanmerkelijk.
Zij is daardoor gekenmerkt, dat het oppervlak waarin of 8105633 ' £ PHN 10.217 2 waarop zich de lichtgevoelige half geleidende metaalverbinding bevindt, wordt ondergedompeld in een oplossing, waarin zich ionen van een kiembeeldvormend metaal bevinden, en patroonmatig wordt belicht met behulp van een ten opzichte van het preparaat gestuurd bewegende 5 gefocusseerde bundel laserlicht van een zodanige golflengte in het ultraviolette of zichtbare deel van het spectrum, dat deze door de betreffende halfgeleidende verbinding wordt geabsorbeerd.
Uit een dergelijke oplossing wordt allereerst het kiembeeld-metaal op de door de laserbundel getroffen oppervlaktedelen, waarin 10 zich de halfgeleidende verbinding bevindt, fotochemisch afgezet.
Vervolgens kan op dit katalytische kiembeeld zonder verdere belichting door stroomloze afzetting het beeldmetaal warden neergeslagen. In dat geval behoeft het substraat niet in hetzelfde bad ondergedonpeld te blijven.
15 De belichting kan door sturing van de lichtbundel met behulp van bekende programmer ingstechnieken volgens het gewenste patroon worden uitgevoerd.
Volgens een verdere uitwerking van de uitgevonden werkwijze vindt de belichting plaats in een oplossing van een metaalzout en 20 een reductiemiddel voor dat metaalzout, die geschikt is voor stroomloze metallisering of voor fysische ontwikkeling.
Opgemerkt wordt, dat in de Japanse gepubl. Octrooiaanvrage 75/92.830, waarvan een samenvatting in Chem. Abstr. 84, 94240η (1976) is opgencmen, een werkwijze voor het aanbrengen van goudpatronen op 25 een Ga-As-oppervlak is beschreven. Dit gebeurt echter met behulp van een CC^-laser, die overwegend straling met een golflengte van 10 yUin levert. In dit golflengtegebied zijn fotochemische processen zoals vol- · gens de uitvinding uiteraard onmogelijk. De in. deze publicaties beschreven metaalafzetting moet het gevolg zijn van thermische effecten.
30 Om in plaats van met een afschenningspatroon door bestralen met een gestuurde, volgens het te maken patroon ten opzichte van het substraat bewegende lichtbundel te kunnen werken, dient de kiemvorming voldoende snel plaats te vinden. Daartoe moet de in de zin van de uitvinding gebruikte halfgeleidende metaalverbinding lichtgevoelig 35 genoeg zijn om in combinatie met de aangewende intensiteit van de laserbundel zeer korte belichtingstijden mogelijk te maken. Daarnaast moet de oplossing, waarin het oppervlak is ondergedompeld, een voldoend hoge transmissie voor het gebruikte licht bezitten.
8105633 EHN 10.2.17 3
Een in het kader van de uitvinding zeer geschikte keuze van het half geleidende metaaloxide is titaandioxide of zinkoxide.
In verband met de eis van een zo hoog mogelijke transmissie van de oplossing van de ionen van het kiembeeldmetaal voor het ge-5 bruikte licht is het gebruik van een oplossing, waaruit stroomloos good- of een goudlegering kunnen worden neergeslagen voor de vorming van de kiemen en de daarop volgende versterking ervan zeer interessant.
Deze oplossingen, die uit de Ned. Octrooiaanvrage 8,103,174 en het GB-Octrooischrift 1,322,203 bekend zijn, bezitten in het voor de foto-10 gevoelige halfgeleiders geschikte golflengtegebied een veel hogere transmissiewaarde dan bijvoorbeeld stroomloos werkende verkoperoplos-singen, walke laatstgenoemde in het kader van de uitvinding slechts bij relatief lage concentraties of met een kortere lichtweg door de oplossing kunnen worden gebruikt.
15 De uitvinding zal hierna aan de hand van een aantal uitvoe- ringsvoorbeelden worden toegelicht.
Voorbeeld 1
Plaatmateriaal bestaande uit met glasvezel versterkte epoxyhars, waarin in een hoeveelheid van ongeveer 4 gew.S titaandioxyde-20 deeltjes (rutiel) zijn gedispergeerd, werd hydrofiel gemaakt door het achtereenvolgens te behandelen met een methylethylketon-water-mengsel (1:2) en, bij 50°C en onder blootstellen aan trillingen met een frequentie van 50 Hz, met een oplossing,, die per liter 120 g Na2Cr20^, 25 400 ml H2SOj (d= 1,84) en 200 ml (d= 1,88) en water bevatte.
Het plaatmateriaal werd vervolgens in een kwartscuvet gebracht, waarin zich een op 50°C verwarmde waterhoudende oplossing van f de volgende samenstelling per liter bevend: 30 0,04 mol koper sulfaat 0,072 mol tetra-Na-zout van ethyleendiaminetetraazijnzuur
0,12 mol NaCH
0,10 mol formaldehyde
Vervolgens werd het plaatmateriaal in de oplossing belicht 35 met een gefocusseerde bundel van een gepulste stikstof laser. Het vermogen hiervan bedroeg 1MW, de golflengte 337 nm, de pulsduur 4ns, de pulsfrequentie 10 Hz. De lichtweg door de oplossing werd minimaal _o gehouden. Bij een effectieve belichtingstijd van 12.10 sec. en een 8105633 PHN 10.217 4
^ X
versterkingstijd van 10 min. werd een duidelijk beeld verkregen.
Een vergelijkbaar resultaat wordt verkregen met epoxy-glas-vezel-materiaal, waarin ZnO-poeder .is gedispergeerd.
Voorbeeld 2 5 Met titaandioxide gevuld plaatmateriaal volgens Voorbeeld 1 werd na de zelfde voorbehandelingsstappen gebracht in een tot 50°C verwarmde waterhoudende oplossing, die· per liter bevatte:
0,072 mol tetra-Na-zout van ethyleendiaminetetraazijnzuur 0,12 mol NaOH
10 0,014 mol kaliumgoud(I) cyanide
Het plaatmateriaal werd met dezelfde gepulste stikstoflaser van Voorbeeld 1 bestraald. Eén puls met een effectieve belichtings-~9 tijd van 4.10 sec. was voldoende, cm een duidelijk zichtbaar beeld te doen ontstaan.
15 Voorbeeld 3
Een hydrofiel gemaakt, met titaandioxide-pigment gevuld plaatje volgens Voorbeeld 1 werd in een stroomloos werkende ver-koperoplossing volgens datzelfde Voorbeeld gebracht en gedurende 16 sec. continu belicht met een Argon-ionen-laser (vermogen ongeveer 0,70W 20 golflengten 334, 351 en 364 nm). Het plaatje werd gedurende de belichting over ongeveer 7 ram lineair verplaatst. Na ongeveer 10 min. verblijf in de oplossing na de belichting werd een goed elektrisch geleidende koperlijn verkregen.
Voorbeeld 4 25 Een volgens Voorbeeld 1 voorbehandeld, met TiC>2 pigment gevuld plaatje werd geplaatst in een waterhoudende oplossing, die per liter bevatte: 5,6 x 10~3 mol PdCl2, 0,12 mol HC1 en 30 0,4 gew.% "Tensagex DP 24", d.i. een bevochtigingsmiddel, bestaande uit een alkylarylpolyglycolethersulfaat.
Er werd een reeks belichtingen van het plaatje uitgevoerd gedurende 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 en 1/64 sec. met de argonionen-laser van Voorbeeld 3 (vermogen ca 0,70W). Na ongeveer 1 min. in een 35 op 50°C verwarmde verkpperoplossing werd bij alle belichtingswaarden op de belichte plaatsen een zwart beeld verkregen.
Voorbeeld 5
Een uit AL^-keramiek bestaand plaatje werd ondergedcmpeld 8103333 EHN 10.217 5 in en vervolgens ópgetrokken uit, een vloeistof die uit 25 gew.% titaanacetylacetonaat en 75 gew.% propanol-2 bestond. Na drogen met een föhn werd het plaatje gedurende 8 min. qp 500°C verhit gehouden, waarbij door pyrolyse titaandioxyde op het Al^O^-substraat werd ge-5 vormd. Het plaatje werd vervolgens in een cuvet met een waterhoudende oplossing geplaatst, die per liter bevatte: 0,014 mol kaliumgoud (I) cyanide 0,005 mol keper sulfaat 0,072 mol tetra-Na-zout van ethyleendiaminetetraazijnzuur 10 0,12 mol NaOH en 0,30 mol formaldehyde
Met die van Voorbeeld 4 overeenkomende belichtingen werden uitgevoerd. Na een 15 min. durend verblijf in de oplossing na de belichting werden goed zichtbare metaalbeelden gevormd.
15 20 25 30 1 8105633

Claims (5)

1. Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een suhstraatmateriaal waarin of waarop zich een halfgeleidende, lichtgevoelige verbinding bevindt of die hieruit bestaat, welke halfgeleidende verbinding in 5 staat is na belichting uit een oplossing van een metaalion dit metaal in de vorm van kiemen af te scheiden, die door fysische ontwikkeling of met behulp van een stroomloos werkende metalliseringsoplossing worden versterkt, met het kenmerk,dat het oppervlak wordt ondergedompeld in een oplossing, waarin zich ionen van een kiembeeldvormend metaal 10 bevinden, en patroonmatig wordt belicht met behulp van een ten opzichte van het substraat gestuurd bewegende, gefocusseerde bundel laserlicht van een zodanige golflengte in het ultraviolette of zichtbare deel van het spectrum dat deze door de betreffende halfgeleidende verbinding wordt geabsorbeerd.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de be lichting plaatsvindt in een oplossing van een metaalzout en een reduktiemiddel voor dat metaalzout, die geschikt is voor stroomloze metallisering of voor fysische ontwikkeling.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, met het kennerk, dat 20 de halfgeleidende lichtgevoelige verbinding uit titaandioxide of zinkoxide bestaat.
4. Werkwijze volgens conclusie 1, 2 of 3 met het kenmerk, dat voor de vorming van de kiemen en de daarop volgende versterking ervan een strocmloos werkende oplossing voor de afscheiding van goud of van 25 een goud-koperlegering wordt gebruikt.
5. Produkten, verkregen met behulp van de werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies. 30 1 8105633
NL8105633A 1981-12-15 1981-12-15 Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding. NL8105633A (nl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8105633A NL8105633A (nl) 1981-12-15 1981-12-15 Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding.
US06/441,580 US4426442A (en) 1981-12-15 1982-11-15 Method of producing metal images or patterns on and/or below the surface of a substrate comprising a semiconducting light-sensitive compound
JP57216304A JPS58106537A (ja) 1981-12-15 1982-12-11 金属像または金属パタ−ンの形成方法
DE8282201599T DE3267190D1 (en) 1981-12-15 1982-12-14 Method of producing metal images or patterns on and/or below the surface of a substrate comprising a semiconducting lightsensitive compound
EP82201599A EP0081889B1 (en) 1981-12-15 1982-12-14 Method of producing metal images or patterns on and/or below the surface of a substrate comprising a semiconducting lightsensitive compound

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8105633A NL8105633A (nl) 1981-12-15 1981-12-15 Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding.
NL8105633 1981-12-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8105633A true NL8105633A (nl) 1983-07-01

Family

ID=19838548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8105633A NL8105633A (nl) 1981-12-15 1981-12-15 Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4426442A (nl)
EP (1) EP0081889B1 (nl)
JP (1) JPS58106537A (nl)
DE (1) DE3267190D1 (nl)
NL (1) NL8105633A (nl)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3237205C2 (de) * 1982-10-07 1985-11-07 Karl-Heinz Dipl.-Chem. 8900 Augsburg Stadler Verfahren zum Abscheiden von Metallen und/oder Halbmetallen auf Photoleitern sowie die Verwendung dieses Verfahrens
NL8702219A (nl) * 1987-09-16 1989-04-17 Philips Nv Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat.
US4814259A (en) * 1987-11-09 1989-03-21 Rockwell International Corporation Laser generated electrically conductive pattern
NL9000502A (nl) * 1990-03-05 1991-10-01 Philips Nv Werkwijze voor het herstellen van een defect in een lithografisch masker.
US5206102A (en) * 1991-11-15 1993-04-27 Rockwell International Corporation Photoelectrochemical imaging system
US5260108A (en) * 1992-03-10 1993-11-09 International Business Machines Corporation Selective seeding of Pd by excimer laser radiation through the liquid
US5378508A (en) * 1992-04-01 1995-01-03 Akzo Nobel N.V. Laser direct writing
US5834069A (en) * 1996-04-30 1998-11-10 Zentox Corporation In situ method for metalizing a semiconductor catalyst
FR2822167B1 (fr) * 2001-03-15 2004-07-16 Nexans Procede de metallisation d'une piece substrat
GB2385863A (en) * 2001-10-29 2003-09-03 Qinetiq Ltd High resolution patterning method
JP4521228B2 (ja) * 2003-07-28 2010-08-11 正也 市村 光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置
EP1610597A1 (de) * 2004-06-22 2005-12-28 Technomedica AG Ausscheiden von Kupfer zur Erzeugung von Leiterbahnen
US9435035B2 (en) 2010-01-15 2016-09-06 Byd Company Limited Metalized plastic articles and methods thereof
CN102071424B (zh) * 2010-02-26 2012-05-09 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
CN102071411B (zh) 2010-08-19 2012-05-30 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
CN104685976B (zh) * 2012-10-04 2019-05-31 东丽株式会社 导电图案的制造方法
KR101823660B1 (ko) 2013-08-09 2018-01-30 주식회사 엘지화학 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
CN103813651B (zh) * 2013-11-07 2017-05-10 溧阳市江大技术转移中心有限公司 一种覆铜板的制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3732100A (en) * 1968-04-01 1973-05-08 Itek Corp Method of making electrical capacitors
FR1601856A (en) * 1968-09-12 1970-09-21 Display system

Also Published As

Publication number Publication date
US4426442A (en) 1984-01-17
JPH0326816B2 (nl) 1991-04-12
JPS58106537A (ja) 1983-06-24
EP0081889A2 (en) 1983-06-22
EP0081889A3 (en) 1983-07-20
EP0081889B1 (en) 1985-10-30
DE3267190D1 (en) 1985-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8105633A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van metaalbeelden of patronen op en/of onder het oppervlak van een substraat met een halfgeleidende lichtgevoelige verbinding.
EP0180101B1 (en) Deposition of patterns using laser ablation
US4981715A (en) Method of patterning electroless plated metal on a polymer substrate
JP3407890B2 (ja) 非導電性支持体材料の上に配置されたパターン導線構造体、特に微細なパターン導線構造体およびそれの製造方法
US5260108A (en) Selective seeding of Pd by excimer laser radiation through the liquid
US5409741A (en) Method for metallizing surfaces by means of metal powders
Kordás et al. Laser-assisted metal deposition from liquid-phase precursors on polymers
BE1007610A3 (nl) Werkwijze voor het stroomloos aanbrengen van een metaalpatroon op een elektrisch isolerend substraat.
JPS591797B2 (ja) 選択的電気メツキ法
JPS5970755A (ja) エネルギ・ビームを用いた電気化学的処理方法
US4681774A (en) Laser induced selective electroless plating
JP2000503817A (ja) 非導電性支持体材料の上に配置されたパターン導体構造物、特に微細なパターン導体構造物およびそれの製造方法
IL98660A (en) Method of printing an image on a substrate particularly useful for producing printed circuit boards
NL8802047A (nl) Werkwijze voor het selectief op een substraat aanbrengen van een metaal uit de vloeistoffase met behulp van een laser.
US3783005A (en) Method of depositing a metal on a surface of a nonconductive substrate
JPH04268070A (ja) 基板上に金属層を形成するための方法
Lachish‐Zalait et al. Direct surface patterning from solutions: Localized microchemistry using a focused laser
US4738869A (en) Photoselective electroless plating method employing UV-absorbing substrates
KR100292652B1 (ko) 무전해도금용활성화촉매액및무전해도금방법
JP2005060828A (ja) 光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置
JP3742872B2 (ja) 光固定された微粒子を触媒とする無電解メッキ法
DE102005011345A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Nanostruktur auf einem Substrat
JPH0577748B2 (nl)
JP2005209817A (ja) 金属配線形成方法および金属配線形成装置
JPH03183784A (ja) 被メッキ基板表面の核中心生成法

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed