JPH03183784A - 被メッキ基板表面の核中心生成法 - Google Patents
被メッキ基板表面の核中心生成法Info
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- JPH03183784A JPH03183784A JP2317622A JP31762290A JPH03183784A JP H03183784 A JPH03183784 A JP H03183784A JP 2317622 A JP2317622 A JP 2317622A JP 31762290 A JP31762290 A JP 31762290A JP H03183784 A JPH03183784 A JP H03183784A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
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- C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、基板の表面に核中心（シート〉を形成して
その後の好ましくは無電解メッキ法によ加る表面金属化
処理を可能とする方法に関するものである。
その後の好ましくは無電解メッキ法によ加る表面金属化
処理を可能とする方法に関するものである。
（従来技術の説明）
核中心生成物質の化合物を分解するために短波長の光放
射を使用する方法は、ニスロム（Ｅｓｒ−５ｏｓ）氏他
による発表（Ｍａｔ、Ｒｅｓ、Ｓｏｃ、Ｓｙｍｐ、Ｐｒ
ｏｃ。
射を使用する方法は、ニスロム（Ｅｓｒ−５ｏｓ）氏他
による発表（Ｍａｔ、Ｒｅｓ、Ｓｏｃ、Ｓｙｍｐ、Ｐｒ
ｏｃ。
１９８９．１３１．５８１〉により周知である。
この種の別の既知方法では、波長が３０８ｎ＊、２４８
ｎｍおよび１９３ｎｓのエキシマレーザ放射を使って、
後続する無電解メッキ用の核中心な生成してｌＯいる。
ｎｍおよび１９３ｎｓのエキシマレーザ放射を使って、
後続する無電解メッキ用の核中心な生成してｌＯいる。
これらの既知の方法では、たとえばＩＯ’Ｗ ｃｍ−”
程度の大きさの電流フラックス値とＩ Ｊ Ｃｍ−’級
の放射パワー密度の、高出力に「Ｆエキシマレーザ・パ
ルスによって、酢酸パラジウムを光学的熱分解１５させ
てパラジウム核中心を作り出している。
程度の大きさの電流フラックス値とＩ Ｊ Ｃｍ−’級
の放射パワー密度の、高出力に「Ｆエキシマレーザ・パ
ルスによって、酢酸パラジウムを光学的熱分解１５させ
てパラジウム核中心を作り出している。
（発明の概要）
この発明の方法は、より低いフラックス密度でより高い
局部的分解および／あるいは核中心形成を行ない得る方
法を提供するという問題を解決す２０るものである。こ
の発明によれば、真空紫外領域の波長のシンクロトロン
放射により核中心生成を行なうことにより、これを遠戚
するものである。
局部的分解および／あるいは核中心形成を行ない得る方
法を提供するという問題を解決す２０るものである。こ
の発明によれば、真空紫外領域の波長のシンクロトロン
放射により核中心生成を行なうことにより、これを遠戚
するものである。
パラジウム層を真空紫外スペクトル領域（ＶＵＶ〉にお
けるシンクロトロン放射で照射することによる核中心の
生成は、１０１６光子Ｓ−’ｃｍ−”未満の、たとえば
５・１０１５光子Ｓ−’ｃｍ−２のブラックス値でさえ
も得ることができた。その際、このプロセスでは、殆ど
光−熱的プロセスは起こらず主に光１ｏ分角手プロセス
が起っている。
けるシンクロトロン放射で照射することによる核中心の
生成は、１０１６光子Ｓ−’ｃｍ−”未満の、たとえば
５・１０１５光子Ｓ−’ｃｍ−２のブラックス値でさえ
も得ることができた。その際、このプロセスでは、殆ど
光−熱的プロセスは起こらず主に光１ｏ分角手プロセス
が起っている。
二の
純粋な光−化学内核中心生成においては、エキ＾
シマ核中心生成法に比べると、パワー・フラックスｆ１
ｍｌ（ｉか現われず、従って、ヘテロ構造体やプラスチ
ックのような非常に感熱性の物質にも核中心１５生戊を
行なうことができる。
ｍｌ（ｉか現われず、従って、ヘテロ構造体やプラスチ
ックのような非常に感熱性の物質にも核中心１５生戊を
行なうことができる。
照射期間は、好ましくは少なくとも５分、特に１０分以
上が良く、約３０分まで長くてもよい。
上が良く、約３０分まで長くてもよい。
（実施例の説明）
この発明を実施するには、たとえば約４０〜３００２０
０ｍの波長範囲にあるシンクロトロン放射、好ましくは
１８０ｎｍ未渦の波長の放射を使用して行なうことかで
きる。特に、線スペクトル放射よりも実質的に連続スペ
クトル波長の放射を使用することが有利である。
０ｍの波長範囲にあるシンクロトロン放射、好ましくは
１８０ｎｍ未渦の波長の放射を使用して行なうことかで
きる。特に、線スペクトル放射よりも実質的に連続スペ
クトル波長の放射を使用することが有利である。
５ 〔実施例１〕
基板の要メッキ表面に、酢酸パラジウムのクロロホルム
溶液を遠心塗布法により塗布し乾燥することによって、
酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＩＬ−０□ＣＣＨ３）２）３の
層を形成する。塗布層の厚さは０．０５ｇｍで１０ある
ことが好ましい。
溶液を遠心塗布法により塗布し乾燥することによって、
酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＩＬ−０□ＣＣＨ３）２）３の
層を形成する。塗布層の厚さは０．０５ｇｍで１０ある
ことが好ましい。
この基板は、たとえばアルミニウム酸化物セラミックま
たはシリコン、或いは石英のような透明材料、またはポ
リアミドのようなポリマーで作ることができる。
たはシリコン、或いは石英のような透明材料、またはポ
リアミドのようなポリマーで作ることができる。
１５ 酢酸パラジウム層で被覆されたこの基板を、次
に、７ Ｘ １０−’パスカル（５ｘ １０−’）−−
ル）まで排気された高真空室中に容れて、約４０〜３０
０ｎｍの波長範囲に含まれる広帯域シンクロトロン放射
で照射する。照射時間はたとえば２０〜６０分までとす
る（資）ことができる０次に基板を真空室から取出し、
クロロホルムで洗滌して分解されなかった酢酸パラジウ
ムを取除く。
に、７ Ｘ １０−’パスカル（５ｘ １０−’）−−
ル）まで排気された高真空室中に容れて、約４０〜３０
０ｎｍの波長範囲に含まれる広帯域シンクロトロン放射
で照射する。照射時間はたとえば２０〜６０分までとす
る（資）ことができる０次に基板を真空室から取出し、
クロロホルムで洗滌して分解されなかった酢酸パラジウ
ムを取除く。
こうして調製した基板に、たとえばシップレイ（５ｈｉ
ｐｌｅｙ ）銅メッキ浴であるこの分野で周知の５銅メ
ッキ溶液中に入れて無電解化学メッキを施こす。
ｐｌｅｙ ）銅メッキ浴であるこの分野で周知の５銅メ
ッキ溶液中に入れて無電解化学メッキを施こす。
洗滌済みの基板上に被着したパラジウムの厚さは約２
Ｘ １０”’ｇｓに達する。電流を流すことなく、厚さ
が０．１５〜０．３μ量の、良好な付着性と導１０電性
を示す銅被着層が得られる。
Ｘ １０”’ｇｓに達する。電流を流すことなく、厚さ
が０．１５〜０．３μ量の、良好な付着性と導１０電性
を示す銅被着層が得られる。
（実施例２）
実施例１で述べたパラジウム核中心の形成された表面を
有するシリコン基板を、真空室（ｖａｃｕｏ）中で約２
００℃に加熱し、次いで圧力約２７０パスカ１５ル（２
トール）の水素化トリメチルアミンアルくニウム（ｔｒ
ｉｓｅｔｈｙｌ−神ａｍｉｎ ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｈ
ｙｄｒｉｄ。
有するシリコン基板を、真空室（ｖａｃｕｏ）中で約２
００℃に加熱し、次いで圧力約２７０パスカ１５ル（２
トール）の水素化トリメチルアミンアルくニウム（ｔｒ
ｉｓｅｔｈｙｌ−神ａｍｉｎ ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｈ
ｙｄｒｉｄ。
ＴＭ＾＾■）の蒸気に約１分間さらした。アルくニウム
は、パラジウム核中心が形成されている表面部分の上だ
けに被着した。
は、パラジウム核中心が形成されている表面部分の上だ
けに被着した。
加 シンクロトロン放射の波長は短いので、たとえばタ
ングステン層またはモリブデン層などの適当なマスクを
使えば、０．２ ｇｍ未満の幅を持った導電性トラック
のような構造体を作ることができる。
ングステン層またはモリブデン層などの適当なマスクを
使えば、０．２ ｇｍ未満の幅を持った導電性トラック
のような構造体を作ることができる。
５ 上記した方法によって、透明石英基板の表面を平均
フラックスが５ ｘ １０”光子Ｓ−’ｃｍ−” （
３ｍ Ｗｃｍ−２未満〉の放射で、具合良く核中心生成
することかできた。その基板に対する熱的負荷は、この
強度の放射では無視できる程度であるから、敏感１０な
基板であっても、悪影響を受けることなく、たとえばド
ープ剤の不要な事後拡散の危険を生ずることなしに、核
中心の生成とメッキを行なうことかできる。
フラックスが５ ｘ １０”光子Ｓ−’ｃｍ−” （
３ｍ Ｗｃｍ−２未満〉の放射で、具合良く核中心生成
することかできた。その基板に対する熱的負荷は、この
強度の放射では無視できる程度であるから、敏感１０な
基板であっても、悪影響を受けることなく、たとえばド
ープ剤の不要な事後拡散の危険を生ずることなしに、核
中心の生成とメッキを行なうことかできる。
上記した酢酸パラジウムの代りに、他の核中心１５形威
物質、特に金スクリーン・プリント染料（エンゲルハー
ド・ブライト； Ｇｏｌｄ ＮＷ ）やアセチルアセト
ン銅（ｎ）などの有機金属化合物を使用することもでき
る。
物質、特に金スクリーン・プリント染料（エンゲルハー
ド・ブライト； Ｇｏｌｄ ＮＷ ）やアセチルアセト
ン銅（ｎ）などの有機金属化合物を使用することもでき
る。
塗布処理は上記した方法以外の方法たとえば浸２０漬法
によって行ってもよい、この化学的に被着したメッキ層
は、その後電解法でまたはガス相からの熱被着法（ＣＶ
Ｄ）によって補強することができる。それは、核中心が
生成された位置におけるガス相からの化学的被着のため
の活性化エネルギが低下するからである。この様にして
、たとえばアルミニウムおよびタングステンの選択的被
着が可能となる。
によって行ってもよい、この化学的に被着したメッキ層
は、その後電解法でまたはガス相からの熱被着法（ＣＶ
Ｄ）によって補強することができる。それは、核中心が
生成された位置におけるガス相からの化学的被着のため
の活性化エネルギが低下するからである。この様にして
、たとえばアルミニウムおよびタングステンの選択的被
着が可能となる。
Claims (12)
- （１）被メッキ基板の表面を金属の被着用核中心を作り
得る物質の層で被覆し、この物質を照射により分解して
核中心を生成させる方法であって、その分解を、真空紫
外領域にある波長を有しその物質に熱分解を起さず実質
的に光分解を起させる強度のシンクロトロン放射で行な
う、被メッキ基板表面の核中心生成法。 - （２）最低４０ｎｍの波長のシンクロトロン放射を使用
する請求項（１）に記載の核中心生成法。 - （３）１８０ｎｍ未満の波長のシンクロトロン放射を使
用する請求項（１）に記載の核中心生成法。 - （４）連続スペクトル波長のシンクロトロン放射を使用
する請求項（１）に記載の核中心生成法。 - （５）基板の照射を選択的に行なう請求項（１）に記載
の核中心生成法。 - （６）被メッキ基板の表面を被覆する物質が酢酸パラジ
ウムである請求項（１）に記載の核中心生成法。 - （７）電流無しで金属が被着される請求項（１）に記載
の核中心生成法。 - （８）金属がＣＶＤ法で被着される請求項（１）に記載
の核中心生成法。 - （９）基板表面の単位面積当りのシンクロトロン放射の
強度が１０＾１＾６光子Ｓ＾−＾１ｃｍ＾−＾２以下で
ある請求項（１）に記載の核中心生成法。 - （１０）露光期間の長さが少なくとも５分に及ぶ請求項
（１）に記載の核中心生成法。 - （１１）露光期間の長さが少なくとも１０分に及ぶ請求
項（１）に記載の核中心生成法。 - （１２）露光期間の長さが約３０分に及ぶ請求項（１）
に記載の核中心生成法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3938669.4 | 1989-11-21 | ||
| DE3938669A DE3938669A1 (de) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | Verfahren zur bekeimung einer zu metallisierenden oberflaeche |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183784A true JPH03183784A (ja) | 1991-08-09 |
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ID=6393952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2317622A Pending JPH03183784A (ja) | 1989-11-21 | 1990-11-20 | 被メッキ基板表面の核中心生成法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0429070A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03183784A (ja) |
| DE (1) | DE3938669A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0909985A1 (en) * | 1990-09-26 | 1999-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photolithographic processing method and apparatus |
| DE4418016A1 (de) * | 1994-05-24 | 1995-11-30 | Wilfried Neuschaefer | Nichtleiter-Metallisierung |
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| DE19518512C2 (de) * | 1995-03-06 | 2001-11-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Palladiumhaltiges Precursormaterial und Verfahren zur Herstellung von metallischen Mikrostrukturen auf dielektrischen Substraten mit einem palladiumhaltigen Precursormaterial |
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