JPS6161377B2 - - Google Patents

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JPS6161377B2
JPS6161377B2 JP3220080A JP3220080A JPS6161377B2 JP S6161377 B2 JPS6161377 B2 JP S6161377B2 JP 3220080 A JP3220080 A JP 3220080A JP 3220080 A JP3220080 A JP 3220080A JP S6161377 B2 JPS6161377 B2 JP S6161377B2
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JP
Japan
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pattern
mask
light
corrected
slit
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JP3220080A
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English (en)
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JPS56128946A (en
Inventor
Atsushi Myahara
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Priority to IE559/81A priority patent/IE51020B1/en
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフオト・マスクの修正方法にかかり、
特にハード・マスクの修正方法に関する。
１枚のマスク基板に複数個の同一素子パターン
が整列形成されているワーク・コピー・マスク或
るいはマスタ・マスクで、且つ遮光膜がクロム等
からなるハード・マスクに於て、所定パターンの
他に余分に形成されている遮光膜、或るいは所定
パターンの欠除等のパターン異常を修正する際に
行つていた従来の方法は、先ず被処理マスクを自
動検査装置にかけ、被処理マスクの検査を行つ
て、該マスクに存在するパターン異常部の位置情
報を取得した後、該マスクと位置情報データを修
正装置にかけてパターン異常の修正を行う。
そして例えば余分に形成されている遮光膜（所
謂パターンの余分な出張りや黒点等）の除去修正
を行う際には、上記被処理マスクと異常部の位置
情報データをレーザ焼去装置にかけ、前記位置情
報データに基づいて被処理マスクのパターン異常
部を修正装置に配設されている顕微鏡の視野内に
現出せしめ、顕微鏡を通して目視により異常部の
位置及び形状を確かめ、該異常部に顕微鏡の視野
内に設けられている可変整形スリツト（例えば可
変矩形スリツト）を正確に整合し、該スリツトを
通してレーザ焼去を行つて異常部を除去してい
た。
又、遮光膜のパターン欠除（所謂ピンホールや
欠け等）の修正を行う際には被処理マスク上にポ
ジ・レジスト膜を被着して後、該被処理マスク及
び異常部の位置情報データをスポツト露光装置に
かけ、前記レーザ焼去装置の場合と同様に、パタ
ーン異常部に目視により可変整形スリツトを合わ
せ、該スリツトを通してスポツト露光を行なつた
後、ポジ・レジストの現像を行い露光部のポジ・
レジストを除去し、該レジストの窓部に露出せし
められたパターン欠除部にリフト・オフ法により
遮光膜を被着せしめていた。
然し、上記従来方法に於ては輪郭が明瞭でない
パターン異常部、例えば遮光膜に所定の窓が形成
されていない場合、或るいはマスクの透明部に所
定の遮光パターンが形成されていない場合等に於
てはスリツトを整合させる基準がないために修正
することができなかつた。
本発明は上記のように輪郭が明瞭でない異常パ
ターンに対しても正確に且つ容易に修正すること
が可能なフオト・マスク修正方法を提供する。
即ち、本発明は複数個の同一の素子パターンが
整列配設されてなるフオト・マスクの修正方法に
おいて、被修正部位パターンに対応する正常素子
パターンの部位パターンに対して可変整形スリツ
トを整合せしめ、且つ該正常素子パターンに於け
る特定パターンに基準線を整合せしめて前記可変
整形スリツトと前記基準線の相対位置を固定し、
被修正素子パターンの前記特定パターンに対応す
るパターンを前記基準線に整合せしめ、然る後前
記可変整形スリツトを介して前記被修正部位パタ
ーンの修正を行うことを特徴とする。
以下本発明を第１図及び第２図に示す工程説明
用上面図を用いて詳細に説明する。
本発明の修正方法により、クロム・マスクの輪
郭が明瞭でないパターン異常部、例えば窓パター
ンが脱落している遮光膜に所定の窓パターンを形
成する際には、先ず被処理マスクを自動マスク検
査装置にかけ検査を行い、パターン異常があつた
場合、その異常部位の座標データを作成する。次
いで被処理マスクをレーザー焼去装置にセツト
し、該焼去装置に前記座標データを入力し、該被
処理マスクの被修正部位パターンを焼去装置に附
属する顕微鏡の視野に現出せしめ、該位置を目視
により確認して後、顕微鏡の視野内に前記自動パ
ターン検査装置により良品と判定されている別の
正常素子パターンを手動により現出し、該正常素
子パターンに於ける前記被修正部位パターンに対
応する部位を見て被処理マスクの被修正部位パタ
ーン、例えば遮光膜に於ける窓パターンを見出
し、第１図に示すように修正用の焼去装置の顕微
鏡視野１内に点線で示す可変整形スリツト２の各
辺を前記窓パターン３の各辺に厳密に整合固定せ
しめ、（図に於いては理解を容易にするために可
変整形スリツト２の各辺と窓パターン３の各辺と
は間隔を置いて画かれているが、実際には厳密に
重ね合わせて整合せねばならない。）次いで同じ
く顕微鏡の視野内に配設され、独立に移動かつ固
定させることができる。例えば二本の基準線４ａ
及び４ｂを前記窓パターン３と同一顕微鏡視野内
の整合の容易な特定パターン５ａ，５ｂ、及び５
ｃに整合し固定せしめてさらに可変整形スリツト
と基準線の相対位置を固定した後、第２図に示す
ように再び手動で被修正素子パターン６′を顕微
鏡視野１内に現出せしめ、被処理マスクを移動さ
せて、被修正素子パターン６′に於ける前記特定
パターンと対応するパターン５a′，５b′及び５
c′を前記顕微鏡視野１内に固定せしめた基準線４
ａ及び４ｂと厳密に整合させる。
そして此の状態に於て前記顕微鏡の視野１内に
固定せしめた可変整形スリツト２は被修正部位パ
ターンに正確に一致するので、該可変整形スリツ
ト２を通して該可変整形スリツト２により限定さ
れた遮光膜パターンにレーザー光を照射し、該部
位の遮光膜を焼去して被修正素子パターンに於い
て脱落していた遮光膜の窓パターンを形成する。
なお、第１図に於て６は良品素子パターンを表
わす。
上記実施例に於ては本発明を遮光膜パターンに
窓パターンが脱落している際の修正方法について
説明したが、フオト・マスクの透明部に形成され
ていなければならない遮光パターンが脱落してい
るフオト・マスクを修正する際には、検査装置に
より異常部位の座標データ作成の完了したフオ
ト・マスクにポジ・レジスト層を被着し、スポツ
ト露光装置を用いて前記実施例と同様な方法によ
り可変整形スリツトにより限定される被修正素子
パターンの所定領域に露光を行い、次いで現像を
行つて前記露光領域のレジスト層を選択的に除去
し、レジスト層に窓部を形成し、該マスク上に例
えばクロム膜を被着せしめて後、リフト・オフ法
によりレジスト層上のクロム膜を除去しレジスト
層の窓部にクロムからなる脱落した被修正部位パ
ターンである遮光パターンと正確に一致する遮光
パターンを形成せしめる。
又、上記実施例に於ては本発明をクロム・マス
クについて説明したが、クロム・マスク以外のハ
ード・マスクにも適用することができる。
以上説明したように、本発明によればハード・
マスクの修正に際して輪郭の明瞭でない異常パタ
ーンである被修正部位パターンの修正を正確に、
且つ容易に行うことができるので、フオト・マス
クの製造歩留まりが向上し、フオト・マスクの製
造原価を低減せしめることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の工程説明用上面図
である。 図に於て、１は顕微鏡視野、２は可変整形スリ
ツト、３は窓パターン（被修正部位パターン）、
４ａ及び４ｂは基準線、５ａ，５ｂ及び５ｃは特
定パターン、５a′，５b′及び５b′は特定パターン
に対応するパターン、６は正常素子パターン、
６′は被修正素子パターン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 複数個の同一の素子パターンが整列配設され
    てなるフオト・マスクの修正方法において、被修
    正部位パターンに対応する正常素子パターンの部
    位パターンに対して可変整形スリツトを整合せし
    め、且つ該正常素子パターンに於ける特定パター
    ンに基準線を整合せしめて前記可変整形スリツト
    と前記基準線の相対位置を固定し、被修正素子パ
    ターンの前記特定パターンに対応するパターンを
    前記基準線に整合せしめ、然る後前記可変整形ス
    リツトを介して前記被修正部位パターンの修正を
    行うことを特徴とするフオト・マスク修正方法。
JP3220080A 1980-03-14 1980-03-14 Photomask correcting method Granted JPS56128946A (en)

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JP3220080A JPS56128946A (en) 1980-03-14 1980-03-14 Photomask correcting method
DE8181301061T DE3163942D1 (en) 1980-03-14 1981-03-13 Method and apparatus for amending a photomask
EP81301061A EP0036310B1 (en) 1980-03-14 1981-03-13 Method and apparatus for amending a photomask
IE559/81A IE51020B1 (en) 1980-03-14 1981-03-13 Method and apparatus for amending a photomask
US06/941,551 US4789611A (en) 1980-03-14 1986-12-11 Method for amending a photomask

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JPS56128946A JPS56128946A (en) 1981-10-08
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Also Published As

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EP0036310A2 (en) 1981-09-23
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