JPS6235667B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6235667B2 JPS6235667B2 JP19542483A JP19542483A JPS6235667B2 JP S6235667 B2 JPS6235667 B2 JP S6235667B2 JP 19542483 A JP19542483 A JP 19542483A JP 19542483 A JP19542483 A JP 19542483A JP S6235667 B2 JPS6235667 B2 JP S6235667B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- metal thin
- negative photoresist
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- film pattern
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路等の製造工程におい
て使用されるフオトマスクのパターン修正方法、
特に、パターン幅と、そのパターンに白欠陥部分
があれば、その白欠陥部分の修正方法に関する。
て使用されるフオトマスクのパターン修正方法、
特に、パターン幅と、そのパターンに白欠陥部分
があれば、その白欠陥部分の修正方法に関する。
上記白欠陥部分とは、金属薄膜パターンが形成
されるべき領域において、その金属薄膜が欠けて
いる箇所のことであり、例えば第１図に示すよう
に、ガラス基板１上にＨ字状の金属パターン２が
形成されている場合に、その金属パターン２の存
在すべき領域内において白欠陥部分３が存在して
いる。このような白欠陥部分３を有するフオトマ
スクは、これを半導体集積回路の製造工程に使用
した場合、集積回路パターンに断線等を引き起こ
す原因になるため、その白欠陥部分３を修正しな
ければならない。
されるべき領域において、その金属薄膜が欠けて
いる箇所のことであり、例えば第１図に示すよう
に、ガラス基板１上にＨ字状の金属パターン２が
形成されている場合に、その金属パターン２の存
在すべき領域内において白欠陥部分３が存在して
いる。このような白欠陥部分３を有するフオトマ
スクは、これを半導体集積回路の製造工程に使用
した場合、集積回路パターンに断線等を引き起こ
す原因になるため、その白欠陥部分３を修正しな
ければならない。
一方、金属パターン２の幅Ｗが所望値よりも小
さかつた場合、従来、パターン幅の修正方法が未
開発であつたため、そのフオトマスクは不良とす
るしかなかつた。
さかつた場合、従来、パターン幅の修正方法が未
開発であつたため、そのフオトマスクは不良とす
るしかなかつた。
本発明の第１の目的は、金属パターンに白欠陥
部分が存在している場合には、修正のための金属
薄膜を形成済の金属薄膜パターン上に平坦状に形
成すると共に、その白欠陥部分に埋設形成し、か
つ容易に行うことのできるフオトマスクのパター
ン修正方法を提供することである。本発明の第２
の目的は、形成済の金属薄膜パターン幅を所望値
に修正することのできるフオトマスクのパターン
修正方法を提供することである。
部分が存在している場合には、修正のための金属
薄膜を形成済の金属薄膜パターン上に平坦状に形
成すると共に、その白欠陥部分に埋設形成し、か
つ容易に行うことのできるフオトマスクのパター
ン修正方法を提供することである。本発明の第２
の目的は、形成済の金属薄膜パターン幅を所望値
に修正することのできるフオトマスクのパターン
修正方法を提供することである。
このような目的を達成するため、本発明は、遮
光性の金属薄膜パターンを形成した側のガラス基
板の一方の主面上にネガ型フオトレジストを被覆
する工程と、前記ガラス基板の他方の主面側から
前記金属薄膜パターンを通して前記ネガ型フオト
レジストを露光する工程と、前記ネガ型フオトレ
ジストを現像して前記金属薄膜パターン上におけ
る未露光部分を除去する工程と、前記金属薄膜パ
ターンに隣接する前記ネガ型フオトレジストの部
分をプラズマ放電により所定幅だけ除去する工程
と、前記ネガ型フオトレジストの領域上に前記ネ
ガ型フオトレジストの除去部分上と前記金属薄膜
パターンの領域上とに新たな遮光性の金属薄膜を
形成する工程と、前記ネガ型フオトレジストの露
光部分を剥離する工程を必須構成としている。
光性の金属薄膜パターンを形成した側のガラス基
板の一方の主面上にネガ型フオトレジストを被覆
する工程と、前記ガラス基板の他方の主面側から
前記金属薄膜パターンを通して前記ネガ型フオト
レジストを露光する工程と、前記ネガ型フオトレ
ジストを現像して前記金属薄膜パターン上におけ
る未露光部分を除去する工程と、前記金属薄膜パ
ターンに隣接する前記ネガ型フオトレジストの部
分をプラズマ放電により所定幅だけ除去する工程
と、前記ネガ型フオトレジストの領域上に前記ネ
ガ型フオトレジストの除去部分上と前記金属薄膜
パターンの領域上とに新たな遮光性の金属薄膜を
形成する工程と、前記ネガ型フオトレジストの露
光部分を剥離する工程を必須構成としている。
以下、実施例図面を参照して本発明を詳細に説
明する。
明する。
第２図は、本発明の一実施例による各工程を示
す要部拡大断面図であり、透光性のアルミノボロ
シリケートガラス（(株)保谷硝子製：LE−30）等
から製作されたガラス基板１の主面上に、遮光性
金属薄膜としてクロム（Cr）等の金属薄膜パタ
ーン２（膜厚：約700Å）を真空蒸着等により所
定形状に形成した場合、その金属薄膜パターン２
の領域内に、第１図ａに示したように白欠陥部分
３（寸法：３μｍ）と、パターン２の幅Ｗが所望
値より小さい幅を有する事例を示し、同図ａにお
いて、ネガ型フオトレジスト４（例えば、東京応
化工業(株)製：OMR−83、膜厚：約7000Å）を、
金属薄膜パターン２の形成されている側のガラス
基板１の一方の主面上、すなわち、金属薄膜パタ
ーン２の形成されている以外の領域におけるガラ
ス基板１の一方の主面上と、金属薄膜パターン２
の領域上（白欠陥部分３を有するガラス基板１の
表面部分を含む。）とに被覆する。このレジスト
４の解像度は、白欠陥部分３の寸法を解像しない
程度であれば、後の露光・現像工程において白欠
陥部分３があたかも存在しないと同様に作用し、
換言すれば未露光と同様に作用する。一般に、ネ
ガ型フオトレジストの解像度は、そのレジストに
ついて所定の露光・現像条件において求められた
最高値であることから、本例の白欠陥部分３の寸
法値（３μｍ）以上に選定した場合、その白欠陥
部分３に対して未露光部分として取り扱われる。
また、露光・現像の各条件を変えた場合には、レ
ジストの解像度も増大することがあることから、
必ずしも個々のレジスト材料に挙げられた解像度
に限定されず、本発明におけるネガ型フオトレジ
ストの解像度は、後の露光・現像工程において白
欠陥部分に対して実質的に未露光部分として作用
する程度であればよい。なお、金属薄膜パターン
２の領域内に白欠陥部分３が存在しない場合に
は、白欠陥部分とネガ型フオトレジストの解像度
の関係について考慮する必要がないことは勿論で
ある。
す要部拡大断面図であり、透光性のアルミノボロ
シリケートガラス（(株)保谷硝子製：LE−30）等
から製作されたガラス基板１の主面上に、遮光性
金属薄膜としてクロム（Cr）等の金属薄膜パタ
ーン２（膜厚：約700Å）を真空蒸着等により所
定形状に形成した場合、その金属薄膜パターン２
の領域内に、第１図ａに示したように白欠陥部分
３（寸法：３μｍ）と、パターン２の幅Ｗが所望
値より小さい幅を有する事例を示し、同図ａにお
いて、ネガ型フオトレジスト４（例えば、東京応
化工業(株)製：OMR−83、膜厚：約7000Å）を、
金属薄膜パターン２の形成されている側のガラス
基板１の一方の主面上、すなわち、金属薄膜パタ
ーン２の形成されている以外の領域におけるガラ
ス基板１の一方の主面上と、金属薄膜パターン２
の領域上（白欠陥部分３を有するガラス基板１の
表面部分を含む。）とに被覆する。このレジスト
４の解像度は、白欠陥部分３の寸法を解像しない
程度であれば、後の露光・現像工程において白欠
陥部分３があたかも存在しないと同様に作用し、
換言すれば未露光と同様に作用する。一般に、ネ
ガ型フオトレジストの解像度は、そのレジストに
ついて所定の露光・現像条件において求められた
最高値であることから、本例の白欠陥部分３の寸
法値（３μｍ）以上に選定した場合、その白欠陥
部分３に対して未露光部分として取り扱われる。
また、露光・現像の各条件を変えた場合には、レ
ジストの解像度も増大することがあることから、
必ずしも個々のレジスト材料に挙げられた解像度
に限定されず、本発明におけるネガ型フオトレジ
ストの解像度は、後の露光・現像工程において白
欠陥部分に対して実質的に未露光部分として作用
する程度であればよい。なお、金属薄膜パターン
２の領域内に白欠陥部分３が存在しない場合に
は、白欠陥部分とネガ型フオトレジストの解像度
の関係について考慮する必要がないことは勿論で
ある。
次に、同図ｂにおいて、ガラス基板１の他方の
主面側から、紫外光７（光量：50mj／cm2）を照
射し、金属薄膜パターン２を通してネガ型フオト
レジスト４を露光する。この露光により、金属薄
膜パターン２が占めている領域以外のレジスト部
分は露光部分５を形成し、金属薄膜パターン２の
領域上のレジスト部分は（白欠陥部分３が存在す
る場合には、その白欠陥部分３上のレジスト部分
を含む。）未露光部分６を形成する。
主面側から、紫外光７（光量：50mj／cm2）を照
射し、金属薄膜パターン２を通してネガ型フオト
レジスト４を露光する。この露光により、金属薄
膜パターン２が占めている領域以外のレジスト部
分は露光部分５を形成し、金属薄膜パターン２の
領域上のレジスト部分は（白欠陥部分３が存在す
る場合には、その白欠陥部分３上のレジスト部分
を含む。）未露光部分６を形成する。
次に、同図ｃにおいて、ネガ型フオトレジスト
４に応じた専用現像液により、所定時間（180
秒）で現像処理され、未露光部分６は除去され、
露光部分５はほぼ半分の厚さの残存レジスト部分
８を形成する。その結果、金属薄膜パターン２
（白欠陥部分３を含む。）は露出する。また、同図
ｄに示す残存レジスト８′は、先の露光工程にお
いて露光量を所定値（50mJ／cm2）より多くし
（例えば、60mJ／cm2）、現像条件を同図ｃに記し
た工程と同一にして現像した場合に得られ、金属
薄膜パターン２のエツジ部分が残存レジスト８′
により被覆されている。
４に応じた専用現像液により、所定時間（180
秒）で現像処理され、未露光部分６は除去され、
露光部分５はほぼ半分の厚さの残存レジスト部分
８を形成する。その結果、金属薄膜パターン２
（白欠陥部分３を含む。）は露出する。また、同図
ｄに示す残存レジスト８′は、先の露光工程にお
いて露光量を所定値（50mJ／cm2）より多くし
（例えば、60mJ／cm2）、現像条件を同図ｃに記し
た工程と同一にして現像した場合に得られ、金属
薄膜パターン２のエツジ部分が残存レジスト８′
により被覆されている。
次に、同図ｅにおいて、プラズマアツシングに
より金属薄膜パターン２のエツジ部分から残存レ
ジスト８のエツジ部分にかけて間隙ｄ（本例ｄ＝
0.1μｍ）の残存レジスト部分８をプラズマ放電
させて除去し、残存レジスト部分９を形成する。
なお、本例のプラズマ放電条件は、高周波電力：
75W、真空度：1Torr、処理時間：１〜５分であ
る。ここで、プラズマアツシングによるプラズマ
放電は、酸素プラズマ雰囲気中におかれたレジス
トが酸素ラジカルと反応して、CO，CO2，H2O
ガスとなつて、レジストが分解し、その表面から
除去されるため、レジストがその膜厚方向とこれ
に垂直方向（金属薄膜パターンの幅Ｗ方向）とに
対してそれぞれ均一に削られるように作用し、レ
ジスト膜厚の減小と共に、垂直方向をも削られ
て、間隙ｄを形成する。この間隙ｄはプラズマ放
電処理時間に応じて0.1〜0.3μｍ程度まで可能で
ある。なお、レジスト膜厚の減小は、膜厚自体が
間隙ｄより数倍〜数十倍も厚く形成され得るから
問題にはならない。このようなプラズマ放電は間
隙ｄを形成するのみならず、金属薄膜パターン２
の領域上の汚れ及び間隙ｄによるガラス基板１の
露出部分の汚れをそれぞれ除去し、金属薄膜の付
着強度をも向上させる効果を奏する。
より金属薄膜パターン２のエツジ部分から残存レ
ジスト８のエツジ部分にかけて間隙ｄ（本例ｄ＝
0.1μｍ）の残存レジスト部分８をプラズマ放電
させて除去し、残存レジスト部分９を形成する。
なお、本例のプラズマ放電条件は、高周波電力：
75W、真空度：1Torr、処理時間：１〜５分であ
る。ここで、プラズマアツシングによるプラズマ
放電は、酸素プラズマ雰囲気中におかれたレジス
トが酸素ラジカルと反応して、CO，CO2，H2O
ガスとなつて、レジストが分解し、その表面から
除去されるため、レジストがその膜厚方向とこれ
に垂直方向（金属薄膜パターンの幅Ｗ方向）とに
対してそれぞれ均一に削られるように作用し、レ
ジスト膜厚の減小と共に、垂直方向をも削られ
て、間隙ｄを形成する。この間隙ｄはプラズマ放
電処理時間に応じて0.1〜0.3μｍ程度まで可能で
ある。なお、レジスト膜厚の減小は、膜厚自体が
間隙ｄより数倍〜数十倍も厚く形成され得るから
問題にはならない。このようなプラズマ放電は間
隙ｄを形成するのみならず、金属薄膜パターン２
の領域上の汚れ及び間隙ｄによるガラス基板１の
露出部分の汚れをそれぞれ除去し、金属薄膜の付
着強度をも向上させる効果を奏する。
その結果、プラズマ放電後の残存レジススト部
分９は金属薄膜パターン２の幅方向において、そ
の両側に間隙ｄだけがガラス基板１の露出部分を
形成する。
分９は金属薄膜パターン２の幅方向において、そ
の両側に間隙ｄだけがガラス基板１の露出部分を
形成する。
なお、このようなプラズマ放電工程は、同図ｄ
に示した残存レレジスト８′に対しても同様に行
える。
に示した残存レレジスト８′に対しても同様に行
える。
次に、同図ｆにおいて、新たなクロム等の遮光
性金属薄膜１０（膜厚：約700Å）を残存レジス
ト９と、間隙ｄのガラス基板の露出部分と、金属
薄膜２（白欠陥部分３があれば、その白欠陥部分
３を含む。）上に真空蒸着等により形成する。
性金属薄膜１０（膜厚：約700Å）を残存レジス
ト９と、間隙ｄのガラス基板の露出部分と、金属
薄膜２（白欠陥部分３があれば、その白欠陥部分
３を含む。）上に真空蒸着等により形成する。
そして、同図ｇにおいて、使用したネガ型フオ
トレジストに応じたレジスト剥離液（本例：過酸
化水素水と熱濃硫酸の混合液）により残存レジス
ト９を剥離し、その残存レジスト９上の金属薄膜
１０の部分をも同時に剥離して、新たな金属薄膜
パターン部分１１を金属薄膜パターン２上に形成
すると共に、白欠陥部分３が存在すれば、その白
欠陥部分３にも埋設形成する。その結果、金属薄
膜パターン２の幅Ｗを所望値幅（Ｗ＋2d）に修
正すると共に、白欠陥部分３が存在すれば、修正
すべき金属薄膜１１を金属薄膜パターン２と白欠
陥部分３にほぼ平坦状に形成することができる。
また、本発明による露光工程は、露光径の調整を
不要にして、修正方法を容易にすることができ
る。
トレジストに応じたレジスト剥離液（本例：過酸
化水素水と熱濃硫酸の混合液）により残存レジス
ト９を剥離し、その残存レジスト９上の金属薄膜
１０の部分をも同時に剥離して、新たな金属薄膜
パターン部分１１を金属薄膜パターン２上に形成
すると共に、白欠陥部分３が存在すれば、その白
欠陥部分３にも埋設形成する。その結果、金属薄
膜パターン２の幅Ｗを所望値幅（Ｗ＋2d）に修
正すると共に、白欠陥部分３が存在すれば、修正
すべき金属薄膜１１を金属薄膜パターン２と白欠
陥部分３にほぼ平坦状に形成することができる。
また、本発明による露光工程は、露光径の調整を
不要にして、修正方法を容易にすることができ
る。
なお、本発明における材質は前述した実施例に
限定されず、例えば、ガラス基板についてはソー
ダライムガラス及び合成石英等、金属薄膜につい
ては酸化クロム、モリブデン、タングステン及び
チタン等の薄膜、並びに成膜法としてはスパツタ
リング及びイオンプレーテイング等を使用しても
よい。
限定されず、例えば、ガラス基板についてはソー
ダライムガラス及び合成石英等、金属薄膜につい
ては酸化クロム、モリブデン、タングステン及び
チタン等の薄膜、並びに成膜法としてはスパツタ
リング及びイオンプレーテイング等を使用しても
よい。
第１図は金属薄膜パターンを形成した従来のフ
オトマスクを示し、同図ａは正面図及び同図ｂは
同図ａのＸ−Ｘ線上の要部拡大断面図である。第
２図ａ〜ｇは本発明による実施例であるフオトマ
スクのパターン修正方法を示す各工程の要部拡大
断面図である。 １……ガラス基板、２……金属薄膜パターン、
３……白欠陥部分、４……ネガ型フオトレジス
ト、５……レジスト露光部分、６……レジスト未
露光部分、８，８′……現像後の残存レジスト部
分、９……プラズマ放電後の残存レジスト部分、
１０……新たな金属薄膜、１１……剥離後の新た
な金属薄膜。
オトマスクを示し、同図ａは正面図及び同図ｂは
同図ａのＸ−Ｘ線上の要部拡大断面図である。第
２図ａ〜ｇは本発明による実施例であるフオトマ
スクのパターン修正方法を示す各工程の要部拡大
断面図である。 １……ガラス基板、２……金属薄膜パターン、
３……白欠陥部分、４……ネガ型フオトレジス
ト、５……レジスト露光部分、６……レジスト未
露光部分、８，８′……現像後の残存レジスト部
分、９……プラズマ放電後の残存レジスト部分、
１０……新たな金属薄膜、１１……剥離後の新た
な金属薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 遮光性の金属薄膜パターンを形成した側のガ
ラス基板の一方の主面上にネガ型フオトレジスト
を被覆する工程と、前記ガラス基板の他方の主面
側から前記金属薄膜パターンを通して前記ネガ型
フオトレジストを露光する工程と、前記ネガ型フ
オトレジストを現像して前記金属薄膜パターン上
における未露光部分を除去する工程と、前記金属
薄膜パターンに隣接する前記ネガ型フオトレジス
トの部分をプラズマ放電により所定幅だけ除去す
る工程と、前記ネガ型フオトレジストの領域上と
前記ネガ型フオトレジストの除去部分上と前記金
属薄膜パターンの領域上とに新たな遮光性の金属
薄膜を形成する工程と、前記ネガ型フオトレジス
トの露光部分を剥離する工程とを含むことを特徴
とするフオトマスクのパターン修正方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記金属薄
膜パターンの領域内に白欠陥部分が存在し、前記
ネガ型フオトレジストが露光・現像工程において
前記白欠陥部分に対して実質的に未露光になる解
像度を有することを特徴とするフオトマスクのパ
ターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195424A JPS6086830A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | フオトマスクのパタ−ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195424A JPS6086830A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | フオトマスクのパタ−ン修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086830A JPS6086830A (ja) | 1985-05-16 |
| JPS6235667B2 true JPS6235667B2 (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=16340840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195424A Granted JPS6086830A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | フオトマスクのパタ−ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086830A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195662A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-28 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスクリペア方法及び装置 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58195424A patent/JPS6086830A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6086830A (ja) | 1985-05-16 |
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