JPH06308713A - 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス - Google Patents
位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクスInfo
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- JPH06308713A JPH06308713A JP8343493A JP8343493A JPH06308713A JP H06308713 A JPH06308713 A JP H06308713A JP 8343493 A JP8343493 A JP 8343493A JP 8343493 A JP8343493 A JP 8343493A JP H06308713 A JPH06308713 A JP H06308713A
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- Japan
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- chromium
- phase shift
- oxygen
- shift photomask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 通常フォトマスク洗浄に用いられている物理
的洗浄がそのまま適応でき、かつ、高精度で垂直な加工
断面を有する位相シフトフォトマスク及び位相シフトフ
ォトマスク用ブランクス。 【構成】 透明基板１上に、透明な領域５と物理的気相
成長法により形成したクロム化合物からなる半透明層４
の領域とを有し、転写時の露光波長に対して、透明な領
域５の透過率を１００％としたとき、半透明層４の領域
の透過率が３〜３５％であり、かつ、半透明層４の領域
が透明な領域５に対して、露光波長の位相を実質上１８
０°シフトさせる構成とする。クロム化合物は、クロ
ム、酸素、又は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、
酸素、炭素、又は、クロム、酸素、窒素、炭素からな
り、単層膜又は２層以上の多層膜からなる。
的洗浄がそのまま適応でき、かつ、高精度で垂直な加工
断面を有する位相シフトフォトマスク及び位相シフトフ
ォトマスク用ブランクス。 【構成】 透明基板１上に、透明な領域５と物理的気相
成長法により形成したクロム化合物からなる半透明層４
の領域とを有し、転写時の露光波長に対して、透明な領
域５の透過率を１００％としたとき、半透明層４の領域
の透過率が３〜３５％であり、かつ、半透明層４の領域
が透明な領域５に対して、露光波長の位相を実質上１８
０°シフトさせる構成とする。クロム化合物は、クロ
ム、酸素、又は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、
酸素、炭素、又は、クロム、酸素、窒素、炭素からな
り、単層膜又は２層以上の多層膜からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の
高密度集積回路等の製造に用いられる位相シフトフォト
マスク及びそれを製造するための位相シフトフォトマス
ク用ブランクスに関する。
高密度集積回路等の製造に用いられる位相シフトフォト
マスク及びそれを製造するための位相シフトフォトマス
ク用ブランクスに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積
回路は、酸化、ＣＶＤ、スパッタリング等の薄膜形成工
程と、シリコンウェーハ等の被加工基板上にフォトレジ
ストを塗布し、フォトマスクを用いた縮小投影ステッパ
等により所望のパタンを露光した後、現像、エッチング
を行う、いわゆるフォトリソグラフィ工程やイオン注入
等の拡散工程を繰り返すことにより製造されている。
回路は、酸化、ＣＶＤ、スパッタリング等の薄膜形成工
程と、シリコンウェーハ等の被加工基板上にフォトレジ
ストを塗布し、フォトマスクを用いた縮小投影ステッパ
等により所望のパタンを露光した後、現像、エッチング
を行う、いわゆるフォトリソグラフィ工程やイオン注入
等の拡散工程を繰り返すことにより製造されている。
【０００３】このようなフォトリソグラフィ工程により
形成されるフォトレジストパタンの最小図形サイズは、
半導体集積回路の高速化、高集積化に伴って益々微細化
が要求されてきており、通常のフォトマスクを用いた縮
小投影ステッパ露光方式では解像限界となり、この限界
を克服する技術として、例えば、特開昭５８−１７３７
４４号、特開平４−１３６８５４号公報に示されている
ような新しい構造を有する位相シフトフォトマスク及び
この位相シフトフォトマスクを用いた位相シフト露光法
が提案されている。
形成されるフォトレジストパタンの最小図形サイズは、
半導体集積回路の高速化、高集積化に伴って益々微細化
が要求されてきており、通常のフォトマスクを用いた縮
小投影ステッパ露光方式では解像限界となり、この限界
を克服する技術として、例えば、特開昭５８−１７３７
４４号、特開平４−１３６８５４号公報に示されている
ような新しい構造を有する位相シフトフォトマスク及び
この位相シフトフォトマスクを用いた位相シフト露光法
が提案されている。
【０００４】この位相シフト露光法は、フォトマスク上
に形成した位相シフトパタンを透過する露光光の位相を
操作することにより、解像力及び焦点深度を向上させる
技術である。
に形成した位相シフトパタンを透過する露光光の位相を
操作することにより、解像力及び焦点深度を向上させる
技術である。
【０００５】本発明に係るハーフトーン位相シフトフォ
トマスクの従来の一例として、特開平４−１３６８５４
号公報の中の一例を図５の断面図に示す。このフォトマ
スクは、ガラス基板１１の上に吸光材を添加した塗布ガ
ラス（ＳＯＧ）からなる半透明膜１２のパターンが設け
てあり、この半透明膜１２の膜厚ｔは、 ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ の関係を満足するように調整されている。ここで、λは
露光光の波長、ｎは半透明膜１２の露光波長での屈折率
である。また、露光波長での半透明膜１２の透過率は、
透過部１３での透過率を１００％とするとき、１％から
５０％である。
トマスクの従来の一例として、特開平４−１３６８５４
号公報の中の一例を図５の断面図に示す。このフォトマ
スクは、ガラス基板１１の上に吸光材を添加した塗布ガ
ラス（ＳＯＧ）からなる半透明膜１２のパターンが設け
てあり、この半透明膜１２の膜厚ｔは、 ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ の関係を満足するように調整されている。ここで、λは
露光光の波長、ｎは半透明膜１２の露光波長での屈折率
である。また、露光波長での半透明膜１２の透過率は、
透過部１３での透過率を１００％とするとき、１％から
５０％である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、塗布ガラスは、通常のフォトマスクで用いられるス
パッタリング等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）により形
成した膜に比べて、基板との付着強度が低く、通常のフ
ォトマスク加工時に一般的に行われているブラシ洗浄、
高圧水洗浄、超音波洗浄等の物理的洗浄によっては、膜
剥がれやクラックが発生したりするため、十分に清浄な
洗浄を行うことが困難であった。
に、塗布ガラスは、通常のフォトマスクで用いられるス
パッタリング等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）により形
成した膜に比べて、基板との付着強度が低く、通常のフ
ォトマスク加工時に一般的に行われているブラシ洗浄、
高圧水洗浄、超音波洗浄等の物理的洗浄によっては、膜
剥がれやクラックが発生したりするため、十分に清浄な
洗浄を行うことが困難であった。
【０００７】また、一般に、塗布ガラスは、露光波長３
６５ｎｍ（ｉ線）での屈折率が１．４〜１．５程度と小
さく、１８０°位相シフトのためには３６５ｎｍ〜４５
６ｎｍ程度の厚さだけ必要であるので、通常のフォトマ
スクのクロムやモリブデンシリサイドを主体とする遮光
膜の膜厚の６０ｎｍ〜１３０ｎｍ程度に比べて厚いた
め、そのエッチング加工精度が悪くなり、垂直な加工断
面を得難いという欠点があった。
６５ｎｍ（ｉ線）での屈折率が１．４〜１．５程度と小
さく、１８０°位相シフトのためには３６５ｎｍ〜４５
６ｎｍ程度の厚さだけ必要であるので、通常のフォトマ
スクのクロムやモリブデンシリサイドを主体とする遮光
膜の膜厚の６０ｎｍ〜１３０ｎｍ程度に比べて厚いた
め、そのエッチング加工精度が悪くなり、垂直な加工断
面を得難いという欠点があった。
【０００８】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、通常フォトマス
ク洗浄に用いられている物理的洗浄がそのまま適応で
き、かつ、高精度で垂直な加工断面を有する位相シフト
フォトマスク及びそのための位相シフトフォトマスク用
ブランクスを提供することである。
みてなされたものであり、その目的は、通常フォトマス
ク洗浄に用いられている物理的洗浄がそのまま適応で
き、かつ、高精度で垂直な加工断面を有する位相シフト
フォトマスク及びそのための位相シフトフォトマスク用
ブランクスを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題に
鑑み、通常フォトマスクの清浄な洗浄に用いられている
ブラシ洗浄、高圧水洗浄、超音波洗浄等の物理的洗浄が
そのまま適応でき、十分に清浄な洗浄が可能で、かつ、
高精度で垂直な加工断面を有する位相シフトフォトマス
ク及びそのための位相シフトフォトマスク用ブランクス
を開発すべく検討した結果、完成に到ったものである。
鑑み、通常フォトマスクの清浄な洗浄に用いられている
ブラシ洗浄、高圧水洗浄、超音波洗浄等の物理的洗浄が
そのまま適応でき、十分に清浄な洗浄が可能で、かつ、
高精度で垂直な加工断面を有する位相シフトフォトマス
ク及びそのための位相シフトフォトマスク用ブランクス
を開発すべく検討した結果、完成に到ったものである。
【００１０】すなわち、本発明の位相シフトフォトマス
クは、透明基板上に、透明な領域と物理的気相成長法に
より形成したクロム化合物からなる半透明層の領域とを
有し、転写時の露光波長に対して、透明な領域の透過率
を１００％としたとき、半透明層の領域の透過率が３〜
３５％であり、かつ、半透明層の領域が透明な領域に対
して、露光波長の位相を実質上１８０°シフトさせる構
成としたことを特徴とするものである。
クは、透明基板上に、透明な領域と物理的気相成長法に
より形成したクロム化合物からなる半透明層の領域とを
有し、転写時の露光波長に対して、透明な領域の透過率
を１００％としたとき、半透明層の領域の透過率が３〜
３５％であり、かつ、半透明層の領域が透明な領域に対
して、露光波長の位相を実質上１８０°シフトさせる構
成としたことを特徴とするものである。
【００１１】この場合、クロム化合物が、クロム、酸
素、又は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、酸素、
炭素、又は、クロム、酸素、窒素、炭素からなり、か
つ、半透明層が単層膜又は２層以上の多層膜からなるこ
とが望ましい。
素、又は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、酸素、
炭素、又は、クロム、酸素、窒素、炭素からなり、か
つ、半透明層が単層膜又は２層以上の多層膜からなるこ
とが望ましい。
【００１２】また、本発明の位相シフトフォトマスク用
ブランクスは、透明基板上に、物理的気相成長法により
形成したクロム化合物からなる半透明層を有し、転写時
の露光波長に対して、透明基板の透過率を１００％とし
たとき、半透明層の透過率が３〜３５％であり、かつ、
半透明層の露光波長の位相シフト量が実質上１８０°と
なる構成としたことを特徴とするものである。
ブランクスは、透明基板上に、物理的気相成長法により
形成したクロム化合物からなる半透明層を有し、転写時
の露光波長に対して、透明基板の透過率を１００％とし
たとき、半透明層の透過率が３〜３５％であり、かつ、
半透明層の露光波長の位相シフト量が実質上１８０°と
なる構成としたことを特徴とするものである。
【００１３】この場合、クロム化合物が、クロム、酸
素、又は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、酸素、
炭素、又は、クロム、酸素、窒素、炭素からなり、か
つ、半透明層が単層膜又は２層以上の多層膜からなるこ
とが望ましい。
素、又は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、酸素、
炭素、又は、クロム、酸素、窒素、炭素からなり、か
つ、半透明層が単層膜又は２層以上の多層膜からなるこ
とが望ましい。
【００１４】ここで、半透明層としてのクロム化合物を
形成する物理的気相成長法としては、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、蒸着法等の真空成膜法が
あげられるが、現状では、スパッタリング法が特に好適
である。また、半透明層の透過率は、透明な領域又は透
明基板の透過率を１００％としたとき、３〜３５％で効
果があり、さらに、５〜２０％の範囲が好適である。
形成する物理的気相成長法としては、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、蒸着法等の真空成膜法が
あげられるが、現状では、スパッタリング法が特に好適
である。また、半透明層の透過率は、透明な領域又は透
明基板の透過率を１００％としたとき、３〜３５％で効
果があり、さらに、５〜２０％の範囲が好適である。
【００１５】また、クロム化合物は、クロム、酸素、又
は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、酸素、炭素、
又は、クロム、酸素、窒素、炭素からなるが、チタン、
タングステン、タンタル、モリブデン等のクロム以外の
遷移金属をその他として含有していてもよい。
は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、酸素、炭素、
又は、クロム、酸素、窒素、炭素からなるが、チタン、
タングステン、タンタル、モリブデン等のクロム以外の
遷移金属をその他として含有していてもよい。
【００１６】また、さらに、半透明層を２層以上の多層
膜にすることにより、各層によりエッチング加工時にエ
ッチング特性を組織構造の違いや成分比の違いにより制
御が可能となり、同一連続エッチング条件で単層に比べ
て垂直なエッチング断層が得られるように調整が可能と
なる。
膜にすることにより、各層によりエッチング加工時にエ
ッチング特性を組織構造の違いや成分比の違いにより制
御が可能となり、同一連続エッチング条件で単層に比べ
て垂直なエッチング断層が得られるように調整が可能と
なる。
【００１７】半透明層のエッチング法としては、一般的
な硝酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混合水溶液を
用いたウェットエッチング法や、Ｃｌ2 、ＣＣｌ4 、Ｃ
ＨＣｌ3 、ＣＨ2 Ｃｌ2 等に酸素を加えた混合ガスを用
いたドライエッチング法がよい。
な硝酸第二セリウムアンモンと過塩素酸の混合水溶液を
用いたウェットエッチング法や、Ｃｌ2 、ＣＣｌ4 、Ｃ
ＨＣｌ3 、ＣＨ2 Ｃｌ2 等に酸素を加えた混合ガスを用
いたドライエッチング法がよい。
【００１８】半透明層を構成する多層膜の膜厚は、露光
光の波長をλ、各層の膜厚をｔi 、各層の露光波長での
屈折率をｎi とすると、 ａλ＝Σi ｔi （ｎi −１） において、ａ＝１／２となるように調整すればよく、実
質上位相シフト量が１８０°となる。ここで、Σi はｉ
についての総和を表す。なお、１／４≦ａ≦３／４であ
れば、位相シフト層の効果が認められるが、ａが１／２
近傍にあることが最良であることは言うまでもない。
光の波長をλ、各層の膜厚をｔi 、各層の露光波長での
屈折率をｎi とすると、 ａλ＝Σi ｔi （ｎi −１） において、ａ＝１／２となるように調整すればよく、実
質上位相シフト量が１８０°となる。ここで、Σi はｉ
についての総和を表す。なお、１／４≦ａ≦３／４であ
れば、位相シフト層の効果が認められるが、ａが１／２
近傍にあることが最良であることは言うまでもない。
【００１９】
【作用】本発明においては、半透明層を物理的気相成長
法により形成したクロム化合物からなる構成にしたの
で、従来からフォトマスクの清浄な洗浄に用いられてい
るブラシ洗浄、高圧水洗浄、超音波洗浄等の物理的洗浄
がそのまま適応可能なため、通常のフォトマスクと同等
又はその延長上の品質を有する清浄な位相シフトフォト
マスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクスが製造
できる。また、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの
半透明層が従来の塗布ガラスを用いる場合の半分以下と
なるため、より垂直な加工断面を有する高精度なものが
製造可能となる。
法により形成したクロム化合物からなる構成にしたの
で、従来からフォトマスクの清浄な洗浄に用いられてい
るブラシ洗浄、高圧水洗浄、超音波洗浄等の物理的洗浄
がそのまま適応可能なため、通常のフォトマスクと同等
又はその延長上の品質を有する清浄な位相シフトフォト
マスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクスが製造
できる。また、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの
半透明層が従来の塗布ガラスを用いる場合の半分以下と
なるため、より垂直な加工断面を有する高精度なものが
製造可能となる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の位相シフトフォトマスク及び
位相シフトフォトマスク用ブランクスの実施例を具体的
に説明する。 〔実施例１〕図１は、本発明の一実施例の位相シフトフ
ォトマスクを模式的に示した断面図である。光学研磨さ
れた高純度石英ガラスからなる透明基板１上に、ＰＶＤ
法により形成されたクロム、酸素、窒素を成分とするク
ロム化合物からなる厚さ７０ｎｍの第１半遮光膜２と、
さらに、同様な方法で形成されたクロム、酸素、窒素、
炭素を成分とするクロム化合物からなる厚さ６５ｎｍの
第２半遮光膜３とが積層され、基板１上には、第１半遮
光膜２と第２半遮光膜３とで形成された半遮光層４の領
域と、この半遮光層４がない抜きパタンとしての透明な
領域５がある。なお、第１半遮光膜２と第２半遮光膜３
の３５６ｎｍでの屈折率は、それぞれ、２．３と２．４
であった。各層の屈折率は、膜形成条件を制御すること
により２０％程度は調整可能であった。
位相シフトフォトマスク用ブランクスの実施例を具体的
に説明する。 〔実施例１〕図１は、本発明の一実施例の位相シフトフ
ォトマスクを模式的に示した断面図である。光学研磨さ
れた高純度石英ガラスからなる透明基板１上に、ＰＶＤ
法により形成されたクロム、酸素、窒素を成分とするク
ロム化合物からなる厚さ７０ｎｍの第１半遮光膜２と、
さらに、同様な方法で形成されたクロム、酸素、窒素、
炭素を成分とするクロム化合物からなる厚さ６５ｎｍの
第２半遮光膜３とが積層され、基板１上には、第１半遮
光膜２と第２半遮光膜３とで形成された半遮光層４の領
域と、この半遮光層４がない抜きパタンとしての透明な
領域５がある。なお、第１半遮光膜２と第２半遮光膜３
の３５６ｎｍでの屈折率は、それぞれ、２．３と２．４
であった。各層の屈折率は、膜形成条件を制御すること
により２０％程度は調整可能であった。
【００２１】図２は、この実施例の位相フォトマスクの
半遮光層４の領域における波長２００〜８００ｎｍの範
囲での光の透過率スペクトルの一例を示すもので、３６
５ｎｍでの透過率は１１．５％と３〜３５％の範囲内に
調整されている。各層の透過率は、膜形成条件及び膜厚
を制御することにより調整可能であった。
半遮光層４の領域における波長２００〜８００ｎｍの範
囲での光の透過率スペクトルの一例を示すもので、３６
５ｎｍでの透過率は１１．５％と３〜３５％の範囲内に
調整されている。各層の透過率は、膜形成条件及び膜厚
を制御することにより調整可能であった。
【００２２】この実施例により形成された透明基板１上
の２層からなる半遮光層４がエッチング加工された部分
を斜め上方から電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）で見ると、エ
ッチング特性の違いにより、半遮光層端面が２つの部分
に分かれており、かつ、端部が基板面に対して垂直に揃
うように調整されていることが分かった。さらに、図３
（ａ）〜（ｃ）はこの実施例の製造方法を説明するため
の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、光学
研磨された高純度石英ガラスからなる透明基板１上に、
クロムをターゲットとして、アルゴン、酸素、窒素の混
合ガスを用いたスパッタリング法により、第１半透明膜
２を厚さ７０ｎｍだけ形成し、さらに、その上に、混合
ガスをアルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素の混合ガスを
用いたスパッタリング法により、第２半透明膜３を厚さ
６５ｎｍだけ積層することにより、２層からなる半遮光
層４を形成した位相シフトフォトマスク用ブランクスが
完成した。
の２層からなる半遮光層４がエッチング加工された部分
を斜め上方から電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）で見ると、エ
ッチング特性の違いにより、半遮光層端面が２つの部分
に分かれており、かつ、端部が基板面に対して垂直に揃
うように調整されていることが分かった。さらに、図３
（ａ）〜（ｃ）はこの実施例の製造方法を説明するため
の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、光学
研磨された高純度石英ガラスからなる透明基板１上に、
クロムをターゲットとして、アルゴン、酸素、窒素の混
合ガスを用いたスパッタリング法により、第１半透明膜
２を厚さ７０ｎｍだけ形成し、さらに、その上に、混合
ガスをアルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素の混合ガスを
用いたスパッタリング法により、第２半透明膜３を厚さ
６５ｎｍだけ積層することにより、２層からなる半遮光
層４を形成した位相シフトフォトマスク用ブランクスが
完成した。
【００２３】この際の第１半透明膜２と第２半透明膜３
の波長３６５ｎｍでの屈折率は、それぞれ、２．３と
２．４であった。また、波長２００〜８００ｎｍの範囲
の光の透過率は、図２の場合と同様であった。
の波長３６５ｎｍでの屈折率は、それぞれ、２．３と
２．４であった。また、波長２００〜８００ｎｍの範囲
の光の透過率は、図２の場合と同様であった。
【００２４】次に、図３（ｂ）に示すように、半遮光層
４上に、常法の電子線リソグラフィやフォトリソグラフ
ィを用いて、有機物を主成分とする所望のレジストパタ
ン６を形成した。
４上に、常法の電子線リソグラフィやフォトリソグラフ
ィを用いて、有機物を主成分とする所望のレジストパタ
ン６を形成した。
【００２５】次に、図３（ｃ）に示すように、Ｃｌ2 、
ＣＣｌ4 、ＣＨＣｌ3 、ＣＨ2 Ｃｌ2 等に酸素を加えた
混合ガスを用いたドライエッチング法により、レジスト
パタン６から露出した半遮光層４を連続的にエッチング
することにより、所望の抜きパタン５を形成した。最後
に、残ったレジスト６をプラズマアッシングや湿式剥離
液により除去することにより、図１に示す本発明による
位相シフトフォトマスクの一実施例が完成した。
ＣＣｌ4 、ＣＨＣｌ3 、ＣＨ2 Ｃｌ2 等に酸素を加えた
混合ガスを用いたドライエッチング法により、レジスト
パタン６から露出した半遮光層４を連続的にエッチング
することにより、所望の抜きパタン５を形成した。最後
に、残ったレジスト６をプラズマアッシングや湿式剥離
液により除去することにより、図１に示す本発明による
位相シフトフォトマスクの一実施例が完成した。
【００２６】〔実施例２〕図４に他の位相シフトフォト
マスクブランクスの実施例の断面図を示す。このブラン
クスは、光学研磨された高純度石英ガラスからなる透明
基板１上に、実施例１と同様のスパッタリング法によ
り、クロム、酸素、窒素、炭素を成分とするクロム化合
物からなる厚さ７０〜９０ｎｍの第１半遮光膜７を形成
し、２００℃〜４００℃の温度で真空加熱処理を１０〜
３０分程度行い、膜組織及び表面を改善後、再び第１半
遮光膜７と同様の形成方法により、クロム化合物からな
る厚さ４０〜７０ｎｍの第２半遮光膜８を第１半遮光膜
７上に積層して半遮光膜９を形成して、本発明に係る第
２の実施例の位相シフトフォトマスクブランクスが完成
した。
マスクブランクスの実施例の断面図を示す。このブラン
クスは、光学研磨された高純度石英ガラスからなる透明
基板１上に、実施例１と同様のスパッタリング法によ
り、クロム、酸素、窒素、炭素を成分とするクロム化合
物からなる厚さ７０〜９０ｎｍの第１半遮光膜７を形成
し、２００℃〜４００℃の温度で真空加熱処理を１０〜
３０分程度行い、膜組織及び表面を改善後、再び第１半
遮光膜７と同様の形成方法により、クロム化合物からな
る厚さ４０〜７０ｎｍの第２半遮光膜８を第１半遮光膜
７上に積層して半遮光膜９を形成して、本発明に係る第
２の実施例の位相シフトフォトマスクブランクスが完成
した。
【００２７】この実施例の場合、第２半遮光膜８は第１
半遮光膜７の表面改質後に形成されるため、一度に単層
形成された半遮光層に比べて、柱状組織が細かいので、
この２層からなる半遮光層９を有する本発明の第２実施
例の位相シフトフォトマスクブランクスはエッチング加
工精度がより良好であった。
半遮光膜７の表面改質後に形成されるため、一度に単層
形成された半遮光層に比べて、柱状組織が細かいので、
この２層からなる半遮光層９を有する本発明の第２実施
例の位相シフトフォトマスクブランクスはエッチング加
工精度がより良好であった。
【００２８】また、この第２実施例では、クロム、酸
素、窒素、炭素を成分とするクロム化合物に限定した
が、クロム、酸素、又は、クロム、酸素、窒素、又は、
クロム、酸素、炭素を成分とするクロム化合物でもよい
ことは言うまでもない。
素、窒素、炭素を成分とするクロム化合物に限定した
が、クロム、酸素、又は、クロム、酸素、窒素、又は、
クロム、酸素、炭素を成分とするクロム化合物でもよい
ことは言うまでもない。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク
用ブランクスによると、半透明層を物理的気相成長法に
より形成したクロム化合物からなる構成にしたので、従
来からフォトマスクの清浄な洗浄に用いられているブラ
シ洗浄、高圧水洗浄、超音波洗浄等の物理的洗浄がその
まま適応可能なため、通常のフォトマスクと同等又はそ
の延長上の品質を有する清浄な位相シフトフォトマスク
及び位相シフトフォトマスク用ブランクスが製造でき
る。また、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの半透
明層が従来の塗布ガラスを用いる場合の半分以下となる
ため、より垂直な加工断面を有する高精度なものが製造
可能となる。
の位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク
用ブランクスによると、半透明層を物理的気相成長法に
より形成したクロム化合物からなる構成にしたので、従
来からフォトマスクの清浄な洗浄に用いられているブラ
シ洗浄、高圧水洗浄、超音波洗浄等の物理的洗浄がその
まま適応可能なため、通常のフォトマスクと同等又はそ
の延長上の品質を有する清浄な位相シフトフォトマスク
及び位相シフトフォトマスク用ブランクスが製造でき
る。また、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの半透
明層が従来の塗布ガラスを用いる場合の半分以下となる
ため、より垂直な加工断面を有する高精度なものが製造
可能となる。
【図１】本発明の一実施例の位相シフトフォトマスクを
模式的に示した断面図である。
模式的に示した断面図である。
【図２】図１の実施例の位相フォトマスクの半遮光層領
域における光の透過率スペクトルを示す図である。
域における光の透過率スペクトルを示す図である。
【図３】図１の実施例の製造方法を説明するための断面
図である。
図である。
【図４】他の位相シフトフォトマスクブランクスの実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【図５】従来のハーフトーン位相シフトフォトマスクの
一例の断面図である。
一例の断面図である。
１…透明基板 ２…第１半遮光膜 ３…第２半遮光膜 ４…半遮光層 ５…抜きパタン部 ６…レジストパタン ７…第１半遮光膜 ８…第２半遮光膜 ９…半遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 毛利 弘 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大 日本印刷株式会社内 (72)発明者 高橋正泰 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大 日本印刷株式会社内 (72)発明者 宮下裕之 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大 日本印刷株式会社内 (72)発明者 飯村幸夫 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大 日本印刷株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に、透明な領域と物理的気相
成長法により形成したクロム化合物からなる半透明層の
領域とを有し、転写時の露光波長に対して、透明な領域
の透過率を１００％としたとき、半透明層の領域の透過
率が３〜３５％であり、かつ、半透明層の領域が透明な
領域に対して、露光波長の位相を実質上１８０°シフト
させる構成としたことを特徴とする位相シフトフォトマ
スク。 - 【請求項２】 前記クロム化合物が、クロム、酸素、又
は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、酸素、炭素、
又は、クロム、酸素、窒素、炭素からなり、かつ、前記
半透明層が単層膜又は２層以上の多層膜からなることを
特徴とする請求項１記載の位相シフトフォトマスク。 - 【請求項３】 透明基板上に、物理的気相成長法により
形成したクロム化合物からなる半透明層を有し、転写時
の露光波長に対して、透明基板の透過率を１００％とし
たとき、半透明層の透過率が３〜３５％であり、かつ、
半透明層の露光波長の位相シフト量が実質上１８０°と
なる構成としたことを特徴とする位相シフトフォトマス
ク用ブランクス。 - 【請求項４】 前記クロム化合物が、クロム、酸素、又
は、クロム、酸素、窒素、又は、クロム、酸素、炭素、
又は、クロム、酸素、窒素、炭素からなり、かつ、前記
半透明層が単層膜又は２層以上の多層膜からなることを
特徴とする請求項３記載の位相シフトフォトマスク用ブ
ランクス。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8343493A JP3312702B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス |
| KR1019940007413A KR100295385B1 (ko) | 1993-04-09 | 1994-04-08 | 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및이들의제조방법 |
| US08/225,905 US5538816A (en) | 1993-04-09 | 1994-04-11 | Halftone phase shift photomask, halftone phase shift photomask blank, and methods of producing the same |
| EP98109008A EP0872767B1 (en) | 1993-04-09 | 1994-04-11 | Halftone phase shift photomask and halftone phase shift photomask blank |
| DE69421109T DE69421109T2 (de) | 1993-04-09 | 1994-04-11 | Halbtonphasenverschiebungsphotomaske, Blankohalbtonphasenverschiebungsmaske, und Verfahren zur Herstellung solcher Photomasken |
| EP94105561A EP0620497B1 (en) | 1993-04-09 | 1994-04-11 | Halftone phase shift photomask, halftone phase shift photomask blank, and methods of producing the same |
| KR1020000064065A KR100329946B1 (ko) | 1993-04-09 | 2000-10-30 | 하프톤 위상쉬프트 포토마스크, 하프톤 위상쉬프트포토마스크용 블랭크스 및 이들의 제조방법 |
| KR1020000064067A KR100329953B1 (ko) | 1993-04-09 | 2000-10-30 | 하프톤 위상쉬프트 포토마스크, 하프톤 위상쉬프트포토마스크용 블랭크스 |
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|---|---|---|---|
| JP8343493A JP3312702B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス |
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|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06308713A true JPH06308713A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3312702B2 JP3312702B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=13802336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8343493A Expired - Lifetime JP3312702B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス |
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|---|---|
| JP (1) | JP3312702B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0743888A (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-14 | Ulvac Seimaku Kk | フォトマスクブランクスおよびフォトマスク |
| WO1997004360A1 (fr) * | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Hoya Corporation | Ebauche de masque de decalage de phase et procede de production |
| WO1997015866A1 (fr) * | 1995-10-24 | 1997-05-01 | Ulvac Coating Corporation | Masque a changement de phase et son procede de fabrication |
| US6451489B1 (en) | 1999-09-21 | 2002-09-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phase shift photomask |
| JP2002287330A (ja) * | 2002-03-01 | 2002-10-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク |
| US6599667B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-07-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask and blank for halftone phase shift photomask |
| JP2005128278A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
| KR100725214B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2007-06-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 하프톤 위상 시프트 포토 마스크용 블랭크, 및 하프톤위상 시프트 포토 마스크 |
| JP2013148892A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
| JP2020024406A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | Hoya株式会社 | フォトマスク修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置用デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6661262B2 (ja) | 2014-05-29 | 2020-03-11 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP8343493A patent/JP3312702B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0743888A (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-14 | Ulvac Seimaku Kk | フォトマスクブランクスおよびフォトマスク |
| WO1997004360A1 (fr) * | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Hoya Corporation | Ebauche de masque de decalage de phase et procede de production |
| US5955223A (en) * | 1995-07-19 | 1999-09-21 | Hoya Corporation | Phase-shift mask blank and process for the production thereof comprising a semi transparent film with silicon and nitrogen |
| WO1997015866A1 (fr) * | 1995-10-24 | 1997-05-01 | Ulvac Coating Corporation | Masque a changement de phase et son procede de fabrication |
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| KR100725214B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2007-06-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 하프톤 위상 시프트 포토 마스크용 블랭크, 및 하프톤위상 시프트 포토 마스크 |
| US6599667B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-07-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask and blank for halftone phase shift photomask |
| JP2002287330A (ja) * | 2002-03-01 | 2002-10-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク |
| JP2005128278A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
| JP4525893B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2010-08-18 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
| JP2013148892A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
| JP2020024406A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | Hoya株式会社 | フォトマスク修正方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置用デバイスの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3312702B2 (ja) | 2002-08-12 |
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